專利名稱：檢查發(fā)光裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明示例實(shí)施例主要涉及一種檢查發(fā)光裝置的方法。更特別的是，本發(fā)明示例實(shí)施例涉及一種對(duì)諸如發(fā)光二極管芯片之類的發(fā)光裝置進(jìn)行電檢查工藝和光檢查工藝的方法。
背景技術(shù)：
通常，在半導(dǎo)體晶片上形成的諸如發(fā)光二極管(LED)芯片之類的發(fā)光裝置在通過(guò)用切割工藝分成個(gè)體之后，可以通過(guò)裸芯(die)粘結(jié)工藝附著在諸如導(dǎo)引框架之類的襯底上。然后，可以在所述發(fā)光裝置上執(zhí)行電和光檢查工藝?？梢酝ㄟ^(guò)使用多個(gè)探針將電信號(hào)施加到所述發(fā)光裝置來(lái)在所述發(fā)光裝置上進(jìn)行檢查工藝。特別是，要檢查所述發(fā)光裝置是否正常工作，電檢查工藝測(cè)量流經(jīng)所述發(fā)光裝置的電流或者所述發(fā)光裝置的電阻，光檢查工藝測(cè)量通過(guò)在所述發(fā)光裝置上施加電信號(hào)所發(fā)出的光的強(qiáng)度。但是，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，所述檢查工藝分別在通過(guò)用切割工藝和裸芯粘結(jié)工藝個(gè)體化的每個(gè)發(fā)光裝置上分別進(jìn)行，使得用光和電檢查所述發(fā)光裝置所需要的時(shí)間增加，因而使所述發(fā)光裝置的產(chǎn)量降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明示例的實(shí)施例提供一種晶片水平檢查工藝，能夠?qū)π纬捎诰系陌l(fā)光裝置按序進(jìn)行電檢查工藝和光檢查工藝。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種檢查發(fā)光裝置的方法包括將晶片裝載到第一卡盤上，所述晶片上形成有多個(gè)發(fā)光裝置；對(duì)所述晶片進(jìn)行電檢查工藝和光檢查工藝其中的一個(gè)工藝；將所述晶片裝載到第二卡盤上；進(jìn)行所述電檢查工藝和光檢查工藝其中的另一個(gè)工藝。根據(jù)一些示例實(shí)施例，所述晶片可以包括多個(gè)裸芯，并所述晶片以附接在切割帶上的狀態(tài)來(lái)提供，所述裸芯中的每一個(gè)裸芯都可以包括至少一個(gè)發(fā)光裝置。根據(jù)一些示例實(shí)施例，可以將所述發(fā)光裝置分成多個(gè)第一組，可以對(duì)所述第一組重復(fù)進(jìn)行所述電檢查工藝。根據(jù)一些示例實(shí)施例，可以將所述發(fā)光裝置分成多個(gè)第二組，可以對(duì)從所述多個(gè)第二組中的每個(gè)第二組選擇的至少一個(gè)發(fā)光裝置進(jìn)行所述光檢查工藝。根據(jù)一些示例實(shí)施例，分別使用具有多個(gè)第一探針的第一探針卡和具有多個(gè)第二探針的第二探針卡進(jìn)行所述電檢查工藝和所述光檢查工藝。根據(jù)一些示例實(shí)施例，在進(jìn)行所述電檢查工藝之前，可以將所述晶片與所述第一探針卡對(duì)準(zhǔn)，以及在進(jìn)行所述光檢查工藝之前，可以將所述晶片與所述第二探針卡對(duì)準(zhǔn)。根據(jù)一些示例實(shí)施例，所述晶片可以通過(guò)用晶片傳送機(jī)械手來(lái)傳送，并在被裝載到所述第一卡盤上之前，可以被預(yù)先對(duì)準(zhǔn)到所述晶片傳送機(jī)械手的機(jī)械手臂上的預(yù)定位置。根據(jù)一些示例實(shí)施例，當(dāng)對(duì)一個(gè)所述晶片進(jìn)行所述電檢查工藝和所述光檢查工藝其中的一個(gè)工藝時(shí)，可以對(duì)另一個(gè)所述晶片進(jìn)行所述電檢查工藝和光檢查工藝其中的另一個(gè)工藝。