專(zhuān)利名稱(chēng)：一種芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子封裝缺陷檢測(cè)技術(shù)，具體涉及一種芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)方法及裝置，該方法及裝置適用于球柵陣列(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)和倒裝芯片(FC)等高密度 電子封裝工藝產(chǎn)品的焊點(diǎn)缺陷檢測(cè)。
背景技術(shù)：
集成電路(IC)產(chǎn)品微型化的發(fā)展趨勢(shì)，對(duì)芯片集成尺寸和封裝可靠性提出了更 高的要求。目前IC產(chǎn)業(yè)廣泛采用引線鍵合技術(shù)和倒裝芯片技術(shù)來(lái)解決多層芯片間的互聯(lián) 問(wèn)題，以滿足電子產(chǎn)品的封裝要求。無(wú)論采用引線鍵合技術(shù)還是倒裝芯片技術(shù)，都需要在芯 片上形成多個(gè)焊點(diǎn)，進(jìn)而利用焊點(diǎn)完成互聯(lián)。焊點(diǎn)缺陷(如焊點(diǎn)缺失、裂紋、虛焊等)會(huì)嚴(yán) 重影響封裝可靠性，甚至使電子產(chǎn)品失效。因此，芯片焊點(diǎn)的缺陷檢測(cè)是必不可缺的。通常，芯片焊點(diǎn)的缺陷檢測(cè)主要有接觸式和非接觸式兩種檢測(cè)方法。接觸式檢測(cè) 包括功能測(cè)試、電測(cè)試等，主要用來(lái)檢測(cè)芯片的短路和開(kāi)路，但不能有效地區(qū)別和定位出焊 點(diǎn)缺陷。并且，接觸式檢測(cè)很容易對(duì)芯片表面造成損壞，檢測(cè)效率也不高。非接觸式檢測(cè)主要有光學(xué)視覺(jué)檢測(cè)、掃描聲顯微鏡(SAM)檢測(cè)、X射線檢測(cè)。光 學(xué)視覺(jué)檢測(cè)方法用光學(xué)顯微鏡來(lái)檢測(cè)芯片鍵合前的工藝缺陷，可以實(shí)時(shí)在線檢測(cè)外部暴露 焊點(diǎn)的缺陷。對(duì)于球柵陣列(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)和倒裝芯片(FC)等封裝工藝產(chǎn)品，焊點(diǎn) 缺陷隱藏于芯片內(nèi)部，不能直接通過(guò)光學(xué)顯微鏡觀測(cè)到，這就給焊點(diǎn)缺陷檢測(cè)帶來(lái)了困難。 尤其是對(duì)于倒裝芯片，隨著焊點(diǎn)密度不斷增加，其缺陷檢測(cè)難度也將更大，對(duì)檢測(cè)設(shè)備也要 求也更高。目前，主要通過(guò)SAM檢測(cè)和X射線檢測(cè)來(lái)實(shí)現(xiàn)內(nèi)部焊點(diǎn)的缺陷檢測(cè)。SAM檢測(cè)利用聲顯微成像原理來(lái)檢測(cè)樣品的內(nèi)部缺陷，即通過(guò)對(duì)樣品內(nèi)部反射超 聲波的分析來(lái)判斷其缺陷狀況。SAM檢測(cè)是一種非接觸、無(wú)破環(huán)、可靠且安全的檢測(cè)方法。 但是，其檢測(cè)時(shí)間較長(zhǎng)，且需要耦合介質(zhì)(水)，而大部分芯片是不適宜放于耦合介質(zhì)(水) 中的。X射線檢測(cè)利用不同特性材料對(duì)X射線的吸收率不同，來(lái)對(duì)樣品進(jìn)行檢測(cè)的。它也 是一種非接觸、無(wú)破環(huán)的檢測(cè)技術(shù)，還可以進(jìn)行3D微結(jié)構(gòu)成像。不過(guò)，X射線檢測(cè)設(shè)備比較 昂貴，檢測(cè)時(shí)間長(zhǎng)，效率低，需要操作者具有較強(qiáng)的經(jīng)驗(yàn)，并且X射線對(duì)人體也是有害的。另外，紅外熱波無(wú)損檢測(cè)技術(shù)是一種主要應(yīng)用于航空材料內(nèi)部缺陷(如空洞、裂 紋等)檢測(cè)的有效技術(shù)。