專(zhuān)利名稱(chēng)：放射圖像檢測(cè)設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及放射圖像檢測(cè)設(shè)備以及制造在醫(yī)學(xué)放射圖像設(shè)備中使用的放射圖像檢測(cè)設(shè)備的方法等。
背景技術(shù)：
使用放射圖像檢測(cè)設(shè)備的DR (數(shù)字射線照相術(shù))，例如將放射圖像例如X射線圖像轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的FPD (平板檢測(cè)器)，最近已付諸實(shí)踐。當(dāng)與相關(guān)技術(shù)的使用由光激發(fā)熒光體(累積突光體(accumula tive phosphor))制成的成像板的CR(計(jì)算機(jī)射線照相術(shù))系統(tǒng)相比時(shí)，放射圖像檢測(cè)設(shè)備具有能夠立即確定圖像的優(yōu)點(diǎn)。因此，DR迅速激増。已經(jīng)提出各種類(lèi)型的放射圖像檢測(cè)設(shè)備。放射圖像檢測(cè)設(shè)備之ー是已知的間接轉(zhuǎn)換類(lèi)型。此類(lèi)放射圖像檢測(cè)設(shè)備通過(guò)閃爍器，例如CsI:Tl閃爍器和GOS(Gd2O2S = Tb)閃爍器，將X輻射臨時(shí)轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光，半導(dǎo)體層將可見(jiàn)光轉(zhuǎn)換成電荷，積累由此產(chǎn)生的電荷(例如，見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn) 1(JP-A-2011-17683))。在結(jié)合專(zhuān)利文獻(xiàn)I描述的X射線圖像檢測(cè)設(shè)備中，閃爍器被曝光于光電檢測(cè)單元方向上施加的X放射線。在此構(gòu)成中，閃爍器的X射線進(jìn)入側(cè)的主要光發(fā)射區(qū)與光電檢測(cè)単元之間距離短，從而可以獲得高分辨率檢測(cè)圖像。同時(shí)，布置于閃爍器的X射線進(jìn)入側(cè)的光電檢測(cè)単元的基板無(wú)法避免地吸收X輻射，造成了進(jìn)入閃爍器的X輻射量減少的問(wèn)題。通過(guò)包含各自由a-Si等形成的光電ニ極管(PD)和TFT (薄膜晶體管)構(gòu)建所述光電檢測(cè)単元。無(wú)堿玻璃通常用于支持ro和TFT的基板。這樣做的原因是當(dāng)使用鈉玻璃時(shí)，在高溫時(shí)形成a-Si膜期間a-Si可能被源于玻璃的Na污染，可能從而使元件的性能變壞。然而，無(wú)堿玻璃比鈉玻璃更加昂貴且比鈉玻璃吸收更大量的X輻射。例如，當(dāng)通過(guò)將具有2_的鋁當(dāng)量的濾波器應(yīng)用于光電檢測(cè)単元使用在50kV的管電壓產(chǎn)生的X射線成形波束時(shí)，無(wú)堿玻璃基板顯示的X射線吸收因子高達(dá)16. 8%。具體地，光到達(dá)閃爍器，而照射光電檢測(cè)単元的X輻射的15%或更多由于基板吸收X輻射而損失。如上所述，當(dāng)考慮維持a-Si膜的性能時(shí)，使用無(wú)堿玻璃作為基板是十分必要的。由于基板吸收X輻射，不可避免進(jìn)入閃爍器的X輻射量大大降低。具體地，當(dāng)閃爍器被曝光于從光電檢測(cè)単元方向發(fā)出的X放射線時(shí)產(chǎn)生的高圖像質(zhì)量特征降低。專(zhuān)利文獻(xiàn)2 (JP-A-2009-133837)和專(zhuān)利文獻(xiàn) 3 (JP-A-2008-235649)描述了在通過(guò)在基板上形成傳感器而形成光電檢測(cè)単元之后剝離和去除基板。由于基板引起輻射的吸收，因此這種包括不具有基板的光電檢測(cè)単元的放射圖像檢測(cè)設(shè)備可以說(shuō)是優(yōu)選的。

發(fā)明內(nèi)容
然而，與使用從光電檢測(cè)單元的方向發(fā)出的X輻射照射閃爍器的放射圖像檢測(cè)設(shè)備的類(lèi)型有關(guān)，如果從光電檢測(cè)単元?jiǎng)冸x基板，如結(jié)合專(zhuān)利文獻(xiàn)2和3所描述，可能產(chǎn)生例如下面所述的新問(wèn)題。即，如果不能維持光電檢測(cè)単元的強(qiáng)度，則將對(duì)光電檢測(cè)単元造成損害。外部空氣中包含的濕氣將腐蝕光電檢測(cè)單元?？蛇x地，由于薄的光電檢測(cè)単元，濕氣滲透將使閃爍器的性能惡化。存在解決伴隨剝離基板的這些問(wèn)題的需求，從而更大程度地增強(qiáng)圖像質(zhì)量。本發(fā)明的ー個(gè)目的是提供能夠解決包括無(wú)基板光電檢測(cè)単元的放射圖像檢測(cè)設(shè)備中存在的缺點(diǎn)且減少光電檢測(cè)單元吸收的輻射程度從而能夠增加進(jìn)入閃爍器的輻射量的放射圖像檢測(cè)設(shè)備；放射圖像檢測(cè)設(shè)備的制造方法；以及具有放射圖像檢測(cè)設(shè)備的放射成像暗盒。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種用于制造放射圖像檢測(cè)設(shè)備的方法，所述放射圖像檢測(cè)設(shè)備具有閃爍器，當(dāng)其被曝光于放射線時(shí)發(fā)出熒光；以及光電檢測(cè)単元，其布置于閃爍器的輻射進(jìn)入側(cè)，所述方法包括光電檢測(cè) 単元產(chǎn)生過(guò)程，將顯示出比基板顯示出的輻射吸收率更低的輻射吸收率的保護(hù)部件層疊在基板上，在保護(hù)部件上形成將熒光檢測(cè)為電信號(hào)的薄膜部，從而產(chǎn)生所述光電檢測(cè)單元；基板剝離-去除過(guò)程，從保護(hù)部件剝離和除去基板；以及整合過(guò)程，在基板剝離-去除處理之前或之后將先前產(chǎn)生的閃爍器和光電檢測(cè)單元整合在一起。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于制造放射圖像檢測(cè)設(shè)備的方法，所述放射圖像檢測(cè)設(shè)備具有閃爍器，當(dāng)其被曝光于放射線時(shí)發(fā)出熒光；以及光電檢測(cè)単元，其布置于閃爍器的輻射進(jìn)入側(cè)，所述方法包括光電檢測(cè)単元產(chǎn)生過(guò)程，將顯示出比基板顯示出的輻射吸收率更低的輻射吸收率的保護(hù)部件層疊在基板上，在保護(hù)部件上形成將熒光檢測(cè)為電信號(hào)的薄膜部，從而產(chǎn)生所述光電檢測(cè)單元；閃爍器產(chǎn)生過(guò)程，用于在光電檢測(cè)単元的薄膜部上形成閃爍器，并且在閃爍器的相對(duì)于面對(duì)薄膜部的一側(cè)的另ー側(cè)上放置支持部件；以及基板剝離-去除過(guò)程，從在閃爍器產(chǎn)生過(guò)程中與閃爍器整合的保護(hù)部件剝離和除去基板。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供ー種放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其包括閃爍器，當(dāng)其被曝光于放射線時(shí)發(fā)出熒光；以及光電檢測(cè)単元，其布置于閃爍器的輻射進(jìn)入側(cè)上，其中，所述光電檢測(cè)単元包括由顯示出比玻璃材料顯示出的輻射吸收率更低的輻射吸收率的低輻射吸收材料形成的保護(hù)部件；以及在保護(hù)部件的面對(duì)閃爍器的ー側(cè)上形成的且將熒光檢測(cè)為電信號(hào)的薄膜部。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供ー種放射成像暗盒，其包括放射圖像檢測(cè)設(shè)備；殼體，所述殼體具有用于在其上放置被攝體的頂板，且以薄膜部經(jīng)由保護(hù)部件與頂板的背面相對(duì)的方式容納所述放射圖像檢測(cè)設(shè)備。使用上述的過(guò)程或過(guò)程，所述光電檢測(cè)單元具有保護(hù)膜。即使剝離光電檢測(cè)單元的基板，也將保護(hù)薄膜部。這種保護(hù)部件的存在能夠保護(hù)薄膜部不受外部空氣中的濕氣、負(fù)載等的影響。具體地，解決了從光電檢測(cè)単元?jiǎng)冸x基板導(dǎo)致的缺陷。因此，可以充分地發(fā)揮通過(guò)構(gòu)成產(chǎn)生的圖像質(zhì)量增強(qiáng)效果，在此構(gòu)成中，閃爍器被曝光于從光電檢測(cè)単元的方向施加的放射線。另外，使用具有低輻射吸收因子的保護(hù)部件。因此，可以將在閃爍器的輻射進(jìn)入側(cè)實(shí)現(xiàn)的輻射吸收抑制到盡可能小的程度，因此，進(jìn)入閃爍器的輻射量増加。因此，可以實(shí)現(xiàn)檢測(cè)圖像的圖像質(zhì)量的最大化。此外，在放射圖像檢測(cè)設(shè)備的制造期間在基板與薄膜之間夾有保護(hù)部件，可以防止基板的影響(鈉污染等)引起的薄膜部的性能惡化。結(jié)合上述內(nèi)容，通過(guò)輻射經(jīng)由光電檢測(cè)單元進(jìn)入閃爍器的構(gòu)成可以實(shí)現(xiàn)圖像質(zhì)量的進(jìn)ー步增強(qiáng)。


