變送器和控制其發(fā)光單元的方法
【專利摘要】本公開(kāi)提供一種變送器和控制其發(fā)光單元的方法。變送器包括：發(fā)光單元；發(fā)光控制單元，用于控制發(fā)光單元的打開(kāi)和關(guān)閉；與發(fā)光控制單元耦合的磁性傳感器；以及能夠在遮蓋發(fā)光單元的關(guān)閉位置和曝露發(fā)光單元的打開(kāi)位置之間切換的附有磁體的蓋構(gòu)件，其中在蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的情況下，磁性傳感器能夠根據(jù)磁體的磁場(chǎng)產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出，其中，發(fā)光控制單元被配置為根據(jù)輸出控制發(fā)光單元，使得在存在表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出的情況下發(fā)光單元關(guān)閉。
【專利說(shuō)明】變送器和控制其發(fā)光單元的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及變送器，及對(duì)其發(fā)光單元進(jìn)行控制的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]應(yīng)用于工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)、能輸出標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)的傳感器被稱為變送器。變送器將通過(guò)感測(cè)獲得的物理測(cè)量信號(hào)或普通電信號(hào)轉(zhuǎn)換為標(biāo)準(zhǔn)電信號(hào)輸出或以通訊協(xié)議方式輸出。
[0003]為了便于現(xiàn)場(chǎng)操作者設(shè)置變送器參數(shù)、檢查變送器工作狀態(tài)、現(xiàn)場(chǎng)獲取感測(cè)數(shù)據(jù)，變送器上普遍設(shè)置有顯示各種參數(shù)和感測(cè)數(shù)據(jù)的顯示面板和/或用于設(shè)置各種參數(shù)的操作面板，諸如觸摸屏等。
[0004]由于變送器被設(shè)置在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)，而工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的環(huán)境非常復(fù)雜，直接曝露在外的輸入面板可能因?yàn)楦鞣N原因被誤操作，例如，樹(shù)枝掉落或飛鳥(niǎo)停落造成的誤輸入。
[0005]此外，在現(xiàn)有的變送器中，無(wú)論是否有操作員進(jìn)行觀看或操作，顯示面板和/或操作面板的背光一直處于打開(kāi)狀態(tài)，造成了電力的浪費(fèi)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本申請(qǐng)的目的是提供一種可以避免由于現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境造成的操作面板的誤操作的變送器，該變送器可以適時(shí)關(guān)閉其上的發(fā)光單元。
[0007]此外，本申請(qǐng)的另一個(gè)目的是提供一種可以適時(shí)關(guān)閉變送器上的發(fā)光單元的控制方法。
[0008]根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面，提供一種變送器，包括:發(fā)光單元；發(fā)光控制單元，用于控制發(fā)光單元的打開(kāi)和關(guān)閉；與發(fā)光控制單元耦合的磁性傳感器；以及能夠在遮蓋發(fā)光單元的關(guān)閉位置和曝露發(fā)光單元的打開(kāi)位置之間切換的附有磁體的蓋構(gòu)件，其中在蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的情況下，磁性傳感器能夠根據(jù)磁體的磁場(chǎng)產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出，其中，發(fā)光控制單元被配置為根據(jù)輸出控制發(fā)光單元，使得在存在表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出的情況下發(fā)光單元關(guān)閉。
[0009]根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)方面，提供一種控制變送器上的發(fā)光單元的方法，包括:使變送器的附有磁體的蓋構(gòu)件能夠在遮蓋發(fā)光單元的關(guān)閉位置和曝露發(fā)光單元的打開(kāi)位置之間切換；檢測(cè)磁體的磁場(chǎng)，以在蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的情況下，根據(jù)磁體的磁場(chǎng)產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出；以及根據(jù)輸出控制發(fā)光單元，使得在存在表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出的情況下發(fā)光單元關(guān)閉。
