本實(shí)用新型涉及一種凍干機(jī)共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)測(cè)試設(shè)備。

背景技術(shù)：

目前，國(guó)產(chǎn)凍干機(jī)還都是非標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品。大部分生產(chǎn)廠家走的是仿制道路，有些廠家在采用國(guó)外先進(jìn)技術(shù)的同時(shí)，也進(jìn)行了較大的改進(jìn)。如：加熱板內(nèi)采用了特殊導(dǎo)流裝置，使板內(nèi)流體的流量均勻，保證了加熱的均勻和穩(wěn)定；捕水器在工作中可實(shí)現(xiàn)交替捕水和融冰，捕水器盤管內(nèi)氨液制冷方式由傳統(tǒng)的氨液相變制冷改為氨液無相變制冷，使捕水器盤管內(nèi)溫度均勻，結(jié)霜性能良好。對(duì)于凍干機(jī)而言，這些設(shè)計(jì)、改進(jìn)與優(yōu)化，只是補(bǔ)充凍干中的熱升華、捕水性，提高了凍干效率；但是對(duì)于物料的凍干質(zhì)量作用并不大。

保證物料質(zhì)量，提高物料活性與還原性，最大限度地保持被干物料的細(xì)胞活性以及被干物料的色、香、味、形和營(yíng)養(yǎng)成分，而且復(fù)水性能好。凍干食品是采用現(xiàn)代脫水技術(shù)與工藝加工而成的集方便、保健、純天然為一體的高品質(zhì)綠色食品，避免了傳統(tǒng)脫水方法帶來的變色、變質(zhì)、變味、成分流失、無法還原等缺陷。降低能耗，保證凍干產(chǎn)品質(zhì)量是必然趨勢(shì)。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的唯一砝碼就是控制物料溫度。即物料的共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)溫度。

目前，國(guó)內(nèi)外凍干機(jī)能測(cè)試物料共晶點(diǎn)的儀器體積大、耗電高、費(fèi)用昂貴、啟動(dòng)測(cè)試成本高，支援浪費(fèi)巨大。獨(dú)立的共晶點(diǎn)與共熔點(diǎn)測(cè)試儀，價(jià)格也都在幾萬元甚至幾十萬元，加之受制冷加熱溫度與設(shè)備的影響，局限性太大，并且沒有一個(gè)設(shè)備可以同時(shí)具有共晶點(diǎn)與共熔點(diǎn)測(cè)試的雙重功能。95％的藥品、食品、生物制品、科學(xué)研究、生物制備等真空冷凍干燥都無法實(shí)現(xiàn)有效溫度控制的工藝化凍干。所有的凍干工藝還都是在不斷的實(shí)驗(yàn)中摸索最佳凍干溫度.大量耗費(fèi)人力與物力.真空冷凍干燥還都處于初級(jí)階段。眾多的商家對(duì)共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)測(cè)試還都望而興嘆。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種凍干機(jī)共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)測(cè)試設(shè)備，能夠改善現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，實(shí)現(xiàn)真空、冷凍、干燥、同時(shí)又能對(duì)物料“共晶點(diǎn)”、“共熔 點(diǎn)”溫度進(jìn)行檢測(cè)與分析；并自動(dòng)根據(jù)“共晶點(diǎn)”“共熔點(diǎn)”溫度對(duì)凍干工藝設(shè)置溫度控制，最大限度地保持被干物料的細(xì)胞活性以及被干物料的色、香、味、形及復(fù)水性和營(yíng)養(yǎng)成分，是目前國(guó)內(nèi)乃至國(guó)際市場(chǎng)都沒有既能冷凍干燥又同時(shí)實(shí)現(xiàn)“共晶點(diǎn)”“共熔點(diǎn)”測(cè)試分析的全方位真空冷凍干燥分析系統(tǒng)，操作簡(jiǎn)單，經(jīng)濟(jì)實(shí)用。

