專利名稱：用于霍爾式位移傳感器的一體式支架的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及傳感器附件，特別是一種用于霍爾式位移傳感器的一體式支架。
背景技術(shù)：
霍爾式位移傳感器包括安裝在傳感器線路板上的霍爾集成電路、導磁鋼體，安裝霍爾集成電路時，其高度和垂直度的一致性不容易控制，導磁鋼體采用粘接方式，霍爾集成電路與導磁鋼體的相對位置也不易控制?，F(xiàn)有霍爾式傳感器為了防止運行中的震動影響霍爾集成電路、導磁鋼體等連接的牢固性，安裝過程中需要灌注硅膠用以限定霍爾集成電路和導磁鋼體的位置，工序繁瑣，同時硅膠對于磁場檢測來說，其影響目前不可預見，所以增加了整個檢測過程的不確定因素。

發(fā)明內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種可保證霍爾集成電路及導磁鋼體安裝的一致性、可靠性、生產(chǎn)過程的方便性以及傳感器在運行中的穩(wěn)定性、牢固性的用于霍爾式位移傳感器的一體式支架。本實用新型的技術(shù)方案是該用于霍爾式位移傳感器的一體式支架，包括絕緣底座，在絕緣底座上表面設有兩個與霍爾集成電路尺寸相當?shù)挠糜诎惭b霍爾集成電路的安放內(nèi)腔，其特殊之處是所述安放內(nèi)腔兩側(cè)位置對稱設有導磁鋼體，所述導磁鋼體與所述絕緣底座為一體式結(jié)構(gòu)。所述安放內(nèi)腔立面垂直于所述絕緣底座的底面且與所述絕緣底座為一體式結(jié)構(gòu)，以保證霍爾集成電路放入后能準確的垂直于絕緣底座，且安裝高度確定。所述導磁鋼體埋植于所述絕緣底座內(nèi)。所述安放內(nèi)腔沿其長度方向的立面與兩個所述導磁鋼體相對的內(nèi)立面相互平行，所述安放內(nèi)腔的中截面與兩個所述導磁鋼體的中截面在一個水平面上，以保證批量制造時，霍爾集成電路安裝后與導磁鋼體相對位置的一致性，且實現(xiàn)整個產(chǎn)品性能的最大化。所述絕緣底座底面設有與所述安放內(nèi)腔相通的霍爾集成電路的引腳通孔，以便于安裝霍爾集成電路。所述絕緣底座的底面上設有兩個固定柱，所述固定柱沿所述絕緣底座的軸心不對稱分布，用于絕緣底座在傳感器線路板上安裝定位，以保證絕緣底座的安裝位置正確。所述絕緣底座為圓柱形，所述導磁鋼體的外立面為弧形立面。所述導磁鋼體的弧形立面對應的直徑小于或等于所述絕緣底座的直徑。本實用新型的有益效果是I、由于絕緣底座、用于霍爾集成電路的安放內(nèi)腔、導磁鋼體為一體式結(jié)構(gòu)，安裝霍爾集成電路后，其與導磁鋼體的相對位置確定，避免了產(chǎn)品運行過程中產(chǎn)生的震動影響霍爾集成電路、導磁鋼體連接的牢固性。2、安裝過程中無需灌注硅膠用以限定霍爾集成電路和導磁鋼體的位置，安裝工序簡單，提高了生產(chǎn)效率，避免了硅膠對于霍爾集成電路檢測磁場時的不確定性影響。3、安裝好霍爾集成電路后的一體式支架，朝下倒置放入傳感器的霍爾集成電路及導磁鋼體預留放置空間內(nèi)，支架尺寸與傳感器的霍爾集成電路及導磁鋼體預留放置空間緊密吻合，保證了運行過程中傳感器產(chǎn)品的穩(wěn)定性。

圖I是本實用新型正放置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型倒放置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是放入霍爾集成電路后本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖中絕緣底座I、安放內(nèi)腔2、導磁鋼體3、固定柱4、引腳通孔5、霍爾集成電路6、引腳601。
具體實施方式