[0010]使用根據(jù)本申請(qǐng)的變送器和控制變送器上的發(fā)光單元的方法，可以有效地避免由于復(fù)雜的現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境造成的對(duì)變送器上的操作面板的誤操作。此外，可以根據(jù)需要適時(shí)關(guān)閉變送器上的發(fā)光單元，諸如變送器的顯示面板/操作面板的背光單元。從而，減小不必要的電力消耗。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0011]參照下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的說(shuō)明，會(huì)更加容易地理解本發(fā)明的以上和其它目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。在附圖中，相同的或?qū)?yīng)的技術(shù)特征或部件將采用相同或?qū)?yīng)的附圖標(biāo)記來(lái)表示。在附圖中不必依照比例繪制出單元的尺寸和相對(duì)位置。
[0012]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變送器的結(jié)構(gòu)的框圖；
[0013]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁體磁場(chǎng)檢測(cè)示意圖；
[0014]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁性傳感器根據(jù)磁體的磁場(chǎng)產(chǎn)生的電壓信號(hào)的示意圖；
[0015]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光單元控制方法的流程圖；
[0016]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光單元控制方法的流程圖；
[0017]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變送器的實(shí)例的立體圖；
[0018]圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁性傳感器與發(fā)光控制單元的連接的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面參照附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)注意，為了清楚的目的，附圖和說(shuō)明中省略了與本發(fā)明無(wú)關(guān)的、本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的部件和處理的表示和描述。
[0020]如圖1中所示，變送器100包括發(fā)光單元101、發(fā)光控制單元102、磁性傳感器103，以及附有磁體I的蓋構(gòu)件104。
[0021]發(fā)光單元101可以例如是為變送器上所設(shè)置的顯示單元和/或操作單元提供背光的背光單元。
[0022]發(fā)光控制單元102對(duì)發(fā)光單元101的打開(kāi)和關(guān)閉進(jìn)行控制。蓋構(gòu)件104能夠在遮蓋發(fā)光單元101的關(guān)閉位置和曝露發(fā)光單元101的打開(kāi)位置之間切換(圖1中未示出這種位置關(guān)系)。磁性傳感器103與發(fā)光控制單元102耦合，從而能夠與發(fā)光控制單元102進(jìn)行通信。磁性傳感器103能夠在蓋構(gòu)件104處于上述關(guān)閉位置的情況下，根據(jù)磁體I的磁場(chǎng)產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出，并將該輸出提供給發(fā)光控制單元102。發(fā)光控制單元102被配置為根據(jù)該表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出來(lái)控制發(fā)光單元101，使得在存在表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出的情況下，發(fā)光單元101關(guān)閉。
[0023]發(fā)光單元101可以采用任何形式的發(fā)光器件，諸如發(fā)光二極管等。
[0024]發(fā)光控制單元102可以以任何方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。在變送器100設(shè)置有微處理器的情況下，可以通過(guò)該微處理器來(lái)實(shí)現(xiàn)發(fā)光控制單元102的功能。當(dāng)然，可選擇地，也可以使用單獨(dú)的器件來(lái)實(shí)現(xiàn)發(fā)光控制單元102的功能。
[0025]磁性傳感器103可以根據(jù)具體需要，諸如現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境等，選用市面上可以得到的任何磁性傳感器。例如,可以采用AMR IC (異性磁電阻集成電路)，諸如村田制作所的AS — M系列。或者，可以采用使用霍爾元件構(gòu)造的任何磁性檢測(cè)器。