本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種凍干機(jī)共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)測(cè)試設(shè)備，包括共熔點(diǎn)測(cè)試倉及設(shè)置在共熔點(diǎn)測(cè)試倉下方的共晶點(diǎn)測(cè)試倉，所述的共熔點(diǎn)測(cè)試倉包括呈中空?qǐng)A筒狀的凍干倉及設(shè)置在凍干倉內(nèi)部的加熱盤，在所述的加熱盤上設(shè)置有物料盤，在該物料盤內(nèi)設(shè)置有共熔點(diǎn)測(cè)試筆，在所述的凍干倉頂部設(shè)置有上蓋，在所述的凍干倉底部設(shè)置有下蓋，在所述的下蓋下方設(shè)置有不銹鋼面板，所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉位于所述的不銹鋼面板下方，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉內(nèi)設(shè)置有物料盤，在該物料盤內(nèi)設(shè)置有共晶點(diǎn)測(cè)試筆，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉外圍設(shè)置有蒸發(fā)器，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉上設(shè)置有抽真空口，在所述的不銹鋼面板上設(shè)置有通孔使所述的凍干倉與所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉相連通，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉下方設(shè)置有排水口，在所述的不銹鋼面板上方設(shè)置有檢測(cè)點(diǎn)。

進(jìn)一步地，為更好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型在所述的上蓋下端面上設(shè)置有環(huán)狀凹槽，在所述的環(huán)狀凹槽內(nèi)嵌有密封圈，所述的凍干倉的上端面能夠嵌入到所述的環(huán)狀凹槽內(nèi)。

進(jìn)一步地，為更好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型在所述的下蓋的上端面上設(shè)置有環(huán)狀凹槽，在該環(huán)狀凹槽內(nèi)嵌有密封圈，所述的凍干倉的下端面能夠嵌入到所述的環(huán)狀凹槽內(nèi)。

進(jìn)一步地，為更好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型所述的加熱盤螺栓連接在所述的凍干倉(101)內(nèi)側(cè)。

進(jìn)一步地，為更好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型在所述的凍干倉上設(shè)置有溫度傳感器。

進(jìn)一步地，為更好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型所述的加熱盤包括由上向下依次設(shè)置的金屬層、加熱層和隔熱層。

溶液并不是在某一固定溫度時(shí)凝結(jié)或者熔解，而是在某一溫度范圍內(nèi)凝結(jié)或者熔解，當(dāng)冷卻時(shí)開始析出晶體的溫度稱為溶液的冰點(diǎn)，而溶液全部凝結(jié)的溫度 叫做溶液的凝固點(diǎn)。同時(shí)也是融化的開始溫度(既熔點(diǎn))，對(duì)于溶液來說也是溶質(zhì)和溶媒共同熔化的溫度，又叫做共熔點(diǎn)。可見溶液的冰點(diǎn)與共熔點(diǎn)是不相同的。共熔點(diǎn)才是溶液真正全部凝成固體的溫度。在凍結(jié)過程中，僅從表觀和溫度變化確定產(chǎn)品是否完全凍結(jié)是不可能的，隨著物態(tài)變化電性能的變化，特別是電阻率變化能夠反映凍結(jié)的過程。因?yàn)槿芤菏请x子導(dǎo)電，凍結(jié)導(dǎo)致溶液離子靜止不動(dòng)，溶液電阻率明顯增大。而有少量液體存在時(shí)電阻率將顯著下降。因此測(cè)量產(chǎn)品的電阻率將能確定產(chǎn)品的共熔點(diǎn)。

溫度-電阻曲線當(dāng)由液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)，待測(cè)物的電阻發(fā)生變化，記錄溫度-電阻曲線，該曲線的突變點(diǎn)即是凝固點(diǎn)，并自動(dòng)顯示出共晶點(diǎn)溫度值。在一定壓強(qiáng)下，溫度-電阻曲線當(dāng)固體轉(zhuǎn)變?yōu)橐后w，待測(cè)物的電阻發(fā)生變化，記錄溫度-電阻曲線，該曲線的突變點(diǎn)即是熔點(diǎn)。同樣自動(dòng)顯示物料的共熔點(diǎn)溫度。共晶點(diǎn)和共熔點(diǎn)對(duì)確定冷凍范圍非常重要。

進(jìn)一步地，為更好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，所述的共熔點(diǎn)測(cè)試包括凍干倉及設(shè)置在凍干倉內(nèi)的加熱盤，在所述的加熱盤上設(shè)置有物料盤，在該物料盤內(nèi)設(shè)置有共熔點(diǎn)測(cè)試筆，在所述的凍干倉頂部設(shè)置有上蓋，在所述的凍干倉底部設(shè)置有下蓋，在所述的下蓋下方設(shè)置有不銹鋼面板。