例如，當(dāng)對(duì)第一晶片進(jìn)行電檢查工藝時(shí)，可以對(duì)第二晶片進(jìn)行光檢查工藝。根據(jù)一些示例實(shí)施例，在從所述第一卡盤上卸載所述晶片之后，可以將另一晶片裝載到所述第一卡盤上，然后可以將所述晶片裝載到所述第二卡盤上。根據(jù)上文描述的本發(fā)明的示例實(shí)施例，可以對(duì)形成于所述晶片上的發(fā)光裝置按序進(jìn)行所述電檢查工藝和所述光檢查工藝。特別的是，對(duì)所述第一晶片進(jìn)行的光檢查工藝和對(duì)所述第二晶片進(jìn)行的電檢查工藝可以同時(shí)進(jìn)行，這樣可以縮短對(duì)所述發(fā)光裝置進(jìn)行電和光檢查所需要的時(shí)間。進(jìn)一步地，在將所述第一晶片從所述第一卡盤上卸載之后，可以將所述第二晶片 裝載到所述第一卡盤上，然后可以將所述第一晶片裝載到所述第二卡盤上。因此，可以縮短在所述第一卡盤和所述第二卡盤之間傳送所述晶片的時(shí)間。


隨著下文的詳細(xì)描述，當(dāng)與附圖結(jié)合起來(lái)考慮時(shí)，本發(fā)明的示例實(shí)施例將會(huì)變得易于理解，其中圖I是流程圖，圖示根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施例的檢查發(fā)光裝置的方法；圖2是圖示用于檢查發(fā)光裝置的設(shè)備的例子的示意圖；圖3是圖不圖2所不的晶片的不意圖；圖4是圖示圖2所示的第一^^盤和電檢查部的示意圖；圖5是圖示圖2所示的第二卡盤和光檢查部的示意圖。
具體實(shí)施例方式接下來(lái)參考顯示了本發(fā)明的示例實(shí)施例的附圖更充分地描述本發(fā)明。但是，本發(fā)明可以體現(xiàn)為不同的形式，不應(yīng)當(dāng)理解為受到此處羅列的示例實(shí)施例的限制。更準(zhǔn)確地說(shuō)，提供這些實(shí)施例是使本說(shuō)明書詳盡和完整，充分地將本發(fā)明的范疇傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，各層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸可能會(huì)有夸大。將會(huì)理解到，當(dāng)稱一個(gè)部件或者層是“在......之上”或者“連接到”另一個(gè)部件
或者層時(shí)，它可以是直接在另一個(gè)部件或者層上或者連接在另一個(gè)部件或者層上，或者是
有居于中間的元件或者層。相反，當(dāng)稱一個(gè)部件是“直接在......之上”或者“直接連接
至IJ”另一個(gè)部件或者層，那么就沒有居于中間的部件或者層。在整個(gè)說(shuō)明書中，相同的參考標(biāo)號(hào)指的是相同的部件。本說(shuō)明書中所使用的措詞“和/或”包括所羅列的相關(guān)聯(lián)的項(xiàng)目中的一項(xiàng)或多項(xiàng)的所有組合。要理解的是，雖然此處可能使用第一、第二、第三等等措詞來(lái)描述各種部件、元件、區(qū)域、層和/或區(qū)塊，這些部件、元件、區(qū)域、層和/或區(qū)塊不應(yīng)當(dāng)受到這些措詞的限制。這些措詞僅用于區(qū)分一個(gè)部件、元件、區(qū)域、層或者區(qū)塊與另一個(gè)區(qū)域、層或者區(qū)塊。因此，在不偏離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下文討論的第一部件、組件、區(qū)域、層或者區(qū)塊可以被稱為是第二部件、組件、區(qū)域、層或者區(qū)塊。
在本說(shuō)明書中，可能會(huì)使用諸如“下方的”、“上方的”等等之類與空間位置相關(guān)的措詞，以使附圖中圖示的一個(gè)部件或者特征與另一個(gè)部件或者特征的關(guān)系描述起來(lái)容易。要理解的是，與空間位置相關(guān)的措詞旨在涵蓋除了附圖中所描述的裝置的方位之外，裝置在使用中或者操作中的不同方位。例如，如果附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)，則描述為在其它部件或者特征“下面”或者“下方”的部件的方位為在所述其它部件或者特征的“上方”。因此，
