相關(guān)申請(qǐng)案的交叉參考

本申請(qǐng)案主張2014年12月05日申請(qǐng)的第62/088,284號(hào)美國臨時(shí)申請(qǐng)案及2015年4月28日申請(qǐng)的第62/154,109號(hào)美國臨時(shí)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)，所述兩個(gè)申請(qǐng)案的全部內(nèi)容以引用的方式并入本文中。

本發(fā)明涉及一種用于工件中的缺陷檢測的設(shè)備。

此外，本發(fā)明涉及一種用于工件中的缺陷檢測的方法。

另外，本發(fā)明涉及一種安置于非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀取媒體上的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述產(chǎn)品包括可操作以控制計(jì)算機(jī)用于在工件中的缺陷檢測的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行過程步驟。

背景技術(shù)：

舉例來說，美國專利案6,339,337b1揭示一種用于半導(dǎo)體芯片的紅外射線測試。通過將紅外射線照射到半導(dǎo)體芯片的底表面上、接收從接合墊反射的所述紅外射線及將所述接合墊的圖像顯示于監(jiān)測器上而進(jìn)行所述測試。從所述紅外射線獲得的所述圖像具有所述接合墊自身或下伏于所述接合墊的硅襯底的部分是否具有缺陷或是否存在所述接合墊相對(duì)于凸塊的偏移的信息。

中國實(shí)用新型cn2791639(y)揭示一種檢測裝置，其主要用于檢測其能帶間隙大于1.12ev的半導(dǎo)體材料的內(nèi)部缺陷。用于檢測半導(dǎo)體材料的內(nèi)部缺陷的所述檢測裝置由光學(xué)顯微鏡、紅外ccd相機(jī)、視頻電纜、模擬圖像監(jiān)測器、數(shù)字圖像收集卡、計(jì)算機(jī)及分析過程及顯示軟件組成。

另外，ep2699071a2揭示一種光電子方法，其用于記錄其中紅外線掃描系統(tǒng)在飛機(jī)中使用的陸地的溫度分布的熱圖式形式。所述設(shè)備利用通過窗口而接收熱輻射的旋轉(zhuǎn)掃描鏡面系統(tǒng)。所述鏡面系統(tǒng)具有四個(gè)反射側(cè)且通過電動(dòng)機(jī)繞軸旋轉(zhuǎn)。所述輻射由鏡面引導(dǎo)到ir透鏡且因此到一行光電子接收器元件。所述行接收器元件平行于所述鏡面系統(tǒng)的所述旋轉(zhuǎn)軸，每一接收器元件由引線及放大裝置個(gè)別地連接到數(shù)個(gè)發(fā)光二極管中的對(duì)應(yīng)者。

美國專利案8,154,718b2揭示一種分析晶片的微結(jié)構(gòu)化樣本的裝置。所述裝置的目的是增加所述裝置的可能使用，即特定來說以表示(例如)在兩側(cè)上均被結(jié)構(gòu)化的晶片的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)，其因涂層或中間材料是不透明而在vis或uv中不可見。ir光用作反射光同時(shí)產(chǎn)生透穿照射(其尤其顯著地改進(jìn)ir圖像中的對(duì)比度)，因此允許所述樣本同時(shí)以反射或透射ir光及以反射可見光表示。

典型缺陷是由切割工藝而產(chǎn)生的側(cè)裂痕或由在所述裝置中位于電介質(zhì)層與硅結(jié)構(gòu)之間的內(nèi)部應(yīng)力而產(chǎn)生的嵌入式裂痕。

圖1展示現(xiàn)有技術(shù)方法，其用于通過完成四側(cè)檢驗(yàn)或五側(cè)檢驗(yàn)而在半導(dǎo)體裝置2中找到側(cè)缺陷9。半導(dǎo)體裝置2具有第一側(cè)面31、第二側(cè)面32、第三側(cè)面33、第四側(cè)面34、頂面4及底面5。在圖1的設(shè)置中，具有透鏡7的相機(jī)6望向半導(dǎo)體裝置2的底面5。鏡面8布置成分別與半導(dǎo)體裝置2的第一側(cè)面31、第二側(cè)面32、第三側(cè)面33及第四側(cè)面34中的每一者成45度。在圖1中，僅展示相對(duì)于半導(dǎo)體裝置2的第二側(cè)面32及第四側(cè)面34而布置的鏡面8。

圖1的設(shè)置經(jīng)使用以分別獲得第一側(cè)面31、第二側(cè)面32、第三側(cè)面33、第四側(cè)面34及底面5的圖像10(參見圖2)。另外，圖1的設(shè)置具有顯著缺點(diǎn)。底面5視圖的光學(xué)長度11不同于第一側(cè)面31視圖、第二側(cè)面32視圖、第三側(cè)面33視圖及第四側(cè)面34視圖的光學(xué)長度12。因此，焦點(diǎn)總是在半導(dǎo)體裝置2的底面5上的焦點(diǎn)與分別在第一側(cè)面31、第二側(cè)面32、第三側(cè)面33及第四側(cè)面34上的焦點(diǎn)之間的折衷。另外，所述四側(cè)視圖的圖像分辨率要求大視域且此將限制可使用的像素分辨率。針對(duì)側(cè)視圖＜10μm，不存在可用工作設(shè)置，即使通過使用20或25兆像素的高分辨率相機(jī)也如此。因此，不可能具有良好焦點(diǎn)及高分辨率來區(qū)分實(shí)際缺陷與非關(guān)鍵污染物。

圖3是用于通過望向半導(dǎo)體裝置2的頂面4而檢測內(nèi)部缺陷9(側(cè)缺陷)的現(xiàn)有技術(shù)設(shè)置的另一實(shí)施例。針對(duì)檢測內(nèi)部缺陷9(其從外部不可見)，不存在對(duì)高容積檢驗(yàn)的解決方案。存在慢方法，其通過使用ir光13及光學(xué)裝置14且望向半導(dǎo)體裝置2的背面(“ir后視圖”)。相機(jī)6檢測從半導(dǎo)體裝置2返回的ir光15。圖4中展示使用圖3的設(shè)置而獲得的圖像16的示意性代表圖。使用ir光13來檢測內(nèi)部缺陷9的“ir后視圖”方法也具有缺點(diǎn)。首先，所述方法是緩慢的。其僅作為手動(dòng)、低容積方法而存在。如果某人想要使所述方法自動(dòng)化且使其更快速，那么在可用ir相機(jī)6的大小及像素?cái)?shù)目方面存在重要限制。另外，其僅針對(duì)其中存在外露硅側(cè)來施加所述ir光的有限裝置集合起作用。越來越多的裝置具有涂層來保護(hù)所述裝置，所述涂層對(duì)ir光不透明。另一缺點(diǎn)是信號(hào)噪聲比。半導(dǎo)體裝置2的頂面4還將產(chǎn)生反射，其使得難以區(qū)分頂部缺陷與內(nèi)部缺陷9。

