本發(fā)明涉及車輛技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種采樣標定方法以及一種采樣標定裝置。

背景技術(shù)：

采樣標定就是當電路板輸入端輸入的電壓/電流和輸出端輸出的電壓/電流采樣值不符合預(yù)設(shè)比例關(guān)系時，通過軟件標定，對輸出的電壓/電流采樣值進行回歸校正以得到理論采樣值，從而為后續(xù)電路提供精確地電壓輸入。

相關(guān)技術(shù)中的采樣標定只是對經(jīng)常使用的電壓/電流范圍內(nèi)的電壓/電流采樣值進行標定，對上述范圍外的電壓/電流并沒有進行針對性的標定，上述范圍外的電壓/電流采樣值精度較低，例如，某電路板的輸入電壓范圍是0到1000V，某后驅(qū)驅(qū)動板的高壓使用范圍一般在400V到700V之間，相關(guān)技術(shù)僅對400V到700V的電壓采樣值進行標定，從而部分電壓采樣值的精度較低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的一個目的在于提出一種能確保每一個采樣值都具有較高精度的采樣標定方法。

本發(fā)明的一個目的在于提出一種采樣標定裝置。

為達到上述目的，本發(fā)明一方面實施例提出了一種采樣標定方法，包括以下步驟：對待采樣參數(shù)對應(yīng)的實際真實值進行劃分以獲得多個標定區(qū)間；獲取每個所述標定區(qū)間的標定參數(shù)；根據(jù)每個所述標定區(qū)間的標定參數(shù)對相應(yīng)標定區(qū)間的實際采樣值進行標定以使標定后的實際采樣值匹配理論采樣值。

根據(jù)本發(fā)明實施例提出的采樣標定方法，對待采樣參數(shù)對應(yīng)的實際真實值進行劃分以獲得多個標定區(qū)間，并獲取每個標定區(qū)間的標定參數(shù)，然后根據(jù)每個標定區(qū)間的標定參數(shù)對相應(yīng)標定區(qū)間的實際采樣值進行標定以使標定后的實際采樣值匹配理論采樣值。由此，通過分段標定方式對多個標定區(qū)間進行標定，從而使得每個標定區(qū)間的標定后的實際采樣值均具有較高的精度，提高了標定的精確度，保障了后續(xù)電路的輸入電壓或電流精度。

為達到上述目的，本發(fā)明另一方面實施例提出了一種采樣標定裝置，包括：劃分模塊，用于對待采樣參數(shù)對應(yīng)的實際真實值進行劃分以獲得多個標定區(qū)間；獲取模塊，用于獲取 每個所述標定區(qū)間的標定參數(shù)；標定模塊，用于根據(jù)每個所述標定區(qū)間的標定參數(shù)對相應(yīng)標定區(qū)間的實際采樣值進行標定以使標定后的實際采樣值匹配理論采樣值。

根據(jù)本發(fā)明實施例提出的采樣標定裝置，通過劃分模塊對待采樣參數(shù)對應(yīng)的實際真實值進行劃分以獲得多個標定區(qū)間，并通過獲取模塊獲取每個標定區(qū)間的標定參數(shù)，然后標定模塊根據(jù)每個標定區(qū)間的標定參數(shù)對相應(yīng)標定區(qū)間的實際采樣值進行標定以使標定后的實際采樣值匹配理論采樣值。由此，通過分段標定方式對多個標定區(qū)間進行標定，從而使得每個標定區(qū)間的標定后的實際采樣值均具有較高的精度，提高了標定的精確度，保障了后續(xù)電路的輸入電壓或電流精度。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的采樣標定方法的流程圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的采樣標定方法中獲取標定參數(shù)的流程圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明一個具體實施例的采樣標定方法的流程圖；以及

圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的采樣標定裝置的方框示意圖。

具體實施方式

下面詳細描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。

首先，本申請的發(fā)明人通過大量實驗、分析發(fā)現(xiàn)，在不同的電壓范圍，實際采樣值與理論采樣值滿足不同的關(guān)系，并且在每個電壓范圍，實際采樣值與理論采樣值之間的關(guān)系接近線性。例如，電路板的輸入電壓范圍是0到1000V，從0V到400V，實際采樣值與理論采樣值成第一線性關(guān)系；從400V到700V，實際采樣值與理論采樣值成第二線性關(guān)系；從700V到1000V，實際采樣值與理論采樣值成第三線性關(guān)系。

