專利名稱：電壓檢測電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體集成電路，特別是涉及一種電壓檢測電路(VD)。
背景技術：
如

圖1所示為現(xiàn)有電壓檢測電路的結構示意圖，現(xiàn)有電壓檢測電路包括分壓電路和比較器12，分壓電路由多個串聯(lián)的電阻11組成，并在串聯(lián)的電阻11之間取出一分壓值VI，該分壓值Vl連接到所述比較器12的一個輸入端。所述比較器12的另一輸入端連接參考電壓Vref。所述比較器12對分壓值Vl和參考電壓Vref進行比較并在輸出端輸出一輸出值out?，F(xiàn)有電壓檢測電路的缺點有:1、由于分壓電路的各串聯(lián)電阻是串聯(lián)于電源電壓和地之間，該通路上會一直有電流，這會使得電路的功耗過大。2、在集成電路中，電阻會占用過多的器件面積。在半導體制造中，器件的面積越小，就能在單位面積上形成更多的器件，從而能提供集成度，最終減少成本。所以，電阻過大的面積也會使制造成本增加。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種電壓檢測電路，能降低電路在芯片上的占用面積，能完全消除電路的靜態(tài)功耗從而降低電路的功耗，能保證電路具有較高的電壓分壓精度。為解決上述技術問題，本發(fā)明提供的電壓檢測電路包括:分壓電路和比較器。所述分壓電路的輸出端輸出電源電壓的分壓并和所述比較器的第一輸入端相連，所述比較器的第二輸入端連接參考電壓。所述分壓電路包括第一電容和第二電容。所述第一電容的第一端連接所述參考電壓、第二端通過第一開關連接到所述電源電壓。所述第二電容的第一端通過第二開關連接到所述參考電壓，所述第二電容的第一端通過第三開關連接地電位；所述第二電容的第二端為所述分壓電路的輸出端并和所述比較器的第一輸入端相連，所述第二電容的第二端還通過第四開關連接到所述參考電壓。所述第一電容的第二端和所述第二電容的第二端通過第五開關相連。進一步的改進是，所述分壓電路存在兩種連接結構；第一種連接結構中:所述第一開關、所述第三開關和所述第四開關都閉合，所述第二開關和所述第五開關斷開；所述第一電容連接于所述電源電壓和所述參考電壓之間，所述第一電容中存儲有電荷，且該電荷的電量大小為第一電量值；所述第二電容連接于所述參考電壓和地之間，所述第二電容中存儲有電荷，且該電荷的電量大小為第二電量值。
第二種連接結構中:所述第一開關、所述第三開關和所述第四開關都斷開，所述第二開關和所述第五開關閉合；所述第一電容和所述第二電容并聯(lián)于所述參考電壓和所述分壓電路的輸出端之間，并在所述分壓電路的輸出端形成所述電源電壓的分壓。進一步的改進是，在所述第一種連接結構中，所述第一值的大小為:Q1 =(VDD-Vref) XCl，Ql表示所述第一電量值，VDD表示所述電源電壓，Vref表示所述參考電壓，Cl表示所述第一開關的電容；所述第二值的大小為:Q2 = Vref XC2, Q2表示所述第二電量值，C2表示所述第二開關的電容。在所述第二種連接結構中，由存儲有第一電量值的電荷的所述第一電容和存儲有所述第二電量值的電荷的所述第二電容并聯(lián)形成的所述電
源電壓的分壓的大小為
權利要求
1.一種電壓檢測電路，其特征在于，包括:分壓電路和比較器； 所述分壓電路的輸出端輸出電源電壓的分壓并和所述比較器的第一輸入端相連，所述比較器的第二輸入端連接參考電壓； 所述分壓電路包括第一電容和第二電容； 所述第一電容的第一端連接所述參考電壓、第二端通過第一開關連接到所述電源電壓； 所述第二電容的第一端通過第二開關連接到所述參考電壓，所述第二電容的第一端通過第三開關連接地電位；所述第二電容的第二端為所述分壓電路的輸出端并和所述比較器的第一輸入端相連，所述第二電容的第二端還通過第四開關連接到所述參考電壓； 所述第一電容的第二端和所述第二電容的第二端通過第五開關相連。
2.如權利要求1所述的電壓檢測電路，其特征在于:所述分壓電路存在兩種連接結構； 第一種連接結構中: 所述第一開關、所述第三開關和所述第四開關都閉合，所述第二開關和所述第五開關斷開；所述第一電容連接于所述電源電壓和所述參考電壓之間，所述第一電容中存儲有電荷，且該電荷的電量大小為第一電量值；所述第二電容連接于所述參考電壓和地之間，所述第二電容中存儲有電荷，且該電荷的電量大小為第二電量值； 第二種連接結構中: 所述第一開關、所述第三開關和所述第四開關都斷開，所述第二開關和所述第五開關閉合；所述第一電容和所述第二電容并聯(lián)于所述參考電壓和所述分壓電路的輸出端之間，并在所述分壓電路的輸出端形成所述電源電壓的分壓。
3.如權利要求2所述的電壓檢測電路，其特征在于: 在所述第一種連接結構中，所述第一值的大小為:Q1 = (VDD-Vref) XCl, Ql表示所述第一電量值，VDD表不所述電源電壓，Vref表不所述參考電壓，Cl表不所述第一開關的電容；所述第二值的大小為:Q2 = Vref XC2, Q2表示所述第二電量值，C2表示所述第二開關的電容； 在所述第二種連接結構中，由存儲有第一電量值的電荷的所述第一電容和存儲有所述第二電量值的電荷的所述第二電容并聯(lián)形成的所述電源電壓的分壓的大小為:VDD-C1 -1-Vref-C2^ =-c +c ~-，Vx表示所述電源電壓的分壓。
4.如權利要求3所述的電壓檢測電路，其特征在于:在所述第二種連接結構中，令所述電源電壓的分壓等于所述參考電壓，所述參考電壓的大小為:Vref = ~ VDD οQ-C2
5.如權利要求1或2或3或4所述的電壓檢測電路，其特征在于:所述第一電容和所述第二電容的電容值的大小能調節(jié)且是根據所要檢測的所述電源電壓的電壓值大小進行調節(jié)，所述第一電容和所述第二電容的電容值根據所述電源電壓的分壓等于所述參考電壓的條件進行設定。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電壓檢測電路，包括分壓電路和比較器。分壓電路包括第一電容和第二電容。第一電容的第一端連接參考電壓、第二端通過第一開關連接到電源電壓。第二電容的第一端通過第二開關連接到參考電壓，第二電容的第一端通過第三開關連接地電位；第二電容的第二端為分壓電路的輸出端并和比較器的第一輸入端相連，第二電容的第二端通過第四開關連接到參考電壓。第一電容的第二端和第二電容的第二端通過第五開關相連。本發(fā)明能降低電路在芯片上的占用面積，能完全消除電路的靜態(tài)功耗從而降低電路的功耗，能保證電路具有較高的電壓分壓精度。
文檔編號G01R15/04GK103176020SQ20111043580
公開日2013年6月26日 申請日期2011年12月22日 優(yōu)先權日2011年12月22日
發(fā)明者李一天, 周平 申請人:上海華虹Nec電子有限公司