[0026]磁體I所使用的磁體的種類、體積、磁性大小都可以依據(jù)設(shè)計(jì)需要、所采用磁性傳感器的要求等來(lái)確定。由于變送器用于各種復(fù)雜的現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境，可能受到各種干擾，因而優(yōu)選使用磁性較大的磁體，必要時(shí)可以選用體積較大的磁體，從而保證感測(cè)的準(zhǔn)確度。
[0027]蓋構(gòu)件104的構(gòu)造和形式、磁體I附于蓋構(gòu)件104上的位置以及磁體I的布置與磁場(chǎng)傳感器103的布置的位置關(guān)系將在后面的實(shí)施例中，例如圖6所示的實(shí)施例中，進(jìn)行描述。[0028]圖2中示出磁場(chǎng)傳感器103對(duì)磁體I的磁場(chǎng)進(jìn)行檢測(cè)的示意圖。隨著附有磁體I的蓋構(gòu)件104在遮蓋發(fā)光單元101的關(guān)閉位置和曝露發(fā)光單元101的打開(kāi)位置之間切換，布置在變送器100中的磁性傳感器103切割磁體I所產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁力線。從而，磁性傳感器103檢測(cè)到由于與磁體I的距離發(fā)生變化而導(dǎo)致的所感測(cè)的磁場(chǎng)的變化。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)磁體I逐漸接近磁性傳感器103時(shí)，磁性傳感器103所感測(cè)到的磁體I的磁場(chǎng)強(qiáng)度逐漸增強(qiáng)；當(dāng)磁體I逐漸遠(yuǎn)離磁性傳感器時(shí)，磁性傳感器103所感測(cè)到的磁體I的磁場(chǎng)強(qiáng)度逐漸減弱。因此，根據(jù)磁性傳感器103所感測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化，可以確定磁體I與磁性傳感器103之間的距離，從而進(jìn)一步確定蓋構(gòu)件104的打開(kāi)和關(guān)閉狀態(tài)。
[0029]在一些實(shí)施例中，例如，磁性傳感器103可以在所檢測(cè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度高于或低于預(yù)定閾值的情況下，產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出。
[0030]關(guān)于閾值的設(shè)置，例如，可以將蓋構(gòu)件104打開(kāi)到特定程度時(shí)的磁場(chǎng)強(qiáng)度設(shè)置為閾值。該打開(kāi)的特定程度例如指:蓋構(gòu)件104即將到達(dá)關(guān)閉位置的程度、蓋構(gòu)件104打開(kāi)1/3的程度等。在閾值設(shè)定完成后，在磁性傳感器103所檢測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度高于或低于該設(shè)定閾值的情況下，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于打開(kāi)/關(guān)閉位置的輸出。
[0031]例如，當(dāng)磁體I與磁性傳感器103之間的距離被設(shè)置為隨著蓋構(gòu)件104從打開(kāi)位置切換到關(guān)閉位置而變小時(shí)，在所檢測(cè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度高于預(yù)定閾值時(shí)，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出。當(dāng)磁體I與磁性傳感器103之間的距離被設(shè)置為隨著蓋構(gòu)件104從打開(kāi)位置切換到關(guān)閉位置而變大時(shí)，在所檢測(cè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度低于預(yù)定閾值時(shí)，磁性傳感器103產(chǎn)生表不蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出。
[0032]在一些實(shí)施例中，為了能夠更加準(zhǔn)確地確定蓋構(gòu)件104是處于打開(kāi)位置還是關(guān)閉位置，可以將磁體I和磁性傳感器103布置為使得在蓋構(gòu)件104從最大程度打開(kāi)位置到關(guān)閉位置，或反之從關(guān)閉位置到最大程度打開(kāi)位置操作時(shí)，磁體I在磁性傳感器103處產(chǎn)生的磁場(chǎng)的強(qiáng)度單調(diào)變化。例如，單調(diào)變大，或單調(diào)減小。