示例的措詞“在......下面”可以涵蓋上方和下方兩個(gè)方位?？梢杂脛e的方式確定裝置的
方位(轉(zhuǎn)動(dòng)90度或者在其它方位)，本說(shuō)明書中所使用的空間相對(duì)位置的描述將作相應(yīng)的 解釋。本說(shuō)明書中所用的術(shù)語(yǔ)的目的只是為了描述特殊的實(shí)施例，并不旨在限制本發(fā)明。如本說(shuō)明書中所使用的單數(shù)形式的“一種”和“所述”還旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非在語(yǔ)境里另有明確表述。進(jìn)一步應(yīng)當(dāng)理解的是，在說(shuō)明書中所用的措辭“包括”，指定的是出現(xiàn)了所陳述的特征、整數(shù)(integer)、步驟、操作、部件和/或組件，但是不排除出現(xiàn)或者附加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體(integer)、步驟、操作、部件、組件和/或它們的組合。除非另有定義，本說(shuō)明書中使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))的意思和本發(fā)明所屬領(lǐng)域技術(shù)的普通技術(shù)人員通常所理解的意思相同。進(jìn)一步理解的是，諸如常用字典中所定義的那些術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)被理解為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)技術(shù)領(lǐng)域情景中的意思相同的意思，不應(yīng)解釋為理想化或者過(guò)于正式的意思，除非另有定義。本發(fā)明的示例實(shí)施例是參考剖視圖來(lái)描述的，這些剖視圖是本發(fā)明理想化的實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因而，由于例如制造技術(shù)和/或容差造成的所述示圖中的形狀的變形是可以預(yù)期的。因此，本發(fā)明示例的實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)視為是受到此處圖示的區(qū)域的特定形狀的限制，而是包括例如由于制造所產(chǎn)生的形狀的偏差。附圖中圖示的區(qū)域本質(zhì)上是用于示意，它們的形狀不是圖示設(shè)備的區(qū)域的實(shí)際形狀，不是旨在限制本發(fā)明的范疇。圖I是圖示根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施例的檢查發(fā)光裝置的方法的流程圖，圖2是圖示用于檢查發(fā)光裝置的設(shè)備的示例的示意圖。如圖I所示，根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施例的一種檢查發(fā)光裝置的方法可以用來(lái)對(duì)形成于晶片10 (見圖2)上的諸如LED晶片之類的發(fā)光裝置20 (見圖3)進(jìn)行電檢查工藝和光檢
