專(zhuān)利名稱(chēng)：雙插孔檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種雙插孔檢測(cè)裝置，特別涉及一種不占用CPU輸入輸出端口的雙插孔檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)在移動(dòng)終端的功能越來(lái)越多，需要占用CPU的輸入輸出端口也會(huì)越來(lái)越多，因此合理的進(jìn)行設(shè)計(jì)，盡量節(jié)省CPU端口的占用顯得非常重要。插孔的插入檢測(cè)功能，尤其是在多個(gè)插孔的情況下，移動(dòng)終端應(yīng)當(dāng)具有檢測(cè)每個(gè)插孔是處于閑置還是被插入的狀態(tài)的能力。在現(xiàn)有技術(shù)中，通常是通過(guò)為每個(gè)插孔配置一個(gè)擴(kuò)展芯片并占用CPU的一輸入輸出端口來(lái)實(shí)現(xiàn)此功能，如此，移動(dòng)終端配置的插孔越多，就需要占用越多的CPU端口，兩者是同步增加的。如前所述，移動(dòng)終端的CPU的端口資源已經(jīng)日漸緊缺，故如何在保證移動(dòng)終端具有此檢測(cè)功能的情況下，節(jié)約CPU的端口來(lái)節(jié)約硬件資源，是現(xiàn)有技術(shù)中內(nèi)亟待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種雙插孔檢測(cè)裝置，能夠僅利用一個(gè)CPU的端口實(shí)現(xiàn)兩個(gè)插孔狀態(tài)的檢測(cè)。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種雙插孔檢測(cè)裝置，包括第一插孔與第二插孔；第一機(jī)電開(kāi)關(guān)與第二機(jī)電開(kāi)關(guān)，所述第一與第二機(jī)電開(kāi)關(guān)分別設(shè)置于第一插孔和第二插孔中，根據(jù)第一或者第二插孔是否被插入而處于導(dǎo)通或者關(guān)斷狀態(tài)；檢測(cè)器，所述檢測(cè)器與第一和第二機(jī)電開(kāi)關(guān)電學(xué)連接；當(dāng)?shù)谝缓偷诙C(jī)電開(kāi)關(guān)均處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)器輸出第一電學(xué)值，當(dāng)?shù)谝粰C(jī)電開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)且第二機(jī)電開(kāi)關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)器輸出第二電學(xué)值，當(dāng)?shù)谝粰C(jī)電開(kāi)關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)且第二機(jī)電開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)器輸出第三電學(xué)值，當(dāng)?shù)谝缓偷诙C(jī)電開(kāi)關(guān)均處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)器輸出第四電學(xué)值，從而判斷第一插孔與第二插孔的狀態(tài)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，雙插孔檢測(cè)裝置通過(guò)輸出不同的電學(xué)值從而表示出當(dāng)前雙插孔的插入狀態(tài)，可以在終端中設(shè)置采樣模塊來(lái)采集這一電壓信息，然后發(fā)送給CPU進(jìn)行后續(xù)的處理，這樣僅占用CPU的一個(gè)輸入輸出端口，就可以實(shí)現(xiàn)雙插孔甚至多插孔的接口插入檢測(cè)功能。


附圖I所示是本發(fā)明的具體實(shí)施方式
所述雙插孔檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖2A是附圖I所示雙插孔檢測(cè)裝置的第一機(jī)電開(kāi)關(guān)與第一插孔之間的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖2B是附圖I所示雙插孔檢測(cè)裝置的第一機(jī)電開(kāi)關(guān)與第一插孔之間的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖3A是附圖I所示雙插孔檢測(cè)裝置的檢測(cè)器的一種具體實(shí)施方式
的電路圖。附圖3B是附圖I所示雙插孔檢測(cè)裝置的檢測(cè)器的另一種具體實(shí)施方式