[0033]圖3中示意性示出了磁性傳感器103根據(jù)磁體I的磁場(chǎng)產(chǎn)生的電壓信號(hào)。其中，附圖標(biāo)記“N”表示磁體磁場(chǎng)的N極，“S”表示磁體磁場(chǎng)的S極。Mtff和Mkp是如上面描述的所確定的閾值。如圖3的實(shí)線箭頭所示，當(dāng)磁體I逐漸接近磁性傳感器103，磁性傳感器103檢測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)時(shí)，磁性傳感器103的輸出電壓Votit從高電平Vffl變?yōu)榈碗娖郊僭O(shè)在一些實(shí)施例中，在蓋構(gòu)件104從打開(kāi)位置向關(guān)閉位置操作的過(guò)程中，蓋構(gòu)件104上所附的磁體I逐漸靠近磁性傳感器103，則磁性傳感器103檢測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度越來(lái)越強(qiáng)。當(dāng)所檢測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度大于時(shí)，可以確定蓋構(gòu)件104已經(jīng)從打開(kāi)位置切換到了關(guān)閉位置。這時(shí)，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出。如圖3所示，磁性傳感器103產(chǎn)生從高電平Vra變?yōu)榈碗娖絍a的輸出電壓VTOT。
[0034]磁性傳感器103被配置為與發(fā)光控制單兀102稱合。磁性傳感器103的信號(hào)輸出端與發(fā)光控制單元102的信號(hào)輸入端耦合。當(dāng)發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出的情況下，例如，當(dāng)發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在輸出電壓Vtot從高電平V0H到低電平的跳變時(shí)，或者，當(dāng)發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在具有低電平Va的輸出電壓Vqut時(shí)，發(fā)光控制單元102使得發(fā)光單元101關(guān)閉或保持在關(guān)閉狀態(tài)。
[0035]下面結(jié)合圖4所示發(fā)光控制單元控制方法的流程對(duì)控制變送器中的發(fā)光單元的方法進(jìn)行說(shuō)明。[0036]在步驟S401中，使附有磁體I的蓋構(gòu)件104能夠在遮蓋發(fā)光單元101的關(guān)閉位置和曝露發(fā)光單元101的打開(kāi)位置之間進(jìn)行切換。
[0037]在步驟S402中，使用磁性傳感器103檢測(cè)磁體I產(chǎn)生的磁場(chǎng)。隨著磁體I附著于其上的蓋構(gòu)件104在打開(kāi)和關(guān)閉位置之間切換，磁體I與磁性傳感器103的距離發(fā)生變化。磁性傳感器103切割磁體I的磁場(chǎng)，從而檢測(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化。
[0038]在步驟S403中，在蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的情況下，磁性傳感器103根據(jù)磁體I的磁場(chǎng)產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出。例如，磁性傳感器103根據(jù)所檢測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度和預(yù)設(shè)的閾值確定蓋構(gòu)件104是否處于關(guān)閉位置。在確定蓋構(gòu)件104是處于關(guān)閉位置的情況下，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出，并將其輸送到發(fā)光控制單元102。
[0039]在步驟S404中，發(fā)光控制單元102根據(jù)來(lái)自磁性傳感器103的輸入控制發(fā)光單元101，使得發(fā)光單元101關(guān)閉或保持在關(guān)閉狀態(tài)。
[0040]回到圖3，在一些實(shí)施例中，除利用圖3中的實(shí)線箭頭所示出的輸出信號(hào)變化，還可以同時(shí)考慮這樣的情況:如虛線箭頭所示，當(dāng)磁體I逐漸遠(yuǎn)離磁性傳感器103，磁性傳感器103檢測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度低于閾值Mkp時(shí),磁性傳感器103的輸出電壓Votjt從低電平V(^變?yōu)槁勲娖絍QH。
[0041]例如，在一些實(shí)施例中，在蓋構(gòu)件104從打開(kāi)位置向關(guān)閉位置操作的過(guò)程中，蓋構(gòu)件104上所附的磁體I逐漸靠近磁性傳感器，則磁性傳感器103檢測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度越來(lái)越強(qiáng)。當(dāng)所檢測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度大于時(shí)，可以確定蓋構(gòu)件104已經(jīng)從打開(kāi)位置切換到了關(guān)閉位置。這時(shí)，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出。如圖3所示，磁性傳感器103產(chǎn)生從高電平Vra變?yōu)榈碗娖絍a的輸出電壓VQUT。
