本發(fā)明涉及材料檢測技術(shù)，特別涉及一種太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的方法和裝置。

背景技術(shù)：

太赫茲頻段目標(biāo)散射特性基礎(chǔ)研究項(xiàng)目意在建立典型目標(biāo)太赫茲電磁特性模型，研究目標(biāo)在太赫茲頻段的電磁特性計(jì)算、測量、分析和特征提取等的方法，掌握太赫茲頻段目標(biāo)的散射特性，形成典型目標(biāo)太赫茲頻段電磁散射特性數(shù)據(jù)庫，為太赫茲主動(dòng)探測與成像的軍事應(yīng)用提供技術(shù)支撐。

在太赫茲目標(biāo)特性研究中，需要了解各種材料的電磁參數(shù)，從而可以利用這些參數(shù)進(jìn)行目標(biāo)的散射建模。而在現(xiàn)有技術(shù)中，材料的電磁參數(shù)大多通過實(shí)驗(yàn)的方法來獲得，通常是通過兩套太赫茲反射、透射光路系統(tǒng)來分別獲得材料的反射系數(shù)、透射系數(shù)，然后再經(jīng)過反演獲得材料在該太赫茲頻段的電磁參數(shù)。由于是使用兩套不同的實(shí)驗(yàn)測試系統(tǒng)，因此即使所放置的是同一材料樣品，電磁波入射在該材料樣品上的位置等參數(shù)都會(huì)具有較大的測試誤差，并且測試效率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的方法和裝置，從而可以在同一太赫茲脈沖下同步完成同一待測材料樣品的反射系數(shù)和透射系數(shù)的同步測量與數(shù)據(jù)采集，實(shí)現(xiàn)待測材料的反射系數(shù)、透射系數(shù)和電磁參數(shù)的同步獲取。

本發(fā)明的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的方法，該方法包括：

設(shè)置一個(gè)用于測量透射系數(shù)的透射探測光路和一個(gè)用于測量反射系數(shù)的反射探測光路；

在材料板支架上放置參考樣板，使得太赫茲脈沖波以45度角斜入射到參考樣板，并使得被參考樣板反射的太赫茲脈沖波輸出至反射探測光路中的第二探測器；

撤去參考樣板，使得太赫茲脈沖波直接輸出至透射探測光路中的第一探測器；

第一探測器將接收到的太赫茲脈沖波轉(zhuǎn)換為第一參考信號(hào)，第二探測器將接收到的太赫茲脈沖波轉(zhuǎn)換為第二參考信號(hào)；

在材料板支架上放置待測材料板，使得太赫茲脈沖波以45度角斜入射到待測材料板，并使得被待測材料板透射的太赫茲脈沖波輸出至透射探測光路中的第一探測器，同時(shí)使得被待測材料板反射的太赫茲脈沖波輸出至反射探測光路中的第二探測器；

第一探測器將接收到的太赫茲脈沖波轉(zhuǎn)換為透射信號(hào)，第二探測器將接收到的太赫茲脈沖波轉(zhuǎn)換為反射信號(hào)；

根據(jù)所述透射信號(hào)、反射信號(hào)、第一參考信號(hào)和第二參考信號(hào)，計(jì)算得到待測材料板的透射系數(shù)、反射系數(shù)和所需的電磁參數(shù)。

較佳的，透射系數(shù)和反射系數(shù)通過如下的公式計(jì)算得到：

其中，τ和t分別表示反射系數(shù)和透射系數(shù)，I_r(ω)和I_s(ω)分別為待測材料板的反射信號(hào)和待測材料板的透射信號(hào)經(jīng)傅立葉變換以后得到的信號(hào)強(qiáng)度，I_r0(ω)和I_i(ω)分別為第二參考信號(hào)和第一參考信號(hào)經(jīng)傅立葉變換以后得到的信號(hào)強(qiáng)度。