基于此，本發(fā)明實施例提出了一種采樣標定方法和采樣標定裝置。

下面參考附圖來描述本發(fā)明實施例的采樣標定方法和采樣標定裝置。

圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的采樣標定方法的流程圖。如圖1所示，該采樣標定方法包括以下步驟：

S1：對待采樣參數(shù)對應(yīng)的實際真實值進行劃分以獲得多個標定區(qū)間。

根據(jù)本發(fā)明的一個具體示例，待采樣參數(shù)可為電壓或電流等參數(shù)。

S2：獲取每個標定區(qū)間的標定參數(shù)。

其中，應(yīng)當理解的是，多個標定區(qū)間可具有多組標定參數(shù)，多組標定參數(shù)可均不相同， 例如第一個標定區(qū)間的標定參數(shù)為A，第二個標定區(qū)間的標定參數(shù)為B，B與A不相同。

S3：根據(jù)每個標定區(qū)間的標定參數(shù)對相應(yīng)標定區(qū)間的實際采樣值進行標定以使標定后的實際采樣值匹配理論采樣值。

也就是說，不同標定區(qū)間的實際采樣值采用不同的標定參數(shù)進行標定，由此每個標定區(qū)間的標定后的實際采樣值更接近理論采樣值，提高了標定的精確度。

需要說明的是，實際真實值可為模擬量，實際采樣值和理論采樣值為數(shù)字量，當實際真實值輸入到電路板的輸入端時，電路板將按照通道比例將實際真實值轉(zhuǎn)換為實際采樣值，其中，通道比例為模擬量到數(shù)字量的轉(zhuǎn)換比例。

還需說明的是，每個標定區(qū)間的標定參數(shù)均可存儲到EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦可編程只讀存儲器)中，這樣在對實際采樣值進行標定時可直接使用EEPROM中存儲的標定參數(shù)。

具體而言，在通過本發(fā)明實施例的采樣標定方法對電壓(相當于實際真實值)進行標定時，可先判斷當前電壓所屬的標定區(qū)間，然后獲取當前電壓所屬的標定區(qū)間對應(yīng)的標定參數(shù)，這樣在獲取當前電壓的實際采樣值之后，可根據(jù)獲取的標定參數(shù)對當前電壓的實際采樣值進行標定以獲取當前電壓的標定后的實際采樣值，該標定后的實際采樣值將會提供給后續(xù)電路，從而為后續(xù)電路提供精確地電壓或電流輸入。

由此，通過分段標定方式對多個標定區(qū)間進行標定，從而使得每個標定區(qū)間的標定后的實際采樣值均具有較高的精度，提高了標定的精確度，保障了后續(xù)電路的輸入電壓或電流精度。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，標定參數(shù)可包括標定增益和標定偏移，其中，如圖2所示，獲取每個標定區(qū)間的標定參數(shù)，具體包括：

S10：獲取每個標定區(qū)間對應(yīng)的任意兩個實際真實值，并根據(jù)任意兩個實際真實值計算得到相應(yīng)的兩個理論采樣值。

S20：對任意兩個實際真實值進行采樣以獲得相應(yīng)的兩個實際采樣值。

S30：根據(jù)兩個理論采樣值和兩個實際采樣值計算標定增益和標定偏移。

需要說明的是，標定增益和標定偏移可以在電路板初次上電時計算并存儲，也可以每隔一段時間計算一次并存儲，又可以在每次上電時均計算一次并存儲。

具體而言，在每個標定區(qū)間，實際采樣值與理論采樣值之間的關(guān)系接近線性，即言，理論采樣值和實際真實值有一個線性的對應(yīng)關(guān)系：(理論采樣值＝k*實際采樣值+b)。這樣，由于通過一條直線上的兩個數(shù)據(jù)點可以確定線性方程，所以，在每個標定區(qū)間，通過兩個理論采樣值和兩個實際采樣值就可以確定該標定區(qū)間理論采樣值和實際真實值之間的線性方程，該線性方程即可作為標定方程。在獲取實際采樣值之后，就可根據(jù)相應(yīng)標定區(qū)間的 標定方程對實際采樣值進行標定以計算出標定后的實際采樣值。