[0042]相反，在蓋構(gòu)件104被從關(guān)閉位置向打開(kāi)位置操作的過(guò)程中，蓋構(gòu)件104上所附的磁體I逐漸遠(yuǎn)離磁性傳感器，則磁性傳感器103檢測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度越來(lái)越弱。當(dāng)所檢測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度低于Mkp時(shí)，可以確定蓋構(gòu)件104已經(jīng)從關(guān)閉位置切換到了打開(kāi)位置。這時(shí)，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件處于打開(kāi)位置的輸出。諸如圖3的示例，磁性傳感器103產(chǎn)生從低電平V變?yōu)楦唠娖絍ffl的輸出電壓VTOT。
[0043]磁性傳感器103的信號(hào)輸出端與發(fā)光控制單元102的信號(hào)輸入端耦合。當(dāng)發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出的情況下，例如，當(dāng)發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在輸出電壓Vqut從高電平Vqh到低電平VQl的跳變時(shí)，或者，當(dāng)發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在低電平V的輸出電壓Vqut時(shí)，發(fā)光控制單元102使得發(fā)光單元101關(guān)閉或保持在關(guān)閉狀態(tài)。
[0044]當(dāng)發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在表示蓋構(gòu)件104處于打開(kāi)位置的輸出的情況下，例如，當(dāng)發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在輸出電壓Votit從低電平到高電平Vffl的跳變時(shí)，或者，當(dāng)發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在高電平Vra的輸出電壓Vtot時(shí)，發(fā)光控制單元102使得發(fā)光單元101打開(kāi)或保持在打開(kāi)狀態(tài)。
[0045]圖3中，和Mkp顯示為不同的值。當(dāng)然，可選擇地，例如在對(duì)操作準(zhǔn)確性要求不高的情況下，Mw和Mkp可以采用相同的值。圖3中所示Mtff和Mkp之間的區(qū)域稱為磁滯區(qū)域。設(shè)置磁滯區(qū)域的目的之一是防止間歇電震。
[0046]下面結(jié)合圖5對(duì)根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光單元控制方法進(jìn)行描述。[0047]在步驟S501中，與在圖4的步驟S401中相同，使附有磁體I的蓋構(gòu)件104能夠在遮蓋發(fā)光單元101的關(guān)閉位置和曝露發(fā)光單元101的打開(kāi)位置之間進(jìn)行切換。
[0048]在步驟S502中，與在圖4的步驟S402中相同，使用磁性傳感器103檢測(cè)磁體I產(chǎn)生的磁場(chǎng)。隨著磁體I附著于其上的蓋構(gòu)件104在打開(kāi)和關(guān)閉位置之間切換，磁體I與磁性傳感器103的距離發(fā)生變化。磁性傳感器103切割磁體I的磁場(chǎng)，從而檢測(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化。
[0049]在蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的情況下,磁性傳感器103根據(jù)磁體I的磁場(chǎng)產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出。例如，在步驟S503中，磁性傳感器103根據(jù)所檢測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度和預(yù)設(shè)的閾值確定蓋構(gòu)件104是否處于關(guān)閉位置。如果確定蓋構(gòu)件104是處于關(guān)閉位置則進(jìn)行到步驟S504。
[0050]在步驟S504中，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出，并將其輸送到發(fā)光控制單元102。
[0051]在步驟S505中，與在圖4的步驟S404中相同，發(fā)光控制單元102根據(jù)來(lái)自磁性傳感器103的輸入控制發(fā)光單元101，使得發(fā)光單元101關(guān)閉(進(jìn)行關(guān)閉操作或保持關(guān)閉狀態(tài))。
[0052]與圖4所示實(shí)施例不同地，例如，在步驟S503中磁性傳感器103確定蓋構(gòu)件104不是處于關(guān)閉位置而是處于打開(kāi)位置時(shí)，進(jìn)行到步驟S506。
[0053]在步驟S506中，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于打開(kāi)位置的輸出，并將其輸送到發(fā)光控制單元102。