較佳的，根據(jù)如下的方法得到電磁參數(shù)：

當(dāng)45°入射的太赫茲脈沖波被待測材料板透射時(shí)，介質(zhì)中傳播因子為：

其中，p(ω,L)為介質(zhì)中傳播因子，ω為頻率，L為介質(zhì)的厚度，為復(fù)折射率，c為光速；

根據(jù)如下公式計(jì)算得到復(fù)透射系數(shù)為：

其中，H(ω)為復(fù)透射系數(shù)，E_total(ω)為通過待測材料板的太赫茲波的電場強(qiáng)度，E_ref(ω)為第一參考信號(hào)的電場強(qiáng)度，入射角為折射角，為空氣的折射率，對(duì)于空氣介質(zhì)為待測材料板的復(fù)折射率，L為太赫茲波在待測材料板中傳輸?shù)木嚯x，b為參考信號(hào)與直接透射的太赫茲電磁波在待測材料板內(nèi)產(chǎn)生的附加光程差，F(xiàn)P(ω)為由于法布里波羅標(biāo)準(zhǔn)具效應(yīng)引起的干涉項(xiàng)，

忽略樣品中多次震蕩，可令：FP(ω)＝1，則：

其中，n₂為復(fù)折射率實(shí)部，k₂為復(fù)折射率虛部消光系數(shù)；

將復(fù)透射函數(shù)寫成輔角和模的形式：

聯(lián)立方程(1)和(2)，代入ρ(ω)、Φ(ω)的測量值即可計(jì)算得到材料的折射率n₂(ω)和k₂(ω)；

根據(jù)復(fù)折射率的實(shí)部和虛部計(jì)算復(fù)介電常數(shù)：

ε_r＝n₂²(ω)-k₂²(ω)，ε_i＝2n₂(ω)k₂(ω)；

其中，ε_r為介電常數(shù)實(shí)部，ε_i為介電常數(shù)虛部，n₂(ω)和k₂(ω)分別為被測材料的折射率和消光系數(shù)。

本發(fā)明中還提供了一種太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的裝置，該裝置包括：光源、第一分束器、太赫茲波發(fā)生器、材料板支架、至少兩個(gè)反射器、第一探測器和第二探測器；

所述光源，用于輸出脈沖光；

所述第一分束器，用于將所述光源輸出的脈沖光分為兩束脈沖光，使得其中一束脈沖光作為泵浦光束經(jīng)過延遲線輸出至所述太赫茲波發(fā)生器，而使得另一束脈沖光作為探測光束通過反射鏡和探測分束器之后，分別輸出至第一探測器和第二探測器；

所述太赫茲波發(fā)生器，用于被所述泵浦光束激發(fā)而輸出太赫茲脈沖波；

所述材料板支架，用于放置并固定待測材料板或參考樣板；

所述至少兩個(gè)反射器，用于反射所述太赫茲波發(fā)生器輸出的太赫茲脈沖波，使得所述太赫茲脈沖波以45度角斜入射到材料板支架上的待測材料板或參考樣板上；

所述第一探測器，用于接收分束器輸出的探測光束，并當(dāng)材料板支架上未放置任何物體時(shí)，接收被所述反射器反射的太赫茲脈沖波；當(dāng)材料板支架上放置待測材料板時(shí)，接收被待測材料板透射的太赫茲脈沖波；