圖I是示意性示出X射線成像暗盒的一般構(gòu)成的側(cè)橫截面視圖；圖2是示意性示出光電檢測(cè)單元的一般構(gòu)成的側(cè)橫截面視圖；圖3是示意性示出光電檢測(cè)單元的構(gòu)成的平面圖；圖4是示意性示出閃爍器的晶體結(jié)構(gòu)的側(cè)橫截面視圖；圖5是示出閃爍器的柱狀晶體的橫截面的
圖6是示出閃爍器的非柱狀晶體的橫截面的電子顯微鏡照片(SEM圖像)；圖7是示意性示出在剝離基板之前實(shí)現(xiàn)的光電檢測(cè)單元的構(gòu)成的側(cè)橫截面視圖；圖8是示意性示出圖7所示的光電檢測(cè)単元與置于支持件上的閃爍器整合在一起的側(cè)橫截面視圖；圖9是示出從光電檢測(cè)單元?jiǎng)冸x基板的過(guò)程的側(cè)橫截面視圖；圖10是示意性示出暗盒殼體中容納的X射線圖像檢測(cè)設(shè)備的側(cè)橫截面視圖；圖11是示出保護(hù)部件的變型例的側(cè)橫截面視圖；圖12是示出由聚對(duì)ニ甲苯等制成的保護(hù)膜的變型例的側(cè)橫截面視圖；圖13是示意性示出與圖I所示不同的X射線成像暗盒的一般構(gòu)成的側(cè)橫截面視圖；圖14是示出光電檢測(cè)單元的薄膜部的變型例的示意圖；以及圖15是示出光電檢測(cè)単元的薄膜部的另ー變型例的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面通過(guò)參考圖I至圖10描述用于解釋本發(fā)明的實(shí)施方式的示例X射線圖像檢測(cè)設(shè)備。與先前描述的構(gòu)成類(lèi)似的構(gòu)成被分配了相同的標(biāo)號(hào)，并且為了簡(jiǎn)明省略或簡(jiǎn)化了其重復(fù)解釋。[I.整體構(gòu)成]圖I是示意性示出間接轉(zhuǎn)換類(lèi)型的X射線成像暗盒100的一般構(gòu)成的側(cè)橫截面視圖。暗盒100具有X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I和用于容納X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I的殼體60。X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I配置有閃爍器10，其包括熒光物質(zhì)，在被曝光于X放射線時(shí)發(fā)出熒光(由圖I中所示的輪廓箭頭所示)；光電檢測(cè)単元50，其布置于閃爍器10的X射線進(jìn)入側(cè)且將從閃爍器10發(fā)出的熒光檢測(cè)為電信號(hào)；以及控制模塊70，其與閃爍器10的X射線進(jìn)入側(cè)相對(duì)布置?？刂颇K70包括電路板，在該電路板上實(shí)現(xiàn)作為控制模塊用于激活和控制光電檢測(cè)單元50的IC ;用于處理圖像信號(hào)等的IC ;以及電源電路。以整合方式將控制模塊70組裝到閃爍器10和光電檢測(cè)単元50中。殼體60容納閃爍器10、光電檢測(cè)単元50和控制模塊70。與示意性示圖的圖I所示的相比，閃爍器10的厚度和光電檢測(cè)単元50的厚度較小，形成的殼體也比圖I中所示的對(duì)應(yīng)部分薄。因此，殼體60具有頂板60A，在頂板60A上，放置被攝體，按照光電檢測(cè)単元50與頂板60A的背面相対的方式放置X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I。[2.光電檢測(cè)單元的配置]
圖2是示意性示出光電檢測(cè)単元50的側(cè)橫截面視圖。圖3是示意性示出以ニ維布局排列元件的光電檢測(cè)單元50的構(gòu)成。光電檢測(cè)単元50具有保護(hù)部件49和形成于保護(hù)部件49上的薄膜部40。(薄膜部的構(gòu)成)薄膜部40包括由硅等制成的H)(光電ニ極管)41 ;以及TFT 42，TFT 42是由硅等制成的薄膜開(kāi)關(guān)元件。如圖2所示，在光電檢測(cè)單元50的厚度方向上，PD 41和TFT 42分別地一一彼此疊置。PD 41具有光電導(dǎo)層，將經(jīng)由閃爍器10進(jìn)入的光(由圖2中的實(shí)線箭頭所指示)轉(zhuǎn)換成電荷。每個(gè)ro 41被布置為對(duì)應(yīng)于光電檢測(cè)單元50檢測(cè)到的圖像的像素。如圖3所示，每個(gè)ro 41配置有TFT 42、柵極線43和數(shù)據(jù)線44。各個(gè)柵極線43和各個(gè)數(shù)據(jù)線44延伸到連接終端45，且進(jìn)一歩通過(guò)柔性布線46連接到控制模塊70的電路板，所述柔性布線46如連接到連接終端45的各向異性導(dǎo)電膜。各個(gè)TFT 42利用經(jīng)由柵極線43從電路板上實(shí)現(xiàn)的控制塊發(fā)送的控制信號(hào)，以列為単位在接通和關(guān)斷之間切換。通過(guò)數(shù)據(jù)線44，電路板上的信號(hào)處理塊讀取其相應(yīng)TFT 42保持在接通位置的各個(gè)H) 41中的電荷作為圖像信號(hào)。以列為單位順序地讀取各個(gè)H) 41中的電荷，從而檢測(cè)ニ維圖像。在圖2中，通過(guò)平坦化層(由樹(shù)脂制成的膜)47在厚度方向上使光電檢測(cè)単元50的兩側(cè)平滑。優(yōu)選地，提供具有平坦化層47的光電檢測(cè)単元50。然而，也可以省略平坦化層47。通過(guò)粘接層48將光電檢測(cè)單元50結(jié)合到閃爍器10。可以在閃爍器10和光電檢測(cè)単元50之間不插入粘接層48也不插入平坦化層47。也可以壓緊抵靠閃爍器10且使其與光電檢測(cè)単元50的表面實(shí)現(xiàn)緊密直接接觸。關(guān)于構(gòu)成置于光電檢測(cè)單元50與閃爍器10之間的平坦化層和粘接層的樹(shù)脂以及構(gòu)成匹配油層的透明液體或膠體的樹(shù)脂層，對(duì)樹(shù)脂沒(méi)有特定限制，只要樹(shù)脂能夠使從閃爍器10發(fā)出的閃爍光在基本不衰減的情況下到達(dá)光電檢測(cè)單元50。聚酰亞胺、聚對(duì)ニ甲苯等是可以用作構(gòu)成平坦化層的樹(shù)脂，顯示出膜形成便利性的聚酰亞胺是優(yōu)選的。用于構(gòu)成粘接層的優(yōu)選的粘合劑是對(duì)從閃爍器10發(fā)出的閃爍光顯示出光學(xué)透明的ー種粘合劑，例如，熱塑性樹(shù)脂、紫外光固化粘合劑、熱固化粘合劑、室溫固化粘合劑、雙面粘合劑基板等。從防止圖像銳度惡化的角度看來(lái)，使用由低粘度環(huán)氧樹(shù)脂制成的粘合劑是優(yōu)選的，原因是，環(huán)氧樹(shù)脂可以形成相對(duì)于光電檢測(cè)単元50的像素尺寸足夠薄的粘接層。從靈敏度和圖像質(zhì)量的角度看來(lái)，由樹(shù)脂制成的粘接層例如平坦化層和粘接層的厚度，優(yōu)選為50微米或者更小。更優(yōu)選地，厚度為5微米至30微米。(保護(hù)部件的構(gòu)成)保護(hù)部件49布置于薄膜部40的X射線進(jìn)入側(cè)。保護(hù)部件49由低X射線吸收材料制成，該低X射線吸收材料顯示出比玻璃材料顯示的X射線吸收率更低的X射線吸收率且顯示出比此后描述的基板51的X射線吸收率更低的X射線吸收率。保護(hù)部件49對(duì)于在60kV的管電壓下產(chǎn)生的X輻射的鋁當(dāng)量在I. 8mm以下。此處，鋁當(dāng)量是示出當(dāng)X射線吸收率與鋁的透明度進(jìn)行比較時(shí)獲得的鋁板(純度99%或更高)厚度的指標(biāo)。當(dāng)測(cè)量鋁當(dāng)量時(shí)，作為測(cè)試目標(biāo)的部件通常放置在與X射線源間隔開(kāi)I至2米的位置處，并且在X射線源與所述部件之間沒(méi)有阻礙的情況下測(cè)量通過(guò)所述部件的X輻射量。根據(jù)X射線圖像檢查設(shè)備的使用條件，設(shè)想吸收X輻射的另一部件放置在保護(hù)部件49的X射線進(jìn)入側(cè)。因此，在考慮所述部件和保護(hù)部件49吸收的X輻射的總量的情況下，保護(hù)部件49的鋁當(dāng)量(在60kV的管電壓下)優(yōu)選地為I. Omm或更小。同時(shí)，保護(hù)部件49用于支持薄膜部40，因此需要給定的強(qiáng)度。允許這一點(diǎn)和被攝體的曝光劑量減少，對(duì)于在60kV的管電壓產(chǎn)生的X輻射，保護(hù)部件49的優(yōu)選鋁當(dāng)量?jī)?yōu)選為O. Imm 至 I. Omnin