的電路圖。
具體實(shí)施例方式接下來(lái)結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明所述一種雙插孔檢測(cè)裝置的具體實(shí)施方式
。附圖I所示是本發(fā)明的具體實(shí)施方式
所述雙插孔檢測(cè)裝置10的結(jié)構(gòu)示意圖，包括第一插孔111與第二插孔112、第一機(jī)電開(kāi)關(guān)121與第二機(jī)電開(kāi)關(guān)122,以及一檢測(cè)器130。所述第一機(jī)電開(kāi)關(guān)121設(shè)置于第一插孔111中，與第二機(jī)電開(kāi)關(guān)122設(shè)置于第二插孔112中。第一機(jī)電開(kāi)關(guān)121與第二機(jī)電開(kāi)關(guān)122根據(jù)第一插孔111或者第二插孔112是否被插入而處于導(dǎo)通或者關(guān)斷狀態(tài)。檢測(cè)器130與第一機(jī)電開(kāi)關(guān)121與第二機(jī)電開(kāi)關(guān)122電學(xué)連接；當(dāng)?shù)谝粰C(jī)電開(kāi)關(guān)121與第二機(jī)電開(kāi)關(guān)122,均處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),檢測(cè)器輸出第一電學(xué)值,當(dāng)?shù)谝粰C(jī)電開(kāi)關(guān)121 處于導(dǎo)通狀態(tài)且第二機(jī)電開(kāi)關(guān)122處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)器輸出第二電學(xué)值，當(dāng)?shù)谝粰C(jī)電開(kāi)關(guān)121處于關(guān)斷狀態(tài)且第二機(jī)電開(kāi)關(guān)122處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)器輸出第三電學(xué)值，當(dāng)?shù)谝粰C(jī)電開(kāi)關(guān)121與第二機(jī)電開(kāi)關(guān)122均處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)器輸出第四電學(xué)值，從而判斷第一插孔111與第二插孔112的狀態(tài)。附圖2A是附圖I所示雙插孔檢測(cè)裝置10的第一機(jī)電開(kāi)關(guān)121與第一插孔111之間的結(jié)構(gòu)不意圖。參考附圖2A所不,所述第一機(jī)電開(kāi)關(guān)121包括一第一端121a、一第二端121b、以及設(shè)置在第一端121a和第二端121b之間的一導(dǎo)電彈片121c，所述第一端121a接低電平，所述第二端121b電學(xué)連接至檢測(cè)器130。當(dāng)?shù)谝徊蹇?11無(wú)插頭插入時(shí)，導(dǎo)電彈片121c處于松弛的狀態(tài)，附圖2A所示的即為此狀態(tài)，此時(shí)第一端121a和第二端121b電學(xué)連接；當(dāng)?shù)谝徊蹇?11有插頭插入時(shí)，觸動(dòng)導(dǎo)電彈片121c使第一端121a和第二端121b電學(xué)關(guān)斷。所述第一插孔111可以是耳機(jī)插孔，所述第二插孔112可以是麥克風(fēng)插孔。附圖2B是附圖I所示雙插孔檢測(cè)裝置10的第一機(jī)電開(kāi)關(guān)121與第一插孔111之間的另一種結(jié)構(gòu)不意圖。參考附圖2B所不,所述第一機(jī)電開(kāi)關(guān)121包括一第一端121a、一第二端121b、以及設(shè)置在第一端121a和第二端121b之間的一導(dǎo)電彈片121c，所述第一端121a接低電平，所述第二端121b電學(xué)連接至檢測(cè)器130。當(dāng)?shù)谝徊蹇?11無(wú)插頭插入時(shí)，導(dǎo)電彈片121c處于松弛的狀態(tài)，附圖2A所示的即為此狀態(tài)，此時(shí)第一端121a和第二端121b電學(xué)關(guān)斷；當(dāng)?shù)谝徊蹇?11有插頭插入時(shí)，觸動(dòng)導(dǎo)電彈片121c使第一端121a和第二端121b電學(xué)連接。第二機(jī)電開(kāi)關(guān)121與第二插孔112之間的結(jié)構(gòu)與上述相同，不再贅述。除了上述結(jié)構(gòu)之外，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員還可以設(shè)計(jì)不同于附圖2A和2B的結(jié)構(gòu)，使插頭插入時(shí)，觸動(dòng)彈片或者其他機(jī)械結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通和關(guān)斷之間切換。附圖3A是附圖I所示雙插孔檢測(cè)裝置10的檢測(cè)器130的一種具體實(shí)施方式