所述第二探測器，用于接收分束器輸出的探測光束，并當(dāng)材料板支架上放置參考樣板或待測材料板時(shí)，接收被參考樣板或待測材料板反射的太赫茲脈沖波。

較佳的，所述光源為飛秒脈沖激光光源。

較佳的，所述太赫茲波發(fā)生器為發(fā)射天線。

較佳的，所述裝置還進(jìn)一步包括：激光輔助定位裝置；

所述激光輔助定位裝置用于精確確定待測材料板或參考樣板的位置。

較佳的，在第一探測器和第二探測器之前分別設(shè)置有一個(gè)電光晶體。

較佳的，所述電光晶體為ZnTe晶體。

較佳的，在各個(gè)光路中設(shè)置有衰減片，用于調(diào)節(jié)光路上的光強(qiáng)。

如上可見，在本發(fā)明中的太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的方法和裝置中，對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的太赫茲時(shí)域光譜測量系統(tǒng)(THz-TDS)進(jìn)行了改進(jìn)升級(jí)，設(shè)置了兩路探測光路，其中一路完成反射系數(shù)的測量，另一路同時(shí)完成透射系數(shù)的測量，并通過光程的測量和光路的設(shè)計(jì)，從而可以實(shí)現(xiàn)在同一太赫茲脈沖下同步完成同一待測材料樣品的反射系數(shù)和透射系數(shù)的同步測量與數(shù)據(jù)采集，實(shí)現(xiàn)了待測材料的透射系數(shù)和反射系數(shù)的同步測量，從而可以快速、準(zhǔn)確地提取材料的電磁參數(shù)，實(shí)現(xiàn)待測材料的反射系數(shù)、透射系數(shù)和電磁參數(shù)的同步獲取。

另外，更進(jìn)一步的，由于本發(fā)明中的太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的方法和裝置，區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)中的太赫茲頻段材料反射系數(shù)和透射系數(shù)測量方法，將被測材料樣品板與入射太赫茲光束成45度角放置，而且在測量參考樣板的太赫茲波反射能量時(shí)，參考樣板也需要同樣45角放置，因此設(shè)計(jì)了材料板支架，并設(shè)計(jì)了激光輔助定位裝置予以精確確定待測材料板和參考樣板的位置，解決了材料樣板快速精準(zhǔn)定位的難題，降低了由于待測材料板與參考樣板由于放置角度偏差而引入的測量誤差，為散射建模提供了可靠的材料性能數(shù)據(jù)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中的太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的方法的流程示意圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例中的太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為太赫茲脈沖波45度角入射參考樣板后被全反射后的示意圖。

圖4為太赫茲脈沖波45度角入射待測材料板的數(shù)學(xué)模型示意圖。

圖5為玻璃鋼的太赫茲時(shí)域光譜示意圖。

圖6為本發(fā)明中電磁參數(shù)推導(dǎo)的原理示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。

本發(fā)明的技術(shù)方案中提供了一種太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的方法和裝置，從而可以。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中的太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的方法的流程示意圖。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例中的太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的方法主要包括如下所述的步驟：

步驟11，設(shè)置一個(gè)用于測量透射系數(shù)的透射探測光路和一個(gè)用于測量反射系數(shù)的反射探測光路。

在本步驟中，將同時(shí)設(shè)置兩個(gè)探測光路：透射探測光路和反射探測光路，如圖2所示。其中，透射探測光路中設(shè)置有一個(gè)探測器，可以稱為第一探測器，反射探測光路中也設(shè)置有一個(gè)探測器，可以稱為第二探測器。

步驟12，在材料板支架上放置參考樣板，使得太赫茲脈沖波以45度角斜入射到參考樣板，并使得被參考樣板反射的太赫茲脈沖波輸出至反射探測光路中的第二探測器。

在本步驟中，將在上述的兩個(gè)探測光路中的材料板支架上設(shè)置參考樣板，使得由太赫茲波發(fā)生器輸出的太赫茲脈沖波以45度角斜入射到參考樣板上，從而使得被參考樣板反射的太赫茲脈沖波輸出至反射探測光路中的第二探測器。

步驟13，撤去參考樣板，使得太赫茲脈沖波直接輸出至透射探測光路中的第一探測器。

在本步驟中，將撤去參考樣板，此時(shí)，由太赫茲波發(fā)生器輸出的太赫茲脈沖波將直接輸出至透射探測光路中的第一探測器，

步驟14，第一探測器將接收到的太赫茲脈沖波轉(zhuǎn)換為第一參考信號(hào)，第二探測器將接收到的太赫茲脈沖波轉(zhuǎn)換為第二參考信號(hào)。

步驟15，在材料板支架上放置待測材料板，使得太赫茲脈沖波以45度角斜入射到待測材料板，并使得被待測材料板透射的太赫茲脈沖波輸出至透射探測光路中的第一探測器，同時(shí)使得被待測材料板反射的太赫茲脈沖波輸出至反射探測光路中的第二探測器。