盡管在此將保護(hù)部件的X射線吸收能力限定為如上所述的對(duì)于在60kV的管電壓下產(chǎn)生的X輻射的鋁當(dāng)量，但是不言而喻，可以從在上述要求下獲得的鋁當(dāng)量計(jì)算對(duì)于在不同于60kV的管電壓(例如，80kV)下產(chǎn)生的X輻射的鋁當(dāng)量?？梢愿鶕?jù)JESRA標(biāo)準(zhǔn)(輻射設(shè)備的日本工程標(biāo)準(zhǔn))測(cè)試X輻射的吸收率。例如，還可以在與JESRA規(guī)定的要求類(lèi)似的80kV、2mA和40秒的情況下進(jìn)彳丁招當(dāng)量的測(cè)量。此外，當(dāng)如圖I所示將X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I容納在殼體60中制成X射線成像暗盒時(shí)，當(dāng)使用殼體60的頂板60A和保護(hù)部件49兩者時(shí)實(shí)現(xiàn)的鋁當(dāng)量(60kV的管電壓)優(yōu)選為1.8mm以下。更優(yōu)選地,招當(dāng)量為O. Imm至I. 0mm?？梢曰谠陧敯?0A和保護(hù)部件49保持疊置關(guān)系的同時(shí)從X射線源發(fā)出的X輻射依次通過(guò)頂板60A和保護(hù)部件49之后實(shí)現(xiàn)的X輻射量，測(cè)量使用殼體60的頂板60A和保護(hù)部件49兩者時(shí)實(shí)現(xiàn)的鋁當(dāng)量(在60kV的管電壓下)?？蛇x地，可以分別測(cè)量通過(guò)頂板60A實(shí)現(xiàn)的鋁當(dāng)量和通過(guò)保護(hù)部件49實(shí)現(xiàn)的鋁當(dāng)量，也可以確定測(cè)量值的總和。在考慮施加的X輻射能量的情況下分別確定通過(guò)保護(hù)部件49實(shí)現(xiàn)的鋁當(dāng)量以及通過(guò)頂板60A實(shí)現(xiàn)的鋁當(dāng)量。例如，在應(yīng)用乳腺X射線照相術(shù)的情況下，施加的X輻射的能量通常低至28keV或其附近。當(dāng)與施加較高能量的X輻射的情況相比，優(yōu)選地，將保護(hù)部件49的鋁當(dāng)量以及頂板60A的鋁當(dāng)量設(shè)置為相對(duì)較低的值。只要保護(hù)部件49對(duì)于在60kV的管電壓下產(chǎn)生的X輻射的鋁當(dāng)量在I. 8mm以下，對(duì)用于構(gòu)成保護(hù)部件49的低X輻射吸收材料沒(méi)有任何特定的限制。然而，使用金屬(包括金屬化合物和合金)和/或樹(shù)脂是優(yōu)選的。優(yōu)選的金屬包括至少ー種単獨(dú)的金屬，例如Al、Mg、Cr、Zr、Ti和Mn、其氧化物以及其金屬合金?？梢酝ㄟ^(guò)使用Mg、Cr、Zr、Ti和Mn中的至少ー種作為保護(hù)部件49的金屬材料來(lái)增強(qiáng)薄膜部40的耐腐蝕性。通過(guò)這種鋁合金的表面處理在所述鋁合金的表面上形成氧化鋁(Al2O3)等，從而可以進(jìn)ー步增強(qiáng)薄膜部40的耐腐蝕性。優(yōu)選的樹(shù)脂是聚酰亞胺、聚萘ニ甲酸こニ醇酯、聚苯こ烯和芳族聚酰胺(所有芳香族聚酰胺)?？梢杂糜诒Ｗo(hù)部件49的單獨(dú)樹(shù)脂膜包括例如，透明聚酰亞胺膜、聚烯丙基化物(polyallylate) (PAR)膜、OPS (注冊(cè)商標(biāo))膜(聚苯こ烯膜)、芳族聚酰胺膜等。所有這些膜產(chǎn)生的優(yōu)點(diǎn)是低X射線吸收率和高耐熱性。由Tosoh公司制造的產(chǎn)品和Asahikasei化工公司制造的產(chǎn)品被稱(chēng)為OPS膜，并且這些膜顯示出優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度(剛度)和低吸水率的優(yōu)點(diǎn)。優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度有利于在基板51剝離之后支持薄膜部40。此外，低吸水率有利于防止薄膜部40和閃爍器10的腐蝕和惡化。關(guān)于保護(hù)部件49的耐熱溫度，透明聚酰亞胺膜具有約300攝氏度的耐熱溫度；聚烯丙基化物膜具有約175攝氏度的耐熱溫度；OPS膜具有約250攝氏度的耐熱溫度；芳族聚酰胺膜具有約200攝氏度或更高的耐熱溫度。這些高耐熱溫度在閃爍器置于保護(hù)部件49上的情況下(見(jiàn)圖13)特別有效?？梢?xún)H用金屬或樹(shù)脂或者組合使用金屬和樹(shù)脂如包括分散金屬顆粒的樹(shù)脂形成保護(hù)部件49。此外，可以將保護(hù)部件49形成為單層或者兩層或更多層，如圖11所示。此夕卜，保護(hù)部件49優(yōu)選是反射從閃爍器10發(fā)出的熒光的光反射部件。根據(jù)構(gòu)成保護(hù)部件49的低X射線吸收材料，保護(hù)部件49的優(yōu)選厚度通常為O. Olmm至1mm。只要保護(hù)部件49的厚 度小于此后描述的基板51的厚度,置于頂板60A上的被攝體與薄膜部40之間的距離可以做得更短，從而可以促進(jìn)圖像質(zhì)量的增強(qiáng)。通過(guò)光刻處理等在保護(hù)部件49上制作構(gòu)成薄膜部40的多個(gè)H) 41和多個(gè)TFT42。在薄膜部40和保護(hù)部分49之間不存在粘接層，薄膜部40與保護(hù)部件49的表面保持緊密接觸。順便提及，在制造X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I的過(guò)程中，在保護(hù)部件49保持層疊在基板51上時(shí)，在保護(hù)部件49的與面對(duì)基板51的一側(cè)相對(duì)的另ー側(cè)上形成薄膜部40(圖7)。隨后，將保護(hù)部件49從基板上剝離。換句話說(shuō)，將基板51從保護(hù)部件49剝離且移除。形成保護(hù)部件49的與形成薄膜部4 一側(cè)相對(duì)的另ー側(cè)，其對(duì)應(yīng)于從基板51剝離保護(hù)部件49時(shí)獲得的保護(hù)部件49的剝離側(cè)。去除基板51的結(jié)果是，進(jìn)入閃爍器10的X輻射量增減。在剝離基板51的狀態(tài)下，由保護(hù)部件49支持薄膜部40?；?1是制造保護(hù)部件49的輔助部件，在一些階段被剝離。為此原因，當(dāng)然地，在不考慮X射線吸收的情況下可以適當(dāng)?shù)卮_定基板51的材料。在保護(hù)部件49上形成薄膜部40，并且薄膜部40不受到基板51的材料的不利影響；即，鈉污染。因此，也可以考慮使用廉價(jià)的鈉玻璃用于基板51。由于不需要考慮基板51引起的X輻射的吸收，可以通過(guò)増加基板51的厚度在制造期間保證處理足夠便利。此外，由于基板剝離使得因此剝離的基板51可以重復(fù)利用，可以降低成本。在產(chǎn)生從基板剝離帶來(lái)的上述效果的同吋，由于在薄膜部40上提供保護(hù)部件49，可以增強(qiáng)薄膜部40。因此，可以保證制造期間需要的強(qiáng)度或者X射線成像暗盒100的使用。由于X射線成像暗盒100將經(jīng)受高概率的下落沖擊(drop impact)，保證耐沖擊性很重要。此外，對(duì)于暗盒頂板60A施加的負(fù)載保證承受負(fù)載也是重要的。由于在薄膜部40上設(shè)置保護(hù)部件49，因此使得薄膜部40和閃爍器10耐濕氣，例如外部空氣中的水含量。因此，可以防止薄膜部件40的腐蝕以及閃爍器10的性能的惡化。盡管也可以對(duì)于多個(gè)像素提供一個(gè)保護(hù)部件49，但是從增強(qiáng)角度看來(lái)以整合方式在整個(gè)薄膜部40上提供保護(hù)部件49是優(yōu)選的。如上所述，輕質(zhì)金屬，例如鋁或者樹(shù)脂可以用作保護(hù)部件49的材料。當(dāng)由鋁形成保護(hù)部件49且其用作光反射部件時(shí)，可以向ro 41反射在已經(jīng)通過(guò)ro 41之后落到保護(hù)部件49上的光。因此增加了入射到ro 41上的光量，從而可以增強(qiáng)檢測(cè)靈敏度。當(dāng)為了將保護(hù)部件49形成為反射部件的目的將例如鋁的金屬用于保護(hù)部件49時(shí)，在導(dǎo)熱方面，金屬部件高于玻璃基板。因此，可以防止從被攝體到光電檢測(cè)単元50的熱傳播引起的圖像中的不均勻。具體地，支持光電檢測(cè)単元的玻璃部件中的熱不均勻(熱量不均勻)將造成圖像形成區(qū)中ro 41的溫度不均勻，進(jìn)而造成性能的不均勻。為了這些理由，采用顯示出優(yōu)異導(dǎo)熱性的金屬部件作為保護(hù)部件，從而可以增強(qiáng)圖像質(zhì)量。當(dāng)由単獨(dú)的金屬，例如鋁或其合金制成保護(hù)部件49時(shí)，保護(hù)部件49顯示出密封薄膜部40的高效果。具體地，通過(guò)使用該保護(hù)部件49，可以容易保證薄膜部40的氣密性和水密性。因此，可以充分防止?jié)駳馕諏?dǎo)致的閃爍器10的性能惡化。[3.閃爍器的構(gòu)成]閃爍器10置于由例如鋁的材料制成的反射光的支持件11上。支持件11不僅限于由鋁制成的板?？梢詮奶及?、CFRP(碳纖維增強(qiáng)塑料)、玻璃板、石英板、藍(lán)寶石板等適當(dāng)?shù)剡x擇用于支持件11的任何材料。