專利名稱：芯片的電流檢測電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子電路領(lǐng)域，具體而言，涉及一種芯片的電流檢測電路。
背景技術(shù)：
在電子電路中，為了避免因?yàn)檫^流而使芯片損壞，往往需要對芯片的工作電流進(jìn)行檢測。傳統(tǒng)芯片的電流檢測電路如圖I所示，在圖I中，NMOS管Mnp為芯片中的輸出器件，為輸出負(fù)載提供電流或電壓，NMOS管Mnp和Mns的柵電壓由柵極驅(qū)動電路提供。在電路工作
過程中，Mns檢測流過Mnp的電流，由于Mnp和Mns的Vgs電壓相等，所以
權(quán)利要求1.一種芯片的電流檢測電路，其特征在于，包括柵極驅(qū)動電路，用于輸出柵極驅(qū)動電壓；第一 NMOS管，所述第一 NMOS管的柵極與所述柵極驅(qū)動電路連接；第二 NMOS管，所述第二 NMOS管的柵極與所述第一 NMOS管的柵極連接；第一電阻，所述第一電阻的第一端與所述第二 NMOS管的漏極連接，所述第一電阻的第二端分別與所述第一 NMOS管的漏極和電源電壓連接；第二電阻，所述第二電阻的第一端與所述第一 NMOS管的漏極連接；比較器，所述比較器的第一輸入端與所述第二 NMOS管的漏極連接，所述比較器的第二輸入端與所述第二電阻的第二端連接；恒流源，所述恒流源的第一端與所述比較器的第二輸入端連接，所述恒流源的第二輸入端接地；以及調(diào)整器件，所述調(diào)整器件的第一端與所述第一 NMOS管的柵極連接，所述調(diào)整器件的第二端與所述第二電阻連接，所述調(diào)整器件的第三端與所述第一 NMOS管的漏極和所述電源電壓連接，用于根據(jù)所述第一 NMOS管所處的不同工作區(qū)域進(jìn)行調(diào)整以使得所述第一 NMOS管處在不同工作區(qū)域時芯片的過流閾值相等，其中，所述不同區(qū)域包括飽和區(qū)和線性區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電路，其特征在于，所述調(diào)整器件包括第三NMOS管，所述第三NMOS管的柵極與所述第一 NMOS管和所述第二 NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的漏極與所述電源電壓連接，所述第三NMOS管的源極與所述第二電阻的第二端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電路，其特征在于，所述第三NMOS管的導(dǎo)通電阻為所述第二NMOS管的導(dǎo)通電阻的m倍，所述第二電阻的阻值為所述第一電阻的阻值的m倍，所述第一NMOS管的導(dǎo)通電阻為所述第二 NMOS管的導(dǎo)通電阻的1/n，其中，m為自然數(shù)，η為所述第一NMOS管的W/L與所述第二 NMOS管的W/L的比，W代表NMOS管的寬，L代表NMOS管的長。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電路，其特征在于，所述比較器的第一輸入端為負(fù)極，所述比較器的第二輸入端為正極。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電路，其特征在于，所述比較器的第一輸入端為正極，所述比較器的第二輸入端為負(fù)極。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電路，其特征在于，還包括控制器件，與所述比較器的輸出端連接，用于根據(jù)比較器輸出端的輸出電平控制芯片的其它電路執(zhí)行相應(yīng)的動作。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電路，其特征在于，還包括負(fù)載電路，與所述第一 NMOS管的源極連接。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種芯片的電流檢測電路，該電路包括柵極驅(qū)動電路；第一NMOS管；第二NMOS管；第一電阻；第二電阻；比較器；恒流源；以及調(diào)整器件，該調(diào)整器件根據(jù)輸出NMOS所處的不同工作區(qū)域進(jìn)行調(diào)整以使得輸出NMOS處在不同工作區(qū)域時芯片的過流閾值相等。本實(shí)用新型解決了相關(guān)技術(shù)中芯片的電流檢測電路未考慮輸出MOS管的工作區(qū)域的問題，實(shí)現(xiàn)了輸出MOS管工作在飽和區(qū)和線性區(qū)時芯片的過流閾值一致。
文檔編號G01R19/165GK202735401SQ20122037873
公開日2013年2月13日 申請日期2012年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月31日
發(fā)明者肖飛, 鄭辰光, 其他發(fā)明人請求不公開姓名 申請人:圣邦微電子(北京)股份有限公司