[0054]在步驟S507中，發(fā)光控制單元102根據(jù)來(lái)自磁性傳感器103的輸入控制發(fā)光單元101，使得發(fā)光單元101打開(kāi)(進(jìn)行打開(kāi)操作或保持打開(kāi)狀態(tài))。
[0055]下面結(jié)合圖6所示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變送器的實(shí)例的立體圖，對(duì)蓋構(gòu)件104的構(gòu)造形式以及磁體與磁性傳感器的布置位置關(guān)系進(jìn)行描述。在該實(shí)施例中，蓋構(gòu)件被配置為掀蓋式。可以理解:根據(jù)變送器的發(fā)光單元的布置和形狀的區(qū)別，以及其它設(shè)計(jì)考慮，還可以將蓋構(gòu)件配置為滑蓋式以及其它任何形式。例如，可以構(gòu)造這樣的蓋構(gòu)件:該蓋構(gòu)件包括至少兩個(gè)部分，各部分彼此間隔開(kāi)的狀態(tài)對(duì)應(yīng)于曝露發(fā)光單元的打開(kāi)位置，各部分彼此相接的狀態(tài)對(duì)應(yīng)于蓋構(gòu)件遮蓋發(fā)光單元的關(guān)閉位置。這種蓋構(gòu)件的實(shí)例之一是剪刀型的蓋構(gòu)件，或者，可以是類似相機(jī)鏡頭蓋似的蓋構(gòu)件。
[0056]圖6中分別用矩形和正方形標(biāo)記示例性示出了磁體I和磁性傳感器103的位置。但可以理解:這里，無(wú)論磁體I在蓋構(gòu)件104上的位置、磁性傳感器103在變送器100主體上的位置，以及磁體I和磁性傳感器103的相對(duì)位置都只是示例性的，根據(jù)設(shè)計(jì)需要，諸如蓋構(gòu)件104所采用的形式不同等因素，還可以有其它各種設(shè)置方式，只要在蓋構(gòu)件104在打開(kāi)位置和關(guān)閉位置之間切換時(shí)，磁性傳感器103切割磁力線即可。
[0057]在圖6中所示實(shí)施例中，磁體I安裝在蓋構(gòu)件104遠(yuǎn)離掀動(dòng)軸的一端。其優(yōu)點(diǎn)是當(dāng)蓋構(gòu)件104從最大程度的打開(kāi)位置到關(guān)閉位置切換時(shí)，磁體I與磁性傳感器103之間的距離變化最大。在該實(shí)施例中，當(dāng)蓋構(gòu)件處在關(guān)閉位置時(shí)，磁體I與磁性傳感器103之間的距離最近，磁性傳感器103感測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度最大。相反，當(dāng)蓋構(gòu)件104處于最大程度的打開(kāi)位置時(shí)，磁體I與磁性傳感器103之間的距離最遠(yuǎn)，磁性傳感器103感測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度最弱。在該實(shí)施例中，磁性傳感器103可以在感測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度高于預(yù)定閾值時(shí)，輸出表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出。此外，還可以在磁場(chǎng)強(qiáng)度低于相同預(yù)定閾值，或另一較低預(yù)定閾值時(shí)，輸出表不蓋構(gòu)件104處于打開(kāi)位置的輸出，以作為發(fā)光控制單兀102控制發(fā)光單元101開(kāi)、關(guān)的依據(jù)。
[0058]選擇另一較低預(yù)定閾值的目的之一是:可以使蓋構(gòu)件104掀開(kāi)到一定程度時(shí)，磁性傳感器103才產(chǎn)生表不蓋構(gòu)件104打開(kāi)的輸出，從而發(fā)光控制單兀102根據(jù)該輸出打開(kāi)發(fā)光單元101。
[0059]在另外的實(shí)施例中，當(dāng)蓋構(gòu)件104被構(gòu)造為滑蓋型時(shí)，可以將磁體I設(shè)置在滑蓋的最前端，而將磁性傳感器103設(shè)置在滑蓋末端一側(cè)的變送器側(cè)壁上。當(dāng)蓋構(gòu)件104處在關(guān)閉位置時(shí)，滑蓋最前端遠(yuǎn)離末端一側(cè)的變送器側(cè)壁，磁性傳感器103檢測(cè)到的磁場(chǎng)較弱。當(dāng)蓋構(gòu)件104處在打開(kāi)位置時(shí)，滑蓋最前端收回到末端一側(cè)，因而靠近磁性傳感器103。在這種情況下，磁性傳感器103所檢測(cè)到的磁場(chǎng)較強(qiáng)。因而，在該實(shí)施例中，磁性傳感器103可以在感測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度低于預(yù)定閾值時(shí)，輸出表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出。此外，還可以在磁場(chǎng)強(qiáng)度高于相同預(yù)定閾值，或高于另一較高預(yù)定閾值時(shí)，輸出表示蓋構(gòu)件104處于打開(kāi)位置的輸出，以作為發(fā)光控制單元102控制發(fā)光單元101開(kāi)、關(guān)的依據(jù)。
[0060]同樣，選擇另一較高預(yù)定閾值的目的之一是:可以使蓋構(gòu)件104滑開(kāi)到一定程度時(shí)，磁性傳感器103才產(chǎn)生表不蓋構(gòu)件104打開(kāi)的輸出，從而發(fā)光控制單兀102根據(jù)該輸出打開(kāi)發(fā)光單元101。