進(jìn)一步地，為更好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，所述的共晶點(diǎn)測(cè)試包括共晶點(diǎn)測(cè)試倉及與所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉相連接的壓縮機(jī)，所述的共晶點(diǎn)測(cè)試系統(tǒng)位于所述的不銹鋼面板下方，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉外周設(shè)置有蒸發(fā)器，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉上設(shè)置有通氣閥，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉上設(shè)置有抽真空口，在所述的不銹鋼面板上設(shè)置有通孔使所述的凍干倉與所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉相連通，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉下方設(shè)置有排水口，所述的凍干倉下端內(nèi)側(cè)設(shè)置有蒸發(fā)器，所述的真空系統(tǒng)包括連接在所述的抽真空口上的真空泵，所述的真空泵通過連接管道與所述的抽真空口相連接，在所述的連接管道上設(shè)置有過濾器，在所述的過濾器與所述的真空泵之間的連接管道上設(shè)置有真空調(diào)節(jié)閥。

進(jìn)一步地，為更好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，所述的共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)分析包括設(shè)置在所述的不銹鋼面板上方的檢測(cè)點(diǎn)，在所述的物料盤內(nèi)設(shè)置有測(cè)試筆，所述的測(cè)試筆通過線路與所述的顯示操作系統(tǒng)相連接。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下有益效果：

(1)本實(shí)用新型通過采用凍干機(jī)冷阱制冷，隔板加熱，經(jīng)過多年研究，改革創(chuàng)新，將共晶點(diǎn)與共熔點(diǎn)的分析測(cè)試與儀器完美集合一起，實(shí)現(xiàn)多少年來都沒有辦法實(shí)現(xiàn)小型凍干機(jī)共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)分析測(cè)試技術(shù)。大大提高了工作效率、節(jié)省資金、減少使用空間、與資源浪費(fèi)。

(2)本實(shí)用新型通過采用制冷系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)分析系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)真空、冷凍、干燥、同時(shí)又能對(duì)物料“共晶點(diǎn)”、“共熔點(diǎn)”溫度進(jìn)行檢測(cè)與分析，實(shí)現(xiàn)“共晶點(diǎn)”“共熔點(diǎn)”測(cè)試分析的全方位真空冷凍干燥分析系統(tǒng)，操作簡(jiǎn)單，經(jīng)濟(jì)實(shí)用。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本實(shí)用新型的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例1整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1加熱盤結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例3整體結(jié)構(gòu)示意框圖。

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例3整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本實(shí)用新型共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)測(cè)試原理圖；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例3共晶點(diǎn)測(cè)試函數(shù)分析圖；

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例3共熔點(diǎn)測(cè)試函數(shù)分析圖；

圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例4整體結(jié)構(gòu)示意框圖。

其中：101.凍干倉，102.加熱盤，103.上蓋，104.下蓋，105.不銹鋼面板，106.共晶點(diǎn)測(cè)試倉，107.蒸發(fā)器，109.抽真空口，110.環(huán)狀凹槽，111.檢測(cè)點(diǎn)，113.金屬層，114.加熱層，115.隔熱層，116.真空泵，117.過濾器，118.真空調(diào)節(jié)閥。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)介紹，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。

實(shí)施例1：

如圖1、2所示，一種凍干機(jī)共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)測(cè)試設(shè)備，包括共熔點(diǎn)測(cè)試倉及設(shè)置在共熔點(diǎn)測(cè)試倉下方的共晶點(diǎn)測(cè)試倉106，所述的共熔點(diǎn)測(cè)試倉包括呈中空?qǐng)A筒狀的凍干倉101及設(shè)置在凍干倉101內(nèi)部的加熱盤102，在所述的加熱盤102上設(shè)置有物料盤，在該物料盤內(nèi)設(shè)置有共熔點(diǎn)測(cè)試筆，在所述的凍干倉101頂部設(shè)置有上蓋103，在所述的凍干倉101底部設(shè)置有下蓋104，在所述的下蓋104下方設(shè)置有不銹鋼面板105，所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉106位于所述的不銹鋼面板105下方，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉106內(nèi)設(shè)置有物料盤，在該物料盤內(nèi)設(shè)置有共晶點(diǎn)測(cè)試筆，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉106外圍設(shè)置有蒸發(fā)器107，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉106上設(shè)置有抽真空口109，在所述的不銹鋼面板105上設(shè)置有通孔使所述的凍干倉101與所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉106相連通，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉106下方設(shè)置有排水口，在所述的不銹鋼面板105上方設(shè)置有檢測(cè)點(diǎn)111。