上文所描述的此現(xiàn)有技術(shù)方法因檢驗(yàn)工件(經(jīng)單切半導(dǎo)體裝置)的五個(gè)側(cè)而具有顯著缺點(diǎn)。一個(gè)缺點(diǎn)是所述工件的側(cè)面與底面之間的不同焦點(diǎn)。光學(xué)長度對(duì)仰視圖及側(cè)視圖是不同的，因此所述焦點(diǎn)總是在所述工件的底部上的焦點(diǎn)與所述工件的邊緣(側(cè)面)上的焦點(diǎn)之間的折衷。另一缺點(diǎn)是圖像分辨率。所述四個(gè)側(cè)面的視圖要求大視域且此將限制可使用的像素分辨率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種設(shè)備，其使使用高分辨率來檢測經(jīng)單切工件中的側(cè)缺陷及內(nèi)部缺陷并區(qū)分所述工件的面上的實(shí)際缺陷與污染物成為可能。另外，所述設(shè)備應(yīng)具有高處理量以對(duì)此類工件做時(shí)間有效的質(zhì)量控制。

通過一種用于工件中的缺陷檢測的設(shè)備實(shí)現(xiàn)上文目的，其中所述設(shè)備包括：

至少一個(gè)光源，其用于提供所述工件在其處是透明的波長范圍的照明光；

具有透鏡的相機(jī)，其用于使來自所述工件上的至少一個(gè)面的所述光成像于所述相機(jī)的檢測器上；及

平臺(tái)，其用于移動(dòng)所述工件且用于使所述工件的所述至少一個(gè)面完整地成像。

本發(fā)明設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)是其可能可靠地檢測經(jīng)單切工件(例如半導(dǎo)體裝置，還已知為裸片)中的側(cè)缺陷及內(nèi)部缺陷。本發(fā)明設(shè)備可用以使用高處理量而對(duì)此類工件做質(zhì)量控制。

本發(fā)明的另一目的是提供一種方法，其用于以高分辨率檢測經(jīng)單切工件中的側(cè)缺陷及內(nèi)部缺陷，使得某人可區(qū)分在所述工件的所述面上的實(shí)際缺陷與污染物。另外，所述方法應(yīng)實(shí)現(xiàn)高處理量以在合理時(shí)間內(nèi)對(duì)此類工件做質(zhì)量控制。

通過一種用于工件中的缺陷檢測的方法而實(shí)現(xiàn)此目的，所述方法包括：

使用所述工件在其處是透明的波長范圍的照明光來照明所述工件的至少一個(gè)面的部分；

將來自工件的所述至少一個(gè)面的所述部分的光成像于相機(jī)的檢測器上；及

執(zhí)行固持所述工件的平臺(tái)與所述相機(jī)的相對(duì)移動(dòng)，使得所述工件的所述至少一個(gè)面由所述相機(jī)完整地成像。

本發(fā)明方法的優(yōu)點(diǎn)是其可能可靠地檢測經(jīng)單切工件(例如半導(dǎo)體裝置，還已知為裸片)中的側(cè)缺陷及內(nèi)部缺陷。本發(fā)明方法可用以使用高處理量而對(duì)此類工件做質(zhì)量控制。

本發(fā)明的目的還提供一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其安置于非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀取媒體上，以高分辨率自動(dòng)地檢測經(jīng)單切工件(半導(dǎo)體裝置)中的側(cè)缺陷及內(nèi)部缺陷，使得某人可區(qū)分在所述工件的所述面上的實(shí)際缺陷與污染物。另外，所述計(jì)算機(jī)程序應(yīng)實(shí)現(xiàn)高處理量以在合理時(shí)間內(nèi)對(duì)此類工件做質(zhì)量控制。

由安置于非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀取媒體上的用于工件中的缺陷檢測的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)上文目的，所述產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)可執(zhí)行過程步驟，所述步驟可操作以控制計(jì)算機(jī)執(zhí)行以下操作：

將所述工件放置于平臺(tái)上；

使用所述工件在其處是透明的波長范圍的照明光而照明所述工件的至少一個(gè)面；

使用光學(xué)設(shè)置而將來自所述工件的所述至少一個(gè)面的光引導(dǎo)到用于使所述工件的所述至少一個(gè)面的光的線成像的相機(jī)的至少一個(gè)線傳感器；

移動(dòng)固持所述工件的所述平臺(tái)，使得所述工件的所述至少一個(gè)面由所述相機(jī)的所述線傳感器完整地成像且在所述平臺(tái)的所述移動(dòng)期間位于所述相機(jī)的焦點(diǎn)中。

通過本發(fā)明檢測的典型缺陷是由所述工件的切割過程產(chǎn)生的側(cè)裂痕或由所述工件中的內(nèi)部應(yīng)力而產(chǎn)生的嵌入式裂痕。假設(shè)所述工件是半導(dǎo)體裝置，那么所述內(nèi)部應(yīng)力可存在于(例如)電介質(zhì)層與硅結(jié)構(gòu)之間。應(yīng)注意，本發(fā)明(設(shè)備、方法及計(jì)算機(jī)程序)不受限于半導(dǎo)體裝置且一般來說適用于側(cè)缺陷及內(nèi)部缺陷。

通常某人將使用紅外(ir)光以能夠穿透基于硅的半導(dǎo)體裝置，但所述光源可取決于所述工件的材料對(duì)其透明的波長范圍而改變。

根據(jù)本發(fā)明的方面，所述至少一個(gè)光源經(jīng)布置使得所述照明光被引導(dǎo)到所述工件的一個(gè)側(cè)面且所述相機(jī)接收從所述工件的另一側(cè)面射出的所述光。所述工件的此另一側(cè)面與接收所述照明光的所述工件的所述側(cè)面相反以獲得背光照明。

另一可能性是所述工件的所述另一側(cè)面定向到接收所述照明光的所述工件的所述側(cè)面，使得獲得所述另一側(cè)面的暗場圖像。

本發(fā)明的另一方面是所述至少一個(gè)光源經(jīng)布置使得所述照明光被引導(dǎo)到所述工件的頂面，且所述相機(jī)接收從所述工件的所述頂面照射出的所述光。