只要在支持件的表面上形成閃爍器，支持件11不特別局限于這些板。然而，當(dāng)支持件11也兼用作光反射部件時(shí)，最好使用例如鋁的輕質(zhì)金屬作 為支持件的材料。由于在X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I的與X射線進(jìn)入側(cè)相對(duì)的另ー側(cè)上放置支持件11，因此可以由顯示出低X射線透射率的材料形成支持件11。此處，對(duì)于X射線圖像檢測(cè)設(shè)備1，支持件11不是必須的。具體地，在支持件11上形成并沉積閃爍器之后，閃爍器可以在從支持件11剝離的同時(shí)使用。也可以在閃爍器10的與面對(duì)光電檢測(cè)單元50 —側(cè)相對(duì)的另ー側(cè)上設(shè)置光反射部件。使用由聚對(duì)ニ甲苯等制成的保護(hù)膜30覆蓋閃爍器10。通過(guò)氣相沉積技術(shù)形成保護(hù)膜30，且保護(hù)膜30密封支持件11上的閃爍器10。通過(guò)氣相沉積由聚對(duì)ニ甲苯制成的保護(hù)膜顯示出優(yōu)異的柔性以及與閃爍器10優(yōu)異的粘接性。因此，在支持件11和保護(hù)部件49中，保護(hù)膜顯示出對(duì)于翅曲的追蹤性(followability to warpage)。只要通過(guò)另一方式，例如以氣密和水密方式用防濕膜包裹閃爍器10，對(duì)閃爍器進(jìn)行防濕保護(hù)，則可以省略保護(hù)膜30。由通過(guò)使熒光材料生長(zhǎng)為柱狀形成的柱狀晶體組制成閃爍器10，CsI: Tl (鉈激活的碘化銫)用作熒光材料。另外，NaIiTl (鉈激活的碘化鈉)、CsI :Na(鈉激活的碘化銫)等也可以用作閃爍器10的熒光材料。使用CsI:Tl作為材料是優(yōu)選的，原因是，發(fā)光發(fā)射譜符合a-Si光電ニ極管的光譜靈敏度的局部極大值(約550nm)。閃爍器10不包括任何柱狀晶體也是可能的。此外，也可以通過(guò)使用例如GOS [Gd2O2S: Tb (鋱激活的釓硫氧化物)]涂布支持件來(lái)形成閃爍器?，F(xiàn)在，期望通過(guò)氣相沉積形成閃爍器10。氣相沉積的一般描述如下。也就是說(shuō)，通過(guò)如激發(fā)在環(huán)境中或在O. 01至IOPa的真空度下在電阻加熱坩堝中加熱作為基礎(chǔ)材料的CsI，直到CsI蒸發(fā)。類(lèi)似地，通過(guò)如激發(fā)在環(huán)境中或在O. 01至IOPa的真空度下在電阻加熱坩堝中加熱作為活化劑的Tl，直到Tl蒸發(fā)。支持件11的溫度被設(shè)置為室溫(20攝氏度)至300攝氏度，從而CsI = Tl沉積在支持件11上?？梢酝ㄟ^(guò)改變真空度、支持件的溫度、沉積率等控制閃爍器10的形狀、尺寸和孔隙率。圖4是示意性示出閃爍器10的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的側(cè)橫截面視圖。閃爍器10包括由ー組柱狀晶體12A形成的柱狀部12以及在柱狀晶體12A的基端形成的包括非柱狀晶體13A的非柱狀部13。在高度方向(晶體生長(zhǎng)的方向)由柱狀晶體12A引導(dǎo)當(dāng)閃爍器被曝光于X放射線時(shí)從閃爍器10發(fā)出的熒光，因此其進(jìn)入光電檢測(cè)単元50。此時(shí)，通過(guò)非柱狀部13和支持件11反射向支持件11傳播的光，因此其進(jìn)入光電檢測(cè)單元50。
[柱狀部的構(gòu)成]柱狀部12是多個(gè)柱狀晶體12A的聚集體。在圖4所示的示例中，各個(gè)柱狀晶體12A在支持件11上基本保持豎直。柱狀晶體12A的前端形成為收縮形狀。各個(gè)柱狀晶體12A的前端也可以被研磨。多個(gè)柱狀晶體12A與光電檢測(cè)單元50的一個(gè)像素(ー個(gè)H) 41)相對(duì)。在結(jié)晶性能方面柱狀晶體12A優(yōu)于非柱狀晶體且柱狀晶體12A發(fā)射大量熒光。通過(guò)空隙彼此鄰接的柱狀晶體12A在閃爍器的厚度方向直立，因此，柱狀晶體12A作為光導(dǎo)，因此在圓柱的高度方向引導(dǎo)光。由于柱狀晶體12A的光導(dǎo)效果防止了像素之間產(chǎn)生的光的散射，使檢測(cè)的圖像鮮鋭。圖5是示出沿圖4中所示的截面A_A(即，在高度方向基本在中心得到的柱狀部12的截面)的柱狀部12的電子顯微鏡照片。相鄰柱狀晶體12A之間存在空隙(在圖5中密集地看出)。柱狀晶體12A相對(duì)于晶體生長(zhǎng)方向具有基本均勻的截面直徑。在柱狀部12 的一部分區(qū)域中相鄰柱狀晶體12A彼此連接，從而構(gòu)成整合柱狀體(例如，見(jiàn)圖5中的標(biāo)記P)。在考慮與要求的靈敏度相應(yīng)的X射線吸收能力的情況下，對(duì)于乳房X射線照相術(shù)應(yīng)用，將柱狀部12的厚度設(shè)置為約200微米的值，對(duì)于一般照相術(shù)，將柱狀部12的厚度設(shè)置為500微米或更大的值。然而，當(dāng)柱狀部12太厚吋，熒光的使用效率將可能因?yàn)楣馕栈蛏⑸涠档汀榇?，在考慮靈敏度和熒光的使用效率的情況下將柱狀部12的厚度設(shè)置為適當(dāng)值。[非柱狀部的構(gòu)成]非柱狀部13包括基本為球形或不定形非柱狀晶體13A。非柱狀晶體13A通常包括無(wú)定形(非結(jié)晶)部分。考慮到晶體之間容易保持空隙和增強(qiáng)反射效率的能力，非柱狀晶體13A的優(yōu)選形狀基本為球形。具體地，優(yōu)選從基本為球形晶體的聚集體形成非柱狀部13 (非柱狀晶體13A基本為球形晶體)。圖6是示出沿圖4中所示的截面B-B (即，在厚度方向在非柱狀部13的基端側(cè)的截面)的非柱狀部13的電子顯微鏡照片。在非柱狀部13中，在直徑上小于圖5中所示的柱狀晶體12A的非柱狀晶體13A彼此不規(guī)則接合和重疊。觀察到晶體之間的非常少數(shù)的明確空隙。圖6中所示的空隙在數(shù)量上少于圖5中所示的空隙。圖5和圖6中所示的觀察結(jié)果明確示出非柱狀部13的孔隙率低于柱狀部12的孔隙率。根據(jù)支持件11上的非柱狀部13的沉積面積、非柱狀部13的厚度，CsI密度和實(shí)際測(cè)量的閃爍器面板的重量來(lái)計(jì)算非柱狀部13的孔隙率。由此計(jì)算的非柱狀部13沿其厚度方向整體所得的的孔隙率是10%或更小。非柱狀部13是在沉積的初始階段形成在支持件11上的區(qū)域。與支持件11的表面接觸的非柱狀部13的區(qū)域的孔隙率是O或者接近O。非柱狀部13的基端仍然沿整個(gè)接觸面與支持件11緊密接觸。非柱狀部13的厚度小于柱狀部12的厚度，優(yōu)選為5微米至125微米。具體地，為了保證與支持件11的粘接，非柱狀部13的厚度應(yīng)當(dāng)優(yōu)選為5微米或更大。如果不顯示出任何光導(dǎo)效果的非柱狀部13的厚度太大，則在非柱狀部13的像素之間光彼此穿過(guò)，其上，圖像可能變得模糊。為此，優(yōu)選非柱狀部13的厚度小于125微米。此外，非柱狀部13的足夠厚度是實(shí)現(xiàn)粘接到支持件11且實(shí)現(xiàn)光反射能力的最小值。取決于制造條件等，非柱狀部13也可以被構(gòu)成為多個(gè)堆疊的層而不是單個(gè)層。在此情況下，非柱狀部13的厚度是指從支持件11的表面到非柱狀部13的最頂面的距離。
關(guān)于晶體保持彼此粘接時(shí)實(shí)現(xiàn)的晶體直徑的測(cè)量，如在非柱狀部13的情況中，互連在鄰接的非柱狀晶體13A之間存在的凹痕(凹部)的線被認(rèn)為是晶粒邊界。保持彼此粘接的晶體按照形成最小多邊形的方式彼此分開(kāi)，并且測(cè)量晶體的直徑。如在柱狀部12的柱狀晶體12A的直徑的情況中，確定測(cè)量的晶體直徑的平均值，并且采用該平均值。從有效反射性能和粘接到支持件11的角度看來(lái)，非柱狀部13的非柱狀晶體13A的優(yōu)選直徑為O. 5微米至7. O微米。非柱狀晶體13A的直徑小于柱狀晶體12A的直徑。由于容易維持晶體的基本為球形的形狀，因此對(duì)于非柱狀晶體13A，較小直徑是優(yōu)選的。然而，如果非柱狀晶體13A的直徑太小，則孔隙率將接近0，并且非柱狀部13將不充當(dāng)光反射層的角色。為此，非柱狀晶體13A的優(yōu)選直徑是O. 5微米或更大。相反，如果非柱狀晶體13A的直徑太大，則非柱狀部13的平坦度和表面積將減小，進(jìn)而可能造成與支持件11的粘接的退化。此外，晶體將彼此連接，從而減小孔隙率且使反射效果惡化。為此，非柱狀部13的優(yōu)選晶體直徑是7. O微米或更小。由于形成這種非柱狀部13，在將非柱狀部13作為基礎(chǔ)的同時(shí)，可以使柱狀晶體12A在優(yōu)異的結(jié)晶狀態(tài)下生長(zhǎng)。在考慮光反射特征和與支持件11的粘接的情況下，確定非柱狀晶體13A的直徑、厚度和孔隙率。由于通過(guò)提供非柱狀部13增強(qiáng)了支持件11與閃爍器10之間的粘接，因此即使從控制模塊70發(fā)出的熱傳播到閃爍器10，閃爍器10也不太可能從支持件11掉落。