它利用外部熱源主動(dòng)加熱樣品材料的表面，如通過(guò)閃光燈或接觸 式超聲激振來(lái)加熱樣品表面，進(jìn)而使樣品表面產(chǎn)生熱波。當(dāng)表面熱波向樣品內(nèi)部傳播過(guò)程 中遇到缺陷時(shí)會(huì)引起表面溫差，通過(guò)紅外熱像儀檢測(cè)樣品表面的溫差以識(shí)別出內(nèi)部缺陷。 這種檢測(cè)技術(shù)有很強(qiáng)應(yīng)用性和可拓展性，可應(yīng)用于多種材料、結(jié)構(gòu)和檢測(cè)環(huán)境。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)方法，它采用紅外非接觸方式加熱芯片或基底表面，同時(shí)施加超聲激勵(lì)，使芯片產(chǎn)生振動(dòng)以改變?nèi)毕萏師嶙鑼傩?，通過(guò)紅外 熱像儀測(cè)量芯片或基底表面溫度，然后對(duì)熱圖像進(jìn)行處理，并結(jié)合被測(cè)芯片的熱傳導(dǎo)模型 對(duì)其內(nèi)部焊點(diǎn)狀況進(jìn)行分析和缺陷辨識(shí)。本發(fā)明還提供了實(shí)現(xiàn)該方法的檢測(cè)裝置(圖1)， 可對(duì)芯片焊點(diǎn)缺陷進(jìn)行實(shí)時(shí)、有效地檢測(cè)，具有非接觸、無(wú)破壞的特點(diǎn)，適用于芯片缺陷的 在線檢測(cè)。采用的具體技術(shù)方案如下一種熱和超聲激勵(lì)的芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)方法，包括如下步驟(1)對(duì)芯片或基底采用近紅外非接觸方式加熱，同時(shí)對(duì)芯片或基底表面施加超聲 激勵(lì)，使芯片產(chǎn)生諧振；(2)測(cè)量所述芯片或基底的表面溫度場(chǎng)，獲取熱圖像；(3)對(duì)所述熱圖像進(jìn)行分析處理，判斷熱圖像中有無(wú)異常區(qū)域即有無(wú)亮斑或暗斑， 確定芯片內(nèi)部焊點(diǎn)是否存在缺陷；(4)若存在異常區(qū)域，則分割所述熱圖像中的亮斑或暗斑，提取異常區(qū)域里各像素 點(diǎn)溫度值，并與參考溫度閾值進(jìn)行比較，從而對(duì)缺陷進(jìn)行確認(rèn)和定位；至此，即完成熱和超聲激勵(lì)的芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)過(guò)程。本發(fā)明所述的對(duì)熱圖像的分析處理為對(duì)比度增強(qiáng)處理。本發(fā)明所述的步驟(4)中，當(dāng)所述的像素點(diǎn)溫度值超出參考溫度閾值的80%至 120%范圍時(shí)，確認(rèn)該像素點(diǎn)為缺陷像素點(diǎn)。本發(fā)明還可通過(guò)對(duì)缺陷芯片噴涂顏料以進(jìn)行標(biāo)記。一種實(shí)現(xiàn)上述權(quán)利要求1-4之一所述的芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)方法的裝置，包括 真空吸附式三維移動(dòng)平臺(tái)(1)、紅外加熱模塊(3)、超聲激振模塊、熱圖像獲取及處理模塊 和系統(tǒng)控制模塊(6)，其中，所述三維移動(dòng)平臺(tái)(1)用于定位被測(cè)芯片(2)，并實(shí)現(xiàn)其在XYZ 三個(gè)方向的平移，所述紅外加熱模塊(3)和超聲激振模塊分別用于對(duì)所述芯片(2)進(jìn)行熱 激勵(lì)和超聲激勵(lì)，所述熱圖像獲取理模塊測(cè)量芯片(2)的表面溫度信息，獲取熱圖像，并進(jìn) 行處理和缺陷辨識(shí)，所述系統(tǒng)控制模塊(6)協(xié)調(diào)控制各模塊的操作。