光柵位置的測量方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種光柵位置的測量方法，包括：提供一光刻版模板，所述光刻版模板具有刻度尺標(biāo)記圖案；使用所述光柵與所述光刻版模板對一測試樣品進(jìn)行光刻工藝，以在所述測試樣品上形成與所述刻度尺標(biāo)記圖案對應(yīng)的刻度尺標(biāo)記；將所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度與一標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較，以確定光柵位置是否正常。在本發(fā)明提供的光柵位置的測量方法中，通過光刻工藝，將所述光刻版模板上的刻度尺標(biāo)記圖案轉(zhuǎn)移到所述測試樣品上，使得所述測試樣品上具有所述刻度尺標(biāo)記。通過將所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度與所述標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較，可以明確判斷光柵位置是否合適，也可以知道光柵位置還有多少移動(dòng)范圍。
【專利說明】光柵位置的測量方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光刻工藝，特別涉及一種光柵位置的測量方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在光刻工藝中紫外光先依次通過光柵、光刻版和硅片，用以將光刻版的圖形轉(zhuǎn)移到硅片或者基板上。為了保證光刻版的圖形正確轉(zhuǎn)移到硅片或者基板上，需要將光柵調(diào)整到合適的位置。
[0003]然而，在制造過程中不時(shí)發(fā)生偶發(fā)異常，即在正常圖形中出現(xiàn)其他不應(yīng)出現(xiàn)的圖案。這種偶發(fā)異常的原因是光柵相對于光刻版發(fā)生了偏移，使得光刻版上的一些輔助圖形也被納入到光柵范圍內(nèi)，圖形轉(zhuǎn)移時(shí)這些輔助圖形同時(shí)被轉(zhuǎn)移，導(dǎo)致圖形異常。請參考圖1，其分別是光柵位置正常和偏移的對照示意圖。如圖1的上半部分所示，光柵I的位置正常的話，部分輔助圖形2不會(huì)被納入到光柵I的范圍內(nèi)，輔助圖形2也不會(huì)轉(zhuǎn)移到正常圖形上。如圖1的下半部分所示，如果光柵I的位置發(fā)生了偏移或偏轉(zhuǎn)，并且偏移量超過一定的范圍的話，輔助圖形2就會(huì)被納入到光柵I的范圍內(nèi)，圖形轉(zhuǎn)移到產(chǎn)品時(shí)會(huì)出現(xiàn)圖形異常。
[0004]每個(gè)供應(yīng)商提供的光刻版的輔助圖形的位置都是不同的，因此需要對每個(gè)供應(yīng)商提供的光刻版進(jìn)行測試和驗(yàn)證用以確定光柵的位置。測試和驗(yàn)證比較頻繁，而且每次測試和驗(yàn)證都非常耗時(shí)。
[0005]目前，光刻機(jī)特別是Ultra Step光刻機(jī)只能通過檢查產(chǎn)品的方式判斷光柵位置，即根據(jù)產(chǎn)品的圖形是否異常判斷光柵位置是否合適，但是并不清楚光柵的最佳位置在哪里，目前是否處于最佳的位置。光柵一旦發(fā)生移動(dòng)也不清楚偏移了多少，還有多少可以偏移的空間。而且，檢查產(chǎn)品時(shí)圖形已經(jīng)轉(zhuǎn)移到產(chǎn)品上，出現(xiàn)圖形異常才知道光柵位置出現(xiàn)偏移或偏轉(zhuǎn)，一旦發(fā)生異常也無法鎖定異常產(chǎn)品的范圍?？梢?，目前的判斷方法不能準(zhǔn)確地判斷光柵位置，因光柵位置偏移導(dǎo)致圖形異常的風(fēng)險(xiǎn)非常高。
[0006]因此，如何解決現(xiàn)有技術(shù)中無法準(zhǔn)確判斷光柵位置的問題已經(jīng)成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種光柵位置的測量方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中無法準(zhǔn)確地判斷光柵位置的問題。
[0008]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種光柵位置的測量方法，所述光柵位置的測量方法包括:
[0009]提供一光刻版模板，所述光刻版模板具有刻度尺標(biāo)記圖案；
[0010]使用所述光柵與所述光刻版模板對一測試樣品進(jìn)行光刻工藝，以在所述測試樣品上形成與所述刻度尺標(biāo)記圖案對應(yīng)的刻度尺標(biāo)記；