具體地，可根據(jù)以下公式計算標定增益：

k＝(xH-xL)/(yH-yL)

其中，k為標定增益，xH和xL為兩個理論采樣值，yH和yL為兩個實際采樣值。

并且，可根據(jù)以下公式計算該線性關(guān)系的標定偏移：

b＝xL-yL*k或者b＝xH-yH*k

其中，b為標定偏移。

也就是說，在任一個標定區(qū)間內(nèi)，首先選定兩個實際真實值L和H，然后根據(jù)電路板的模數(shù)轉(zhuǎn)換比例，可獲得相應(yīng)地兩個理論量化值xL和xH，并且通過電路板對兩個實際真實值分別進行模數(shù)轉(zhuǎn)換，可獲取兩個實際采樣值yL和yH。根據(jù)xL和xH以及yL和yH可計算出標定增益k＝(xH-xL)/(yH-L)，根據(jù)xL、yL和標定增益k，可計算出標定偏移b＝xL-yL*k。由此，就可以獲取標定方程：z＝k*y+b，其中，y為實際采樣值，z為標定后的實際采樣值。

舉例來說，假設(shè)標定區(qū)間為2V-4V,可以選定兩個實際電壓2V和4V，當電路板的輸入電壓為2V時，實際測量得到的實際采樣值yL＝1719，而理論采樣值xL＝(2*0.6*4095)/3＝1638；當電路板的輸入電壓為4V時，實際測量得到的采樣值yH＝3391，而理論采樣值xH＝(4*0.6*4095)/3＝3276。然后，可以計算出相應(yīng)的標定參數(shù)：k＝(xH-xL)/(yH-yL)＝0.980，b＝xH-yH*k＝-47.18，進而可得到標定區(qū)間2V-4V的標定公式為：z＝0.98*y+b，其中，y是實際采樣值，y的取值范圍為(0-4095)，z是標定后的實際采樣值，z直接輸出至后續(xù)電路。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，每個標定區(qū)間對應(yīng)的任意兩個實際真實值分別為相應(yīng)標定區(qū)間對應(yīng)的實際真實值上下限。也就是說，兩個實際真實值分別選取標定區(qū)間兩頭的邊界值。

下面結(jié)合一個具體實施例來詳細描述本發(fā)明實施例的采樣標定方法。

首先將實際真實值劃分為3個區(qū)間，分別是0V到400V、400V到700V、700V到1000V。在獲取3個標定區(qū)間的標定參數(shù)時，每個區(qū)間都需要2個數(shù)據(jù)點，即總共選取6個數(shù)據(jù)點。

對于第一組標定區(qū)間0V到400V，選取0V和400V作為該標定區(qū)間的兩個實際真實值，并獲取0V和400V對應(yīng)的兩個理論采樣值，根據(jù)上述實施例提到的方法得到標定增益k1、標定偏移b1；對于第二組標定區(qū)間400V到700V，可選取400V和700V作為該標定區(qū)間的兩個實際真實值，并獲取400V和700V對應(yīng)的兩個理論采樣值，根據(jù)上述實施例提到的方法得到標定增益k2、標定偏移b2；對于第三組標定區(qū)間700V到1000V，可選取700V和1000V作為該標定區(qū)間的兩個實際真實值，并獲取700V和1000V對應(yīng)的兩個理論采樣 值，根據(jù)上述實施例提到的方法得到標定增益k3、標定偏移b3。然后，將三組數(shù)據(jù)即標定增益k1和標定偏移b1、標定增益k2和標定偏移b2、標定增益k3和標定偏移b3存儲到EEPROM中。

這樣，在測量到實際采樣值之后，使用EEPROM中存儲的標定增益和標定偏移并根據(jù)標定方程z＝k*y+b，可計算出經(jīng)過標定的實際采樣值z。具體地，如圖3所示，本發(fā)明實施例的采樣標定方法可包括以下步驟：

S101：獲取電路板輸入電壓的實際真實值。

S102：獲取電路板輸出電壓的實際采樣值。

S103：判斷實際采樣值對應(yīng)的實際真實值所屬的標定區(qū)間。

如果實際真實值大于等于0V且小于等于400V，則執(zhí)行步驟S104；如果實際真實值大于400V且小于等于700V，則執(zhí)行步驟S105；如果實際真實值大于700V且小于等于1000V，則執(zhí)行步驟S106。