在本步驟中，將在材料板支架上放置待測材料板，即將待測材料板放置在參考樣板的同樣位置，使得由太赫茲波發(fā)生器輸出的太赫茲脈沖波以45度角斜入射到待測材料板上，從而使得一部分太赫茲脈沖波透射穿過待測材料板輸出至透射探測光路中的第一探測器，而另一部分太赫茲脈沖波則被待測材料板反射至反射探測光路中的第二探測器。

步驟16，第一探測器將接收到的太赫茲脈沖波轉(zhuǎn)換為透射信號(hào)，第二探測器將接收到的太赫茲脈沖波轉(zhuǎn)換為反射信號(hào)。

步驟17，根據(jù)所述透射信號(hào)、反射信號(hào)、第一參考信號(hào)和第二參考信號(hào)，計(jì)算得到待測材料板的透射系數(shù)、反射系數(shù)和所需的電磁參數(shù)。

通過上述的步驟11～17，即可同時(shí)測量得到樣品(即待測材料板)的透射系數(shù)、反射系數(shù)和所需的電磁參數(shù)。

本發(fā)明中還提供了一種太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的裝置。圖2為本發(fā)明實(shí)施例中的太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例中的太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的裝置主要包括：光源11、第一分束器12、太赫茲波發(fā)生器13、材料板支架14、至少兩個(gè)反射器15、第一探測器16和第二探測器17；

所述光源，用于輸出脈沖光；

所述第一分束器，用于將所述光源輸出的脈沖光分為兩束脈沖光，使得其中一束脈沖光作為泵浦光束經(jīng)過延遲線18輸出至所述太赫茲波發(fā)生器13，而使得另一束脈沖光作為探測光束通過反射鏡23和探測分束器24之后，分別輸出至第一探測器和第二探測器；

所述太赫茲波發(fā)生器，用于被所述泵浦光束激發(fā)而輸出太赫茲脈沖波；

所述材料板支架，用于放置并固定待測材料板21或參考樣板(圖中未示出)；

所述至少兩個(gè)反射器，用于反射所述太赫茲波發(fā)生器輸出的太赫茲脈沖波，使得所述太赫茲脈沖波以45度角斜入射到材料板支架上的待測材料板或參考樣板上；

所述第一探測器，用于接收分束器輸出的探測光束，并當(dāng)材料板支架上未放置任何物體時(shí)，接收被所述反射器反射的太赫茲脈沖波；當(dāng)材料板支架上放置待測材料板時(shí)，接收被待測材料板透射的太赫茲脈沖波；

所述第二探測器，用于接收分束器輸出的探測光束，并當(dāng)材料板支架上放置參考樣板或待測材料板時(shí)，接收被參考樣板或待測材料板反射的太赫茲脈沖波。

通過使用上述的裝置，可同時(shí)測量得到樣品(即待測材料板)的透射系數(shù)、反射系數(shù)和所需的電磁參數(shù)。

另外，較佳的，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，所述光源可以是飛秒(femtosecond)脈沖激光光源。該飛秒脈沖激光光源可以以一定的重復(fù)周期輸出脈沖光。

另外，較佳的，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，所述太赫茲波發(fā)生器可以是發(fā)射天線。

另外，較佳的，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，所述太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的裝置還可以進(jìn)一步包括：激光輔助定位裝置；所述激光輔助定位裝置用于精確確定待測材料板或參考樣板的位置。

此外，較佳的，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，還可以在第一探測器和第二探測器之前分別設(shè)置有一個(gè)電光晶體25。例如，該電光晶體可以是碲化鋅(ZnTe)晶體。

當(dāng)太赫茲波與探測光束一起到達(dá)該電光晶體時(shí)，太赫茲波的電場可以改變?cè)撾姽饩w的折射率橢球，從而改變探測光束的o光e光狀態(tài)。通過探測二者的強(qiáng)度差，可以間接測量太赫茲波的電場強(qiáng)度。

