本發(fā)明涉及毫米波半導(dǎo)體固態(tài)功率器件檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種雪崩二極管低頻參數(shù)測(cè)試裝置。

背景技術(shù)：

雪崩二極管是一種負(fù)阻器件，在特定腔體中能把直流功率轉(zhuǎn)換成微波毫米波信號(hào)功率輸出，器件主要的低頻參數(shù)有零偏電容C₀、擊穿電容C_np、擊穿電壓、正向?qū)妷杭肮ぷ鲿r(shí)的電流等，雪崩二極管的這些低頻參數(shù)對(duì)器件的工作頻率、輸出功率及可靠性等有較大影響。

在測(cè)試時(shí)，通常需要用測(cè)試裝置上的夾持卡槽來(lái)固定被測(cè)物，以及通過(guò)測(cè)試裝置來(lái)建立被測(cè)物與測(cè)量?jī)x表之間的電學(xué)測(cè)試聯(lián)系，針對(duì)不同的被測(cè)物、測(cè)試指標(biāo)及測(cè)試儀表，測(cè)試裝置也會(huì)不同，一般均為專用定制。以往的器件參數(shù)測(cè)試，常采用夾具進(jìn)行，結(jié)構(gòu)和功能單一，輸入輸出接口也不標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)器件不同電學(xué)參數(shù)的測(cè)試，往往需要使用多個(gè)測(cè)試夾具，給器件測(cè)試帶來(lái)諸多困難，影響測(cè)試結(jié)果的一致性，且測(cè)試效率也較低。

雪崩二極管器件是一種特殊的氣密封裝二端口分立結(jié)構(gòu)，具有特定的管芯密封尺寸和散熱結(jié)構(gòu)體，器件低頻參數(shù)中的零偏電容C₀和擊穿電容C_np實(shí)際值只有幾Pf量級(jí)，屬于低值電容測(cè)量范圍，在測(cè)試裝置的夾持結(jié)構(gòu)、連接端口的設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)采用開爾文接線方式盡可能地消除由連接線引入的雜散電容和電磁場(chǎng)耦合對(duì)器件電容測(cè)量值的影響，同時(shí)又要滿足雪崩二極管其它電學(xué)參數(shù)的測(cè)試要求，目前，尚未有滿足此要求的測(cè)試裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種雪崩二極管低頻參數(shù)測(cè)試裝置，該測(cè)試裝置不僅具有測(cè)試雪崩二極管低容值電容參數(shù)所需的開爾文接法測(cè)試接口，而且還能夠測(cè)量雪崩二極管的其它低頻電學(xué)參數(shù)，易于和主流測(cè)試儀器標(biāo)準(zhǔn)接口連接。

本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：

一種雪崩二極管低頻參數(shù)測(cè)試裝置，包括底座，底座側(cè)部設(shè)有四個(gè)BNC接頭，底座上設(shè)有固定臺(tái)，固定臺(tái)內(nèi)嵌設(shè)有下測(cè)試探針，下測(cè)試探針與固定臺(tái)相互絕緣，下測(cè)試探針頂端設(shè)有用于容納待測(cè)雪崩二極管的卡槽，下測(cè)試探針底端設(shè)有第一測(cè)試線纜與第二測(cè)試線纜，第一測(cè)試線纜與第二測(cè)試線纜的另一端分別與兩個(gè)BNC接頭相連；所述測(cè)試裝置還包括支撐架與支撐臂，支撐架設(shè)于底座上，支撐臂的一端與支撐架鉸接、另一端設(shè)有上測(cè)試探針，上測(cè)試探針頭部朝下設(shè)置，用于和待測(cè)雪崩二極管形成配合，上測(cè)試探針尾部設(shè)有第三測(cè)試線纜與第四測(cè)試線纜，第三測(cè)試線纜與第四測(cè)試線纜的另一端分別與另外兩個(gè)BNC接頭相連；所述底座上還設(shè)有調(diào)節(jié)支撐架，調(diào)節(jié)支撐架位于支撐臂中部的下方，調(diào)節(jié)支撐架上設(shè)有手輪，手輪通過(guò)連接軸連接有偏心輪，偏心輪的輪外周與支撐臂形成配合。

進(jìn)一步的，所述測(cè)試裝置還包括彈簧，彈簧的一端與支撐架相連，另一端與支撐臂相連。

本發(fā)明的有益效果是，將雪崩二極管固定與卡槽內(nèi)，通過(guò)上、下測(cè)試探針?lè)謩e與雪崩二極管的兩極形成配合，四根測(cè)試線纜構(gòu)成測(cè)試雪崩二極管低容值電容所需的開爾文接法，每根測(cè)試線纜均連接有BNC接頭，BNC接頭可以很方便地與各類測(cè)試儀表相連接，從而對(duì)雪崩二極管進(jìn)行低頻電學(xué)參數(shù)的測(cè)試。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明：