[0011]將所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度與一標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較，以確定光柵位置是否正常；[0012]其中，將所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度與一標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較的步驟包括:
[0013]根據(jù)所述光柵以及所述光刻版模板設(shè)定所述標(biāo)準(zhǔn)刻度；
[0014]對所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度進(jìn)行讀數(shù)；
[0015]若所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度在所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的范圍之內(nèi)，則所述光柵位置正常；若所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度不在所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的范圍之內(nèi)，則所述光柵位置不正
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[0016]進(jìn)一步的，采用電子顯微鏡或光學(xué)顯微鏡，對所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度進(jìn)行讀數(shù)。
[0017]進(jìn)一步的，所述刻度尺標(biāo)記包括多個(gè)X軸刻度線以及多個(gè)Y軸刻度線，所述X軸刻度線分別與Y軸刻度線相交。
[0018]進(jìn)一步的，將所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度與一標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較的步驟還包括:
[0019]若所述X軸刻度線在X軸正方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量相同，或所述X軸刻度線在X軸負(fù)方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量相同，或所述Y軸刻度線在Y軸正方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量相同，或所述Y軸刻度線在Y軸負(fù)方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量相同，則所述光柵的位置只發(fā)生偏移、未發(fā)生偏轉(zhuǎn)；
[0020]若所述X軸刻度線在X軸正方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量不相同，或所述X軸刻度線在X軸負(fù)方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量不相同，或所述Y軸刻度線在Y軸正方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量不相同，或所述Y軸刻度線在Y軸負(fù)方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量不相同，則所述光柵的位置發(fā)生偏轉(zhuǎn)。
[0021]進(jìn)一步的，所述光柵的位置只發(fā)生偏移、未發(fā)生偏轉(zhuǎn)，將所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度與一標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較的步驟還包括:
[0022]若所述X軸刻度線在X軸正方向的邊緣的刻度小于所述標(biāo)準(zhǔn)刻度，則所述光柵向X軸負(fù)方向偏移；
[0023]若所述X軸刻度線在X軸負(fù)方向的邊緣的刻度小于所述標(biāo)準(zhǔn)刻度，則所述光柵向X軸正方向偏移；
[0024]若所述Y軸刻度線在Y軸正方向的邊緣的刻度小于所述標(biāo)準(zhǔn)刻度，則所述光柵向Y軸負(fù)方向偏移；
[0025]若所述Y軸刻度線在Y軸負(fù)方向的邊緣的刻度小于所述標(biāo)準(zhǔn)刻度，則所述光柵向Y軸正方向偏移。
[0026]進(jìn)一步的，所述X軸刻度線和Y軸刻度線的數(shù)量均為2N+1條，N為正整數(shù)，所述2N+1條X軸刻度線呈軸對稱分布，其中第N+1條X軸刻度線為第一對稱軸，所述2N+1條Y軸刻度線呈軸對稱分布，其中第N+1條Y軸刻度線為第二對稱軸；所述第一對稱軸和第二對稱軸的交叉位置與所述光刻版模板的中心點(diǎn)重合。
[0027]進(jìn)一步的，所述X軸刻度線和Y軸刻度線的數(shù)量均為3條。