查工藝。參考圖2，在用于檢查發(fā)光裝置20的設(shè)備100的中間部分可放置有用于容納多個(gè)晶片10的晶片盒(cassette) 102。在晶片盒102的附近可以設(shè)置一個(gè)晶片傳送機(jī)械手104以傳送晶片10。進(jìn)而，有第一平臺(tái)(stage) 110和第二平臺(tái)120各自放置在晶片傳送機(jī)械手104的兩側(cè)，在第一和第二平臺(tái)110和120的附近可分別放置有電檢查部130和光檢查部140。同時(shí)，雖然是將第一平臺(tái)110放置在電檢查部130的附近，將第二平臺(tái)120放置在光檢查部140的附近，但也可以將第二平臺(tái)120放置在電檢查部130的附近，并可以將第一平臺(tái)110放置在光檢查部140的附近。在第一平臺(tái)110上可以設(shè)置第一卡盤(chuck) 112，以支承待接受所述電檢查工藝的晶片10，第一平臺(tái)110可以被設(shè)置在第一驅(qū)動(dòng)區(qū)114上。第一驅(qū)動(dòng)區(qū)114可提供來(lái)使第一平臺(tái)110水平地及垂直地移動(dòng)。在第二平臺(tái)120上可以設(shè)置有第二卡盤122，以支承待接受所述光檢查工藝的晶片10，第二平臺(tái)120可以被設(shè)置在第二驅(qū)動(dòng)部124上。第二驅(qū)動(dòng)部124可提供來(lái)使第二平臺(tái)120水平地及垂直地移動(dòng)。而且，第一驅(qū)動(dòng)部114可以配置為使第一卡盤112轉(zhuǎn)動(dòng)，第二驅(qū)動(dòng)部124可配置為使第二卡盤122轉(zhuǎn)動(dòng)。同時(shí)，第一和第二驅(qū)動(dòng)部114和124的操作可以由控制器來(lái)控制(未示)。圖3是圖示圖2所示的晶片的示意圖，圖4是圖示圖2所示的第一^^盤和電檢查部的示意圖，圖5是圖示圖2所示的第二卡盤和光檢查部的示意圖。參考圖3至圖5，晶片10可以包括通過(guò)切割工藝分成個(gè)體的多個(gè)裸芯30，每個(gè)裸芯30可以包括至少一個(gè)發(fā)光裝置20。特別的是，可以將晶片10放置在平臺(tái)中，其中，通過(guò)切割帶12將裸芯30安裝到晶片環(huán)14上。第一卡盤112的中心部分可以朝上突出?？梢詫⒙阈?0裝載到第一卡盤112的中心部分上，可以將晶片環(huán)14裝載到第一卡盤112的邊緣部分上。在這里，第一卡盤112的邊緣部分可以具有多個(gè)真空孔112A，通過(guò)真空孔112A提供的真空力可以將晶片環(huán)14吸在卡盤112的邊緣部分。同時(shí)，第二卡盤122的構(gòu)造可以與第一卡盤112相同，因而忽略對(duì)第二卡盤122的進(jìn)一步詳細(xì)描述。 電檢查部130可以包括具有多個(gè)將電信號(hào)加在發(fā)光裝置20上的第一探針134的第一探針卡132。進(jìn)而,可以在電檢查部130的一側(cè)設(shè)置第一上方相機(jī)150,以獲取晶片10的圖像，可以在第一平臺(tái)110的一側(cè)設(shè)置第一下方相機(jī)152，以獲取第一探針134的圖像。第一上方和下方相機(jī)150和152可用來(lái)使晶片10和第一探針卡132互相對(duì)準(zhǔn)。同時(shí)，可以將第一探針卡132與第一測(cè)試儀160連接。光檢查部140可以包括具有將電信號(hào)施加到發(fā)光裝置20的多個(gè)第二探針144的第二探針卡142。進(jìn)一步地，可以在光檢查部140的一側(cè)設(shè)置第二上方相機(jī)170，以獲取晶片10的圖像，可以在第二平臺(tái)120的一側(cè)設(shè)置第二下方相機(jī)172，以獲取第二探針144的圖像。第二上方和下方相機(jī)170和172可用于使晶片10和第二探針卡142互相對(duì)準(zhǔn)。同時(shí)，可以將第二探針卡142與第二測(cè)試儀180連接。第二測(cè)試儀180可以包括光檢測(cè)儀182，檢測(cè)從發(fā)光裝置20發(fā)出的光。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例實(shí)施例，可以將容納多個(gè)晶片10的便攜式晶片盒輸送到檢查設(shè)備100中。在這樣的情況下，雖然圖中未示，檢查設(shè)備100可以包括其上放置所述便攜式晶片盒的晶片盒平臺(tái)(未示)。