本發(fā)明的有利實(shí)施例是假設(shè)所述相機(jī)的所述檢測器是線傳感器且所述相機(jī)經(jīng)配置為線掃描相機(jī)。在新設(shè)備或方法中，線掃描相機(jī)(其垂直于所述工件(半導(dǎo)體裝置)的所述側(cè)面)的使用通過移動(dòng)在x、y、θ平臺(tái)上的所述工件而產(chǎn)生圖像。通過本發(fā)明光學(xué)設(shè)置，可產(chǎn)生所述工件的所述頂面的至少一部分及至少一個(gè)側(cè)面的同時(shí)視圖。此光學(xué)設(shè)置還允許共軸照明及外部照明，因此所述兩個(gè)模式可具有相同或個(gè)別照明。

所述相機(jī)的透鏡將從所述工件的側(cè)面射出的光的線成像到所述線傳感器上。所述射出光源從經(jīng)布置使得獲得背光照明的至少一個(gè)光源。

沿垂直于待成像的所述線的掃描方向移動(dòng)固持所述工件的平臺(tái)。使用所述掃描運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生所述工件的所述側(cè)面中的至少一者的完整圖像。

所述相機(jī)的透鏡還可能將來自所述工件的頂面的至少一部分的光的線成像到所述線傳感器上，其中光的所述線經(jīng)定位成相鄰于所述工件的所述側(cè)面中的一者，且所述至少一個(gè)光源經(jīng)布置使得來自所述頂面的所述光與被引導(dǎo)到所述工件的所述頂面的至少一部分上的所述光共軸。為產(chǎn)生所述工件的至少一部分的圖像，沿垂直于待成像的所述線的掃描方向移動(dòng)固持所述工件的平臺(tái)。據(jù)此，獲得所述頂面的所述至少一個(gè)部分的完整圖像。所述頂面的所述部分相鄰于所述工件的所述側(cè)面中的至少一者。

所述平臺(tái)及所述相機(jī)還可執(zhí)行相對(duì)運(yùn)動(dòng)以捕獲(例如)所述工件的所述相應(yīng)面的所述完整圖像?？墒褂醚厮鰭呙璺较虻母鞣N速度輪廓而執(zhí)行所述相應(yīng)面的掃描。優(yōu)選實(shí)施例是沿所述相應(yīng)面的長度的恒定速度。常數(shù)的選擇要求較少軟件努力且提供最好圖像質(zhì)量。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員清楚恒定速度的選擇不妨礙其它速度輪廓。另一實(shí)施例是在所述掃描期間的經(jīng)加速及經(jīng)減速速度。此處，在所述邊緣處獲得較高捕獲率且在所述相應(yīng)側(cè)面的中心中獲得較低捕獲率。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供光學(xué)設(shè)置，其同時(shí)產(chǎn)生從所述工件的側(cè)面射出的光的線的圖像及來自所述工件的頂面的光的線的圖像。來自頂面的光的所述線的所述圖像經(jīng)定位成相鄰于來自所述工件的所述相應(yīng)側(cè)面的光的所述線。所述光學(xué)設(shè)置的前端承載頂鏡面及第一底鏡面及第二底鏡面。所述頂鏡面捕獲來自所述工件的所述頂面的部分的光的所述線的圖像。所述第一底鏡面及所述第二底鏡面捕獲從所述工件的側(cè)面射出的光的線的圖像。本發(fā)明光學(xué)設(shè)置經(jīng)設(shè)計(jì)使得從所述工件的側(cè)面射出的光的線的所述圖像及來自所述工件的頂面的光的線的所述圖像同時(shí)聚焦。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，來自至少一個(gè)光源的所述光可經(jīng)單獨(dú)地耦合到所述工件的一個(gè)側(cè)面及所述工件的所述頂面。

光導(dǎo)引件被定位于所述至少一個(gè)光源與所述工件的頂面及/或相應(yīng)側(cè)面之間是有利的。

所述工件可為經(jīng)單切半導(dǎo)體裝置。在此情況下，所述照明光的所述波長范圍是ir光的波長范圍，這是因?yàn)榛诠璧陌雽?dǎo)體裝置對(duì)ir光透明。

本發(fā)明裝置具有獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)。可組合兩個(gè)視圖。無需使用單獨(dú)相機(jī)來取得兩個(gè)圖像。通過組合所述兩個(gè)視圖，信息可在所述圖像處理期間在所述視圖之間相互關(guān)聯(lián)，從而導(dǎo)致較高缺陷捕獲率及較低噪聲妨害率。通過使用所述線掃描相機(jī)來獲得高分辨率圖像。相較于普通矩陣相機(jī)，可產(chǎn)生具有更高分辨率的圖像。當(dāng)使用ir光時(shí)，某人可找到內(nèi)部缺陷及/或改進(jìn)特定缺陷的信號(hào)噪聲比。還可在角度下完成所述俯視圖(所述頂面的部分的圖像)以產(chǎn)生類暗場檢驗(yàn)?zāi)Ｊ健?/p>

(例如)假設(shè)所述工件是半導(dǎo)體裝置，那么本發(fā)明方法展示有利效果。就本發(fā)明方法來說，可通過使用行進(jìn)穿過受檢驗(yàn)半導(dǎo)體裝置的ir光且通過直接看向所述半導(dǎo)體裝置的一個(gè)側(cè)面來產(chǎn)生所述缺陷的圖像。針對(duì)所述光源及所述相機(jī)兩者，可使用垂直設(shè)置(筆直望向/照射到所述邊緣)或有角設(shè)置。由于硅的高折射率(針對(duì)λ＝1200nm，n＝3.5)及所述裝置的粗糙邊緣，幾乎全部光將進(jìn)入所述裝置中。雖然所述射線將在小角下行進(jìn)穿過所述裝置，但所述射線將在另一側(cè)面射出所述裝置作為光的漫射射線。以此方式，所述裝置自身充當(dāng)漫射照明。

本發(fā)明方法在一個(gè)實(shí)施例中使用硅(其為所有半導(dǎo)體裝置的基材)的物理特性，硅對(duì)具有高于1200nm的波長的光變得透明。

基于此，所述方法進(jìn)一步建立于“ir后視圖”上，但因?yàn)樗鲅b置自身充當(dāng)漫射照明器，所以本發(fā)明方法增加信號(hào)噪聲比且產(chǎn)生快速檢驗(yàn)解決方案的可能性。通常，通過光的所述漫射射線來消除所述切割工藝的邊緣變化。材料缺陷(比如，例如應(yīng)被檢測的裂痕)將導(dǎo)致高對(duì)比度，這是因?yàn)樗霭雽?dǎo)體裝置的內(nèi)部部分將不接收光，且因此將展示為所述漫射照明裝置上的暗部分。