[0028]進(jìn)一步的，所述X軸刻度線與光刻版模板的中心點(diǎn)的最大距離在16mm以下，所述Y軸刻度線與光刻版模板的中心點(diǎn)的最大距離在6.5mm以下。[0029]進(jìn)一步的，所述刻度尺標(biāo)記的邊緣為所述刻度尺標(biāo)記開始變色處的位置。
[0030]在本發(fā)明提供的光柵位置的測量方法中，采用具有縱/橫刻度線圖形的光刻版模板轉(zhuǎn)移圖形，使用所述光柵與所述光刻版模板對一測試樣品進(jìn)行光刻工藝，以在所述測試樣品上形成與所述刻度尺標(biāo)記圖案對應(yīng)的刻度尺標(biāo)記，將所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度與一標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較，以確定光柵位置是否正常，從而實(shí)現(xiàn)光柵位置的精確測量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的光柵位置正常和偏轉(zhuǎn)的對照示意圖；
[0032]圖2是本發(fā)明一實(shí)施例中光柵位置的測量方法的流程圖；
[0033]圖3是本發(fā)明一實(shí)施例中光刻版模板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖4是圖3中A位置的放大示意圖；
[0035]圖5是本發(fā)明一實(shí)施例中測試樣品上形成的刻度尺標(biāo)記的示意圖；
[0036]圖6是圖5中A’位置的放大示意圖；
[0037]圖7-圖8圖是本發(fā)明一實(shí)施例中光柵位置異常的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的光柵位置的測量方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0039]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0040]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0041]本發(fā)明的核心思想在于，提供一種光柵位置的測量方法，包括:
[0042]步驟S11，提供一光刻版模板，所述光刻版模板具有刻度尺標(biāo)記圖案；
[0043]步驟S12，使用所述光柵與所述光刻版模板對一測試樣品進(jìn)行光刻工藝，以在所述測試樣品上形成與所述刻度尺標(biāo)記圖案對應(yīng)的刻度尺標(biāo)記；
[0044]步驟S13，將所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度與一標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較，以確定光柵位
置是否正常。
[0045]以下請結(jié)合圖2-圖8，具體說明本發(fā)明的光柵位置的測量方法。其中，圖2是本發(fā)明一實(shí)施例中光柵位置的測量方法的流程圖。
[0046]首先，進(jìn)行步驟S11，提供一光刻版模板10，如圖3所示，所述光刻版模板10具有刻度尺標(biāo)記圖案100，還可以具有其它輔助圖形，在圖中不具體示出。較佳的，所述刻度尺標(biāo)記圖案100包括多個(gè)X軸刻度線11以及多個(gè)Y軸刻度線12，所述X軸刻度線11分別與Y軸刻度線12相交。在本實(shí)施例中，所述X軸刻度線和Y軸刻度線的數(shù)量均為3條，所述3條X軸刻度線11呈軸對稱分布，其中，第2條X軸刻度線為第一對稱軸，所述3條Y軸刻度線呈軸對稱分布，其中，第2條Y軸刻度線為第二對稱軸；所述第一對稱軸和第二對稱軸的交叉位置O點(diǎn)與所述光刻版模板10的中心點(diǎn)重合，如圖3所示，可以方便對光柵位置的測定，可以檢測到光柵位置偏移狀況以及偏轉(zhuǎn)狀況。
[0047]同時(shí)，為了防止所述X軸刻度線11和Y軸刻度線12落在光柵區(qū)域的外面而監(jiān)測不到光柵，較佳的，所述X軸刻度線11與光刻版模板10的中心點(diǎn)的最大距離不能超過16mm，所述Y軸刻度線12與光刻版模板10的中心點(diǎn)的最大距離不能超過6.5mm。在本實(shí)施例中，3條X軸刻度線11中位于中間的X軸刻度線11和3條Y軸刻度線12中位于中間的Y軸刻度線12都經(jīng)過光刻版模板的中心點(diǎn)，其他兩條X軸刻度線11以經(jīng)過光刻版模板的中心點(diǎn)的X軸刻度線11作為第一對稱軸，對稱分布于所述第一對稱軸的兩側(cè)并距離所述第一對稱軸14mm，其他兩條Y軸刻度線12以經(jīng)過光刻版模板的中心點(diǎn)的Y軸刻度線12作為第二對稱軸，對稱分布于所述第二對稱軸的兩側(cè)并距離所述第二對稱軸5.5mm。