例如，可以將兩個(gè)便攜式晶片盒輸送到檢查設(shè)備100中。在這種情況下，檢查設(shè)備100可以包括第一晶片盒平臺(tái)和設(shè)置在第一晶片盒平臺(tái)上方的第二晶片盒平臺(tái)，以支撐所述便攜式晶片盒。特別的是，可以在所述第二晶片盒平臺(tái)安裝一對(duì)對(duì)準(zhǔn)塊(圖中未示)，以預(yù)先對(duì)準(zhǔn)通過(guò)晶片傳送機(jī)械手104從其中一個(gè)便攜式晶片盒中搬出的晶片10，并可以在晶片傳送機(jī)械手104的機(jī)械手臂上設(shè)置一個(gè)制動(dòng)子(圖中未示)。晶片傳送機(jī)械手104可以使裝載在所述機(jī)械手臂上的晶片10朝所述對(duì)準(zhǔn)塊移動(dòng)，使得可以使晶片10碰到所述對(duì)準(zhǔn)塊，然后被朝后推。在這里，可以通過(guò)所述對(duì)準(zhǔn)塊將晶片10推到所述機(jī)械手臂上的制動(dòng)子之處，并因而可以在所述機(jī)械手臂上預(yù)先對(duì)準(zhǔn)。特別的是，因?yàn)榫?0的形狀大約為圓形，經(jīng)過(guò)所述預(yù)先對(duì)準(zhǔn)步驟可以將晶片10與所述機(jī)械手臂上的預(yù)定位置對(duì)準(zhǔn)。接下來(lái)參考圖I至5更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施例的檢查發(fā)光裝置的方法。在步驟SlOO中，可以將多個(gè)晶片10送到晶片盒102中。例如，可以通過(guò)用軌道導(dǎo)引的車輛(rail guided vehicle,RGV)將晶片10送到晶片盒102中。或者，可以將其中容納多個(gè)晶片10的便攜式晶片盒送到檢查設(shè)備100中。在步驟SllO中，可以將其中一個(gè)晶片10(在下文中稱作第一晶片)裝載到第一卡盤112上。所述第一晶片可以通過(guò)晶片傳送機(jī)械手104從晶片盒102傳送到第一卡盤112上。在這里，可以將所述第一晶片的裸芯裝載到第一卡盤112的中心部分上，將所述第一晶片的晶片環(huán)裝載到第一卡盤112的邊緣部分。可以通過(guò)由真空孔112A提供的真空力量將所述第一晶片的晶片環(huán)保持在第一卡盤112的邊緣部分。
在步驟S120中，使所述第一晶片相對(duì)于第一探針卡132對(duì)準(zhǔn)。特別的是，第一驅(qū)動(dòng)部114可以移動(dòng)第一平臺(tái)110，使得第一下方相機(jī)152的光軸和第一上方相機(jī)150的光軸互相對(duì)齊。然后，第一驅(qū)動(dòng)部114可以移動(dòng)第一平臺(tái)110，使得通過(guò)第一上方相機(jī)150獲得晶片10的圖像，并可以進(jìn)一步移動(dòng)第一平臺(tái)110，使得通過(guò)第一下方相機(jī)152獲得第一探針卡132的第一探針134的圖像。進(jìn)而，第一驅(qū)動(dòng)部114可以根據(jù)晶片10的圖像，通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)第一卡盤112來(lái)調(diào)節(jié)晶片10的轉(zhuǎn)動(dòng)角度，并可以根據(jù)晶片10和第一探針卡132的第一探針134的圖像，進(jìn)一步移動(dòng)第一驅(qū)動(dòng)部114，使得所述第一晶片的發(fā)光裝置與第一探針卡132的第一探針134對(duì)準(zhǔn)。同時(shí)，在將所述第一晶片傳送到第一卡盤112上之前，可以進(jìn)一步對(duì)所述第一晶片進(jìn)行預(yù)先對(duì)準(zhǔn)步驟。例如，晶片傳送機(jī)械手104可以從晶片盒102中搬出所述第一晶片，然后使所述第一晶片朝所述對(duì)準(zhǔn)塊(alignment block)移動(dòng)，使得將所述第一晶片碰到所述對(duì)準(zhǔn)塊，然后被推到晶片傳送機(jī)械手104的機(jī)械手臂上的制動(dòng)子之處。