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晶體加壓測漏罐的制作方法

文檔序號:11008135閱讀:531來源:國知局
晶體加壓測漏罐的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型的目的在于提供晶體加壓測漏罐,晶體放入后能快速完成加壓檢測的過程,提高了檢測的效率。為了實(shí)現(xiàn)所述目的,本實(shí)用新型晶體加壓測漏罐,包括帶有上蓋的罐體,所述罐體內(nèi)設(shè)有晶體放置架,所述上蓋和罐體之間設(shè)有密封裝置,所述罐體內(nèi)設(shè)有加壓口和加液口,所述加壓口和加液口的外延管道上均設(shè)有閥門,還包括一個集成檢測儀,所述集成檢測儀的探頭通過加壓口連接到晶體放置架上。通過這樣的設(shè)置,本實(shí)用新型晶體加壓測漏罐和現(xiàn)有技術(shù)相比,在加壓過程中直接通過檢測裝置來進(jìn)行檢測,取出后直接清洗、干燥后就能包裝,避免現(xiàn)有技術(shù)中在檢測過程中導(dǎo)致晶體二次受損。
【專利說明】
晶體加壓測漏罐
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及一種快速測試裝置,尤其涉及晶體加壓測漏罐?!颈尘凹夹g(shù)】
[0002]晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片,石英晶體諧振器,簡稱為石英晶體或晶體、晶振;而在封裝內(nèi)部添加1C組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝,也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。
[0003]由于晶體的體積小,而且對精度要求很高,有時候很小的一個缺口就會導(dǎo)致晶體性能的改變。因此在生產(chǎn)完畢后需要對晶體進(jìn)行一個檢測?,F(xiàn)有技術(shù)中常用的檢測技術(shù)是將晶體放置在一個密封容器中,然后注入檢測專用的液體,然后對密封容器加壓。這樣,如果晶體有縫隙,檢測液就會滲入到晶體內(nèi)部,這樣對晶體檢測時就會發(fā)現(xiàn)晶體的頻率和電阻發(fā)生了變化。但是現(xiàn)有技術(shù)中檢測過程包括將晶體放入容器、取出等步驟,還需要對晶體單個檢測,整體的效率比較低。【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供晶體加壓測漏罐,晶體放入后能快速完成加壓檢測的過程,提高了檢測的效率。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)所述目的,本實(shí)用新型晶體加壓測漏罐,包括帶有上蓋的罐體,所述罐體內(nèi)設(shè)有晶體放置架,所述上蓋和罐體之間設(shè)有密封裝置,所述罐體內(nèi)設(shè)有加壓口和加液口, 所述加壓口和加液口的外延管道上均設(shè)有閥門,還包括一個集成檢測儀,所述集成檢測儀的探頭通過加壓口連接到晶體放置架上。
[0006]優(yōu)選的,所述罐體的側(cè)壁為雙層不銹鋼結(jié)構(gòu),其中外層側(cè)壁上設(shè)有封閉卡接槽,所述上蓋邊緣設(shè)有和封閉卡接槽匹配的密封栓。這樣的結(jié)構(gòu)能保證加壓過程中的整個罐體的密封性。
[0007]優(yōu)選的,所述晶體放置架為梯形架體,晶體放置架設(shè)有至少1層晶體放置層,所述晶體放置層上設(shè)有晶體放置口。
[0008]優(yōu)選的,所述晶體放置口為一個矩形的通孔,且通孔下方兩側(cè)設(shè)有架設(shè)筋。這樣的結(jié)構(gòu)下晶體放置在晶體放置層上時上下通透,便于后期測量。
[0009]優(yōu)選的,所述罐體內(nèi)還設(shè)有壓力計。壓力計雖然設(shè)置在罐體內(nèi),但是其顯示部分是延伸在罐體外的,這樣可以對罐體內(nèi)的壓力進(jìn)行監(jiān)控,確保操作人員時刻能夠看到罐內(nèi)壓力,避免危險發(fā)生。[〇〇1〇]優(yōu)選的,所述罐體底部開有定位槽,晶體放置架固定在定位槽中。這樣的結(jié)構(gòu)確保晶體放置架在工作過程中不會因?yàn)榧訅憾l(fā)生位移或者晃動。
[0011]通過這樣的設(shè)置,本實(shí)用新型晶體加壓測漏罐和現(xiàn)有技術(shù)相比,在加壓過程中直接通過檢測裝置來進(jìn)行檢測,取出后直接清洗、干燥后就能包裝,避免現(xiàn)有技術(shù)中在檢測過程中導(dǎo)致晶體二次受損。【附圖說明】