此外，較佳的，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，還可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用情況的需要，在各個(gè)光路中設(shè)置衰減片26，用于調(diào)節(jié)光路上的光強(qiáng)。例如，可以通過衰減片減小泵浦在太赫茲發(fā)射天線上的光強(qiáng)，以免光強(qiáng)過強(qiáng)。

圖3為太赫茲脈沖波45度角入射參考樣板后被全反射后的示意圖，圖4為太赫茲脈沖波45度角入射待測材料板的數(shù)學(xué)模型示意圖，圖5為玻璃鋼的太赫茲時(shí)域光譜示意圖。如圖3、4和5所示，在本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例中，實(shí)驗(yàn)測試可以選用玻璃鋼板(FRP)材料作為待測材料板。在實(shí)際實(shí)驗(yàn)中，所用的玻璃鋼板的厚度d為1.1mm，測試環(huán)境：溫度23.4℃，濕度2.7％。利用復(fù)合型THz-TDS系統(tǒng)(例如，圖2所示的裝置)進(jìn)行探測，太赫茲脈沖波以45度角斜入射到被測試的厚度為d的樣品上。

太赫茲脈沖波透過樣品后其振幅和位相發(fā)生了改變。圖3中所示的E_i為入射的太赫茲脈沖波的電場強(qiáng)度，E_r0為被參考樣板全反射后的太赫茲脈沖波的電場強(qiáng)度，圖4中所示的E_r是被待測材料板反射后的太赫茲脈沖波的電場強(qiáng)度，E_s是透過待測材料板后的太赫茲脈沖波的電場強(qiáng)度，d為樣品厚度，n₁為空氣的折射率，n₂為待測材料板的折射率。

在本發(fā)明的技術(shù)方案中，以實(shí)驗(yàn)所使用的待測材料板為玻璃鋼板為例，可以使用上述的方法對(duì)玻璃鋼板進(jìn)行材料透射和反射光譜的探測。

太赫茲脈沖波45度角斜入射到被測試的厚度為d的樣品(即待測材料板)上時(shí)，其振幅和位相均發(fā)生了改變。利用透射光路測量沒有樣品時(shí)的太赫茲信號(hào)作為第一參考信號(hào)，利用反射光路測量放置全反射參考樣板時(shí)的太赫茲信號(hào)作為第二參考信號(hào)；在放入樣品后，利用兩光路同步測量透過樣品的太赫茲信號(hào)(即透射信號(hào))和樣品反射的能量(即反射信號(hào))，從而可以根據(jù)所述透射信號(hào)、反射信號(hào)、第一參考信號(hào)和第二參考信號(hào)，計(jì)算得到待測材料板的透射系數(shù)、反射系數(shù)和所需的電磁參數(shù)。

例如，較佳的，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，透射系數(shù)和反射系數(shù)可以通過如下的公式計(jì)算得到：

其中，τ和t分別表示反射系數(shù)和透射系數(shù)，I_r(ω)和I_s(ω)分別為待測材料板的反射信號(hào)和待測材料板的透射信號(hào)經(jīng)傅立葉變換以后得到的信號(hào)強(qiáng)度，I_r0(ω)和I_i(ω)分別為參考樣板全反射的信號(hào)(即第二參考信號(hào))和無樣品時(shí)自由透過的信號(hào)(即第一參考信號(hào))經(jīng)傅立葉變換以后得到的信號(hào)強(qiáng)度，分別由反射光路和透射光路的第一探測器和第二探測器測量得到。

為保證測量的精確性，需要對(duì)兩個(gè)探測光路進(jìn)行精準(zhǔn)測量，在保證二者相等的同時(shí)，也需要保證其與兩個(gè)探測激光脈沖傳播的路徑等光程，從而確保同步測量透射和反射的太赫茲脈沖是同一脈沖信號(hào)，并且是使用同一孿生的探測激光脈沖予以探測。

另外，在本發(fā)明的技術(shù)方案中，還可根據(jù)所述透射信號(hào)、反射信號(hào)、第一參考信號(hào)和第二參考信號(hào)，計(jì)算得到待測材料板的電磁參數(shù)。

例如，較佳的，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，還可以通過如下的方式推導(dǎo)得到所需的電磁參數(shù)。