結(jié)果，可以將所述第一晶片的中心與晶片傳送機(jī)械手104的機(jī)械手臂上的預(yù)定位置預(yù)先對(duì)準(zhǔn)?？梢詫?duì)所述第一晶片進(jìn)行預(yù)先對(duì)準(zhǔn)步驟，以縮短將所述第一晶片與第一探針卡132對(duì)準(zhǔn)所需的時(shí)間。在步驟S130中，可以對(duì)所述第一晶片執(zhí)行電檢查工藝。所述電檢查工藝可以通過(guò)用第一探針卡132的第一探針134將電信號(hào)施加到所述第一晶片的發(fā)光裝置上來(lái)進(jìn)行。特別的是，第一驅(qū)動(dòng)部114可以垂直移動(dòng)第一平臺(tái)110或者第一卡盤112，使得將第一探針134與所述發(fā)光裝置的電極墊22(見圖3)接觸。在這里，第一探針卡132的多個(gè)第一探針134可以同時(shí)與多個(gè)所述發(fā)光裝置的電極墊22接觸。特別的是，可以將所述第一晶片的發(fā)光裝置分成多個(gè)第一組，所述多個(gè)第一組中的每一組可以包括多個(gè)發(fā)光裝置。例如，所述多個(gè)第一組中的每一組可以包括二十七個(gè)發(fā)光裝置，多個(gè)第一探針134可同時(shí)與二十七個(gè)發(fā)光裝置接觸。在這里，可以將所述電信號(hào)通過(guò)用第一探針134按順序施加到所述二十七個(gè)發(fā)光裝置上?？商鎿Q的是，可以通過(guò)第一探針134將電信號(hào)同時(shí)施加到所述二十七個(gè)發(fā)光裝置上?？梢詫?duì)所述第一組重復(fù)執(zhí)行所述電檢查工藝，第一驅(qū)動(dòng)114可以使第一平臺(tái)110水平地及垂直地移動(dòng)來(lái)進(jìn)行所述電檢查工藝。在執(zhí)行完步驟S130之后，在步驟S140，可以將所述第一晶片裝載到第二卡盤122上。特別的是，可以通過(guò)用晶片傳送機(jī)械手104將所述第一晶片從第一卡盤112傳送到第二卡盤122上，然后可通過(guò)由第二卡盤122的真空孔提供的真空力量吸在第二卡盤122上。同時(shí)，晶片傳送機(jī)械手104可以從晶片盒102傳送另一個(gè)晶片(在下文稱作第二晶片)到第一卡盤112上。例如，可以在將所述第一晶片傳送到第二卡盤122上之后，晶片傳送機(jī)械手104將所述第二晶片移到第一卡盤112上。
可替換的是，可以在將所述第一晶片傳送到第二卡盤122上之前，晶片傳送機(jī)械手104將所述第二晶片傳送到第一卡盤112上。在這種情況下，晶片傳送機(jī)械手104可以包括兩個(gè)機(jī)械手臂(圖中未示)。晶片傳送機(jī)械手104可以使用第一機(jī)械手臂從晶片盒102搬出第二晶片，使用第二機(jī)械手臂從第一卡盤112上卸載所述第一晶片，將所述第二晶片裝載到第一卡盤112，然后將所述第一晶片傳送到第二卡盤122上。也就是說(shuō)，晶片傳送機(jī)械手104可以在第一卡盤112上用所述第二晶片替換所述第一晶片，從而縮短了傳送所述第一和第二晶片所需的時(shí)間。同時(shí)，在將所述第二晶片傳送到第一卡盤112之前，可以對(duì)所述第二晶片執(zhí)行預(yù)先對(duì)準(zhǔn)步驟。進(jìn)而，在將所述第一晶片傳送到第二卡盤122上之前，可以對(duì)所述第一晶片執(zhí)行所述預(yù)先對(duì)準(zhǔn)步驟。在步驟S150中，所述第一晶片可以與第二探針卡142進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。步驟S150中所述第一晶片的對(duì)準(zhǔn)可以使用第二上方和下方相機(jī)170和172來(lái)執(zhí)行，這與已經(jīng)描述的步驟S120類似。因此，可以忽略對(duì)步驟S150中對(duì)準(zhǔn)所述第一晶片的進(jìn)一步描述。同時(shí)，在進(jìn)行所述第一晶片的對(duì)準(zhǔn)時(shí)，可以在電檢查部130中進(jìn)行所述第二晶片的對(duì)準(zhǔn)。