[0012]圖1是本實(shí)用新型晶體加壓測漏罐的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖2是本實(shí)用新型晶體加壓測漏罐的晶體放置架的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖3是本實(shí)用新型晶體加壓測漏罐的晶體放置層的結(jié)構(gòu)示意圖?!揪唧w實(shí)施方式】
[0015]如圖1所示:晶體加壓測漏罐,包括帶有上蓋1的罐體2,所述罐體2內(nèi)設(shè)有晶體放置架3,所述上蓋1和罐體2之間設(shè)有密封裝置,所述罐體2內(nèi)設(shè)有加壓口 5和加液口 6,所述加壓口 5和加液口 6的外延管道上均設(shè)有閥門7,還包括一個集成檢測儀8,因?yàn)樵诩訅哼^程中需要關(guān)閉加液口 6,因此為了便于檢測,所述集成檢測儀8的探頭通過加壓口 5連接到晶體放置架3上。為了確保罐體2能承受高強(qiáng)度高頻率的加壓步驟,所述罐體2的側(cè)壁為雙層不銹鋼結(jié)構(gòu),減少多次加壓對罐體的影響。其中外層側(cè)壁上設(shè)有封閉卡接槽,所述上蓋1邊緣設(shè)有和封閉卡接槽匹配的密封栓4。
[0016]如圖2所示,所述晶體放置架3為梯形架體,晶體放置架3設(shè)有至少1層晶體放置層 9,所述晶體放置層9上設(shè)有晶體放置口。[〇〇17]如圖3所示,所述晶體放置口為一個矩形的通孔,且通孔下方兩側(cè)設(shè)有架設(shè)筋10。
[0018]進(jìn)一步的,所述罐體2內(nèi)還設(shè)有壓力計。所述罐體2底部開有定位槽,晶體放置架3 固定在定位槽中。
[0019]通過這樣的結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型可以將晶體先放置在晶體放置架3上,然后再放置到罐體2內(nèi)。晶體放置架3固定在罐體2底部的定位槽中便于定位,也方便集成檢測儀8的探頭的連接。然后關(guān)閉上蓋1,對罐體2密封后進(jìn)行加液步驟。加液要沒過晶體放置架3.加液完畢后關(guān)閉加液口6上的閥門7,進(jìn)行加壓。加壓后,如果晶體本身有細(xì)小縫隙,罐體2內(nèi)的液體就會被壓入到晶體中,導(dǎo)致晶體的頻率和電阻都發(fā)生變化。這樣集成檢測儀8就能檢測到故障晶體所在。
[0020]檢測完畢后,加液口 6同時起到放液的作用。晶體取出后剔除掉不合格品,將剩余的晶體清洗、干燥后即可包裝。整個檢測步驟和現(xiàn)有技術(shù)相比更快速,提高了檢測的效率。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.晶體加壓測漏罐,包括帶有上蓋(1)的罐體(2),所述罐體(2)內(nèi)設(shè)有晶體放置架(3), 其特征在于:所述上蓋(1)和罐體(2)之間設(shè)有密封裝置,所述罐體(2)內(nèi)設(shè)有加壓口(5)和 加液口(6 ),所述加壓口( 5)和加液口( 6)的外延管道上均設(shè)有閥門(7 ),還包括一個集成檢 測儀(8),所述集成檢測儀(8)的探頭通過加壓口(5)連接到晶體放置架(3)上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶體加壓測漏罐,其特征在于,所述罐體(2)的側(cè)壁為雙層不銹 鋼結(jié)構(gòu),其中外層側(cè)壁上設(shè)有封閉卡接槽,所述上蓋(1)邊緣設(shè)有和封閉卡接槽匹配的密封 栓⑷。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述晶體加壓測漏罐,其特征在于,所述晶體放置架(3)為梯形架 體,晶體放置架(3)設(shè)有至少1層晶體放置層(9),所述晶體放置層(9)上設(shè)有晶體放置口。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述晶體加壓測漏罐,其特征在于,所述晶體放置口為一個矩形的通 孔,且通孔下方兩側(cè)設(shè)有架設(shè)筋(10)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶體加壓測漏罐,其特征在于,所述罐體(2)內(nèi)還設(shè)有壓力計。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶體加壓測漏罐,其特征在于,所述罐體(2)底部開有定位槽,晶 體放置架(3)固定在定位槽中。
【文檔編號】G01M3/40GK205719414SQ201620510851
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年5月29日
【發(fā)明人】陳康, 徐興華, 伊利平, 鮑旭偉, 徐天云
【申請人】金華市創(chuàng)捷電子有限公司
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