的電路圖，包括晶體管Q1，所述晶體管Ql的柵極通過(guò)電阻R4電學(xué)連接至高電平VCC，所述晶體管Ql的柵極還電學(xué)連接至第一機(jī)電開(kāi)關(guān)121，源極接低電平(接地)，漏極通過(guò)電阻Rl電學(xué)連接至檢測(cè)器130的輸出端VOUT ;晶體管Q2，所述晶體管Q2的柵極通過(guò)電阻R5電學(xué)連接至高電平VCC，所述晶體管Ql的柵極還電學(xué)連接至第二機(jī)電開(kāi)關(guān)122，源極接低電平，漏極通過(guò)電阻R2電學(xué)連接至檢測(cè)器130的輸出端VOUT ;電阻R3，電阻R3的第一端電學(xué)連接至高電平VCC，第二端電學(xué)連接至檢測(cè)器130的輸出端VOUT。晶體管Ql和Q2可以是N溝道MOSFET,例如可以選擇2N7002來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)。電阻R4和R5值為KΩ量級(jí)的電阻，例如可以設(shè)為100ΚΩ，其作為晶體管Ql和Q2的上拉電阻。所述電阻Rl和電阻R2的電阻值不相等。繼續(xù)參考附圖3A，并以附圖2A所示的插孔與開(kāi)關(guān)之間的邏輯關(guān)系為例，對(duì)第一插孔111與第二插孔112中各自有無(wú)插入的四種情況分別進(jìn)行討論。第一種情況當(dāng)?shù)谝徊蹇?11與第二插孔112都未插入時(shí)，第一機(jī)電開(kāi)關(guān)121與第二機(jī)電開(kāi)關(guān)122均為導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管Ql和Q2的柵極均接低電平，晶體管Ql和Q2斷開(kāi)，輸出端VOUT的輸出電平即為高電平VCC的電壓值。
第二種情況當(dāng)只有第一插孔111插入時(shí)，晶體管Ql的柵極為高電平，晶體管Q2的柵極為低電平，晶體管Ql導(dǎo)通，晶體管Q2斷開(kāi)，則輸出端VOUT的輸出為(Rl/R1+R3) XVCC0第三種情況，當(dāng)只有第二插孔112插入時(shí)，晶體管Q2的柵極為高電平，晶體管Ql的柵極為低電平，晶體管Q2導(dǎo)通，晶體管Ql斷開(kāi)，則輸出端VOUT的輸出為(R2/R2+R3) XVCC0這里顯然要Rl與R2的電阻值不相等，才能分辨出是第一插孔111還是第二插孔112處于插入狀態(tài)。第四種情況，當(dāng)?shù)谝徊蹇?11和第二插孔112都插入的時(shí)候，晶體管Ql和Q2的柵極均接高電平，則晶體管Ql和Q2都導(dǎo)通，則ADC_IN的輸出為
Dl η PO
則二其中R1//R2表示Rl和R2的并聯(lián)電阻值。
// KZ Ki如果插孔與開(kāi)關(guān)之間的邏輯關(guān)系是附圖2Β所示的情況，則以上第一和第四種情況的輸出值對(duì)調(diào)，第二與第三種情況的輸出值對(duì)調(diào)，仍然可以判斷插孔的插入狀態(tài)。設(shè)計(jì)可根據(jù)終端其他元件的要求來(lái)選擇VCC的值，同時(shí)Rl，R2, R3的值也可以進(jìn)行改變。雙插孔檢測(cè)裝置10通過(guò)輸出不同的電壓值從而表示出當(dāng)前雙插孔的插入狀態(tài)，可以在終端中設(shè)置采樣模塊來(lái)采集這一電壓信息，然后發(fā)送給CPU進(jìn)行后續(xù)的處理，從而實(shí)現(xiàn)雙耳機(jī)接口插入檢測(cè)功能。附圖3Β是附圖I所示雙插孔檢測(cè)裝置10的檢測(cè)器130的另一種具體實(shí)施方式
的電路圖，主要包括比較器Ul、U2，以及電阻Rl、R2、R3。比較器Ul和U2可選擇為比較器LM393，該款比較器為典型的電壓比較器。所述比較器Ul的同向輸入端通過(guò)上拉電阻R9電學(xué)連接至高電平，比較器Ul的同向輸入端還電學(xué)連接至第一機(jī)電開(kāi)關(guān)121 ;比較器Ul的反向輸入端電學(xué)連接至電阻R4和R5之間以獲得一參考電平VREF，由于R4的另一端接高電平VCC，R5的另一端接地，故此參考電平VREF低于同向輸入端電學(xué)連接的高電平VCC ;比較器Ul的輸出端通過(guò)電阻Rl電學(xué)連接至檢測(cè)器130的輸出端。電阻R4和R5值為ΚΩ量級(jí)的電阻，例如可以設(shè)為100ΚΩ。所述比較器U2的同向輸入端通過(guò)上拉電阻R8電學(xué)連接至高電平，比較器U2的同向輸入端還電學(xué)連接至第二機(jī)電開(kāi)關(guān)122 ;比較器U2的反向輸入端電學(xué)連接至電阻R6和R7之間以獲得一參考電平VREF，由于R6的另一端接高電平VCC，R7的另一端接地，故此參考電平VREF低于同向輸入端電學(xué)連接的高電平VCC ;比較器U2的輸出端通過(guò)電阻R2電學(xué)連接至檢測(cè)器130的輸出端。電阻R3的第一端電學(xué)連接至高電平VCC，第二端電學(xué)連接至檢測(cè)器130的輸出端。