[0048]其中，所述光刻版模板10的形狀并不做具體限制，在本實(shí)施例中，所述光刻版模板10為矩形，如圖3所示，3條所述X軸刻度線11都平行于所述矩形的長邊，3條所述Y軸刻度線12都平行于所述矩形的短邊。3條所述X軸刻度線11共有6個(gè)端點(diǎn)，分別是X1、X2、X3、X4、X5、X6 ;3條所述Y軸刻度線12共有6個(gè)端點(diǎn)，分別是Yl、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6。所有的X軸刻度線11和Y軸刻度線12上都標(biāo)記有刻度標(biāo)識(shí)，如圖4所示，刻度標(biāo)識(shí)包括刻度和刻度對應(yīng)的數(shù)字標(biāo)記。其中，所述刻度的范圍并不做具體限制。以第2條Y軸刻度線為例，在本實(shí)施例中，所述第2條Y軸刻度線在O點(diǎn)的刻度為0，刻度從端點(diǎn)Y5向端點(diǎn)Y2逐漸增大，Y5點(diǎn)的刻度為-80，Y2點(diǎn)的刻度為80 ;但在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，所述第2條Y軸刻度線的刻度從一個(gè)端點(diǎn)以O(shè)開始向另一個(gè)端點(diǎn)遞增，Y5點(diǎn)的刻度為0，O點(diǎn)的刻度為80，Y2點(diǎn)的刻度為160，等等。較佳的，3條所述X軸刻度線11的刻度范圍相同，3條所述Y軸刻度線的刻度范圍相同。
[0049]接著，進(jìn)行步驟S12，使用所述光柵與所述光刻版模板10對一測試樣品20進(jìn)行光刻工藝，以在所述測試樣品20上形成與所述刻度尺標(biāo)記圖案100對應(yīng)的刻度尺標(biāo)記200。如圖5所示，所述測試樣品20的刻度尺標(biāo)記200中也有X軸刻度線21和Y軸刻度線22，所述X軸刻度線21和Y軸刻度線22上也都有刻度標(biāo)識(shí)。3條所述X軸刻度線21共有6個(gè)端點(diǎn)，分別是Χ1'、X2’、X3’、X4’、X5’、X6’ ；3條所述Y軸刻度線22共有6個(gè)端點(diǎn)，分別是Yl，、Y2，、Y3，、Y4，、Y5，、Y6’，所述X軸刻度線21和Y軸刻度線22上的刻度與所述X軸刻度線11和Y軸刻度線12上的刻度分別一一對應(yīng)，在本實(shí)施例中，所述第2條Y軸刻度線在O’點(diǎn)的刻度為0，刻度向端點(diǎn)逐漸增大，Y2’點(diǎn)的刻度為80，Y5’點(diǎn)的刻度為-80，每條Y軸刻度線22的刻度范圍均為(-80至80)。
[0050]然后，進(jìn)行步驟S13，將所述刻度尺標(biāo)記200的邊緣的刻度與一標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較，以確定光柵位置是否正常。其中，所述標(biāo)準(zhǔn)刻度根據(jù)具體的光柵以及所述光刻版模板10決定，不同的所述光刻版模板10具有不同的所述標(biāo)準(zhǔn)刻度。在本實(shí)施例中，所述標(biāo)準(zhǔn)刻度具有12個(gè)，每條所述X軸刻度線21的兩端分別具有兩個(gè)所述標(biāo)準(zhǔn)刻度，每條所述Y軸刻度線22的兩端分別具有兩個(gè)所述標(biāo)準(zhǔn)刻度，所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的刻度范圍亦不作具體限制。例如，在本實(shí)施例中，每條所述Y軸刻度線22的兩端的所述標(biāo)準(zhǔn)刻度均為(-70至-80)、(70至 80)。
[0051]其中，所述步驟S13具體包括:
[0052]根據(jù)所述光柵以及所述光刻版模板10設(shè)定所述標(biāo)準(zhǔn)刻度；
[0053]采用電子顯微鏡或光學(xué)顯微鏡，對所述刻度尺標(biāo)記200的邊緣的刻度進(jìn)行讀數(shù)。較佳的，所述刻度尺標(biāo)記200的邊緣為所述刻度尺標(biāo)記200開始變色處的位置，以提高讀數(shù)的準(zhǔn)確度。在本實(shí)施例中，所述Y軸刻度線22在A’處開始變色，如圖6所示，所述Y軸刻度線22在Y2’端的邊緣的刻度為68，不在所述標(biāo)準(zhǔn)刻度(70至80)的范圍內(nèi)；
[0054]進(jìn)行判斷，若所述刻度尺標(biāo)記200的邊緣的刻度在所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的范圍之內(nèi)，則所述光柵位置正常；若所述刻度尺標(biāo)記200的邊緣的刻度不在所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的范圍之內(nèi)，則所述光柵位置不正常。在本實(shí)施例中，所述Y軸刻度線22在Y2’端的邊緣的刻度不在所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的范圍內(nèi)，所以，在本實(shí)施例中，所述光柵位置不正常。其中，在本實(shí)施例中，只要有一條所述X軸刻度線21或所述Y軸刻度線22中任一端邊緣的刻度超出所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的范圍，所述光柵位置即不正常。