例如，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換(OPC)材料、有機(jī)TFT、使用非晶氧化物的TFT (例如，IGZ0)和柔性材料(芳族聚酰胺和生物納米纖維)等可以用于光電檢測(cè)器単元50(包括保護(hù)部件49)、支持件11等。稍后將描述這些器件相關(guān)材料。[4.制造X射線圖像檢測(cè)設(shè)備和X射線成像暗盒的方法]通過(guò)參考圖7至圖10，現(xiàn)在給出對(duì)制造具有上述各種構(gòu)成的X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I的示例方法的解釋。在制造X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I吋，使用例如圖7所示的層疊產(chǎn)品55。在制造層疊產(chǎn)品55期間，通過(guò)用溶解粘合劑等形成的剝離層52在例如無(wú)堿玻璃的基板51上層疊保護(hù)部件49。通過(guò)使用例如光刻、蝕刻等(光電檢測(cè)単元產(chǎn)生過(guò)程)在保護(hù)部件49上制造構(gòu)成薄膜部40的H) 41和TFT 42 (圖2)。因此制造的層疊產(chǎn)品55包括基板51、剝離層52、保護(hù)部件49和薄膜部40。由于在隨后的過(guò)程中剝離基板51且基板51不最終構(gòu)成光電檢測(cè)単元50，因此不需要考慮基板51的X射線吸收特性。期望采用具有在隨后的過(guò)程中足以保證容易處理和剝離的厚度的基板51。溶解粘合劑具有如下優(yōu)點(diǎn)能夠牢固結(jié)合和促進(jìn)結(jié)合對(duì)象的容易溶解。當(dāng)基板51是半透明部件例如玻璃時(shí)，可以?xún)?yōu)選使用在被曝光于光例如UV輻射時(shí)可以溶解的溶解粘合剤。
如圖8所示，在支持件11上形成的且使用保護(hù)膜30覆蓋的閃爍器10通過(guò)粘接層48結(jié)合到層疊產(chǎn)品55，從而使閃爍器10和薄膜部40以整合方式彼此均勻緊密接觸(整合過(guò)程)。對(duì)將閃爍器10和薄膜部40彼此緊密結(jié)合的方法沒(méi)有任何特別的限制，并且結(jié)合的最低要求是閃爍器10和薄膜部40光耦合在一起。作為使閃爍器10和薄膜部40兩者彼此緊密接觸的技術(shù)，可以采用在它們保持彼此直接面對(duì)時(shí)使其彼此緊密接觸的技術(shù)，或者在它們之間夾入樹(shù)脂層的同時(shí)使其彼此緊密接觸的技木。如圖9所示，隨后溶解層疊產(chǎn)品55(圖7)。更具體地，通過(guò)剝離將基板51和保護(hù)部件49分開(kāi)，去除基板51和剝離層52 (基板剝離-去除過(guò)程)。由于閃爍器10和支持件11此時(shí)支持薄膜部40，因此在基板51剝離時(shí)實(shí)現(xiàn)的薄膜部40的易于處理性是優(yōu)異的。當(dāng)適當(dāng)?shù)奶幚硎侄慰梢员３直∧げ?0時(shí)，關(guān)于基板剝離-去除過(guò)程的處理可以在關(guān)于閃爍器和光電檢測(cè)単元整合過(guò)程的處理之前首先進(jìn)行。通過(guò)上述操作制造具有不包括基板51的光電檢測(cè)単元50的X射線圖像檢測(cè)設(shè)備
Io如圖10所示，在制造X射線成像暗盒100時(shí)，將X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I容納到殼體60中。為了更加準(zhǔn)確，以使薄膜部40通過(guò)保護(hù)部件49與頂板60A的背面相対的方式將X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I置于殼體60中。優(yōu)選通過(guò)其保護(hù)部件49將光電檢測(cè)單元50結(jié)合到頂板60A。在結(jié)合操作吋，優(yōu)選通過(guò)粘接層18使保護(hù)部件49和頂板60A整體彼此緊密接觸；然而，它們也可以被部分結(jié)合在一起。頂板60A和X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I接收頂板60A支持的被攝體的負(fù)載?？梢酝ㄟ^(guò)如上所述將頂板60A和X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I 一體化地層疊來(lái)增加X(jué)射線成像暗盒100的承受負(fù)載。如上所述制造X射線成像暗盒100。[5.光電檢測(cè)單元中容納的保護(hù)部件產(chǎn)生的工作效果]已經(jīng)描述的X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I和X射線成像暗盒100迄今產(chǎn)生如下工作效果。保護(hù)部件49容納在光電檢測(cè)単元50中，在基板51剝離之后利用保護(hù)部件49保護(hù)薄膜部40 (圖9)?？梢酝ㄟ^(guò)上述提供的保護(hù)部件49保護(hù)薄膜部40不受外部空氣等中水分的影響。此外，還可以增強(qiáng)薄膜部40對(duì)抗外部的負(fù)載等。具體地，由于解決了基板51從光電檢測(cè)単元的層疊產(chǎn)品55剝離產(chǎn)生的問(wèn)題，因此通過(guò)將閃爍器曝光于從光電檢測(cè)単元的方向施加的X放射線的構(gòu)成產(chǎn)生的圖像質(zhì)量增強(qiáng)效果可以得到充分的發(fā)揮。保護(hù)部件49的鋁當(dāng)量在I. 8mm以下。由于通過(guò)使用顯示出低X射線吸收率的這種保護(hù)部件49，閃爍器10的X射線進(jìn)入側(cè)吸收的X輻射可以被減小到最小等級(jí)，因此可以實(shí)現(xiàn)由于進(jìn)入閃爍器10的X輻射的量的增加導(dǎo)致的檢測(cè)圖像的圖像質(zhì)量增強(qiáng)。此外，由于在制造操作期間在基板51與薄膜部40之間插入保護(hù)部件49，因此可以防止在薄膜部40的生產(chǎn)期間基板51的影響(鈉污染等)造成的薄膜部40的性能惡化。此外，由干與在基板上直接形成薄膜部的情況下剝落基板相比，基板51更加容易剝落，因此可以在不對(duì)薄膜部40造成損害且閃爍器10仍然與薄膜部40緊密接觸的情況下剝落基板51。通過(guò)按照要求適當(dāng)?shù)卮_定保護(hù)部件49的 厚度，可以實(shí)現(xiàn)光電檢測(cè)単元吸收的X輻射量的減少以及保持光電檢測(cè)単元要求的強(qiáng)度。如上所述，可以利用X輻射通過(guò)光電檢測(cè)單元50進(jìn)入閃爍器10的構(gòu)成，進(jìn)ー步促進(jìn)圖像質(zhì)量增強(qiáng)。
在X射線成像暗盒100中，X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I的光電檢測(cè)單元50結(jié)合到暗盒的頂板60A的背面。因此，放置在頂板60A上的被攝體與光電檢測(cè)單元50之間的距離變短，進(jìn)而導(dǎo)致靈敏度和MTF的增強(qiáng)。另外，剝離基板51，從而使光電檢測(cè)単元50變得纖薄。因此，可以嘗試圖像質(zhì)量的進(jìn)ー步增強(qiáng)。換句話說(shuō)，保護(hù)部件49的存在和基板51的剝離導(dǎo)致的影響在閃爍器10被曝光于從光電檢測(cè)單元50的方向施加的X放射線且光電檢測(cè)單元50結(jié)合到頂板60A的構(gòu)成中變得更加突出。[6 變型例]光電檢測(cè)單元中提供的保護(hù)部件的構(gòu)成不限于如上所述。例如，如在圖11中所示，還可以采用如下構(gòu)成，所述構(gòu)成包括由樹(shù)脂制成的基質(zhì)49A(樹(shù)脂層)和層疊在基質(zhì)49A的X射線進(jìn)入側(cè)上且由鋁等制成的光反射膜49B (光反射層)。圖12示出X射線圖像檢測(cè)設(shè)備的變型例。在變型例中，在剝離和去除基板的過(guò)程之后，通過(guò)使用例如聚對(duì)ニ甲苯在薄膜部40的側(cè)面、保護(hù)部件49的側(cè)面和保護(hù)部件49的面對(duì)基板51的剝離面上設(shè)置保護(hù)膜35。除了在閃爍器10上設(shè)置的保護(hù)膜30之外，由此設(shè) 置的保護(hù)膜35無(wú)疑地密封了閃爍器10和薄膜部40。因此，足以防止閃爍器10和薄膜部40的性能的惡化。圖13示出X射線成像暗盒101。X射線成像暗盒101具有X射線圖像檢測(cè)設(shè)備2和殼體60。在圖I所示的X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I中，通過(guò)粘接層48將閃爍器10和光電檢測(cè)單元50結(jié)合在一起。在圖13所示的X射線圖像檢測(cè)設(shè)備2中，閃爍器15置于光電檢測(cè)単元50上。除此之外，按照與X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I相同的方式構(gòu)成X射線圖像檢測(cè)設(shè)備2。