本發(fā)明所述的超聲激振模塊包括聚焦式空氣超聲換能器(7)、功率放大器(8)和 信號(hào)發(fā)生器(9)，所述聚焦式空氣超聲換能器(7)傾斜置于芯片(2)和紅外加熱模塊(3)之 間，所述信號(hào)發(fā)生器(9)產(chǎn)生的信號(hào)經(jīng)功率放大器(8)放大后驅(qū)動(dòng)超聲換能器(7)工作。本發(fā)明所述的紅外加熱模塊(3)包括近紅外燈，利用復(fù)合拋物面聚光器(CPC)將 所述近紅外燈產(chǎn)生的紅外光線匯聚于基底或芯片(2)表面以加熱。本發(fā)明該裝置還包括缺陷標(biāo)記模塊5，用以對(duì)缺陷芯片標(biāo)記。本發(fā)明所述的缺陷標(biāo)記模塊(5)為氣壓式可控噴頭，當(dāng)所述裝置檢測(cè)到所述芯片 (2)存在缺陷時(shí)，系統(tǒng)控制模塊(6)驅(qū)動(dòng)所述三維移動(dòng)平臺(tái)(1)將芯片(2)移至噴頭下方， 然后噴涂顏料進(jìn)行標(biāo)記。本發(fā)明方法及裝置可對(duì)芯片焊點(diǎn)進(jìn)行有效、可靠的在線檢測(cè)，由于整個(gè)檢測(cè)過(guò)程 采用非接觸方式加熱、空氣耦合超聲激振及快速熱圖像處理，所以本發(fā)明完全實(shí)現(xiàn)了非接 觸、無(wú)損、實(shí)時(shí)檢測(cè)。本發(fā)明適用于BGA、CSP和FC等工藝產(chǎn)品的焊點(diǎn)缺陷檢測(cè)，并且跟SAM 檢測(cè)和X射線檢測(cè)相比，本發(fā)明操作更簡(jiǎn)單、對(duì)人體無(wú)害、成本更低，更適合于工業(yè)應(yīng)用。


圖1 一種熱和超聲激勵(lì)的芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)裝置圖2芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)步驟圖3FC芯片熱圖像處理及缺陷類(lèi)型辨識(shí)結(jié)果
具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。根據(jù)熱波理論可知，缺球、空洞、裂紋、虛焊等焊點(diǎn)缺陷的存在將會(huì)改變芯片焊點(diǎn) 熱阻屬性。因此，對(duì)芯片或基底表面均勻加熱后，由于熱阻差異在芯片或基底表面會(huì)形成暫 態(tài)溫差。然而，芯片制備材料硅(Si)和焊球金屬材料(如PbSn，Au等)均具有很高的熱擴(kuò) 散率，使芯片或基底表面溫度快速趨于平衡，對(duì)熱圖像采集系統(tǒng)具有極高的時(shí)間、空間、及 溫度分辨率要求，不易檢測(cè)。為了解決這一問(wèn)題，本發(fā)明提供的芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)方法首先采用近紅外燈 以非接觸方式加熱芯片或基底表面，同時(shí)利用空氣超聲換能器激勵(lì)芯片，使芯片產(chǎn)生諧振， 擴(kuò)大缺陷對(duì)熱傳導(dǎo)的影響，通過(guò)紅外熱像儀采用透射或反射式測(cè)量芯片或基底表面溫度 場(chǎng)，然后使用對(duì)比度增強(qiáng)、缺陷分割等方法對(duì)熱圖像進(jìn)行處理，以精確判斷和定位缺陷。如 圖2所示，具體步驟如下步驟1對(duì)芯片或基底采用近紅外非接觸方式加熱，同時(shí)對(duì)芯片或基底表面施加超 聲激勵(lì)，使芯片產(chǎn)生諧振，將缺陷焊點(diǎn)拉伸或壓縮以改變其熱阻屬性，放大缺陷對(duì)熱傳導(dǎo)的 影響，從而擴(kuò)大表面溫差；步驟2測(cè)量芯片或基底表面溫度場(chǎng)，獲取熱圖像，其中可以使用紅外顯微鏡頭提 高熱像儀空間分辨能力；步驟3對(duì)熱圖像進(jìn)行分析處理(如對(duì)比度增強(qiáng)等方法)，然后根據(jù)有無(wú)異常區(qū)域 (即亮斑或暗斑)，判斷芯片內(nèi)部焊點(diǎn)是否存在缺陷；由于芯片焊球尺寸較小，引入熱激勵(lì)和超聲激勵(lì)后，焊點(diǎn)缺陷引起的芯片或基底 表面溫差不大，所以步驟3中，需對(duì)熱圖像進(jìn)行處理，進(jìn)一步放大缺陷焊點(diǎn)與正常焊點(diǎn)的區(qū) 另O。