[0061]下面結(jié)合圖7說(shuō)明發(fā)光控制單元102的實(shí)現(xiàn)，以及磁性傳感器103與發(fā)光控制單元102的電路連接。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁性傳感器103與發(fā)光控制單元102的連接的電路圖。
[0062]通常使用的磁性傳感器芯片一般有三個(gè)管腳。如圖7所示，分別是用于提供芯片電源的Vdd管腳、接地的GND管腳以及進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)腣out管腳。
[0063]變送器中設(shè)置有用于對(duì)感測(cè)到的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的微處理器，諸如是各種數(shù)字處理器芯片。在一些實(shí)施例中，可以使用該微處理器來(lái)實(shí)現(xiàn)發(fā)光控制單元的功能。如圖7中所示，分別將磁性傳感器芯片和微處理器的Vdd管腳和GND管腳分別連接電源和地。將磁性傳感器芯片的數(shù)據(jù)輸出管腳Vout連接到微處理器的數(shù)據(jù)輸入輸出管腳GP10。并且，對(duì)微處理器進(jìn)行編程，使得其響應(yīng)于該GPIO管腳處的輸入信號(hào)對(duì)發(fā)光單元進(jìn)行開(kāi)、關(guān)控制。當(dāng)然，還可以使用單獨(dú)的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)發(fā)光控制單元的功能，本領(lǐng)域技術(shù)人員在看到本說(shuō)明書(shū)描述的內(nèi)容時(shí)可以利用各種常用手段實(shí)現(xiàn)，不需再付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)。
[0064]使用上文中描述的變送器和控制變送器上的發(fā)光單元的方法，不僅由于蓋構(gòu)件的設(shè)置可以有效地避免由于復(fù)雜的現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境造成的對(duì)變送器上的操作面板的誤操作，而且可以根據(jù)查看的需要適時(shí)關(guān)閉變送器上的發(fā)光單元，諸如變送器的顯示面板/操作面板的背光單元。從而，減小了不必要的電力消耗。
[0065]在此需要說(shuō)明，上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的若干實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，這些實(shí)施例并非窮舉而且也不是意在對(duì)本公開(kāi)所涵蓋的范圍進(jìn)行限制。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員理解，在不偏離如權(quán)利要求書(shū)限定的本發(fā)明的范圍的前提下可以進(jìn)行各種修改和改變。
【權(quán)利要求】
1.一種變送器，包括: 發(fā)光單元； 發(fā)光控制單元，用于控制所述發(fā)光單元的打開(kāi)和關(guān)閉； 與所述發(fā)光控制單元耦合的磁性傳感器；以及 能夠在遮蓋所述發(fā)光單元的關(guān)閉位置和曝露所述發(fā)光單元的打開(kāi)位置之間切換的附有磁體的蓋構(gòu)件， 其中，在所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的情況下，所述磁性傳感器能夠根據(jù)所述磁體的磁場(chǎng)產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出，以及 所述發(fā)光控制單元被配置為根據(jù)所述輸出控制所述發(fā)光單元，使得在存在表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出的情況下，所述發(fā)光單元關(guān)閉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變送器，其中，在所述蓋構(gòu)件處于所述打開(kāi)位置的情況下，所述磁性傳感器能夠根據(jù)所述磁體的磁場(chǎng)產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述打開(kāi)位置的輸出，并且，所述發(fā)光控制單元被配置為根據(jù)表示所述蓋構(gòu)件處于所述打開(kāi)位置的輸出控制所述發(fā)光單元，使得在存在表示所述蓋構(gòu)件處于所述打開(kāi)位置的輸出的情況下，所述發(fā)光單元打開(kāi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的變送器，其中，所述蓋構(gòu)件被配置為掀蓋式。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的變送器，其中，所述蓋構(gòu)件被配置為滑蓋式。