S104：實際真實值大于等于0V且小于等于400V，根據(jù)標定方程z＝k1*y+b1計算標定后的實際采樣值，執(zhí)行步驟S107。

S105：實際真實值大于400V且小于等于700V，根據(jù)標定方程z＝k2*y+b3計算標定后的實際采樣值，執(zhí)行步驟S107。

S106：實際真實值大于700V且小于等于1000V，根據(jù)標定方程z＝k3*y+b3計算標定后的實際采樣值。

S107：獲得標定后的實際采樣值z。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明實施例提出的采樣標定方法，對待采樣參數(shù)對應(yīng)的實際真實值進行劃分以獲得多個標定區(qū)間，并獲取每個標定區(qū)間的標定參數(shù)，然后根據(jù)每個標定區(qū)間的標定參數(shù)對相應(yīng)標定區(qū)間的實際采樣值進行標定以使標定后的實際采樣值匹配理論采樣值。由此，通過分段標定方式對多個標定區(qū)間進行標定，從而使得每個標定區(qū)間的標定后的實際采樣值均具有較高的精度，提高了標定的精確度，保障了后續(xù)電路的輸入電壓或電流精度。

為了執(zhí)行上述實施例，本發(fā)明實施例還提出了一種采樣標定裝置。

圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的采樣標定裝置的方框示意圖。如圖4所示，該采樣標定裝置包括：劃分模塊10、獲取模塊20和標定模塊30。

其中，劃分模塊10用于對待采樣參數(shù)對應(yīng)的實際真實值進行劃分以獲得多個標定區(qū)間，其中，待采樣參數(shù)可為電壓或電流等參數(shù)；獲取模塊20用于獲取每個標定區(qū)間的標定參數(shù)；標定模塊30用于根據(jù)每個標定區(qū)間的標定參數(shù)對相應(yīng)標定區(qū)間的實際采樣值進行標定以使標定后的實際采樣值匹配。也就是說，不同標定區(qū)間的實際采樣值采用不同的標定參數(shù) 進行標定，由此每個標定區(qū)間的標定后的實際采樣值更接近理論采樣值，提高了標定的精確度。

應(yīng)當理解的是，多個標定區(qū)間可具有多組標定參數(shù)，多組標定參數(shù)可均不相同，例如第一個標定區(qū)間的標定參數(shù)為A，第二個標定區(qū)間的標定參數(shù)為B，B與A不相同。

需要說明的是，實際真實值可為模擬量，實際采樣值和理論采樣值為數(shù)字量，當實際真實值輸入到電路板的輸入端時，電路板將按照通道比例將實際真實值轉(zhuǎn)換為實際采樣值，其中，通道比例為模擬量到數(shù)字量的轉(zhuǎn)換比例。

還需說明的是，每個標定區(qū)間的標定參數(shù)均可存儲到EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦可編程只讀存儲器)中，這樣在對實際采樣值進行標定時標定模塊30可直接使用EEPROM中存儲的標定參數(shù)。

具體而言，在通過本發(fā)明實施例的采樣標定裝置對電壓(相當于實際真實值)進行標定時，可通過劃分模塊10先判斷當前電壓所屬的標定區(qū)間，然后通過獲取模塊20獲取當前電壓所屬的標定區(qū)間對應(yīng)的標定參數(shù)，這樣在獲取當前電壓的實際采樣值之后，標定模塊30可根據(jù)獲取的標定參數(shù)對當前電壓的實際采樣值進行標定以獲取當前電壓的標定后的實際采樣值，該標定后的實際采樣值將會提供給后續(xù)電路，從而為后續(xù)電路提供精確地電壓或電流輸入。

由此，通過分段標定方式對多個標定區(qū)間進行標定，從而使得每個標定區(qū)間的標定后的實際采樣值均具有較高的精度，提高了標定的精確度，保障了后續(xù)電路的輸入電壓或電流精度。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，標定參數(shù)包括標定增益和標定偏移，其中，在獲取每個標定區(qū)間的標定參數(shù)時，獲取模塊20獲取每個標定區(qū)間對應(yīng)的任意兩個實際真實值，并根據(jù)任意兩個實際真實值計算得到相應(yīng)的兩個理論采樣值，以及對任意兩個實際真實值進行采樣以獲得相應(yīng)的兩個實際采樣值，并根據(jù)兩個理論采樣值和兩個實際采樣值計算標定增益和標定偏移。