即使在制造X射線圖像檢測(cè)設(shè)備2時(shí)，也使用層疊產(chǎn)品55，例如圖7所示。在層疊產(chǎn)品55溶解之前，將閃爍器15置于光電檢測(cè)單元50上(光電檢測(cè)単元產(chǎn)生過(guò)程)。隨后，剝離基板51 (基板剝離-去除過(guò)程)。然而，優(yōu)選在剝離基板之前，在將支持部件21放置在閃爍器15的柱狀晶體12A的前端(整合過(guò)程)之后，從保護(hù)部件49剝離基板51。這樣可以防止在剝離操作期間晶體彼此接觸時(shí)引起的柱狀晶體12A損壞。支持部件21優(yōu)選是光反射部件，例如鋁。更具體地，通過(guò)如下過(guò)程產(chǎn)生X射線圖像檢測(cè)設(shè)備2 :光電檢測(cè)単元產(chǎn)生過(guò)程，將保護(hù)部件49層疊在基板51上，從而在保護(hù)部件49上形成薄膜部件40且因此制造光電檢測(cè)單元50 ;閃爍器產(chǎn)生過(guò)程，用于在光電檢測(cè)単元50的薄膜部40上形成閃爍器15且在閃爍器15的相對(duì)于其面對(duì)薄膜部40 —側(cè)的另ー側(cè)上放置支持部件21 ;以及基板剝離-去除過(guò)程，用于從在閃爍器產(chǎn)生過(guò)程中與閃爍器15整合的保護(hù)部件49剝離和去除基板51。X射線圖像檢測(cè)設(shè)備I和2的閃爍器10和15可以不設(shè)有包括非柱狀晶體13A的非柱狀部13，例如上面所述。然而，如果形成非柱狀部13，則將產(chǎn)生如下效果。也就是說(shuō)，可以沿晶體生長(zhǎng)的方向在閃爍器的任意位置形成非柱狀部。當(dāng)沿晶體生長(zhǎng)的方向在閃爍器的基端或前端形成非柱狀部時(shí)，可以保證支持件與將在形成閃爍器之后與閃爍器整合的光電檢測(cè)単元之間的粘接或者在上面沉積有閃爍器的支持件與薄膜部之間的粘接。保證粘接使得可以防止閃爍器從支持件和光電檢測(cè)単元去除，也可以防止由濕氣吸收導(dǎo)致的閃爍器性能惡化。此外，當(dāng)在柱狀晶體12A的前端形成非柱狀部時(shí)，通過(guò)非柱狀部將閃爍器的表面平坦化。因此，可以將閃爍器和光電檢測(cè)単元均勻地結(jié)合在一起。從而可以增強(qiáng)檢測(cè)圖像的質(zhì)量。當(dāng)在閃爍器的基端(即，初始沉積區(qū)域)形成非柱狀部時(shí)，使得柱狀晶體12A基于非柱狀部生長(zhǎng)為優(yōu)異的結(jié)晶?？梢酝ㄟ^(guò)為柱狀部提供非柱狀部來(lái)增強(qiáng)閃爍器的強(qiáng)度。從而可以增強(qiáng)閃爍器的耐沖擊性。此外，可以確保對(duì)抗當(dāng)閃爍器與支持件或光電檢測(cè)單元結(jié)合在一起時(shí)施加到閃爍器上的負(fù)載的強(qiáng)度。因此，可以相對(duì)于彼此緊緊按壓閃爍器和光電檢測(cè)単元等且使其均勻地彼此緊密接觸。此外，可以通過(guò)閃爍器強(qiáng)度的增強(qiáng)，増加將通過(guò)包括閃爍器形成的面板與殼體的頂板結(jié)合形成的暗盒的承受負(fù)載。在此情況下，由于基板已經(jīng)從光電檢測(cè)単元?jiǎng)冸x，因此頂板和各個(gè)光電檢測(cè)單元進(jìn)ー步彼此接近。因此，可以進(jìn)一歩增加增強(qiáng)靈敏度和圖像質(zhì)量的效果。由于非柱狀部形成在柱狀部的前端，因此可以防止保護(hù)膜材料流入柱狀晶體之間的間隙。因此，也產(chǎn)生了防止MTF惡化的效果。
圖14示出可以被圖2所示的薄膜部40替換的另ー薄膜部65。屬于薄膜部65的PD 651和TFT 652被布置在相同的面上或者基本相同的面上。由于I3D 651和TFT 652如上所述并排布置在面內(nèi)，因此可以使得薄膜部65更纖薄。非晶氧化物半導(dǎo)體(IGZO)制成的TFT可以用于圖2所示的薄膜部40和圖14所示的薄膜部65。IGZO的靈敏度是波長(zhǎng)350nm或更大，該靈敏度在可見(jiàn)光范圍很難實(shí)現(xiàn)。因此，在TFT中不發(fā)生開(kāi)關(guān)噪聲?？梢员苊馓峁┚哂泄夥瓷鋵拥腡FT的必要性。有機(jī)材料也可以用于ro和TFT。圖15示出具有由OPC(有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料)形成的光電導(dǎo)層的光電轉(zhuǎn)換元件661以及由有機(jī)材料形成的TFT 662。也可以使用圖2所示的薄膜部40替換包括光電轉(zhuǎn)換元件661和TFT 662的薄膜部66。用于光電轉(zhuǎn)換元件661和TFT 662的有機(jī)材料幾乎不吸收X輻射。因此，可以增加通過(guò)光電轉(zhuǎn)換元件661和TFT 662之后達(dá)到閃爍器10的X輻射量。當(dāng)發(fā)出綠色光的CsI: Tl用于閃爍器時(shí)，且當(dāng)TFT的透明有機(jī)材料是例如在JP-A-2009-212389中描述的化學(xué)式I表示的酞菁化合物或者同一文獻(xiàn)中描述的化學(xué)式2表示的萘酞菁化合物吋，沒(méi)有在發(fā)光波長(zhǎng)范圍內(nèi)顯示出靈敏度。因此，在TFT中不發(fā)生開(kāi)關(guān)噪聲。在此情況下，光電轉(zhuǎn)換元件661的OPC優(yōu)選是喹吖啶酮。如圖14所示，由有機(jī)材料形成的光電轉(zhuǎn)換元件661和TFT 662也可以放置在相同的面或者基本相同的面上。如上所述，可以使光電轉(zhuǎn)換元件，例如ro和由例如上述的非晶氧化物或有機(jī)材料形成的TFT在低于用于形成a-Si的溫度的溫度下生長(zhǎng)。因此，保護(hù)部件49的材料選擇余地變得更寬，并且樹(shù)脂制成的保護(hù)部件變得可用。[7 可用的器件材料][7-1. OPC(有機(jī)光電轉(zhuǎn)換)材料]例如，JP-A-2009-32854中公開(kāi)的任何OPC(有機(jī)光電轉(zhuǎn)換)材料可以用于上述I3D41(圖2)等。由OPC材料形成的膜(以下被稱(chēng)為OPC膜)可以用作ro 41的光電導(dǎo)層。OPC膜包含有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料，其吸收從閃爍器發(fā)出的光且產(chǎn)生與吸收的光相應(yīng)的電荷。因此，包含有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的OPC膜在可見(jiàn)光范圍內(nèi)具有尖銳的吸收光譜。OPC膜幾乎不吸收閃爍器發(fā)出的光之外的電磁波。因此，可以有效地抑制由放射線例如OPC膜吸收的X射線產(chǎn)生的噪聲。優(yōu)選形成OPC膜的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長(zhǎng)更接近閃爍器發(fā)出的光的峰值波長(zhǎng)，以更加有效地吸收閃爍器發(fā)出的光。理想地，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長(zhǎng)與閃爍器發(fā)出的光的峰值波長(zhǎng)一致。然而，如果有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長(zhǎng)與閃爍器發(fā)出的光的峰值波長(zhǎng)之間的差值小，則可以令人滿意地吸收閃爍器發(fā)出的光。具體地，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長(zhǎng)與由閃爍器響應(yīng)于放射線發(fā)出的光的峰值波長(zhǎng)之間的差值優(yōu)選不大于IOnm,更優(yōu)選不大于5nm。能夠滿足這種條件的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的示例包括基于亞芳基的有機(jī)化合物、基于喹吖啶酮的有機(jī)化合物和基于酞菁的有機(jī)化合物。例如，在可見(jiàn)光范圍內(nèi)喹吖啶酮的吸收峰值波長(zhǎng)是560nm。因此，當(dāng)喹吖啶酮用作有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料且CsI (Tl)用作閃爍器的熒光材料時(shí)，上述峰值波長(zhǎng)的差值可以被設(shè)置為5nm內(nèi)，從而基本上可以將OPC膜中產(chǎn)生的電荷量増加到最大值。在偏壓電極與ro 41的電荷收集電極之間設(shè)置的有機(jī)層的至少一部分可以由OPC膜形成。更具體地，有機(jī)層可以由下述各部分的堆疊或混合形成用于吸收電磁波的部分、光電轉(zhuǎn)換部分、電子傳輸部分、電子空穴傳輸部分、電子阻擋部分、電子空穴阻擋部分、結(jié)晶防止部分、電極、層間接觸改善部分等。 優(yōu)選有機(jī)層包含有機(jī)p型化合物或有機(jī)n型化合物。有機(jī)p型半導(dǎo)體(化合物)是主要由電子空穴傳輸有機(jī)化合物代表的施主型有機(jī)半導(dǎo)體(化合物)，是指著具有容易供予電子的特性的有機(jī)化合物。