[0055]在本實(shí)施例中，由于所述刻度尺標(biāo)記200具有3條X軸刻度線21和3條Y軸刻度線22，所以，將所述刻度尺標(biāo)記200的邊緣的刻度與一標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較的步驟還包括所述光柵的位置是否發(fā)生偏移或偏轉(zhuǎn)的判斷，具體判斷方法如下描述。
[0056]若所述X軸刻度線21在X軸正方向的邊緣的刻度偏離對應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量相同(即刻度偏離的大小以及方向均相同)，或所述X軸刻度線21在X軸負(fù)方向的邊緣的刻度偏離對應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量相同，或所述Y軸刻度線22在Y軸正方向的邊緣的刻度偏離對應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量相同，或所述Y軸刻度線22在Y軸負(fù)方向的邊緣的刻度偏離對應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量相同，則所述光柵的位置只發(fā)生偏移、未發(fā)生偏轉(zhuǎn)。例如，在本實(shí)施例中，3條所述Y軸刻度線22分別在Y軸正方向的邊緣的刻度，即3條所述Y軸刻度線22分別在Y1`端、Y2’端、Y3’端的刻度均為68，均比所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的最小值小2個(gè)刻度，也就是偏離對應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量相同，如圖7所示，則所述光柵的位置只發(fā)生偏移、未發(fā)生偏轉(zhuǎn)。
[0057]當(dāng)所述光柵的位置只發(fā)生偏移、未發(fā)生偏轉(zhuǎn)，可以進(jìn)一步進(jìn)行判斷:若所述X軸刻度線21在X軸正方向的邊緣的刻度小于所述標(biāo)準(zhǔn)刻度,貝U所述光柵向X軸負(fù)方向偏移；若所述X軸刻度線21在X軸負(fù)方向的邊緣的刻度小于所述標(biāo)準(zhǔn)刻度，則所述光柵向X軸正方向偏移；若所述Y軸刻度線22在Y軸正方向的邊緣的刻度小于所述標(biāo)準(zhǔn)刻度,貝U所述光柵向Y軸負(fù)方向偏移；若所述Y軸刻度線22在Y軸負(fù)方向的邊緣的刻度小于所述標(biāo)準(zhǔn)刻度，則所述光柵向Y軸正方向偏移。例如，在本實(shí)施例中，3條所述Y軸刻度線22在Y軸正方向的邊緣的刻度均比所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的最小值小2個(gè)刻度，也就是偏離對應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量相同，如圖7所不，所述光柵向Y軸負(fù)方向偏移。
[0058]若所述X軸刻度線21在X軸正方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量不相同(在本實(shí)施 例中，3條所述X軸刻度線21中任意一條與其他兩條的偏離矢量不相同即可)，或所述X軸刻度線21在X軸負(fù)方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量不相同，或所述Y軸刻度線22在Y軸正方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量不相同，或所述Y軸刻度線22在Y軸負(fù)方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量不相同，則所述光柵的位置發(fā)生偏轉(zhuǎn)。例如，當(dāng)?shù)谝粭l所述Y軸刻度線22在Y軸正方向的邊緣的刻度比所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的最小值小2個(gè)刻度，另外兩條所述Y軸刻度線22在Y軸正方向的邊緣的刻度均滿足所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的要求，則所述光柵的位置發(fā)生偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)的防線具體可以根據(jù)所述Y軸刻度線22偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量多少來決定，在此不作贅述。