本發(fā)明的一個(gè)重要技術(shù)方面是所述半導(dǎo)體裝置的所述邊緣是不漂亮且干凈的(歸因于所述半導(dǎo)體裝置的切割工藝)；因此所述光將不筆直及可預(yù)測地行進(jìn)穿過所述半導(dǎo)體裝置，而是被擾亂而產(chǎn)生漫射照明器。另一重要技術(shù)方面是通過僅看向所述側(cè)面，待檢驗(yàn)區(qū)域變成小于通過看向所述整體裝置(其為“ir后視圖”或“5側(cè)解決方案”)的情況的因子，且此產(chǎn)生增加分辨率(捕獲更小缺陷)的機(jī)會(huì)，并且實(shí)現(xiàn)更快檢驗(yàn)(這是因?yàn)閳D像仍可更加小于針對(duì)其它方法的情況)。

根據(jù)實(shí)施例，將所述照明光應(yīng)用于所述半導(dǎo)體裝置的一個(gè)側(cè)面上；因?yàn)樗鲞吘壥峭饴豆?來自所述切割工藝)，所以所述光傳播穿過所述半導(dǎo)體裝置。因?yàn)樗鲅b置的邊緣是粗糙的(歸因于所述切割工藝)，所以光射線將不筆直行進(jìn)穿過所述裝置。當(dāng)?shù)竭_(dá)所述半導(dǎo)體裝置的另一側(cè)面時(shí)，在小角(大約＜17度)下入射的所述射線將透射出所述半導(dǎo)體裝置外部。+/-90度角的射線使半導(dǎo)體裝置的邊緣如同漫射照明器那樣照射。然而，當(dāng)?shù)竭_(dá)內(nèi)部缺陷或側(cè)裂痕時(shí)，正常光傳播被阻斷，從而導(dǎo)致所述漫射照明裝置中的“有缺陷”部分及因此所述相機(jī)圖像中的高對(duì)比度度暗斑點(diǎn)。所述裂痕通常是所述硅結(jié)構(gòu)中的干擾。在此干擾處，所述光被反射且不傳播。由于這個(gè)原因，在此位置處，所述相機(jī)將看不見任何光穿過。

用于執(zhí)行所述半導(dǎo)體裝置的檢驗(yàn)的另一實(shí)施例使用相同原理。此處，所述ir光照射穿過所述半導(dǎo)體裝置以提供“有角側(cè)視圖”。在角度下將ir光發(fā)送到所述樣本中。內(nèi)部裂痕阻斷光且改變來自所述粗糙邊緣的正常漫射照明。所述有角側(cè)視圖提供大分辨率但仍實(shí)現(xiàn)快速檢驗(yàn)。由于此類缺陷阻斷正常內(nèi)部光傳播，所以每一內(nèi)部缺陷或側(cè)缺陷呈現(xiàn)為更大且具有更高對(duì)比度度。照射出所述半導(dǎo)體裝置的所述漫射ir光對(duì)外部污染物具有經(jīng)減小響應(yīng)且因此增加所述實(shí)際缺陷的信號(hào)噪聲比。

當(dāng)在所述半導(dǎo)體裝置內(nèi)部移動(dòng)所述焦點(diǎn)時(shí)，某人可進(jìn)一步遠(yuǎn)離所述邊緣分辨內(nèi)部缺陷。以此方式，某人甚至可掃描穿過所述完整半導(dǎo)體裝置。

根據(jù)本發(fā)明方法，將所述至少一個(gè)光源的所述照明光引導(dǎo)到所述工件的側(cè)面。使用所述相機(jī)而使從所述工件的另一側(cè)面射出的光成像。優(yōu)選地，所述相機(jī)由透鏡而使從所述工件的所述另一側(cè)面射出的所述光成像到線傳感器上。

本發(fā)明的另一實(shí)施例是將所述至少一個(gè)光源的所述照明光引導(dǎo)到所述工件的頂面。所述相機(jī)由透鏡而使由所述工件的所述頂面照射出的所述光成像。優(yōu)選地，所述相機(jī)由透鏡而使從所述工件的所述頂面射出的所述光成像到線傳感器上。

本發(fā)明的另一實(shí)施例是使用光學(xué)設(shè)置來同時(shí)產(chǎn)生從所述工件的側(cè)面射出的光的線圖像及來自所述工件的頂面的部分的光的線圖像。待檢測的頂面的所述部分經(jīng)定位成相鄰于所述工件的所述相應(yīng)側(cè)面。

根據(jù)本發(fā)明方法的一個(gè)實(shí)施例，存在以下的可能性：移動(dòng)平臺(tái)用于使所述工件的至少兩個(gè)側(cè)面及所述頂面的所述相應(yīng)部分成像。本發(fā)明方法包括：

a)執(zhí)行在具有所述工件的所述平臺(tái)與所述相機(jī)之間的線性、相對(duì)移動(dòng)，使得所述相機(jī)的圖像平面平行于所述側(cè)面中的一者；

b)使具有所述工件的所述平臺(tái)旋轉(zhuǎn)；及

c)重復(fù)步驟a)及b)直到所述工件的全部側(cè)面由所述相機(jī)成像為止。

可僅通過所述相機(jī)的線性移動(dòng)而實(shí)現(xiàn)所述平臺(tái)與所述相機(jī)之間的所述線性、相對(duì)移動(dòng)。在所述旋轉(zhuǎn)步驟之間所述相機(jī)的所述線性移動(dòng)在相反方向上定向。

根據(jù)本發(fā)明方法的另一實(shí)施例，存在以下的一種可能性：移動(dòng)平臺(tái)以使所述工件的至少兩個(gè)側(cè)面及所述頂面的所述相應(yīng)部分成像。本發(fā)明方法包括：旋轉(zhuǎn)所述平臺(tái)且并行執(zhí)行所述平臺(tái)在所述x/y平面中的移動(dòng)，使得在所述平臺(tái)的所述旋轉(zhuǎn)移動(dòng)期間所述相機(jī)的焦點(diǎn)保持在所述相應(yīng)側(cè)面上。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其安置于非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀取媒體上用于工件中的缺陷檢測，所述產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)可執(zhí)行過程步驟，所述步驟可操作以控制計(jì)算機(jī)進(jìn)行以下操作：

將所述工件放置于平臺(tái)上；

使用所述工件在其處是透明的波長范圍的照明光而照明所述工件的至少一個(gè)面；

通過光學(xué)設(shè)置將來自所述工件的所述至少一個(gè)面的光引導(dǎo)到用于使所述工件的所述至少一個(gè)面的光的線成像的相機(jī)的至少一個(gè)線傳感器；及

移動(dòng)固持所述工件的平臺(tái)，使得所述工件的所述至少一個(gè)面由所述相機(jī)的所述線傳感器完整地成像且在所述平臺(tái)的所述移動(dòng)期間位于所述相機(jī)的焦點(diǎn)中。

