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用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負載試驗裝置的制作方法

文檔序號:11825164閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負載試驗裝置,其特征在于,該裝置包括:試驗操作終端(1)、與所述試驗操作終端(1)連接的多個控制/采集電路(2),以及與所述控制/采集電路(2)連接的多個浪涌負載發(fā)生單元(3),所述浪涌負載發(fā)生單元(3)與電磁繼電器一一對應(yīng)連接,其中,

所述試驗操作終端(1)用于向所述控制/采集電路(2)下發(fā)實驗控制命令,并通過所述控制/采集電路(2)和所述浪涌負載發(fā)生單元(3)接收電磁繼電器的觸點電流采樣信息;

所述控制/采集電路(2)用于根據(jù)所述實驗控制命令調(diào)節(jié)所述浪涌負載發(fā)生單元(3)的電阻阻值從而向電磁繼電器輸出浪涌電流;

所述浪涌負載發(fā)生單元(3)用于在所述控制/采集電路(2)的控制下向電磁繼電器輸出預(yù)定大小的浪涌電流,并采樣電磁繼電器的所述觸點電流采樣信息通過所述控制/采集電路(2)反饋給所述試驗操作終端(1)。

2.如權(quán)利要求1所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負載試驗裝置,其特征在于,所述試驗操作終端(1)具體包括:

上位機(11),用于設(shè)置浪涌實驗參數(shù)并顯示觸點電流波形;以及

處理器(12),與所述上位機(11)連接,用于根據(jù)所述浪涌實驗參數(shù)生成實驗控制命令。

3.如權(quán)利要求2所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負載試驗裝置,其特征在于,所述上位機(11)為個人電腦;所述處理器(12)為STM32單片機。

4.如權(quán)利要求2所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負載試驗裝置,其特征在于,所述控制/采集電路(2)具體包括:板選電路(21)、主控單元(22)、數(shù)據(jù)采集電路(23)和線圈驅(qū)動電路(24),其中,

所述板選電路(21)的使能信號輸入端與所述處理器(12)的電路選擇信號輸出引腳連接;

所述主控單元(22)的數(shù)據(jù)采集控制I/O口與所述數(shù)據(jù)采集電路(23)的數(shù)據(jù)輸出引腳連接,所述主控單元(22)的線圈驅(qū)動控制I/O口與所述線圈驅(qū)動電路(24)的控制輸入端口連接,所述主控單元(22)的CS端口、IN端口和OUT端口與所述處理器(12)的控制與數(shù)據(jù)采集I/O口連接;

所述主控單元(22)、所述數(shù)據(jù)采集電路(23)和所述線圈驅(qū)動電路(24)的電源輸入端均與所述板選電路(21)連接。

5.如權(quán)利要求4所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負載試驗裝置,其特征在于,所述板選電路(21)進一步包括:

第一繼電器(211),具有線圈(2111)和常開觸點(2112),所述線圈(2111)的一端與所述常開觸點(2112)的一端短接后與電源正極連接;

三極管(212),其集電極與所述線圈(2111)的另一端連接,其發(fā)射極接地;

第一電阻(213),一端與所述三極管(212)的基極連接,另一端與所述處理器(12)的電路選擇信號輸出引腳連接;以及

第二電阻(214),一端與所述三極管(212)的發(fā)射極連接,另一端與所述處理器(12)的電路選擇信號輸出引腳連接。

6.如權(quán)利要求4所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負載試驗裝置,其特征在于,所述浪涌負載發(fā)生單元(3)具體包括:

第三電阻(31),其第一端與電磁繼電器的動合靜觸點連接;

第四電阻(32),其第一端與所述第三電阻(31)的第二端連接,第二端接地;

第五電阻(33),其第一端與電磁繼電器的動合靜觸點連接;

MOS管(34),其漏極與所述第五電阻(33)的第二端連接,基極與所述控制/采集電路(2)的Ci端口連接,源極與所述控制/采集電路(2)的Ei端口連接;

第六電阻(35),其第一端與所述MOS管(34)的漏極連接,第二端與所述MOS管(34)的源極連接;以及

第七電阻(36),其第一端與所述MOS管(34)的源極連接,第二端接地。

7.如權(quán)利要求6所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負載試驗裝置,其特征在于,所述第三電阻(31)的阻值為7500歐姆;所述第四電阻(32)的阻值為1000歐姆;所述第五電阻(33)的阻值為5.6歐姆;所述第六電阻(35)的阻值為22歐姆;所述第七電阻(36)的阻值為0.1歐姆。

8.如權(quán)利要求6所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負載試驗裝置,其特征在于,所述主控單元(22)為FPGA芯片;所述線圈驅(qū)動電路(24)為晶體管陣列,所述晶體管陣列的控制輸入端與所述主控單元(22)的線圈驅(qū)動控制I/O口連接,所述晶體管陣列的輸出端口通過所述浪涌負載發(fā)生單元(3)與電磁繼電器線圈(W)連接。

9.如權(quán)利要求6所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負載試驗裝置,其特征在于,所述數(shù)據(jù)采集電路(23)進一步包括:分壓電路(231)、跟隨電路(232)及A/D轉(zhuǎn)換芯片(233),其中,

所述浪涌負載發(fā)生單元(3)的E端口通過所述分壓電路、所述跟隨電路連接到所述A/D轉(zhuǎn)換芯片的輸入引腳,所述A/D轉(zhuǎn)換芯片的輸出引腳與所述主控單元(22)的數(shù)據(jù)采集控制I/O口連接。

10.如權(quán)利要求6所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負載試驗裝置,其特征在于,所述第四電阻(32)的第一端與所述主控單元(22)連接。

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