更詳細(xì)地，在彼此接觸地使用的兩種有機(jī)材料中，具有較低電離勢(shì)的ー個(gè)被稱(chēng)為施主型有機(jī)化合物。因此，任何有機(jī)化合物可以被用作施主型有機(jī)化合物，只要該有機(jī)化合物具有供予電子的特性?？梢允褂玫氖┲餍陀袡C(jī)化合物的示例包括三芳胺化合物、聯(lián)苯胺化合物、吡唑啉化合物、苯こ烯胺化合物、腙化合物、三苯甲烷化合物、咔唑化合物、聚硅烷化合物、噻吩化合物、酞菁化合物、花菁化合物、部花青化合物、氧雜菁(oxono I)化合物、聚胺化合物、吲哚化合物、吡咯化合物、吡唑化合物、聚芳撐化合物、稠合芳香碳環(huán)化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、茈衍生物、熒蒽衍生物)、具有含氮雜環(huán)化合物作為配體的金屬絡(luò)合物等。施主型有機(jī)半導(dǎo)體不限于此，但是具有比用作n型(受主型)化合物的有機(jī)化合物低的電離勢(shì)的任何有機(jī)化合物可以被用作施主型有機(jī)半導(dǎo)體。n型有機(jī)半導(dǎo)體(化合物)是主要由電子傳輸有機(jī)化合物代表的受主型有機(jī)半導(dǎo)體(化合物)，是指具有容易接收電子的特性的有機(jī)化合物。更具體地，當(dāng)彼此接觸地使用兩種有機(jī)化合物時(shí)，兩種有機(jī)化合物中具有較高電子親和カ的一種有機(jī)化合物是受主型有機(jī)化合物。因此，任何有機(jī)化合物可以被用作受主型有機(jī)化合物，只要該有機(jī)化合物具有接收電子的特性。其示例包括稠合芳香碳環(huán)化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、茈衍生物、熒蒽衍生物)、包含氮原子、氧原子或硫原子的5至7元雜環(huán)化合物(例如，吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪，三嗪、喹啉、喹喔啉、喹唑啉、酞嗪、噌啉、異喹啉、蝶啶、吖啶、吩嗪、鄰ニ氮雜菲、四唑、吡唑、咪唑、噻唑、P惡唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并U惡唑、苯并噻唑、咔唑、嘌呤、三唑并噠嗪、三唑并嘧啶、四氮雜茚J惡ニ唑、咪唑并吡啶、吡咯烷、批咯并吡啶、噻ニ唑并吡啶、ニ苯并吖庚因、三苯并吖庚因等)、聚芳撐化合物、芴化合物、環(huán)戊ニ烯化合物、甲硅烷基化合物和具有含氮雜環(huán)化合物作為配體的金屬絡(luò)合物。受主型有機(jī)半導(dǎo)體不限于此。具有高于用作施主型有機(jī)化合物的有機(jī)化合物的電子親和力的任何有機(jī)化合物可以被用作受主型有機(jī)半導(dǎo)體。關(guān)于p型有機(jī)染料或n型有機(jī)染料，可以使用任何已知染料。其優(yōu)選的示例包括花菁染料、苯こ烯染料、半花菁染料、部花菁染料(包括零次甲基部花菁(簡(jiǎn)單的部花菁))、三核部花菁染料、四核部花菁染料、羅丹花菁(rhodacyanine)染料、復(fù)合花菁染料、復(fù)合部花菁染料、alopolar染料、氧雜菁染料、半氧雜菁(hemioxonol)染料、方酸'."染料、克酮酸鍵染料、氮雜次甲基染料、香豆素染料、亞芳基染料、蒽醌染料、三苯甲烷染料、偶氮染料、偶氮甲堿染料、螺環(huán)化合物、金屬茂染料、荷酮染料、flugide染料、花染料、吩嗪染料、吩噻嗪染料、醌染料、靛藍(lán)染料、ニ苯甲烷染料、多烯染料、吖啶染料、吖啶酮染料、ニ苯胺染料、喹吖唳酮染料、喹酞酮染料、吩P惡嗪染料、酞花(phthaloperylene)染料,卟啉染料,葉綠素染料、酞菁染料、金屬絡(luò)合物染料和稠合芳香碳環(huán)染料(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、茈衍生物、熒蒽衍生物)?？梢?xún)?yōu)選地使用在ー對(duì)電極之間具 有p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層的光電轉(zhuǎn)換膜(光敏層)，該P(yáng)型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體中的至少ー個(gè)是有機(jī)半導(dǎo)體，并且其中，將包括該p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的本體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)層設(shè)置為在那些半導(dǎo)體層之間的中間層。在該光電轉(zhuǎn)換膜中包括的本體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)層可以彌補(bǔ)有機(jī)層的載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度短的缺陷。因此，可以提高光電轉(zhuǎn)換效率。在JP-A-2005-303266中詳細(xì)描述了該本體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的是，考慮到來(lái)自閃爍器的光的吸收，光電轉(zhuǎn)換膜較厚。考慮到對(duì)于電荷的分離做出任何貢獻(xiàn)的比率，光電轉(zhuǎn)換膜優(yōu)選不薄于30nm且不厚于300nm,更優(yōu)選不薄于50nm且不厚于250nm,特別優(yōu)選不薄于80nm且不厚于200nm。對(duì)于關(guān)于上述OPC膜的任何其他構(gòu)成，例如，參考JP-A-2009-32854中的說(shuō)明。[7-2.有機(jī)TFT (薄膜晶體管)]盡管無(wú)機(jī)材料通常用于上述TFT 42等，但是也可以使用有機(jī)材料，例如，如JP-A-2009-212389中所公開(kāi)。有機(jī)TFT可能具有任何類(lèi)型的結(jié)構(gòu)，但是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)構(gòu)是最優(yōu)選的。在FET結(jié)構(gòu)中，基板布置于底層，在基板的上表面部分地設(shè)置柵電極。設(shè)置絕緣層以覆蓋電極且在電極之外的其他部分觸及基板。此外，在絕緣層的上表面上設(shè)置半導(dǎo)體有源層，并且在半導(dǎo)體有源層的上表面的一部分上并且彼此相距一段距離地布置源極電極和漏極電扱。此構(gòu)成被稱(chēng)為頂部接觸類(lèi)型器件。然而，也可以?xún)?yōu)選地使用底部接觸類(lèi)型器件，其中，在半導(dǎo)體有源層下布置源極電極和漏極電扱。另外，可以使用垂直晶體管結(jié)構(gòu)，其中，載流子在有機(jī)半導(dǎo)體膜的厚度方向流動(dòng)。(半導(dǎo)體有源層)P型有機(jī)半導(dǎo)體材料用作半導(dǎo)體有源層的材料。P型有機(jī)半導(dǎo)體材料基本上無(wú)色且透明。例如，可以通過(guò)觸針厚度測(cè)量?jī)x測(cè)量有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的厚度?？梢灾圃炀哂胁煌穸鹊亩鄠€(gè)薄膜，并且可以測(cè)量其吸收光譜，從而基于校準(zhǔn)曲線可以通過(guò)轉(zhuǎn)換獲得每30nm膜厚度的最大吸收率。在此提及的有機(jī)半導(dǎo)體材料是示出作為半導(dǎo)體的屬性的有機(jī)材料。有機(jī)半導(dǎo)體材料的示例包括P型有機(jī)半導(dǎo)體材料(或者被簡(jiǎn)稱(chēng)為P型材料或電子空穴傳輸材料)，其傳導(dǎo)作為載流子的電子空穴(空穴)；以及，n型有機(jī)半導(dǎo)體材料(或者被簡(jiǎn)稱(chēng)為n型材料或電子傳輸材料)，其與由無(wú)機(jī)材料形成的半導(dǎo)體類(lèi)似地傳導(dǎo)作為載流子的電子。在有機(jī)半導(dǎo)體材料中，許多P型材料通常示出良好的屬性。另外，通常對(duì)于在大氣下的晶體管的操作穩(wěn)定性而言，P型晶體管更優(yōu)異。在此，將進(jìn)行關(guān)于P型有機(jī)半導(dǎo)體材料的說(shuō)明。有機(jī)薄膜晶體管的屬性之一是載流子遷移率(也被簡(jiǎn)稱(chēng)為遷移率)UU指示在有機(jī)半導(dǎo)體層中的載流子的遷移率。盡管優(yōu)選的遷移率根據(jù)應(yīng)用改變，但是通常優(yōu)選較高的遷移率。遷移率優(yōu)選不低于I. 0*10_7cm2/Vs，更優(yōu)選不低于I. 0*10_6cm2/Vs，進(jìn)ー步優(yōu)選不低于1.0*10_5cm2/VS。當(dāng)制造場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)器件時(shí)，可以通過(guò)屬性或TOF(飛行時(shí)間)測(cè)量來(lái)獲得遷移率。p型有機(jī)半導(dǎo)體材料可以是低分子量材料或高分子量材料，但是優(yōu)選是低分子量材料。因?yàn)橄率鲈颍S多低分子量材料通常示出優(yōu)異的屬性因?yàn)榭梢詫?duì)其應(yīng)用各種精制處理例如升華精制、重結(jié)晶、柱色譜法等而易得高度純化，或者由于因?yàn)榈头肿恿坎牧暇哂泄潭ǖ姆肿咏Y(jié)構(gòu)而易于形成高度有序的晶體結(jié)構(gòu)。低分子量材料的分子量?jī)?yōu)選不低于100且不高于5，000,更優(yōu)選不低于150且不高于3，000,進(jìn)ー步優(yōu)選不低于200且不高于2，000。 將示出這種p型有機(jī)半導(dǎo)體材料的優(yōu)選特定示例。Bu表示丁基，Pr表示丙基，Et表不乙基，Ph表不苯基。[化學(xué)品I]