所述檢測(cè)器130進(jìn)一步包括電容Cl和C2。電容Cl的第一端電學(xué)連接至第一比較器Ul的反向輸入端，第二端接低電平；電容C2第一端電學(xué)連接至第二比較器U2的反向輸入端，第二端接低電平。電容Cl和C2主要起到高頻濾波的作用。繼續(xù)參考附圖3B，并以附圖2A所示的插孔與開(kāi)關(guān)之間的邏輯關(guān)系為例，對(duì)第一插孔111與第二插孔112中各自有無(wú)插入的四種情況分別進(jìn)行討論。第一種情況當(dāng)?shù)谝徊蹇?11與第二插孔112都未插入時(shí)，第一機(jī)電開(kāi)關(guān)121與第二機(jī)電開(kāi)關(guān)122均為導(dǎo)通狀態(tài)，比較器Ul和U2的正向輸入端均為低電平，故比較器Ul和
U2均輸出低電平，輸出端VOUT的輸出電壓為
權(quán)利要求
1.一種雙插孔檢測(cè)裝置，其特征在于，包括 第一插孔與第二插孔； 第一機(jī)電開(kāi)關(guān)與第二機(jī)電開(kāi)關(guān)，所述第一與第二機(jī)電開(kāi)關(guān)分別設(shè)置于第一插孔和第二插孔中，根據(jù)第一或者第二插孔是否被插入而處于導(dǎo)通或者關(guān)斷狀態(tài)； 檢測(cè)器，所述檢測(cè)器與第一和第二機(jī)電開(kāi)關(guān)電學(xué)連接； 當(dāng)?shù)谝缓偷诙C(jī)電開(kāi)關(guān)均處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)器輸出第一電學(xué)值，當(dāng)?shù)谝粰C(jī)電開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)且第二機(jī)電開(kāi)關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)器輸出第二電學(xué)值，當(dāng)?shù)谝粰C(jī)電開(kāi)關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)且第二機(jī)電開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)器輸出第三電學(xué)值，當(dāng)?shù)谝缓偷诙C(jī)電開(kāi)關(guān)均處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)器輸出第四電學(xué)值，從而判斷第一插孔與第二插孔的狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙插孔檢測(cè)裝置，其特征在于，所述第一機(jī)電開(kāi)關(guān)和第二機(jī)電開(kāi)關(guān)各自包括一第一端、一第二端、以及設(shè)置在第一端和第二端之間的一導(dǎo)電彈片，所述第一端接低電平，所述第二端電學(xué)連接至檢測(cè)器；當(dāng)對(duì)應(yīng)的插孔無(wú)插頭插入時(shí)，導(dǎo)電彈片將第一端和第二端電學(xué)連接，當(dāng)對(duì)應(yīng)的插孔有插頭插入時(shí)，觸動(dòng)導(dǎo)電彈片使第一端和第二端電學(xué)關(guān)斷。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙插孔檢測(cè)裝置，其特征在于，所述第一機(jī)電開(kāi)關(guān)和第二機(jī)電開(kāi)關(guān)各自包括一第一端、一第二端、以及設(shè)置在第一端和第二端之間的一導(dǎo)電彈片，所述第一端接低電平，所述第二端電學(xué)連接至檢測(cè)器；當(dāng)對(duì)應(yīng)的插孔無(wú)插頭插入時(shí)，導(dǎo)電彈片將第一端和第二端電學(xué)關(guān)斷，當(dāng)對(duì)應(yīng)的插孔有插頭插入時(shí)，觸動(dòng)導(dǎo)電彈片使第一端和第二端電學(xué)導(dǎo)通。