如上文已提及，根據(jù)本發(fā)明方法的一個(gè)實(shí)施例，使用線掃描相機(jī)，其垂直于所述半導(dǎo)體裝置的所述側(cè)面。通過移動(dòng)在x、y、θ平臺(tái)上的所述半導(dǎo)體裝置而產(chǎn)生圖像。通過定制光學(xué)裝置，產(chǎn)生由所述半導(dǎo)體裝置的所述頂面的至少一部分及側(cè)面的同時(shí)視圖。此光學(xué)設(shè)置還允許共軸照明及外部照明，因此所述兩個(gè)模式可具有相同或個(gè)別照明。所述線掃描相機(jī)設(shè)置保證高分辨率圖像，其對(duì)區(qū)域掃描相機(jī)來說是不可能的。通過組合所述至少一個(gè)側(cè)面及所述頂面的所述兩個(gè)視圖，所述圖像含有更加多的信息來提取在所述半導(dǎo)體裝置中的所述缺陷的準(zhǔn)確位置及來源。通過在移動(dòng)平臺(tái)設(shè)置上的集成，雖然某人接收兩個(gè)高分辨率視圖，但仍可獲得高速檢驗(yàn)。

使用具有所述線傳感器的所述相機(jī)的實(shí)施例具有獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)。兩個(gè)視圖經(jīng)組合且因此無需使用單獨(dú)相機(jī)來取得兩個(gè)圖像。且通過組合所述兩個(gè)視圖，信息可在所述圖像處理期間在所述視圖之間相互關(guān)聯(lián)，從而導(dǎo)致較高缺陷捕獲率及較低噪聲妨害率。通過使用所述線掃描相機(jī)，相較于普通矩陣相機(jī)可產(chǎn)生具有更高分辨率的圖像。

經(jīng)受檢驗(yàn)的所述半導(dǎo)體裝置通常在移動(dòng)裝置中使用。上文描述中所提及的所述側(cè)裂痕導(dǎo)致顧客退貨，使裝置制造商承擔(dān)高成本，裝置制造商因此備受來自其顧客的促使其完成自動(dòng)化檢驗(yàn)且檢測這些側(cè)缺陷的壓力。此外，具有此類缺陷的裝置仍然可以通過電測試，但在實(shí)地通常變成早期故障(例如，當(dāng)移動(dòng)電話掉下時(shí))。如所解釋，應(yīng)清楚地知道，當(dāng)前方法論是不充分的，這是因?yàn)槠淙赃z漏所述半導(dǎo)體裝置中的缺陷(其對(duì)顧客退貨來說是風(fēng)險(xiǎn))同時(shí)其通過觸發(fā)不重要缺陷而拒絕良好裝置(這對(duì)制造商來說導(dǎo)致金錢損失)。

附圖說明

下文將參考附圖進(jìn)一步描述本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，其中：

圖1是用于通過看向半導(dǎo)體裝置的側(cè)而檢測內(nèi)部缺陷的現(xiàn)有技術(shù)設(shè)置；

圖2是由圖1中所展示的設(shè)置而獲得的圖像的示意性代表圖；

圖3是用于通過望向半導(dǎo)體裝置的頂表面而檢測內(nèi)部缺陷的現(xiàn)有技術(shù)設(shè)置；

圖4是由圖3中所展示的設(shè)置而獲得的圖像的示意性代表圖；

圖5是用于使用ir照明而在具有背光照明的側(cè)視圖中執(zhí)行半導(dǎo)體裝置的檢驗(yàn)的布置的示意性代表圖；

圖6是用于使用ir照明而在具有暗場照明的側(cè)視圖中執(zhí)行半導(dǎo)體裝置的檢驗(yàn)的布置的示意性代表圖；

圖7是用于使用ir照明而在具有背光照明的有角側(cè)視圖中執(zhí)行半導(dǎo)體裝置的檢驗(yàn)的布置的示意性代表圖；

圖8是用于使用ir照明而在側(cè)視圖中執(zhí)行半導(dǎo)體裝置的邊緣檢驗(yàn)的布置及所述半導(dǎo)體裝置的掃描運(yùn)動(dòng)的示意性代表圖；

圖9是用于使用ir照明而在俯視圖中執(zhí)行半導(dǎo)體裝置的邊緣檢驗(yàn)的布置及所述半導(dǎo)體裝置的掃描運(yùn)動(dòng)的示意性代表圖；

圖10是用于同時(shí)執(zhí)行半導(dǎo)體裝置的側(cè)視圖及俯視圖的布置的實(shí)施例；

圖11是用于執(zhí)行半導(dǎo)體裝置的一個(gè)側(cè)面的側(cè)視圖的布置的透視圖；

圖12是半導(dǎo)體裝置的側(cè)視圖及俯視圖檢驗(yàn)的光機(jī)械集成的詳細(xì)圖；

圖13a到13e是半導(dǎo)體裝置的線性及旋轉(zhuǎn)掃描模式的實(shí)施例的示意性代表圖；及

圖14a到14f是半導(dǎo)體裝置的經(jīng)組合線性及旋轉(zhuǎn)掃描運(yùn)動(dòng)的實(shí)施例的示意性代表圖。

具體實(shí)施方式

在圖式中，相同參考數(shù)字用于相同元件或具有相同功能的元件。此外，為簡潔起見，僅在圖式中展示討論相應(yīng)圖式所必需的那些參考數(shù)字?？山Y(jié)合ir光而有利地采用本文中所描述的方法及設(shè)備用于在半導(dǎo)體裝置中的缺陷檢驗(yàn)。通常某人將使用ir光以能夠穿透所述半導(dǎo)體裝置的硅。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，所述光源的波長可改變。唯一先決條件是所述受檢驗(yàn)工件(半導(dǎo)體裝置)的材料必須對(duì)所使用的波長范圍透明。下文描述涉及半導(dǎo)體裝置，其不應(yīng)被理解成本發(fā)明的限制。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員清楚地知道，本發(fā)明的原理及構(gòu)想適用于工件的內(nèi)部缺陷或側(cè)缺陷的任何檢驗(yàn)。本發(fā)明到半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用不應(yīng)視作限制。

圖5展示用于使用ir光13而執(zhí)行半導(dǎo)體裝置2的檢驗(yàn)的布置20的示意性代表圖。布置20是在具有背光照明的側(cè)視圖中。由光源18產(chǎn)生的ir光13垂直地照射于半導(dǎo)體裝置2的一個(gè)選定側(cè)面31、32、33或34上。還可能的是，ir光13不經(jīng)準(zhǔn)直且不垂直地入射于半導(dǎo)體裝置2的一個(gè)選定側(cè)面31、32、33或34上。就此處所展示的布置20來說，可通過使用行進(jìn)穿過半導(dǎo)體裝置2的ir光13而產(chǎn)生缺陷9的圖像。使用ir光13的優(yōu)點(diǎn)是某人可找到內(nèi)部缺陷9及/或改進(jìn)半導(dǎo)體裝置2的特定缺陷9的信號(hào)噪聲比。