將物料放置在加熱片上方的物料盤內(nèi)，通過在抽真空口上連接真空泵，即可使共晶點(diǎn)測(cè)試倉和凍干倉內(nèi)保持一定的真空度，通過共晶點(diǎn)測(cè)試倉對(duì)物料進(jìn)行降溫，使物料在低溫下快速凍結(jié)，然后通過加熱盤對(duì)物料進(jìn)行加熱，使物料中的冰晶通過升華的方式出去，并通過蒸發(fā)器使殘留水分以水蒸氣形式排出。

實(shí)施例2：

本實(shí)施例在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例中，為了使上蓋能夠更好地相對(duì)凍干倉密封，使凍干倉內(nèi)保持一定的真空度，優(yōu)選地，在所述的上蓋103下端面上設(shè)置有環(huán)狀凹槽110，在所述的環(huán)狀凹槽110內(nèi)嵌有密封圈，所述的凍干倉101的上端面能夠嵌入到所述的環(huán)狀凹槽110內(nèi)。

本實(shí)施例中，為了使下蓋能夠更好地相對(duì)凍干倉密封，使凍干倉內(nèi)保持一定的真空度，優(yōu)選地，在所述的下蓋104的上端面上設(shè)置有環(huán)狀凹槽110，在該環(huán)狀凹槽110內(nèi)嵌有密封圈，所述的凍干倉101的下端面能夠嵌入到所述的環(huán)狀凹槽110內(nèi)。

為了方便結(jié)構(gòu)的拆裝，本實(shí)施例中，優(yōu)選地，所述的加熱盤102螺栓連接在所述的凍干倉101內(nèi)側(cè)?？梢栽诩訜岜P上設(shè)置支架，方便將其固定在凍干倉內(nèi)，本實(shí)施例中，進(jìn)一步優(yōu)選地，采用鋁合金制成支架結(jié)構(gòu)，將支架結(jié)構(gòu)固定連接在凍干倉內(nèi)，將加熱盤螺栓連接在支架結(jié)構(gòu)上。

為了方便檢測(cè)溫度，本實(shí)施例中，優(yōu)選地，在所述的凍干倉101上設(shè)置有溫 度傳感器。

為了方便使加熱更加均勻，本實(shí)施例中，優(yōu)選地，所述的加熱盤102包括由上向下依次設(shè)置的金屬層113、加熱層114和隔熱層115。通過采用上述設(shè)置，能夠使表現(xiàn)更加光滑平整，使不同層加熱盤之間相互不干擾，方便控制溫度，使受熱更加均勻。

本實(shí)用新型將測(cè)試筆放入物料中，物料放入制冷系統(tǒng)，物料制冷同時(shí)，中央處理器記錄溫度與阻值，計(jì)算出共晶點(diǎn)或共融點(diǎn)溫度。物料真空冷凍干燥，共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)測(cè)試與在同一個(gè)設(shè)備中完成。經(jīng)濟(jì)、實(shí)用，簡(jiǎn)單、快捷。是目前唯一的真空冷凍干燥共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)測(cè)試完成系統(tǒng)。

實(shí)施例3：

共熔點(diǎn)的測(cè)定常采用電阻法測(cè)定，但是沒有固定的設(shè)備，測(cè)定所得數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性以及重現(xiàn)性無法保證。費(fèi)用非常高，難度也非常大。而且不適用于一些性質(zhì)不穩(wěn)定，常壓常溫下易變形的待測(cè)物。

本實(shí)施例中，如圖3、圖4所示，一種凍干機(jī)共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)測(cè)試系統(tǒng)，包括顯示操作系統(tǒng)及分別與顯示操作系統(tǒng)相連接的共晶點(diǎn)測(cè)試系統(tǒng)、共熔點(diǎn)測(cè)試系統(tǒng)、程序控制系統(tǒng)、制冷系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、真空系統(tǒng)。