若存在明顯的亮斑或暗斑，則認(rèn)為該異常區(qū)域存在異常焊點(diǎn)。步驟4若存在異常區(qū)域，分割熱圖像中的亮點(diǎn)或暗點(diǎn)，并與參考溫度閾值進(jìn)行比 較，對(duì)缺陷進(jìn)行確認(rèn)和精確定位；為了對(duì)異常焊點(diǎn)進(jìn)行精確判斷和定位，首先分割熱圖像中的亮斑和暗斑，提取異 常區(qū)域里各像素點(diǎn)溫度值，與參考溫度值(可取多個(gè)無(wú)缺陷焊點(diǎn)平均溫度值，或理論計(jì)算 值)進(jìn)行比較，超出參考溫度值80%至120%范圍的像素點(diǎn)認(rèn)定為缺陷像素點(diǎn)，并記錄該像 素點(diǎn)(缺陷焊點(diǎn))。依此實(shí)現(xiàn)缺陷焊點(diǎn)的精確定位。至此，即可完成熱和超聲激勵(lì)的芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)過(guò)程。另外，還可以對(duì)缺陷芯片進(jìn)行標(biāo)記，如通過(guò)氣壓式可控噴頭對(duì)缺陷芯片噴涂顏料 以進(jìn)行有效標(biāo)記。本發(fā)明還提供了一種實(shí)現(xiàn)以上檢測(cè)方法的裝置，如圖1所示，包括真空吸附式三 維移動(dòng)平臺(tái)、紅外加熱模塊、超聲激振模塊、熱圖像獲取及處理模塊缺陷標(biāo)記模塊和系統(tǒng)控 制模塊。
本裝置的真空吸附式三維移動(dòng)平臺(tái)1采用真空吸附方式，可固定多種形狀和尺寸 的被測(cè)芯片2，實(shí)現(xiàn)XYZ三個(gè)方向的精確定位及移動(dòng)。另外，移動(dòng)平臺(tái)1上裝有溫度傳感器，用來(lái)測(cè)量基底/芯片表面加熱溫度，并反饋給系統(tǒng)控制模塊，以控制加熱時(shí)間和溫度。
本裝置的紅外加熱模塊3，采用紅外非接觸方式對(duì)被測(cè)芯片2進(jìn)行加熱，可通過(guò)近 紅外燈實(shí)現(xiàn)，并利用復(fù)合拋物面聚光器(CPC)將紅外光線匯聚于基底或芯片表面，實(shí)現(xiàn)小 面積的快速、均勻加熱。近紅外燈接有控制電路，可通過(guò)溫度傳感器的反饋來(lái)調(diào)節(jié)加熱時(shí)間 和溫度。本裝置的超聲激振模塊，采用空氣耦合方式對(duì)被測(cè)芯片2進(jìn)行超聲激勵(lì)以拉伸或 壓縮焊點(diǎn)缺陷，改變其熱阻屬性。超聲激振模塊包括聚焦式空氣超聲換能器7、功率放大器 8和信號(hào)發(fā)生器9，所述聚焦式空氣超聲換能器7傾斜置于芯片和紅外熱像儀之間，信號(hào)發(fā) 生器9產(chǎn)生的信號(hào)經(jīng)功率放大器8放大后驅(qū)動(dòng)超聲換能器7工作。對(duì)于不同尺寸的芯片， 可以選擇合適的激振頻率以放大焊點(diǎn)缺陷對(duì)芯片或基底表面溫度的影響。本裝置的熱圖像獲取及處理模塊使用高分辨率紅外熱像儀4獲取芯片或基底表 面溫度信息，并進(jìn)行熱圖像分析、處理及缺陷辨識(shí)。本裝置缺陷標(biāo)記模塊5，使用氣壓式可控噴頭對(duì)缺陷芯片噴涂顏料以實(shí)現(xiàn)缺陷標(biāo) 記。噴嘴與芯片的夾角可調(diào)，以適用于不同大小芯片的標(biāo)記。當(dāng)檢測(cè)裝置判定被測(cè)芯片2 存在缺陷時(shí)，系統(tǒng)控制模塊6就驅(qū)動(dòng)三維移動(dòng)平臺(tái)1將芯片2移至噴頭下方，然后噴涂顏料 進(jìn)行標(biāo)記。本裝置的系統(tǒng)控制模塊6集成了移動(dòng)平臺(tái)驅(qū)動(dòng)電路，加熱控制電路、信號(hào)發(fā)生器、 紅外熱像儀和缺陷標(biāo)記電路的控制接口，用以協(xié)調(diào)各功能模塊的操作。