相機(jī)6使用其透鏡7直接看向半導(dǎo)體裝置2的一個(gè)選定側(cè)面31、32、33或34。由于硅的高折射率(針對(duì)λ＝1200nm，n＝3.5)及半導(dǎo)體裝置2裝置的粗糙側(cè)面31、32、33或34(邊緣)，幾乎全部ir光13將進(jìn)入半導(dǎo)體裝置2。雖然ir光13的射線將在小角度下行進(jìn)穿過半導(dǎo)體裝置2，但所述射線將在相反側(cè)面31、32、33或34處射出作為光的漫射射線21。以此方式，半導(dǎo)體裝置2自身充當(dāng)漫射照明器。然而，當(dāng)?shù)竭_(dá)內(nèi)部缺陷9或側(cè)裂痕時(shí)，正常光傳播被阻斷，從而導(dǎo)致所述漫射照明中的“有缺陷”部分。ir光13的阻斷由虛線箭頭22表示。透鏡7及相機(jī)6使側(cè)面31、32、33及34分別成像，且內(nèi)部缺陷9在相機(jī)圖像中呈現(xiàn)為高對(duì)比度度暗區(qū)段。裂痕或內(nèi)部缺陷9通常是半導(dǎo)體裝置2的硅結(jié)構(gòu)中的干擾。在此干擾處，ir光13經(jīng)反射且不傳播。因?yàn)檫@個(gè)原因，在內(nèi)部缺陷9的位置處，相機(jī)6中的檢測器26將看不見任何光穿過。

圖6中展示用于使用ir光13而執(zhí)行半導(dǎo)體裝置2的檢驗(yàn)的布置20的另一實(shí)施例。此處，使用來自光源18的ir光13而執(zhí)行半導(dǎo)體裝置2的檢驗(yàn)。具有透鏡2的相機(jī)6經(jīng)布置使得相機(jī)6寄存半導(dǎo)體裝置2的相應(yīng)側(cè)面31、32、33或34的暗場圖像。在第二面32處，ir光傳播的方向23垂直于相機(jī)6的透鏡7的光軸24。

圖7中展示發(fā)明布置20的另一實(shí)施例。ir光13從光源18發(fā)送到半導(dǎo)體裝置2的頂面4且在角度α下進(jìn)入半導(dǎo)體裝置2中。ir光13傳播穿過半導(dǎo)體裝置2且分別聚焦于半導(dǎo)體裝置2的側(cè)面31、32、33及34中的一者上。所述內(nèi)部裂痕或缺陷9阻斷ir光13且改變來自粗糙側(cè)面31、32、33及34中的一者的正常漫射照明(參見圖5)。圖7中所展示的布置提供大分辨率但仍使半導(dǎo)體裝置2的側(cè)面31、32、33及34中的一者的快速檢驗(yàn)(此處，檢驗(yàn)第四側(cè)面34)成為可能。每一個(gè)內(nèi)部缺陷或側(cè)缺陷9在由相機(jī)6取得的圖像中呈現(xiàn)為更大且具有更高對(duì)比度度，這是因?yàn)榇祟惾毕葑钄嗾?nèi)部光傳播。照射出半導(dǎo)體裝置2的漫射ir光33對(duì)半導(dǎo)體裝置2的外部污染物具有經(jīng)減小響應(yīng)且因此增加實(shí)際缺陷9的信號(hào)噪聲比。

作為有利替代方案，某人可在半導(dǎo)體裝置2內(nèi)部移動(dòng)ir光13的焦點(diǎn)，使得某人可進(jìn)一步遠(yuǎn)離半導(dǎo)體裝置2的側(cè)面31、32、33及34分辨內(nèi)部缺陷9。因此，某人甚至可掃描穿過完整半導(dǎo)體裝置2。

圖8展示本發(fā)明的布置20的另一實(shí)施例的示意性代表圖。相機(jī)6具有線傳感器36，且透鏡7使側(cè)面31、32、33或34中的一者的線35成像于線傳感器36上。相機(jī)6經(jīng)配置為線掃描相機(jī)。沿掃描方向37移動(dòng)相機(jī)6?？赏ㄟ^在半導(dǎo)體裝置2的相應(yīng)側(cè)面31、32、33或34與相機(jī)6之間沿掃描方向37的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)所述移動(dòng)，掃描方向37垂直于待成像于線傳感器36上的線35。半導(dǎo)體裝置2的相應(yīng)側(cè)面31、32、33或34與相機(jī)6之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)不應(yīng)視作本發(fā)明的限制。還應(yīng)清楚地知道，可僅移動(dòng)所述相機(jī)或僅移動(dòng)所述半導(dǎo)體裝置。

半導(dǎo)體裝置2定位于x、y、θ平臺(tái)(此處未展示)上。所述x、y、θ平臺(tái)經(jīng)移動(dòng)使得使用相機(jī)6的線傳感器36來產(chǎn)生全部四個(gè)側(cè)面31、32、33或34的圖像。在此處所展示的實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置2是由塊狀半導(dǎo)體層40(bsl)(其為任選的)、硅襯底41、電介質(zhì)層42及金屬層43組成。就所述線掃描相機(jī)設(shè)置來說，高分辨率圖像是可能的，其對(duì)區(qū)域掃描相機(jī)來說是不可能的。針對(duì)所述側(cè)視圖(類似于圖5的布置)，外部ir光13從光源18照射穿過半導(dǎo)體裝置2(裸片)。ir光13來自半導(dǎo)體裝置2的一個(gè)側(cè)面31、32、33或34，且在半導(dǎo)體裝置2的相反側(cè)面31、32、33或34處由線掃描相機(jī)6捕獲。從半導(dǎo)體裝置2的每一側(cè)面31、32、33或34產(chǎn)生高分辨率圖像。為了照射穿過半導(dǎo)體裝置2，使用半導(dǎo)體裝置2對(duì)其為透明的波長范圍。針對(duì)典型半導(dǎo)體裝置2(或裸片)，這將為ir光13。

圖9是用于使用ir照明而在側(cè)視圖中執(zhí)行半導(dǎo)體裝置2的邊緣檢驗(yàn)的布置20及半導(dǎo)體裝置2的掃描運(yùn)動(dòng)的示意性代表圖。此處，相機(jī)6還具有線傳感器36，且透鏡7使接近側(cè)面31、32、33或34中的一者的頂面4的線35成像于線傳感器36上。分束器27將來自光源18的ir光13引導(dǎo)到半導(dǎo)體裝置2的頂面4上。由相機(jī)6的線傳感器36捕獲來自半導(dǎo)體裝置2的頂面4的共軸返回ir光34。再次，半導(dǎo)體裝置2沿掃描方向37的移動(dòng)垂直于成像于相機(jī)6的線傳感器36上的線35。半導(dǎo)體裝置2的所述移動(dòng)實(shí)現(xiàn)在側(cè)面31、32、33或34中的一者處的半導(dǎo)體裝置2的頂面4的邊緣部分30的俯視圖的產(chǎn)生。在圖4中，頂面4的邊緣部分30相鄰于半導(dǎo)體裝置2的第四側(cè)面34。