所述第二晶片的對(duì)準(zhǔn)可以使用第一上方和下方相機(jī)150和152來(lái)進(jìn)行。在步驟S160中，可以對(duì)所述第一晶片進(jìn)行所述光檢查工藝。所述光檢查工藝可以通過(guò)用第二探針卡142的第二探針144將電信號(hào)施加到所述第一晶片的發(fā)光裝置上來(lái)進(jìn)行。特別的是，第二驅(qū)動(dòng)部分124可以使第二平臺(tái)120或者第二卡盤122垂直地移動(dòng)，使得可以讓第二探針144與所述發(fā)光裝置的電極墊接觸。在此處，第二探針卡142的多個(gè)第二探針144可以同時(shí)與所述多個(gè)發(fā)光裝置的電極墊接觸。特別的是，可以將所述第一晶片的發(fā)光裝置分成多個(gè)第二組，所述多個(gè)第二組中的每一組可以包括多個(gè)發(fā)光裝置。也就是說(shuō)，多個(gè)第二探針144可以同時(shí)與構(gòu)成所述第二組的每一組的多個(gè)發(fā)光裝置接觸，并可以按順序?qū)⑺鲭娦盘?hào)施加到所述發(fā)光裝置上?？商鎿Q的是，可以同時(shí)通過(guò)多個(gè)第二探針144將所述電信號(hào)施加到所述輸送發(fā)光裝置上。根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)示例實(shí)施例，可以對(duì)所述第一晶片的發(fā)光裝置有選擇地進(jìn)行所述光檢查工藝。例如，可以對(duì)從所述第一晶片的第二組中的每一組選擇的至少一個(gè)發(fā)光裝置執(zhí)行所述光檢查工藝。同時(shí)，第二驅(qū)動(dòng)部124可以水平地及垂直地移動(dòng)第二平臺(tái)120，以對(duì)所述第二組的第一晶片重復(fù)進(jìn)行所述光檢查工藝。還有，當(dāng)對(duì)所述第一晶片進(jìn)行所述光檢查工藝時(shí)，可以在電檢查部130中對(duì)所述第二晶片進(jìn)行電檢查工藝。另外，雖然是對(duì)所述第一晶片依次進(jìn)行所述電檢查工藝和光檢查工藝，但是可以先進(jìn)行所述光檢查工藝然后進(jìn)行所述電檢查工藝。再次參考圖1，在對(duì)所述第一晶片進(jìn)行所述光檢查工藝之后，在步驟S170，將所述第一晶片傳送到晶片盒102內(nèi)。晶片傳送機(jī)械手104可以將所述第一晶片從第二卡盤122傳送到晶片盒102中。進(jìn)一步地，晶片傳送機(jī)械手104可以將所述第二晶片從第一卡盤112傳送到第二卡盤122上，并可以將第三晶片從晶片盒102傳送到第一卡盤112上。可替換的是，在從晶片盒102搬出所述第三晶片之后，晶片傳送機(jī)械手104可以從第一卡盤112上卸載所述第二晶片，然后將所述第三晶片裝載到第一卡盤112上。進(jìn)而，晶片傳送機(jī)械手104可以從第二卡盤122上卸載所述第一晶片，將所述第二晶片裝載到第二、卡盤122上，然后將所述第一晶片傳送到晶片盒102內(nèi)。也就是說(shuō)，晶片傳送機(jī)械手104可以在第一卡盤112上用所述第三晶片替換所述第二晶片，然后可以在第二卡盤122上以所述第二晶片替換第一晶片，以縮短傳送所述第一、第二和第三晶片所需的時(shí)間。根據(jù)上文描述的本發(fā)明的示例實(shí)施例，可以對(duì)形成于晶片10上的發(fā)光裝置20依次進(jìn)行所述電檢查工藝和光檢查工藝。特別的是，對(duì)所述第一晶片的光檢查工藝和對(duì)所述第二晶片的電檢查工藝可以同時(shí)進(jìn)行，從而可以縮短所述發(fā)光裝置的電和光檢查所需的時(shí)間。進(jìn)而，可以在第一卡盤112上互相調(diào)換所述第二和第三晶片，可以在第二卡盤122上互相調(diào)換所述第一和第二晶片。從而可以縮短傳送晶片10所需的時(shí)間。雖然描述了本發(fā)明示例實(shí)施例，要理解的是，本發(fā)明不應(yīng)當(dāng)局限于這些示例實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在所要求保護(hù)的本發(fā)明精神和范疇內(nèi)進(jìn)行各種修改和變化。權(quán)利要求