并且，系統(tǒng)控制模塊 根據(jù)檢測(cè)方法提出的診斷步驟來(lái)完成對(duì)缺陷的識(shí)別、定位及類(lèi)型判斷。本發(fā)明裝置的實(shí)例被測(cè)樣品是FA10-200x200面陣型FC芯片，在未鍵合之前，人 為劃去芯片右上角的兩個(gè)焊球，然后將芯片和基底通過(guò)回流焊方式鍵合在一起。調(diào)節(jié)三維 移動(dòng)平臺(tái)使FC芯片中心位于聚焦式超聲換能器焦點(diǎn)位置，并調(diào)節(jié)紅外熱像儀焦距以獲取 芯片表面溫度。啟動(dòng)超聲激振模塊，并對(duì)芯片表面進(jìn)行脈沖加熱1秒，然后紅外熱像儀以每 秒60幀的速率實(shí)時(shí)采集300幀熱圖像。選取熱圖并進(jìn)行對(duì)比度增強(qiáng)、缺陷分割，得到缺陷 位置(熱圖像中的像素坐標(biāo))。將缺陷像素點(diǎn)溫度值與計(jì)算溫度值進(jìn)行比對(duì)，進(jìn)一步得到亮 點(diǎn)溫度值與焊點(diǎn)缺失對(duì)應(yīng)的溫度計(jì)算值最接近，因此判斷此處缺陷為焊點(diǎn)缺失。圖3為FC 芯片熱圖像處理及缺陷類(lèi)型辨識(shí)結(jié)果。最后，利用可控噴頭將FC缺陷芯片進(jìn)行噴色標(biāo)識(shí)。 顯然，本發(fā)明提供的芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)方法和裝置可以對(duì)芯片缺陷進(jìn)行有效的檢測(cè)。本發(fā)明提供的芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)裝置，可與成熟封裝設(shè)備集成為一體，在線 完成對(duì)芯片，尤其是對(duì)高密度、超細(xì)間距倒裝芯片的封裝和檢測(cè)。由于采用了非接觸加熱、 空氣耦合超聲激振和高分辨率紅外熱像儀來(lái)檢測(cè)芯片缺陷，所以完全達(dá)到了非接觸、無(wú)破 壞的在線檢測(cè)目的，可用于工業(yè)上的生產(chǎn)。
權(quán)利要求
一種熱和超聲激勵(lì)的芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)方法，包括如下步驟(1)對(duì)芯片或基底采用近紅外非接觸方式加熱，同時(shí)對(duì)芯片或基底表面施加超聲激勵(lì)，使芯片產(chǎn)生諧振；(2)測(cè)量所述芯片或基底的表面溫度場(chǎng)，獲取熱圖像；(3)對(duì)所述熱圖像進(jìn)行分析處理，判斷熱圖像中有無(wú)異常區(qū)域即有無(wú)亮斑或暗斑，確定芯片內(nèi)部焊點(diǎn)是否存在缺陷；(4)若存在異常區(qū)域，則分割所述熱圖像中的亮斑或暗斑，提取異常區(qū)域里各像素點(diǎn)溫度值，并與參考溫度閾值進(jìn)行比較，從而對(duì)缺陷進(jìn)行確認(rèn)和定位；至此，即完成熱和超聲激勵(lì)的芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)過(guò)程。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的對(duì)熱圖像的分析處理為對(duì)比度增 強(qiáng)處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的步驟(4)中，當(dāng)所述的像素點(diǎn) 溫度值超出參考溫度閾值的80%至120%范圍時(shí)，確認(rèn)該像素點(diǎn)為缺陷像素點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，還可通過(guò)對(duì)缺陷芯片噴涂顏料以 進(jìn)行標(biāo)記。
