專(zhuān)利名稱(chēng)：一種芯片失效定位的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片失效分析技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種芯片失效定位的方法。
背景技術(shù)：
由于集成電路在研制、生產(chǎn)和使用過(guò)程中失效不可避免，隨著人們對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量和 可靠性要求的不斷提高，失效分析工作也顯得越來(lái)越重要，通過(guò)芯片失效分析，可以幫助集 成電路設(shè)計(jì)人員找到設(shè)計(jì)上的缺陷、工藝參數(shù)的不匹配或設(shè)計(jì)與操作中的不當(dāng)?shù)葐?wèn)題，所 以失效分析的意義也就表現(xiàn)的尤為重要。首先，失效分析是確定芯片失效機(jī)理的必要手段； 其次，失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息；然后，失效分析為設(shè)計(jì)工程師不斷改 進(jìn)或者修復(fù)芯片的設(shè)計(jì)，使之與設(shè)計(jì)規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息；最后，失效分析可 以評(píng)估不同測(cè)試向量的有效性，為生產(chǎn)測(cè)試提供必要的補(bǔ)充，為驗(yàn)證測(cè)試流程優(yōu)化提供必 要的信息基礎(chǔ)。上述只是列舉了失效分析的主要原因，現(xiàn)階段一般的失效定位技術(shù)主要是運(yùn)用 “探針測(cè)試”方法。所謂“探針測(cè)試”是指利用到一種探針臺(tái)，所述探針臺(tái)包括有探針，當(dāng)對(duì) 芯片進(jìn)行失效定位時(shí)，需要將探針的一端接觸到芯片的內(nèi)部引腳上，另一端引出導(dǎo)線。在實(shí) 際操作中若很多探針同時(shí)工作時(shí)，用戶就很難操作。例如當(dāng)需要四個(gè)信號(hào)輸入時(shí)，再加上芯 片本身具有的電源信號(hào)和接地信號(hào)，總計(jì)需要六個(gè)探針頭對(duì)準(zhǔn)在芯片上的相應(yīng)引腳上，芯 片本身就很小，需要借助顯微鏡才能看清引腳的各個(gè)位置，而用戶同時(shí)使用六個(gè)探針操作 起來(lái)應(yīng)該就更加困難。因此需要為廣大用戶提供一種更加簡(jiǎn)便的方法來(lái)解決以上問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)際所要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何提供一種即可提高工作效率又可方便用 戶使用的芯片失效定位的方法。為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提供了一種芯片失效定位方法，其步驟如下 首先，確定失效的電性測(cè)試項(xiàng)目；其次，在MCU中編輯相應(yīng)的代碼；最后，通過(guò)MCU發(fā)送相應(yīng) 的信號(hào)模式至待分析的芯片。本發(fā)明所述芯片失效定位的方法，不但簡(jiǎn)單，而且速度更快，用戶操作時(shí)的準(zhǔn)確度 和速度都大大提高，由于利用MCU作為信號(hào)發(fā)生器，所以可以發(fā)送任意所需信號(hào)，模擬芯片 工作時(shí)的各個(gè)狀態(tài)，從而可以測(cè)試分析芯片的任意失效項(xiàng)目。


圖1是本發(fā)明失效定位方法流程圖；圖2是本發(fā)明微處理器與芯片的連接示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。所謂對(duì)芯片進(jìn)行失效定位是指在微光顯微鏡(EmmisionMicroscope，簡(jiǎn)稱(chēng)EMMI) 下分別觀察正常芯片和失效芯片的熱點(diǎn)，通過(guò)對(duì)比找出異常點(diǎn)，并進(jìn)一步分析芯片故障的 根本原因。故此對(duì)芯片進(jìn)行失效分析時(shí)，首先需要確定失效的電性測(cè)試項(xiàng)目，由于芯片上的 很多項(xiàng)目都可以進(jìn)行測(cè)試，如芯片上的引腳是否漏電、靜態(tài)功耗以及動(dòng)態(tài)功耗等，所以在進(jìn) 行失效定位前需要明確測(cè)試項(xiàng)目。而芯片本身含有若干模塊，不同的模塊控制芯片上不同 的功能。故此當(dāng)輸入端的信號(hào)一樣時(shí)，失效后的芯片模塊就和正常情況下的模塊有差異，利 用特定的芯片測(cè)試夾具在微光顯微鏡下應(yīng)該就可以找出差異點(diǎn)進(jìn)行分析。下面具體論述芯片失效定位方法請(qǐng)參考圖1所示為本發(fā)明分析失效芯片的方法流程圖，首先需要確定失效的電性 測(cè)試項(xiàng)目；其次，在MCU (微處理器)中編輯相應(yīng)的代碼，燒錄后記錄在MCU里，由所述代碼 形成相應(yīng)的信號(hào)模式，而所述相應(yīng)代碼是對(duì)應(yīng)于電性測(cè)試判定的各個(gè)失效項(xiàng)目；將待分析 的芯片置于一特定的芯片測(cè)試夾具中(參考本公司在09年申請(qǐng)的一件專(zhuān)利，其申請(qǐng)?zhí)枮閆L 200920232730. 9)，且所述芯片置于測(cè)試夾具中時(shí)，芯片的封裝覆層的正面開(kāi)口暴露出內(nèi)部 晶片；然后搭建電路圖，請(qǐng)參考圖2所示，所述MCU與芯片通過(guò)若干信號(hào)線和電源線連接，且 所述MCU和芯片上均設(shè)有電源端VCC和接地端GND以及相應(yīng)的引腳，所述MCU上的相應(yīng)引 腳與芯片上的相應(yīng)引腳通過(guò)信號(hào)線10連接。