圖10中所展示的實(shí)施例展示用于同時(shí)執(zhí)行半導(dǎo)體裝置2的側(cè)視圖及俯視圖檢驗(yàn)的布置20。提供特定光學(xué)設(shè)置25，其允許半導(dǎo)體裝置2的頂面4及側(cè)面31、32、33或34中的一者上的同時(shí)視圖。此光學(xué)設(shè)置25還允許半導(dǎo)體裝置2的頂面4的照明(共軸照明)及側(cè)面31、32、33或34中的一者的照明(外部照明)。所述兩個(gè)照明模式(共軸照明及外部照明)可具有相同光源或個(gè)別光源。

通過組合半導(dǎo)體裝置2的頂面4及側(cè)面31、32、33或34中的一者上的視圖，頂面4及側(cè)面31、32、33或34的所述圖像含有更加多的信息，以提取所述缺陷的準(zhǔn)確位置及來源。通過移動(dòng)平臺(tái)設(shè)置上的集成，雖然使用兩個(gè)高分辨率視圖，仍可獲得高速檢驗(yàn)。

通過布置20及特定光學(xué)設(shè)置25(如圖10中所展示)，可產(chǎn)生半導(dǎo)體裝置2的頂面4的邊緣部分30(參見圖9)及一個(gè)側(cè)面31、32、33或34的同時(shí)視圖。另外，提供兩個(gè)個(gè)別線傳感器36。一者用于捕獲頂面4的部分的圖像，且另一者用以捕獲鄰近頂面4的側(cè)面31、32、33或34中的一者的圖像。

根據(jù)此處所展示的實(shí)施例，光導(dǎo)引件50用于傳送ir光13。光導(dǎo)引件50定位成盡可能接近半導(dǎo)體裝置2，以使用ir光13來照明頂面4的邊緣部分30及鄰近側(cè)面31、32、33或34中的一者。

圖11展示用于執(zhí)行半導(dǎo)體裝置2的側(cè)面31、32、33或34中的至少一者的側(cè)視圖的裝置的透視圖。將半導(dǎo)體裝置2(此處未展示)放置于具有卡盤45的固持件上?？ūP45安裝于θ平臺(tái)38上，θ平臺(tái)38可至少在x-坐標(biāo)方向x及y-坐標(biāo)方向y上線性地移動(dòng)。另外，傾斜也是可能的。還可集成z-坐標(biāo)方向z上的線性移動(dòng)。光源18將照明光13引導(dǎo)到卡盤45上的半導(dǎo)體裝置2。在此處所展示的實(shí)施例中，光源18經(jīng)布置使得半導(dǎo)體裝置2的一個(gè)側(cè)面31、32、33或34被照明。光源18的所述布置稱為背光布置。

在光源18的對(duì)面，具有光學(xué)設(shè)置25的布置20經(jīng)布置以接收射出半導(dǎo)體裝置2的一個(gè)側(cè)面31、32、33或34(其與半導(dǎo)體裝置2的經(jīng)照明側(cè)面31、32、33或34相反)的光。將光學(xué)設(shè)置25定位于布置20之前端39處。布置20連接到計(jì)算機(jī)32，計(jì)算機(jī)32接收來自布置20的圖像數(shù)據(jù)。另外，計(jì)算機(jī)32連接到用于移動(dòng)平臺(tái)38的控制件31，使得由布置20掃描相應(yīng)側(cè)面31、32、33或34。

圖12中展示布置20的光學(xué)設(shè)置25的詳細(xì)圖。光學(xué)設(shè)置25允許半導(dǎo)體裝置2的同時(shí)側(cè)視圖及俯視圖檢驗(yàn)。在此處所展示的實(shí)施例中，光學(xué)設(shè)置25同時(shí)產(chǎn)生射出半導(dǎo)體裝置2的側(cè)面31、32、33或34的光的線的圖像及來自半導(dǎo)體裝置2的頂面4的至少一部分的光的線的圖像。如先前已描述，來自頂面4的光的所述線經(jīng)定位成相鄰于半導(dǎo)體裝置2的相應(yīng)側(cè)面31、32、33或34的光的所述線。光學(xué)設(shè)置25的前端39承載頂鏡面51、第一底鏡面52及第二底鏡面53。頂鏡面51捕獲來自半導(dǎo)體裝置2的頂面4的部分的光的所述線的圖像。第一底鏡面52及第二底鏡面53經(jīng)布置于光學(xué)設(shè)置25之前端39處使得其可捕獲從半導(dǎo)體裝置2的側(cè)面射出的光的線的圖像。光學(xué)設(shè)置25經(jīng)設(shè)計(jì)使得從半導(dǎo)體裝置2的側(cè)面31、32、33或34射出的光的線的所述圖像及來自半導(dǎo)體裝置2的頂面4的光的線的所述圖像同時(shí)聚焦。所述光學(xué)光耦合是以經(jīng)由頂鏡面51的光學(xué)路徑54及經(jīng)由第一底鏡面52及第二底鏡面53的光學(xué)路徑55可單獨(dú)被照亮的方式。

圖13a到13e展示檢驗(yàn)四個(gè)側(cè)面31、32、33及34及/或頂面4的邊緣部分30的過程。假設(shè)某人檢驗(yàn)四個(gè)側(cè)面31、32、33及34及鄰近相應(yīng)側(cè)面31、32、33或34的頂面4的邊緣部分30，某人得到經(jīng)組合側(cè)視圖及俯視圖圖像。平臺(tái)38執(zhí)行如圖13a到圖13e的實(shí)施例中所描述的運(yùn)動(dòng)輪廓。在圖13a中，半導(dǎo)體裝置2放置于平臺(tái)38上。如上文所描述，半導(dǎo)體裝置2還可由卡盤(此處未展示)固持，所述卡盤自身安裝于平臺(tái)38(θ平臺(tái))上。