5.一種實(shí)現(xiàn)上述權(quán)利要求1-4之一所述的芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)方法的裝置，包括真 空吸附式三維移動(dòng)平臺(tái)(1)、紅外加熱模塊(3)、超聲激振模塊、熱圖像獲取及處理模塊和 系統(tǒng)控制模塊(6)，其中，所述三維移動(dòng)平臺(tái)(1)用于定位被測(cè)芯片(2)，并實(shí)現(xiàn)其在XYZ三個(gè)方向的平移，所述 紅外加熱模塊(3)和超聲激振模塊分別用于對(duì)所述芯片(2)進(jìn)行熱激勵(lì)和超聲激勵(lì)，所述 熱圖像獲取理模塊測(cè)量芯片(2)的表面溫度信息，獲取熱圖像，并進(jìn)行處理和缺陷辨識(shí)，所 述系統(tǒng)控制模塊(6)協(xié)調(diào)控制各模塊的操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述的超聲激振模塊包括聚焦式空氣超 聲換能器(7)、功率放大器(8)和信號(hào)發(fā)生器(9)，所述聚焦式空氣超聲換能器(7)傾斜置 于芯片(2)和紅外加熱模塊(3)之間，所述信號(hào)發(fā)生器(9)產(chǎn)生的信號(hào)經(jīng)功率放大器(8) 放大后驅(qū)動(dòng)超聲換能器(7)工作。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的裝置，其特征在于，所述的紅外加熱模塊(3)包括近紅外 燈，利用復(fù)合拋物面聚光器(CPC)將所述近紅外燈產(chǎn)生的紅外光線匯聚于基底或芯片(2) 表面以加熱。
8.根據(jù)權(quán)利要求5-7之一所述的裝置，其特征在于，該裝置還包括缺陷標(biāo)記模塊5，用 以對(duì)缺陷芯片標(biāo)記。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述的缺陷標(biāo)記模塊(5)為氣壓式可控噴 頭，當(dāng)所述裝置檢測(cè)到所述芯片(2)存在缺陷時(shí)，系統(tǒng)控制模塊(6)驅(qū)動(dòng)所述三維移動(dòng)平臺(tái) (1)將芯片(2)移至噴頭下方，然后噴涂顏料進(jìn)行標(biāo)記。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種熱和超聲激勵(lì)的芯片焊點(diǎn)缺陷在線檢測(cè)方法及裝置，其方法是采用紅外非接觸方式對(duì)被測(cè)芯片或基底表面進(jìn)行均勻加熱，同時(shí)施加超聲激勵(lì)，使芯片產(chǎn)生振動(dòng)以改變?nèi)毕萏師嶙鑼傩?，然后通過(guò)紅外熱像儀測(cè)量芯片或基底表面溫度，并對(duì)熱圖像進(jìn)行特征提取和分析，結(jié)合實(shí)現(xiàn)芯片焊點(diǎn)缺陷辨識(shí)和定位。其裝置主要包括真空吸附式三維移動(dòng)平臺(tái)、紅外加熱模塊、超聲激振模塊、熱圖像處理模塊、缺陷標(biāo)記模塊、系統(tǒng)控制模塊。本發(fā)明提供的方法及裝置可對(duì)芯片焊點(diǎn)缺陷進(jìn)行有效檢測(cè)，具有實(shí)時(shí)、非接觸、無(wú)破壞性的特點(diǎn)，適用于焊球陣列(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)和倒裝芯片(FC)等高密度電子封裝工藝的焊點(diǎn)缺陷檢測(cè)。
文檔編號(hào)G01N21/88GK101813638SQ20101016053
公開(kāi)日2010年8月25日 申請(qǐng)日期2010年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月30日
發(fā)明者史鐵林, 廖廣蘭, 張學(xué)坤, 查哲瑜, 聶磊, 陸向?qū)?申請(qǐng)人:華中科技大學(xué)