緊接著，整個(gè)裝置上電后，就可將所述MCU里 面的代碼傳遞給芯片，如此以來(lái)通過(guò)所述MCU就可將相應(yīng)的信號(hào)模式發(fā)送至待分析的芯片 中，此時(shí)所述MCU相當(dāng)于信號(hào)發(fā)生器的作用。然后，開(kāi)始測(cè)試相應(yīng)的電性參數(shù)；最后，在微光 顯微鏡下就可以觀察并定位芯片的異常點(diǎn)，最終實(shí)現(xiàn)分析芯片的故障?，F(xiàn)以測(cè)試芯片的動(dòng)態(tài)功耗為例，所謂功耗是指由于芯片具有輸入端和輸出端以及 電源端和接地端，故此當(dāng)芯片串聯(lián)一個(gè)電壓表和一個(gè)電流表后就可以構(gòu)成一個(gè)電流回路從 而偵測(cè)出芯片自身產(chǎn)生的功率值。先將待測(cè)動(dòng)態(tài)功耗下的信息在MCU里面編輯成相應(yīng)的代 碼，再將待測(cè)芯片置放于該特定芯片測(cè)試夾具中，然后通過(guò)信號(hào)線傳遞到芯片中，由此芯片 接收后就處于動(dòng)態(tài)功耗狀態(tài)下，由于該夾具中設(shè)置有容納槽，而容納槽中設(shè)置有與解封裝 芯片相對(duì)應(yīng)的各個(gè)引腳，所以在所述微光顯微鏡下就可以快速的觀察到芯片中任意出現(xiàn)的 異常模塊，從而找出失效點(diǎn)，最終實(shí)現(xiàn)分析芯片的缺陷。由于待測(cè)信號(hào)均可通過(guò)代碼輸入到 MCU中，且無(wú)論待測(cè)信息的個(gè)數(shù)有幾個(gè)，都可以同時(shí)通過(guò)編輯相應(yīng)的代碼輸入到MCU中，通 過(guò)信號(hào)線傳遞到芯片上，然后在微光顯微鏡下觀察芯片中的異常點(diǎn)，進(jìn)行分析。如此以來(lái)， 用戶操作起來(lái)不但更加方便，而且也節(jié)約了時(shí)間。再者，由于微處理器作為信號(hào)發(fā)送器可以 發(fā)送任意所需信號(hào)給芯片，所以本發(fā)明中接收到信號(hào)的芯片也相當(dāng)于模擬在待測(cè)信號(hào)下的 工作狀態(tài)。本發(fā)明所述的芯片失效定位的方法，可以模擬任何狀態(tài)下芯片失效的環(huán)境，所述 MCU作為信號(hào)發(fā)生器，當(dāng)輸入信號(hào)一樣時(shí)就會(huì)導(dǎo)致失效芯片中的模塊存在差異，通過(guò)微光顯 微鏡下的對(duì)比就可以快速的找出失效點(diǎn)，從而摒棄傳統(tǒng)探針一個(gè)個(gè)的接觸芯片相應(yīng)引腳的 分析方法，大大提高了工作效率。
權(quán)利要求
1.一種芯片失效定位的方法，其步驟如下首先，確定失效的電性測(cè)試項(xiàng)目；其次，在MCU中編輯相應(yīng)的代碼；最后，通過(guò)MCU發(fā)送相應(yīng)的信號(hào)模式至待分析的芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述在MCU中編輯相應(yīng)的代碼后，需將待分 析的芯片置于特定的測(cè)試夾具中。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述芯片置于測(cè)試夾具中后，搭建電路圖。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述芯片置于測(cè)試夾具中時(shí)，芯片的封裝覆 層的正面開(kāi)口暴露出內(nèi)部晶片。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述MCU將信號(hào)模式發(fā)送至待分析的芯片 后，測(cè)量相應(yīng)的電性參數(shù)。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于所述測(cè)量相應(yīng)的電性參數(shù)后，需在微光顯微 鏡下觀察并定位芯片異常點(diǎn)。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述MCU和芯片通過(guò)若干信號(hào)線和電源線 連接。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述信號(hào)模式是由在MCU中編輯的相應(yīng)代 碼形成。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述相應(yīng)代碼是對(duì)應(yīng)于電性測(cè)試判定的各 個(gè)失效項(xiàng)目。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種芯片失效定位方法，其步驟如下首先，確定失效的電性測(cè)試項(xiàng)目；其次，在MCU中編輯相應(yīng)的代碼；最后，通過(guò)MCU發(fā)送相應(yīng)的信號(hào)模式至待分析的芯片。本發(fā)明所述芯片失效定位的方法，不但簡(jiǎn)單，而且速度更快，用戶操作時(shí)的準(zhǔn)確度和速度都大大提高，由于利用MCU作為信號(hào)發(fā)生器，所以可以發(fā)送任意所需信號(hào)，模擬芯片工作時(shí)的各個(gè)狀態(tài)，從而可以測(cè)試分析芯片的任意失效項(xiàng)目。
文檔編號(hào)G01R31/28GK102129026SQ20111000025
公開(kāi)日2011年7月20日 申請(qǐng)日期2011年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月4日
發(fā)明者葉本銀 申請(qǐng)人:蘇州瀚瑞微電子有限公司