如圖所示，該用于霍爾式位移傳感器的一體式支架，包括絕緣底座1，絕緣底座I為圓柱形，在絕緣底座I的上表面設有兩個與霍爾集成電路6尺寸相當?shù)挠糜诎惭b霍爾集成電路6的安放內(nèi)腔2，絕緣底座I的底面上設有兩個固定柱4、兩個與安放內(nèi)腔2相通的霍爾集成電路6的引腳通孔5，固定柱4沿絕緣底座I的軸心不對稱分布，用于安裝定位。安放內(nèi)腔2的立面垂直于絕緣底座I的底面且與絕緣底座I為一體式結(jié)構(gòu)，安放內(nèi)腔2兩側(cè)位置對稱設有導磁鋼體3，導磁鋼體3與絕緣底座I為一體式結(jié)構(gòu)，如導磁鋼體3埋植于絕緣底座I內(nèi)。導磁鋼體3的外立面為弧形立面，導磁鋼體3的弧形立面對應的直徑小于或等于絕緣底座I的直徑，安放內(nèi)腔2沿其長度方向的立面與兩個導磁鋼體3相對的內(nèi)立面相互平行，安放內(nèi)腔2的中截面與兩個導磁鋼體3的中截面在一個水平面上。安裝時，將二只霍爾集成電路6朝下倒置放入安放內(nèi)腔2內(nèi)，霍爾集成電路6放入后能完全確定的、準確的垂直于圓柱形絕緣底座1，其引腳601自引腳通孔5中引出，霍爾集成電路6的對稱中心與導磁鋼體3的對稱中心處于一個水平面。
權(quán)利要求1.一種用于霍爾式位移傳感器的一體式支架，包括絕緣底座，在絕緣底座上表面設有兩個與霍爾集成電路尺寸相當?shù)挠糜诎惭b霍爾集成電路的安放內(nèi)腔，其特征是所述安放內(nèi)腔兩側(cè)位置對稱設有導磁鋼體，所述導磁鋼體與所述絕緣底座為一體式結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于霍爾式位移傳感器的一體式支架，其特征是所述安放內(nèi)腔立面垂直于所述絕緣底座的底面且與所述絕緣底座為一體式結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于霍爾式位移傳感器的一體式支架，其特征是所述導磁鋼體埋植于所述絕緣底座內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的用于霍爾式位移傳感器的一體式支架，其特征是所述安放內(nèi)腔沿其長度方向的立面與兩個所述導磁鋼體相對的內(nèi)立面相互平行，所述安放內(nèi)腔的中截面與兩個所述導磁鋼體的中截面在一個水平面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于霍爾式位移傳感器的一體式支架，其特征是所述絕緣底座底面設有與所述安放內(nèi)腔相通的霍爾集成電路的引腳通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于霍爾式位移傳感器的一體式支架，其特征是所述絕緣底座的底面上設有兩個固定柱，所述固定柱沿所述絕緣底座的軸心不對稱分布。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于霍爾式位移傳感器的一體式支架，其特征是所述絕緣底座為圓柱形，所述導磁鋼體的外立面為弧形立面。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于霍爾式位移傳感器的一體式支架，其特征是所述導磁鋼體的弧形立面對應的直徑小于或等于所述絕緣底座的直徑。
專利摘要一種用于霍爾式位移傳感器的一體式支架，包括絕緣底座，在絕緣底座上表面設有兩個與霍爾集成電路尺寸相當?shù)挠糜诎惭b霍爾集成電路的安放內(nèi)腔，其特殊之處是所述安放內(nèi)腔兩側(cè)位置對稱設有導磁鋼體，所述導磁鋼體與所述絕緣底座為一體式結(jié)構(gòu)。保證了霍爾集成電路及導磁鋼體安裝的一致性、可靠性、生產(chǎn)過程的方便性以及傳感器在運行中的穩(wěn)定性、牢固性。
文檔編號G01B7/02GK202599327SQ20122019648
公開日2012年12月12日 申請日期2012年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月4日
發(fā)明者程英偉, 李興全, 富永俊, 劉杰, 李運強, 伏思燕 申請人:錦州海伯倫汽車電子有限公司