1.一種檢查發(fā)光裝置的方法 將晶片裝載到第一卡盤上，所述晶片上形成有多個(gè)發(fā)光裝置； 對(duì)所述晶片進(jìn)行電檢查工藝和光檢查工藝中的一個(gè)工藝； 將所述晶片裝載到第二卡盤上；以及 進(jìn)行所述電檢查工藝和所述光檢查工藝中的另一個(gè)工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中所述晶片包括多個(gè)裸芯，并所述晶片設(shè)置為與切割帶附接的狀態(tài)，各所述裸芯包括至少一個(gè)發(fā)光裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中將所述發(fā)光裝置分成多個(gè)第一組，并對(duì)所述第一組重復(fù)進(jìn)行所述電檢查工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中將所述發(fā)光裝置分成多個(gè)第二組，對(duì)從所述第二組的每一組選擇的至少一個(gè)發(fā)光裝置進(jìn)行所述光檢查工藝。
5.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中分別使用具有多個(gè)第一探針的第一探針卡和具有多個(gè)第二探針的第二探針卡進(jìn)行所述電檢查工藝和所述光檢查工藝。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其進(jìn)一步包括 在進(jìn)行所述電檢查工藝之前，將所述晶片與所述第一探針卡對(duì)準(zhǔn)，以及 在進(jìn)行所述光檢查工藝之前，將所述晶片與所述第二探針卡對(duì)準(zhǔn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中所述晶片由用晶片傳送機(jī)械手來(lái)傳送，并在被裝載到所述第一卡盤上之前，被預(yù)先對(duì)準(zhǔn)至所述晶片傳送機(jī)械手的機(jī)械手臂上的預(yù)定位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中當(dāng)對(duì)一所述晶片進(jìn)行所述電檢查工藝和所述光檢查工藝中的一個(gè)工藝時(shí)，對(duì)另一所述晶片進(jìn)行所述電檢查工藝和光檢查工藝中的另一個(gè)工藝。
9.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中，從所述第一卡盤卸載所述晶片，將另一晶片裝載到所述第一卡盤上，然后將所述晶片裝載到所述第二卡盤上。
全文摘要
在一種檢查發(fā)光裝置的方法中，將第一晶片裝載到第一卡盤上，用第一探針卡對(duì)所述第一晶片上的發(fā)光裝置進(jìn)行電檢查。然后，將所述第一晶片裝載到第二卡盤上，用第二探針卡對(duì)所述第一晶片上的發(fā)光裝置進(jìn)行光檢查。當(dāng)對(duì)所述第一晶片進(jìn)行光檢查時(shí)，將第二晶片裝載到所述第一卡盤上，由所述第一探針卡對(duì)所述第二晶片上的發(fā)光裝置進(jìn)行電檢查。因此，可以縮短對(duì)所述發(fā)光裝置進(jìn)行電和光檢查所需要的時(shí)間。
文檔編號(hào)G01M11/02GK102736008SQ20111011623
公開日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2011年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月8日
發(fā)明者崔琪旭, 金孟權(quán), 金宇烈 申請(qǐng)人:賽科隆股份有限公司