[0059]本發(fā)明實(shí)施例中，所述刻度尺標(biāo)記圖案100具有3條X軸刻度線11和3條Y軸刻度線12，通過光刻工藝，將所述光刻版模板10上的刻度尺標(biāo)記圖案100轉(zhuǎn)移到所述測試樣品20上，使得所述測試樣品20上的所述刻度尺標(biāo)記200具有3條X軸刻度線21和3條Y軸刻度線22。通過將所述刻度尺標(biāo)記200的邊緣的刻度與所述標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較，可以明確判斷光柵位置是否合適，也可以知道光柵位置還有多少移動(dòng)范圍。對于不同的所述光刻版模板10，可以根據(jù)供應(yīng)商提供的輔助圖形的位置坐標(biāo)可以直接判斷出光柵位置是否合適，是否會(huì)造成圖形異常。從而大大節(jié)省了光柵位置的驗(yàn)證時(shí)間，也降低了所述光刻版模板10上輔助圖形被轉(zhuǎn)移到產(chǎn)品上或應(yīng)轉(zhuǎn)移的圖形被光柵阻擋不能正常轉(zhuǎn)移的風(fēng)險(xiǎn)。
[0060]本發(fā)明的較佳實(shí)施例如上所述，但本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例，例如，所述X軸刻度線11和Y軸刻度線12的數(shù)量并不限于為3條，還可以為5條、7條等，只要所述X軸刻度線11和Y軸刻度線12的數(shù)量均為2N+1條，亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。其中，N為正整數(shù)，所述2N+1條X軸刻度線11呈軸對稱分布，其中，第N+1條X軸刻度線11為第一對稱軸，所述2N+1條Y軸刻度線12呈軸對稱分布，其中，第N+1條Y軸刻度線12為第二對稱軸，同樣的，位于中間的X軸刻度線11和位于中間的Y軸刻度線12都經(jīng)過光刻版模板的中心點(diǎn)，其他X軸刻度線11以位于中間的X軸刻度線11為對稱軸等距離分布，其他Y軸刻度線12以位于中間的Y軸刻度線12為對稱軸等距離分布。當(dāng)然，所述X軸刻度線和Y軸刻度線的數(shù)量還可以為2條、4條等；另外，所述刻度尺標(biāo)記200并不限于為多條X軸刻度線以及Y軸刻度線，還可以為4條刻度線相交于中點(diǎn)，形成“米”形，亦可以判斷光柵位置是否合適，亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。
[0061]綜上，在本發(fā)明實(shí)施例提供的光柵位置的測量方法中，通過光刻工藝，將所述光刻版模板上的刻度尺標(biāo)記圖案轉(zhuǎn)移到所述測試樣品上，使得所述測試樣品上具有所述刻度尺標(biāo)記。通過將所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度與所述標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較，可以明確判斷光柵位置是否合適，也可以知道光柵位置還有多少移動(dòng)范圍。
[0062]上述描述僅是對本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種光柵位置的測量方法，其特征在于，包括: 提供一光刻版模板，所述光刻版模板具有刻度尺標(biāo)記圖案； 使用光柵與所述光刻版模板對一測試樣品進(jìn)行光刻工藝，以在所述測試樣品上形成與所述刻度尺標(biāo)記圖案對應(yīng)的刻度尺標(biāo)記； 將所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度與一標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較，以確定所述光柵的位置是否正常； 其中，將所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度與一標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較的步驟包括； 根據(jù)所述光柵以及所述光刻版模板設(shè)定所述標(biāo)準(zhǔn)刻度； 對所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度進(jìn)行讀數(shù)； 若所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度在所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的范圍之內(nèi)，則所述光柵位置正常；若所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度不在所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的范圍之內(nèi)，則所述光柵位置不正常。
