電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)測(cè)量裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明給出了一種電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)測(cè)量裝置，包括盛有電解質(zhì)的容器、第一鉑片、第二鉑片、參比電極、負(fù)載、隔離片、硅片、激光源、位移傳感器、電源以及樣品，其中，所述樣品、第二鉑片以及參比電極均放置于所述容器中，且樣品的高度略高于電解質(zhì)液面，所述第一鉑片放置在所述樣品的上表面，所述第一鉑片上放置有隔離片，隔離片正對(duì)樣品的位置上放置有負(fù)載，在隔離片遠(yuǎn)離樣品的一端放置有硅片，所述激光源的發(fā)射的激光照射在所述硅片上，所述位移傳感器用于接收被所述硅片反射的激光。本發(fā)明提出的電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)測(cè)量裝置，能夠?qū)圻量悠返碾娀瘜W(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)進(jìn)行精確測(cè)量，從而能夠?qū)圻量┑碾娀瘜W(xué)驅(qū)動(dòng)性能進(jìn)行深入研究和分析。
【專(zhuān)利說(shuō)明】電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)測(cè)量裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電化學(xué)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，尤其涉及一種電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)測(cè)量裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 對(duì)于聚吡咯來(lái)說(shuō)，由于在電化學(xué)氧化或還原態(tài)轉(zhuǎn)換的時(shí)候，為了保持其電中性，會(huì) 導(dǎo)致內(nèi)部離子的增加或損失，從而引起聚吡咯體積的變化。對(duì)于小離子摻雜的聚吡咯來(lái)說(shuō)， 在電化學(xué)還原的過(guò)程中（負(fù)電位驅(qū)動(dòng)），陰離子（A-)將被排出聚吡咯結(jié)構(gòu)，從而引起體積 的收縮。反之，如果在正電位的驅(qū)動(dòng)下，那么在聚吡咯的結(jié)構(gòu)中就會(huì)插入一些小的移動(dòng)陰離 子，維持其電中性，從而使其體積膨脹。本發(fā)明提出一種電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)測(cè)量裝置，能夠?qū)?聚吡咯樣品的電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)進(jìn)行精確測(cè)量，從而能夠?qū)圻量┑碾娀瘜W(xué)驅(qū)動(dòng)性能進(jìn)行深 入研究和分析。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此，本發(fā)明提供了一種電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)測(cè)量裝置，包括盛有電解質(zhì)的容器、 第一鉬片、第二鉬片、參比電極、負(fù)載、隔離片、支撐片、硅片、激光源、位移傳感器、電源以及 樣品，其中，所述樣品、第二鉬片以及參比電極均放置于所述容器中，且樣品的高度略高于 電解質(zhì)液面，所述第一鉬片放置在所述樣品的上表面，所述第一鉬片上放置有隔離片，隔離 片正對(duì)樣品的位置上放置有負(fù)載，所述硅片搭在遠(yuǎn)離樣品的支撐片以及隔離片上，所述激 光源的發(fā)射的激光照射在所述硅片上，所述位移傳感器用于接收被所述硅片反射的激光。
[0004] 電源的正極接所述樣品，電源的負(fù)極接所述第二鉬片。
[0005] 所述參比電極可以是Ag或AgCl。
[0006] 所述隔離片是玻璃片。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要 使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他 的附圖。
[0008] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施例提供的電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)測(cè)量裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009] 圖2為采用本發(fā)明一實(shí)施例提供的電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)測(cè)量裝置進(jìn)行測(cè)量時(shí)的示意 圖。

【具體實(shí)施方式】
[0010] 為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例 中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例是 本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。 [0011] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施例提供的電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)測(cè)量裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所 示，本實(shí)施例的電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)測(cè)量裝置，包括盛有電解質(zhì)的容器1、第一鉬片2、第二鉬片 3、參比電極4、負(fù)載5、隔離片6、支撐片7、硅片8、激光源9、位移傳感器10、電源（圖中未給 出）以及樣品11，其中，所述樣品、第二鉬片以及參比電極均放置于所述容器中，且樣品的 高度略高于電解質(zhì)液面，所述第一鉬片放置在所述樣品的上表面，所述第一鉬片上放置有 隔離片，隔離片正對(duì)樣品的位置上放置有負(fù)載，所述硅片搭在遠(yuǎn)離樣品的支撐片以及隔離 片上，所述激光源的發(fā)射的激光照射在所述硅片上，所述位移傳感器用于接收被所述硅片 反射的激光。所述電源的正極接所述樣品，電源的負(fù)極接所述第二鉬片。所述參比電極可 以是Ag或AgCl。所述隔離片是玻璃片。
[0012] 驅(qū)動(dòng)響應(yīng)的計(jì)算過(guò)程如下，如圖2所示，定義L為三維石墨烯/聚吡咯樣品的原始 高度，Λ L為高度上的驅(qū)動(dòng)響應(yīng)變化量，D為硅片與樣品和支撐玻璃片接觸點(diǎn)間的距離，d為 C⑶上接收的位移變化值，1為激光入射點(diǎn)到(XD的距離，α為硅片旋轉(zhuǎn)的角度值。那么根 據(jù)反射定律可知，當(dāng)入射光線一定，鏡面旋轉(zhuǎn)α角時(shí)，反射光線旋轉(zhuǎn)2 α角度，因此從圖1 中可知：
[0013] sin a = d/21
[0014] tan α = Δ L/D
[0015] 在此次測(cè)量中，令1 (約0. 9m_lm) >> d(約0. lmm-lmm)，于是有：
[0016] a sin α tan α
[0017] 從而可推出：
[0018] AL = Dd/21
[0019] 因此，驅(qū)動(dòng)響應(yīng)應(yīng)變?yōu)椋?br> [0020] Strain (% ) = Δ L/L = Dd/2L1
[0021] 上式中，D，L，1均可測(cè)量得到，d可在C⑶軟件中讀取數(shù)值。
[0022] 最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡 管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然 可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替 換，而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)測(cè)量裝置，其特征在于，所述裝置包括盛有電解質(zhì)的容器、第 一鉬片、第二鉬片、參比電極、負(fù)載、隔離片、支撐片、硅片、激光源、位移傳感器、電源以及樣 品，其中，所述樣品、第二鉬片以及參比電極均放置于所述容器中，且樣品的高度略高于電 解質(zhì)液面，所述第一鉬片放置在所述樣品的上表面，所述第一鉬片上放置有隔離片，隔離片 正對(duì)樣品的位置上放置有負(fù)載，所述硅片搭在遠(yuǎn)離樣品的支撐片以及隔離片上，所述激光 源的發(fā)射的激光照射在所述硅片上，所述位移傳感器用于接收被所述硅片反射的激光。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)測(cè)量裝置，其特征在于，電源的正極接 所述樣品，電源的負(fù)極接所述第二鉬片。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)測(cè)量裝置，其特征在于，所述參比電極 可以是Ag或AgCl。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)測(cè)量裝置，其特征在于，所述隔離片和 支持片采用玻璃片。
【文檔編號(hào)】G01N27/26GK104155354SQ201410378502
【公開(kāi)日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2014年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月30日
【發(fā)明者】卓朝旦 申請(qǐng)人:奉化市宇創(chuàng)產(chǎn)品設(shè)計(jì)有限公司