在圖13b中，第一側(cè)面31平行于相機(jī)6的圖像平面44。在具有半導(dǎo)體裝置2的平臺(tái)38與相機(jī)6之間執(zhí)行線性、相對(duì)移動(dòng)46。在移動(dòng)46期間，相機(jī)6的圖像平面44保持平行于第一側(cè)面31。在完成第一側(cè)面31的掃描之后，平臺(tái)38在順時(shí)針方向上旋轉(zhuǎn)90°，使得半導(dǎo)體裝置2的第二側(cè)面32平行于相機(jī)6的圖像平面44(參見圖13c)。如圖13c中所展示，在具有半導(dǎo)體裝置2的平臺(tái)38與相機(jī)6之間執(zhí)行相反、線性、相對(duì)移動(dòng)46。在移動(dòng)46期間，相機(jī)6的圖像平面44平行于第二側(cè)面32。在完成第二側(cè)面32的掃描之后，平臺(tái)38旋轉(zhuǎn)90°，使得半導(dǎo)體裝置2的第三側(cè)面33平行于相機(jī)6的圖像平面44(參見圖13d)。如圖13d中所展示，在具有半導(dǎo)體裝置2的平臺(tái)38與相機(jī)6之間執(zhí)行線性、相對(duì)移動(dòng)46。在移動(dòng)46期間，相機(jī)6的圖像平面44平行于第三側(cè)面33。在完成第三側(cè)面33的掃描之后，平臺(tái)38旋轉(zhuǎn)90°，使得半導(dǎo)體裝置2的第四側(cè)面34平行于相機(jī)6的圖像平面44(參見圖13e)。如圖13e中所展示，在具有半導(dǎo)體裝置2的平臺(tái)38與相機(jī)6之間執(zhí)行相反、線性、相對(duì)移動(dòng)46。在移動(dòng)46期間，相機(jī)6的圖像平面44平行于第四側(cè)面34。

如上文所描述，布置20及特定光學(xué)設(shè)置25也實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置2的頂面4的邊緣部分30的圖像捕獲，其中頂面4的邊緣部分30(參見圖9)相鄰于半導(dǎo)體裝置2的相應(yīng)側(cè)面31、32、33或34。

圖14a到14f中展示用于掃描半導(dǎo)體裝置2的至少四個(gè)側(cè)面31、32、33及34的過程的額外實(shí)施例。平臺(tái)(此處未展示)及半導(dǎo)體裝置2的移動(dòng)分別由繞半導(dǎo)體裝置2的中心58的旋轉(zhuǎn)移動(dòng)56及半導(dǎo)體裝置2在由x-坐標(biāo)方向x及y-坐標(biāo)方向y界定的x/y平面上的線性移動(dòng)57組成。圖14a展示掃描半導(dǎo)體裝置2的四個(gè)側(cè)面31、32、33及34的過程的開始點(diǎn)。相機(jī)(此處未展示)的焦點(diǎn)59在第一側(cè)面31上。圖14b展示旋轉(zhuǎn)移動(dòng)56的開始。半導(dǎo)體裝置2的中心58同時(shí)在x/y平面上經(jīng)受移動(dòng)57，使得在旋轉(zhuǎn)移動(dòng)56期間焦點(diǎn)59保持在第一側(cè)面31上。圖14c到14e展示半導(dǎo)體裝置2的旋轉(zhuǎn)移動(dòng)56的各種階段，其中在旋轉(zhuǎn)移動(dòng)56期間焦點(diǎn)59保持在第二側(cè)面32上。圖14f展示以下狀況：焦點(diǎn)59已到達(dá)第三側(cè)面33且在半導(dǎo)體裝置2的旋轉(zhuǎn)移動(dòng)56期間保持在第三側(cè)面33上。

如圖11中所展示的計(jì)算機(jī)32協(xié)調(diào)旋轉(zhuǎn)移動(dòng)56及在x/y平面上的同時(shí)移動(dòng)57，使得在半導(dǎo)體裝置2的360°的旋轉(zhuǎn)之后，全部四個(gè)側(cè)面31、32、33及34已由布置20成像。此外，計(jì)算機(jī)32確保焦點(diǎn)59在全360°旋轉(zhuǎn)期間維持在全部四個(gè)側(cè)面31、32、33及34上，使得獲得全部四個(gè)側(cè)面31、32、33及34的高質(zhì)量圖像。

據(jù)信將通過前面描述理解本發(fā)明的設(shè)備、方法及計(jì)算機(jī)程序及許多其伴隨優(yōu)點(diǎn)，且將明白，可在不脫離所揭示標(biāo)的物或不犧牲全部其材料優(yōu)點(diǎn)的情況下在組件的形式、構(gòu)造及布置上作出各種改變。所描述形式僅僅是解釋性的。

在上文描述中，給出多個(gè)具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的透徹了解。然而，本發(fā)明的經(jīng)說明的實(shí)施例的以上描述不希望為窮盡性的或?qū)⒈景l(fā)明限于所揭示的精確形式。相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到可在不具有具體細(xì)節(jié)中的一或多者的情況下或借助其它方法、組件等等實(shí)踐本發(fā)明。在其它例子中，未詳細(xì)展示或描述眾所周知的結(jié)構(gòu)或操作以避免使本發(fā)明的方面模糊。雖然為了闡釋性目的在本文中描述本發(fā)明的特定實(shí)施例及實(shí)例，但如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可有各種等效修改。

可根據(jù)上文詳細(xì)描述對(duì)本發(fā)明做出這些修改。在所附權(quán)利要求書中使用的術(shù)語不應(yīng)理解為將本發(fā)明限于說明書及權(quán)利要求書中所揭示的特定實(shí)施例。而是，本發(fā)明的范圍將由根據(jù)權(quán)利要求解釋的既定原則理解的所附權(quán)利要求書而確定。

元件符號(hào)列表

2工件、半導(dǎo)體裝置

31第一側(cè)面

32第二側(cè)面

33第三側(cè)面

34第四側(cè)面

4頂面

5底面

6相機(jī)

7透鏡

8鏡面

9缺陷、內(nèi)部缺陷

10圖像

11光學(xué)長度

12光學(xué)長度

13ir光、照明光

14光學(xué)器件

15返回ir光

16示意性圖像

18光源

19缺陷

20布置

21漫射射線

22虛線箭頭

23光傳播方向

24光軸

25特定光學(xué)設(shè)置

26檢測器

27分束器

30邊緣部分

31控制件

32計(jì)算機(jī)

33漫射ir光

34返回ir光

35線

36線傳感器

37掃描方向

38平臺(tái)、θ平臺(tái)

39前端

40塊狀半導(dǎo)體層

41硅襯底

42金屬層

44圖像平面

45卡盤

46線性相對(duì)移動(dòng)

50光導(dǎo)引件

51頂鏡面

52第一底鏡面

53第二底鏡面

54光學(xué)路徑

55光學(xué)路徑

56旋轉(zhuǎn)移動(dòng)(圖10中的前見)

57移動(dòng)

58中心

59焦點(diǎn)

xx-坐標(biāo)方向

yy-坐標(biāo)方向

zz-坐標(biāo)方向

α角