本實(shí)施例中，公開了一種共熔點(diǎn)測(cè)試系統(tǒng)的優(yōu)選結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地，所述的共熔點(diǎn)測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)包括凍干倉101及設(shè)置在凍干倉101內(nèi)的加熱盤102，在所述的加熱盤102上設(shè)置有物料盤，在該物料盤內(nèi)設(shè)置有共熔點(diǎn)測(cè)試筆，在所述的凍干倉101頂部設(shè)置有上蓋103，在所述的凍干倉101底部設(shè)置有下蓋104，在所述的下蓋104下方設(shè)置有不銹鋼面板105。

本實(shí)施例中，還公開了一種共晶點(diǎn)測(cè)試系統(tǒng)的優(yōu)選結(jié)構(gòu)，所述的共晶點(diǎn)測(cè)試系統(tǒng)包括共晶點(diǎn)測(cè)試倉106及與所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉106相連接的壓縮機(jī)，所述的共晶點(diǎn)測(cè)試系統(tǒng)位于所述的不銹鋼面板105下方，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉106外周設(shè)置有蒸發(fā)器107，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉106上設(shè)置有通氣閥，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉106，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉106上設(shè)置有抽真空口109，在所述的不銹鋼面板105上設(shè)置有通孔使所述的凍干倉101與所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉106相連通，在所述的共晶點(diǎn)測(cè)試倉106下方設(shè)置有排水口，所述的凍干倉101下端內(nèi)側(cè)設(shè)置有蒸發(fā)器107，所述的真空系統(tǒng)包括連接在所述的抽真空口109上的真 空泵116，所述的真空泵116通過連接管道與所述的抽真空口109相連接，在所述的連接管道上設(shè)置有過濾器117，在所述的過濾器117與所述的真空泵116之間的連接管道上設(shè)置有真空調(diào)節(jié)閥118。

如圖5所示，先利用制冷系統(tǒng)進(jìn)行制冷，程序控制系統(tǒng)記錄溫度、曲線；開啟共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)分析系統(tǒng)，當(dāng)溫度與阻值發(fā)生突變時(shí)，程序控制系統(tǒng)記錄下突變時(shí)的溫度與阻值，顯示操作系統(tǒng)顯示出共晶點(diǎn)溫度；進(jìn)行共熔點(diǎn)測(cè)試，開啟制冷系統(tǒng)進(jìn)行制冷，利用共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)分析系統(tǒng)檢測(cè)物料，把待測(cè)物料放置在樣品盤上(加熱盤)置入共晶點(diǎn)測(cè)試倉進(jìn)行冷凍；將物料凍到-40℃，開啟共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試開關(guān)，獲取共晶點(diǎn)測(cè)試函數(shù)分析圖，如圖6所示；點(diǎn)擊共熔點(diǎn)測(cè)試；開啟加熱系統(tǒng)，利用加熱盤開始對(duì)容器中的物料加熱，當(dāng)物料加熱溫度發(fā)生突變時(shí)，程序控制系統(tǒng)記錄共熔點(diǎn)溫度，顯示操作系統(tǒng)顯示出測(cè)試結(jié)果，如圖7所示。

實(shí)施例4：

本實(shí)施例在實(shí)施例3的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例中，通過采用過濾器和調(diào)節(jié)閥，能夠使物料中的水分通過真空泵排出，相比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)，通過采用調(diào)節(jié)閥結(jié)構(gòu)，能夠避免物料被真空泵抽走，避免物料損失，同時(shí)避免真空泵堵塞。

優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述的共晶點(diǎn)共熔點(diǎn)分析系統(tǒng)包括設(shè)置在所述的不銹鋼面板105上方的檢測(cè)點(diǎn)111，在所述的物料盤內(nèi)設(shè)置有測(cè)試筆，所述的測(cè)試筆通過線路與所述的顯示操作系統(tǒng)相連接。

本實(shí)施例中，進(jìn)一步優(yōu)選地，還包括與所述的顯示操作系統(tǒng)相連接的遠(yuǎn)程控制系統(tǒng)、干濕度報(bào)警系統(tǒng)、加熱除霜系統(tǒng)及惰性氣體回填系統(tǒng)。

如圖8所示，優(yōu)選地，所述的干濕度報(bào)警系統(tǒng)包括設(shè)置在所述的凍干倉101內(nèi)部的濕度傳感器，所述的濕度傳感器通過線路與所述的顯示操作系統(tǒng)相連接，所述的惰性氣體回填系統(tǒng)包括與所述的凍干倉相連通的惰性氣體連通管，在所述的惰性氣體連通管外側(cè)設(shè)置有增壓泵。

以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。