圖6為本發(fā)明中電磁參數(shù)推導(dǎo)的原理示意圖。如圖6所示，由于待測材料板是成45角放置(即入射角為45度)，區(qū)別于通常情況下的正入射(入射角為0度)，從菲涅爾公式出發(fā)推導(dǎo)如下：

當(dāng)45°入射的太赫茲脈沖波被待測材料板透射時(shí)，介質(zhì)中傳播因子為：

其中，p(ω,L)為介質(zhì)中傳播因子，ω為頻率，L為介質(zhì)的厚度，為復(fù)折射率，c為光速。

根據(jù)圖6中所示的模型和菲涅耳公式可計(jì)算出復(fù)透射系數(shù)為：

其中，H(ω)為復(fù)透射系數(shù)，E_total(ω)為通過待測材料板的太赫茲波的電場強(qiáng)度，E_ref(ω)為參考太赫茲脈沖(即第一參考信號(hào))的電場強(qiáng)度，入射角為折射角，為空氣的折射率，對(duì)于空氣介質(zhì)為介質(zhì)(即待測材料板)的復(fù)折射率，L為太赫茲波在待測材料板中傳輸?shù)木嚯x，b為參考信號(hào)與直接透射的太赫茲電磁波在待測材料板內(nèi)產(chǎn)生的附加光程差，F(xiàn)P(ω)為由于法布里波羅標(biāo)準(zhǔn)具效應(yīng)引起的干涉項(xiàng)。

忽略樣品中多次震蕩，可令：FP(ω)＝1，則：

其中，n₂為復(fù)折射率實(shí)部，k₂為復(fù)折射率虛部消光系數(shù)。

將復(fù)透射函數(shù)寫成輔角和模的形式：

方程(1)和(2)聯(lián)立，代入ρ(ω)、Φ(ω)的測量值即可計(jì)算得到材料的折射率n₂(ω)和k₂(ω)。

根據(jù)復(fù)折射率的實(shí)部和虛部計(jì)算復(fù)介電常數(shù)：

ε_r＝n₂²(ω)-k₂²(ω)，ε_i＝2n₂(ω)k₂(ω)；

其中，ε_r為介電常數(shù)實(shí)部，ε_i為介電常數(shù)虛部，n₂(ω)和k₂(ω)分別為被測材料的折射率和消光系數(shù)。

綜上可知，在本發(fā)明中的太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的方法和裝置中，對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的太赫茲時(shí)域光譜測量系統(tǒng)(THz-TDS)進(jìn)行了改進(jìn)升級(jí)，設(shè)置了兩路探測光路，其中一路完成反射系數(shù)的測量，另一路同時(shí)完成透射系數(shù)的測量，并通過光程的測量和光路的設(shè)計(jì)，從而可以實(shí)現(xiàn)在同一太赫茲脈沖下同步完成同一待測材料樣品的反射系數(shù)和透射系數(shù)的同步測量與數(shù)據(jù)采集，實(shí)現(xiàn)了待測材料的透射系數(shù)和反射系數(shù)的同步測量，從而可以快速、準(zhǔn)確地提取材料的電磁參數(shù)，實(shí)現(xiàn)待測材料的反射系數(shù)、透射系數(shù)和電磁參數(shù)的同步獲取。

另外，更進(jìn)一步的，由于本發(fā)明中的太赫茲頻段同步測量材料透波反射特性的方法和裝置，區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)中的太赫茲頻段材料反射系數(shù)和透射系數(shù)測量方法，將被測材料樣品板與入射太赫茲光束成45度角放置，而且在測量參考樣板的太赫茲波反射能量時(shí)，參考樣板也需要同樣45角放置，因此設(shè)計(jì)了材料板支架，并設(shè)計(jì)了激光輔助定位裝置予以精確確定待測材料板和參考樣板的位置，解決了材料樣板快速精準(zhǔn)定位的難題，降低了由于待測材料板與參考樣板由于放置角度偏差而引入的測量誤差，為散射建模提供了可靠的材料性能數(shù)據(jù)。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。