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1中固定臺(tái)的放大示意圖；

圖3是圖1中上測(cè)試探針的放大裝配示意圖；

圖4是圖1中調(diào)節(jié)支撐架、手輪與偏心輪的裝配側(cè)視圖。

具體實(shí)施方式

如圖1所示，本發(fā)明提供一種雪崩二極管低頻參數(shù)測(cè)試裝置，包括底座1，底座1側(cè)部設(shè)有四個(gè)BNC接頭，即第一BNC接頭2、第二BNC接頭3、第三BNC接頭4、第四BNC接頭5。

結(jié)合圖2所示，底座1上設(shè)有固定臺(tái)6，固定臺(tái)6為空心結(jié)構(gòu)，頂部設(shè)有絕緣塊6a, 絕緣塊6a通過(guò)緊固螺母6b固定在固定臺(tái)6頂部，絕緣塊6a內(nèi)嵌設(shè)有下測(cè)試探針7，下測(cè)試探針7頂端高于絕緣塊6a、底端延伸入固定臺(tái)6的內(nèi)腔，從而和固定臺(tái)6相互絕緣；下測(cè)試探針7頂端設(shè)有用于容納待測(cè)雪崩二極管的卡槽7a；下測(cè)試探針7底端設(shè)有第一測(cè)試線纜8與第二測(cè)試線纜9，第一測(cè)試線纜8與第二測(cè)試線纜9的另一端分別與第一BNC接頭2及第二BNC接頭3相連；第一測(cè)試線纜8與第二測(cè)試線纜9為同型號(hào)規(guī)格的50歐姆帶屏蔽層的線纜，第一測(cè)試線纜8與第二測(cè)試線纜9的中心導(dǎo)體分別連接到下測(cè)試探針7底端，第一測(cè)試線纜8及第二測(cè)試線纜9的金屬屏蔽層分別與固定在固定臺(tái)6上的第一螺釘10及第二螺釘11相連。

所述測(cè)試裝置還包括支撐架12與支撐臂13，支撐架12設(shè)于底座1上，支撐臂13的一端與支撐架12鉸接、另一端設(shè)有上測(cè)試探針14，結(jié)合圖3所示，上測(cè)試探針14由探針安裝套筒15固定，探針安裝套筒15由螺母16固定于支撐臂13的安裝孔13a上，上測(cè)試探針14頭部朝下設(shè)置，用于和待測(cè)雪崩二極管形成配合，上測(cè)試探針14尾部設(shè)有第三測(cè)試線纜17與第四測(cè)試線纜18，第三測(cè)試線纜17與第四測(cè)試線纜18沿支撐臂13與支撐架12的方向排布，并分別與底座1上的第三BNC接頭4及第四BNC接頭5相連，第三測(cè)試線纜17與第四測(cè)試線纜18也是同型號(hào)規(guī)格的50歐姆帶屏蔽層的線纜，第三測(cè)試線纜17與第四測(cè)試線纜18的中心導(dǎo)體分別連接到上測(cè)試探針14尾部，第三測(cè)試線纜17與第四測(cè)試線纜18的金屬屏蔽層分別與探針安裝套筒15的外殼相連；結(jié)合圖4所示，底座1上還設(shè)有調(diào)節(jié)支撐架19，調(diào)節(jié)支撐架19位于支撐臂13中部的下方，調(diào)節(jié)支撐架19上設(shè)有手輪20，手輪20通過(guò)連接軸21連接有偏心輪22，偏心輪22的輪外周與支撐臂13形成配合。所述測(cè)試裝置還包括彈簧23，彈簧23的一端與支撐架12相連，另一端與支撐臂13相連，彈簧23與支撐臂13的連接端位于偏心輪22與支撐架12之間，用來(lái)調(diào)整上測(cè)試探針14接觸雪崩二極管時(shí)的壓力大小。

使用時(shí)，將待測(cè)雪崩二極管放置于卡槽7a內(nèi)，此時(shí)待測(cè)雪崩二極管的底部與下測(cè)試探針7相接觸，通過(guò)下測(cè)試探針7分別與第一BNC接頭2及第二BNC接頭3形成電氣連接；旋轉(zhuǎn)手輪20，由于偏心輪22的作用，使得支撐臂13能夠以鉸接端為旋轉(zhuǎn)點(diǎn)作弧形升降，從而帶動(dòng)探針安裝套筒15升降，調(diào)節(jié)手輪20使上測(cè)試探針14頭部與待測(cè)雪崩二極管頂部相接觸，通過(guò)上測(cè)試探針14待測(cè)雪崩二極管頂部分別與第三BNC接頭4及第四BNC接頭5形成電氣連接，從而構(gòu)成測(cè)試雪崩二極管所需的開爾文接法 ，通過(guò)四個(gè)BNC接頭與測(cè)試儀表相連即可測(cè)試雪崩二極管的低值電容參數(shù)；通過(guò)其中相對(duì)應(yīng)的兩個(gè)BNC接頭，即第一BNC接頭2與第三BNC接頭4或者第二BNC接頭3與第四BNC接頭5還可以測(cè)量雪崩二極管的其它電學(xué)參數(shù)。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同替換、等效變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。