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的變送器，其中，所述蓋構(gòu)件包括至少兩個(gè)部分，其中所述部分彼此間隔開(kāi)的狀態(tài)對(duì)應(yīng)于所述打開(kāi)位置，所述部分彼此相接的狀態(tài)對(duì)應(yīng)于所述關(guān)閉位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一個(gè)所述的變送器，其中，所述磁體和所述磁性傳感器被布置為使得在所述蓋構(gòu)件從最大程度打開(kāi)位置到所述關(guān)閉位置或反之從所述關(guān)閉位置到最大程度打開(kāi)位置操作時(shí)，所述磁體在所述磁性傳感器處產(chǎn)生的磁場(chǎng)的強(qiáng)度單調(diào)變化。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一個(gè)所述的變送器，還包括用于顯示參數(shù)和/或感測(cè)數(shù)據(jù)的顯示面板和/或用于設(shè)置參數(shù)的操作面板，其中，所述發(fā)光單元被配置為向所述顯示面板或所述操作面板提供背光。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一個(gè)所述的變送器，其中，所述發(fā)光單元包括發(fā)光二極管。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的變送器，其中，當(dāng)檢測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度高于預(yù)定閾值的情況下，所述磁場(chǎng)傳感器產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出，否則產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于打開(kāi)位置的輸出。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的變送器，其中，當(dāng)檢測(cè)到的磁場(chǎng)強(qiáng)度低于預(yù)定閾值的情況下，所述磁場(chǎng) 傳感器產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出，否則產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于打開(kāi)位置的輸出。
11.一種控制變送器的發(fā)光單兀的方法,包括: 使所述變送器的附有磁體的蓋構(gòu)件能夠在遮蓋所述發(fā)光單元的關(guān)閉位置和曝露所述發(fā)光單元的打開(kāi)位置之間切換； 檢測(cè)所述磁體的磁場(chǎng)，以在所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的情況下，根據(jù)所述磁體的磁場(chǎng)產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出；以及 根據(jù)所述輸出控制所述發(fā)光單元，使得在存在表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出的情況下，所述發(fā)光單元關(guān)閉。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括: 檢測(cè)所述磁體的磁場(chǎng)，以在所述蓋構(gòu)件處于所述打開(kāi)位置的情況下，根據(jù)所述磁體的磁場(chǎng)產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述打開(kāi)位置的輸出；以及 根據(jù)表示所述蓋構(gòu)件處于所述打開(kāi)位置的輸出控制所述發(fā)光單元，使得在存在表示所述蓋構(gòu)件處于所述打開(kāi)位置的輸出的情況下，所述發(fā)光單元打開(kāi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在所檢測(cè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度高于預(yù)定閾值的情況下，產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出，否則產(chǎn)生處于打開(kāi)位置的輸出。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在所檢測(cè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度低于預(yù)定閾值的情況下，產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出，否則產(chǎn)生處于打開(kāi)位置的輸出。
【文檔編號(hào)】G01D5/00GK103630149SQ201210296720
【公開(kāi)日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2012年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月20日
【發(fā)明者】劉奐, 沈凱, 趙恒
申請(qǐng)人:艾默生過(guò)程控制流量技術(shù)有限公司