權(quán)利要求
1.一種制造放射圖像檢測(cè)設(shè)備的方法，所述放射圖像檢測(cè)設(shè)備具有閃爍器，當(dāng)其被曝光于放射線時(shí)發(fā)出熒光；以及光電檢測(cè)単元，其布置于閃爍器的輻射進(jìn)入側(cè)，所述方法包括 光電檢測(cè)単元產(chǎn)生過(guò)程，用于在基板上層疊顯示出比基板顯示出的輻射吸收率更低的輻射吸收率的保護(hù)部件，以及在保護(hù)部件上形成將熒光檢測(cè)為電信號(hào)的薄膜部，從而產(chǎn)生所述光電檢測(cè)單元； 基板剝離-去除過(guò)程，用于從保護(hù)部件剝離和除去基板；以及 整合過(guò)程，用于在基板剝離-去除過(guò)程之前或之后將先前產(chǎn)生的閃爍器和光電檢測(cè)單元整合在一起。
2.一種制造放射圖像檢測(cè)設(shè)備的方法，所述放射圖像檢測(cè)設(shè)備具有閃爍器，當(dāng)其被曝光于放射線時(shí)發(fā)出熒光；以及光電檢測(cè)単元，其布置于閃爍器的輻射進(jìn)入側(cè)，所述方法包括 光電檢測(cè)単元產(chǎn)生過(guò)程，用于在基板上層疊顯示出比基板顯示出的輻射吸收率更低的輻射吸收率的保護(hù)部件，以及在保護(hù)部件上形成將熒光檢測(cè)為電信號(hào)的薄膜部，從而產(chǎn)生所述光電檢測(cè)單元； 閃爍器產(chǎn)生過(guò)程，用于在所述光電檢測(cè)單元的薄膜部上形成閃爍器，并且在閃爍器的相對(duì)于其面對(duì)薄膜部的一側(cè)的另ー側(cè)上放置支持部件；以及 基板剝離-去除過(guò)程，用于從在閃爍器產(chǎn)生過(guò)程中與閃爍器整合的保護(hù)部件剝離和除去基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的制造放射圖像檢測(cè)設(shè)備的方法，其中以對(duì)于在60kV的管電壓下發(fā)出的X輻射的鋁當(dāng)量在I. 8mm以下的方式設(shè)置所述保護(hù)部件。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的制造放射圖像檢測(cè)設(shè)備的方法，其中 在所述光電檢測(cè)單元產(chǎn)生過(guò)程中，通過(guò)剝離層在基板上層疊所述保護(hù)部件。
5.ー種放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其包括 閃爍器，當(dāng)其被曝光于放射線時(shí)發(fā)出熒光；以及 光電檢測(cè)単元，其布置于閃爍器的輻射進(jìn)入側(cè)上，其中 所述光電檢測(cè)單元包括由顯示出比玻璃材料顯示出的輻射吸收率更低的輻射吸收率的低輻射吸收材料形成的保護(hù)部件，以及在保護(hù)部件的面對(duì)閃爍器的ー側(cè)上形成的且將熒光檢測(cè)為電信號(hào)的薄膜部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中， 對(duì)于在60kV的管電壓下發(fā)出的X輻射的保護(hù)部件的鋁當(dāng)量在I. 8mm以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 對(duì)于在60kV的管電壓下發(fā)出的X輻射的保護(hù)部件的鋁當(dāng)量為O. Imm至I. Omm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述低輻射吸收材料是金屬(包括金屬互化物或合金)和/或樹(shù)脂。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述保護(hù)部件包括樹(shù)脂層以及在樹(shù)脂層的輻射進(jìn)入側(cè)上設(shè)置的由金屬制成的光反射層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中所述金屬是單種金屬Al、Mg、Cr、Zr、Ti和Mn、其氧化物以及包括各個(gè)單種金屬的合金中的至少ー種。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述樹(shù)脂是聚酰亞胺、聚萘ニ甲酸こニ醇酯、聚苯こ烯和芳族聚酰胺中的至少ー種。
12.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述保護(hù)部件是在所述薄膜部的相對(duì)于其面對(duì)閃爍器的ー側(cè)的另ー側(cè)上布置的且向所述薄膜部反射熒光的光反射部件。
13.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 由非晶氧化物或有機(jī)材料形成所述薄膜部的至少一部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述保護(hù)部件的厚度為0. Olmm至1mm。
15.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述閃爍器包括從由熒光晶體的柱狀生長(zhǎng)得到的柱狀晶體組形成的柱狀部。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 在所述閃爍器的柱狀晶體的一端設(shè)置包括非柱狀晶體的非柱狀部。
17.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 保護(hù)部件的相對(duì)于其的上面形成所述薄膜部的一側(cè)的另ー側(cè)對(duì)應(yīng)于從支持所述保護(hù)部件的基板剝離所述保護(hù)部件時(shí)獲得的所述保護(hù)部件的剝離表面。
18.—種放射成像暗盒，其包括 根據(jù)權(quán)利要求5至17中任一項(xiàng)所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備； 殼體，其以薄膜部通過(guò)所述保護(hù)部件與頂板的背面相対的方式容納所述放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述殼體具有頂板，在所述頂板上放置被攝體。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的放射成像暗盒，其中 所述保護(hù)部件固定到所述頂板。
20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的放射成像暗盒，其中 當(dāng)使用所述保護(hù)部件和所述頂板時(shí)對(duì)于在60kV的管電壓下產(chǎn)生的X輻射實(shí)現(xiàn)的鋁當(dāng)量在I. 8mm以下。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種放射圖像檢測(cè)設(shè)備及其制造方法，所述放射圖像檢測(cè)設(shè)備具有閃爍器，當(dāng)其被曝光于放射線時(shí)發(fā)出熒光；以及光電檢測(cè)單元，其布置于所述閃爍器的放射進(jìn)入側(cè)，所述方法包括光電檢測(cè)單元產(chǎn)生過(guò)程，用于在基板上層疊顯示出比基板顯示出的輻射吸收率更低的輻射吸收率的保護(hù)部件，以及在保護(hù)部件上形成將熒光檢測(cè)為電信號(hào)的薄膜部，從而產(chǎn)生所述光電檢測(cè)單元；基板剝離-去除過(guò)程，從保護(hù)部件剝離和除去基板；以及整合過(guò)程，在基板剝離-去除過(guò)程之前或之后將先前產(chǎn)生的閃爍器和光電檢測(cè)單元整合在一起。
文檔編號(hào)G01T1/20GK102650697SQ20121004571
公開(kāi)日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2012年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月24日
發(fā)明者中津川晴康, 巖切直人 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社