2.如權(quán)利要求1所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，采用電子顯微鏡或光學(xué)顯微鏡，對所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度進(jìn)行讀數(shù)。
3.如權(quán)利要求1所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，所述刻度尺標(biāo)記包括多個(gè)X軸刻度線以及多個(gè)Y軸刻度線，所述X軸刻度線分別與Y軸刻度線相交。
4.如權(quán)利要求3所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，將所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度與一標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較的步驟還包括: 若所述X軸刻度線在X軸正方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量相同，或所述X軸刻度線在X軸負(fù)方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量相同，或所述Y軸刻度線在Y軸正方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量相同，或所述Y軸刻度線在Y軸負(fù)方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量相同，則所述光柵的位置只發(fā)生偏移、未發(fā)生偏轉(zhuǎn)； 若所述X軸刻度線在X軸正方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量不相同，或所述X軸刻度線在X軸負(fù)方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量不相同，或所述Y軸刻度線在Y軸正方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量不相同，或所述Y軸刻度線在Y軸負(fù)方向的邊緣的刻度偏離所述標(biāo)準(zhǔn)刻度的矢量不相同，則所述光柵的位置發(fā)生偏轉(zhuǎn)。
5.如權(quán)利要求4所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，所述光柵的位置只發(fā)生偏移、未發(fā)生偏轉(zhuǎn)，將所述刻度尺標(biāo)記的邊緣的刻度與一標(biāo)準(zhǔn)刻度進(jìn)行比較的步驟還包括: 若所述X軸刻度線在X軸正方向的邊緣的刻度小于所述標(biāo)準(zhǔn)刻度，則所述光柵向X軸負(fù)方向偏移； 若所述X軸刻度線在X軸負(fù)方向的邊緣的刻度小于所述標(biāo)準(zhǔn)刻度，則所述光柵向X軸正方向偏移； 若所述Y軸刻度線在Y軸正方向的邊緣的刻度小于所述標(biāo)準(zhǔn)刻度，則所述光柵向Y軸負(fù)方向偏移； 若所述Y軸刻度線在Y軸負(fù)方向的邊緣的刻度小于所述標(biāo)準(zhǔn)刻度，則所述光柵向Y軸正方向偏移。
6.如權(quán)利要求3所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，所述X軸刻度線和Y軸刻度線的數(shù)量均為2N+1條，N為正整數(shù)，所述2N+1條X軸刻度線呈軸對稱分布，其中第N+1條X軸刻度線為第一對稱軸，所述2N+1條Y軸刻度線呈軸對稱分布，其中第N+1條Y軸刻度線為第二對稱軸；所述第一對稱軸和第二對稱軸的交叉位置與所述光刻版模板的中心點(diǎn)重合。
7.如權(quán)利要求6所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，所述X軸刻度線和Y軸刻度線的數(shù)量均為3條。
8.如權(quán)利要求3所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，所述X軸刻度線與光刻版模板的中心點(diǎn)的最大距離在16mm以下，所述Y軸刻度線與光刻版模板的中心點(diǎn)的最大距離在6.5mm以下。
9.如權(quán)利要求1所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，所述刻度尺標(biāo)記的邊緣為所述刻度尺標(biāo)記開始變色處的位置。
【文檔編號(hào)】G01B15/00GK103592823SQ201310603470
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年11月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月25日
【發(fā)明者】李立文, 崔小鋒, 方佼, 周文林 申請人:杭州士蘭集成電路有限公司