需要說明的是，標定增益和標定偏移可以在電路板初次上電時計算并存儲，也可以每隔一段時間計算一次并存儲，又可以在每次上電時均計算一次并存儲。

具體而言，在每個標定區(qū)間，實際采樣值與理論采樣值之間的關(guān)系接近線性，即理論采樣值和實際真實值有一個線性的對應(yīng)關(guān)系：(理論采樣值＝k*實際采樣值+b)。這樣，由于通過一條直線上的兩個數(shù)據(jù)點可以確定線性方程，所以，在每個標定區(qū)間，獲取模塊20通過兩個理論采樣值和兩個實際采樣值就可以確定該標定區(qū)間理論采樣值和實際真實值之間的線性方程，該線性方程即可作為標定方程。在獲取實際采樣值之后，標定模塊30就可根據(jù)相應(yīng)標定區(qū)間的標定方程對實際采樣值進行標定以計算出標定后的實際采樣值。

具體地，獲取模塊20可根據(jù)以下公式計算標定增益：

k＝(xH-xL)/(yH-yL)

其中，k為標定增益，xH和xL為兩個理論采樣值，yH和yL為兩個實際采樣值。

并且，獲取模塊20可根據(jù)以下公式計算標定偏移：

b＝xL-yL*k或者b＝xH-yH*k

其中，b為標定偏移。

也就是說，在任一個標定區(qū)間內(nèi)，首先選定兩個實際真實值L和H，然后根據(jù)電路板的模數(shù)轉(zhuǎn)換比例，獲取模塊20可獲得相應(yīng)地兩個理論量化值xL和xH，并且通過電路板對兩個實際真實值分別進行模數(shù)轉(zhuǎn)換，獲取模塊20可獲取兩個實際采樣值yL和yH。根據(jù)xL和xH以及yL和yH獲取模塊20可計算出標定增益k＝(xH-xL)/(yH-L)，根據(jù)xL、yL和標定增益k，獲取模塊20可計算出標定偏移b＝xL-yL*k。由此，獲取模塊20可以獲取標定方程：z＝k*y+b，其中，y為實際采樣值，z為標定后的實際采樣值。

舉例來說，假設(shè)標定區(qū)間為2V-4V,可以選定兩個實際電壓2V和4V，當電路板的輸入電壓為2V時，實際測量得到的實際采樣值yL＝1719，而理論采樣值xL＝(2*0.6*4095)/3＝1638；當電路板的輸入電壓為4V時，實際測量得到的采樣值yH＝3391，而理論采樣值xH＝(4*0.6*4095)/3＝3276。然后，獲取模塊20可以計算出相應(yīng)的標定參數(shù)：k＝(xH-xL)/(yH-yL)＝0.980，b＝xH-yH*k＝-47.18，進而可得到標定區(qū)間2V-4V的標定公式為：z＝0.98*y+b，其中y是實際采樣值，y的取值范圍為(0～4095)，z是標定后的實際采樣值，z直接輸出至后續(xù)電路。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，每個標定區(qū)間對應(yīng)的任意兩個實際真實值分別為相應(yīng)標定區(qū)間對應(yīng)的實際真實值上下限。也就是說，兩個實際真實值分別選取標定區(qū)間兩頭的邊界值。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明實施例提出的采樣標定裝置，通過劃分模塊對待采樣參數(shù)對應(yīng)的實際真實值進行劃分以獲得多個標定區(qū)間，并通過獲取模塊獲取每個標定區(qū)間的標定參數(shù)，然后標定模塊根據(jù)每個標定區(qū)間的標定參數(shù)對相應(yīng)標定區(qū)間的實際采樣值進行標定以使標定后的實際采樣值匹配理論采樣值。由此，通過分段標定方式對多個標定區(qū)間進行標定，從而使得每個標定區(qū)間的標定后的實際采樣值均具有較高的精度，提高了標定的精確度，保障了后續(xù)電路的輸入電壓或電流精度。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時針”、“逆時針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或 元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個”的含義是至少兩個，例如兩個，三個等，除非另有明確具體的限定。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通或兩個元件的相互作用關(guān)系，除非另有明確的限定。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特征進行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型。