技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種交直流混合激勵(lì)下的磁屏蔽框磁損耗的測(cè)算方法。該方法在交直流混合激勵(lì)下，采用瞬態(tài)場(chǎng)對(duì)平波電抗器模型進(jìn)行仿真，按磁通密度Bm分布近似相等的原則將磁屏蔽框模型劃分為若干個(gè)等效均勻域，通過(guò)MagNet軟件計(jì)算出每個(gè)等效均勻域一個(gè)周期內(nèi)的所有平均磁場(chǎng)強(qiáng)度H，進(jìn)而計(jì)算出每個(gè)等效均勻域中直流偏置磁場(chǎng)強(qiáng)度Hdc，并按劃分后的等效均勻域重新建立平波電抗器模型，賦予每個(gè)等效均勻域在相應(yīng)的直流偏置磁場(chǎng)強(qiáng)度Hdc下的Bm?P損耗特性曲線，再次對(duì)重新建模后的平波電抗器模型進(jìn)行三維有限元瞬態(tài)仿真，最終計(jì)算出每個(gè)等效均勻域的磁損耗，將每個(gè)等效均勻域的磁損耗代數(shù)相加，即得到磁屏蔽框的磁損耗。該方法減少了計(jì)算工作量和計(jì)算時(shí)間。

技術(shù)研發(fā)人員：趙志剛;郭瑩;劉洋;劉福貴;尹賽寧
受保護(hù)的技術(shù)使用者：河北工業(yè)大學(xué)
文檔號(hào)碼：201610988769
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.10
技術(shù)公布日：2017.05.31