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3任意一項(xiàng)所述的雙插孔檢測(cè)裝置，其特征在于，所述檢測(cè)器包括 一第一晶體管，所述第一晶體管的柵極電學(xué)連接至高電平和第一機(jī)電開(kāi)關(guān)，源極接低電平，漏極通過(guò)一第一電阻電學(xué)連接至檢測(cè)器的輸出端； 一第二晶體管，所述第二晶體管的柵極電學(xué)連接至高電平和第二機(jī)電開(kāi)關(guān)，源極接低電平，漏極通過(guò)一第二電阻電學(xué)連接至檢測(cè)器的輸出端，所述第一電阻和第二電阻的電阻值不相等； 一第三電阻，所述第三電阻的第一端電學(xué)連接至高電平，第二端電學(xué)連接至檢測(cè)器的輸出端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙插孔檢測(cè)裝置，其特征在于，所述檢測(cè)器進(jìn)一步包括一第四電阻和一第五電阻，所述第一晶體管的柵極通過(guò)第四電阻電學(xué)連接至高電平，第二晶體管的柵極通過(guò)第五電阻電學(xué)連接至高電平。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至3任意一項(xiàng)所述的雙插孔檢測(cè)裝置，其特征在于，所述檢測(cè)器包括 一第一比較器，所述第一比較器的同向輸入端電學(xué)連接至高電平和第一機(jī)電開(kāi)關(guān)，反向輸入端接一低于同向輸入端電學(xué)連接的高電平的參考電平，輸出端通過(guò)一第一電阻電學(xué)連接至檢測(cè)器的輸出端； 一第二比較器，所述第二比較器的同向輸入端電學(xué)連接至高電平和第二機(jī)電開(kāi)關(guān)，反向輸入端接一低于同向輸入端電學(xué)連接的高電平的參考電平，輸出端通過(guò)一第二電阻電學(xué)連接至檢測(cè)器的輸出端，所述第一電阻和第二電阻的電阻值不相等；一第三電阻，所述第三電阻的第一端電學(xué)連接至高電平，第二端電學(xué)連接至檢測(cè)器的輸出端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙插孔檢測(cè)裝置，其特征在于，所述檢測(cè)器進(jìn)一步包括第一電容和第二電容；所述第一電容的第一端電學(xué)連接至第一比較器的反向輸入端，第二端接低電平；所述第二電容的第一端電學(xué)連接至第二比較器的反向輸入端，第二端接低電平。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙插孔檢測(cè)裝置，其特征在于，所述第一插孔是耳機(jī)插孔，所述第二插孔是麥克風(fēng)插孔。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種雙插孔檢測(cè)裝置，包括第一插孔與第二插孔；第一機(jī)電開(kāi)關(guān)與第二機(jī)電開(kāi)關(guān)，所述第一與第二機(jī)電開(kāi)關(guān)分別設(shè)置于第一插孔和第二插孔中，根據(jù)第一或者第二插孔是否被插入而處于導(dǎo)通或者關(guān)斷狀態(tài)；檢測(cè)器，所述檢測(cè)器與第一和第二機(jī)電開(kāi)關(guān)電學(xué)連接；當(dāng)?shù)谝缓偷诙C(jī)電開(kāi)關(guān)均處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)器輸出第一電學(xué)值，當(dāng)?shù)谝粰C(jī)電開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)且第二機(jī)電開(kāi)關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)器輸出第二電學(xué)值，當(dāng)?shù)谝粰C(jī)電開(kāi)關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)且第二機(jī)電開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)器輸出第三電學(xué)值，當(dāng)?shù)谝缓偷诙C(jī)電開(kāi)關(guān)均處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)器輸出第四電學(xué)值，從而判斷第一插孔與第二插孔的狀態(tài)。
文檔編號(hào)G01R31/00GK102955082SQ20111024838
公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2011年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月26日
發(fā)明者徐建紅 申請(qǐng)人:希姆通信息技術(shù)(上海)有限公司