專利名稱：晶體振蕩器檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測(cè)裝置，特別涉及一種晶體振蕩器檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
晶體振蕩器(crystal)在電子產(chǎn)品上被廣泛應(yīng)用，以提供電子產(chǎn)品工作所需的系統(tǒng)頻 率，故需要對(duì)晶體振蕩器進(jìn)行檢測(cè)，以驗(yàn)證其是否符合要求。
目前，現(xiàn)有的檢測(cè)方法包括兩種，第一種方法是先把晶體振蕩器安裝在電子產(chǎn)品上，再 用示波器直接在電子產(chǎn)品上的相應(yīng)探測(cè)點(diǎn)上量測(cè)晶體振蕩器的頻率；第二種方法是先用萬(wàn)用 表量測(cè)一品質(zhì)好的晶體振蕩器，再量測(cè)待測(cè)晶體振蕩器，然后將品質(zhì)好的測(cè)量結(jié)果與待測(cè)的 測(cè)量結(jié)果作比較來(lái)判斷待測(cè)晶體振蕩器的好壞。
但是，由于目前電子產(chǎn)品上的晶體振蕩器的數(shù)目越來(lái)越多，應(yīng)用上述兩種檢測(cè)方法都會(huì) 花費(fèi)大量的時(shí)間，而且測(cè)試精度也不是很高。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種測(cè)試簡(jiǎn)單、測(cè)試精度高的晶體振蕩器檢測(cè)裝置。
一種晶體振蕩器檢測(cè)裝置，包括第一及第二三極管、 一指示器、第一至第三電容、 一第 一二極管、第一及第二測(cè)試引腳，所述第一測(cè)試引腳連接一電源，所述第一三極管的集電極 連接到所述第一測(cè)試引腳，發(fā)射極通過(guò)所述指示器接地，所述第一三極管的基極連接到所述 第一二極管的陰極，所述第一二極管的陽(yáng)極依次通過(guò)所述第一及第二電容與所述第一測(cè)試引 腳相連，所述第二三極管的發(fā)射極連接在所述第一及第二電容之間的節(jié)點(diǎn)，集電極接地，基 極連接到所述第二測(cè)試引腳，所述第三電容連接在所述第二三極管的基極與發(fā)射極之間。
上述晶體振蕩器檢測(cè)裝置通過(guò)所述第二電容、第三電容及第二三極管組成的振蕩電路測(cè) 試待測(cè)晶體振蕩器是否符合規(guī)格，并通過(guò)所述第一三極管控制所述指示器快速地顯示檢測(cè)結(jié) 果，相較于現(xiàn)有的測(cè)試方法具有測(cè)試簡(jiǎn)單快捷，且測(cè)試精度高等優(yōu)點(diǎn)。


下面結(jié)合附圖及較佳實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述 圖l是本發(fā)明晶體振蕩器檢測(cè)裝置的較佳實(shí)施方式的示意圖。
圖2是本發(fā)明晶體振蕩器檢測(cè)裝置的較佳實(shí)施方式連接一待測(cè)晶體振蕩器的電路圖。
具體實(shí)施例方式
4請(qǐng)參考圖l，本發(fā)明晶體振蕩器檢測(cè)裝置的較佳實(shí)施方式包括一用于容置電路元件的殼 體10，所述殼體10上設(shè)有一指示器20、 一晶體振蕩器連接器30及一電源開(kāi)關(guān)40。所述殼體 IO為方形也可以根據(jù)需要設(shè)計(jì)為其他形狀。所述指示器20用于指示檢測(cè)結(jié)果。所述晶體振蕩 器連接器30用于連接待測(cè)的晶體振蕩器，以使待測(cè)的晶體振蕩器接入到測(cè)試電路中。所述電 源開(kāi)關(guān)40用于接通檢測(cè)用的電源。
請(qǐng)繼續(xù)參考圖2，所述晶體振蕩器檢測(cè)裝置的內(nèi)部測(cè)試電路包括一電源Vcc、 一第一三極 管Q1、 一第二三極管Q2、所述電源開(kāi)關(guān)40、所述指示器20、第一至第三電阻R1-R3、第一至 第四電容C1-C4、第一及第二二極管D1及D2、所述晶體振蕩器連接器30 (圖2中以兩測(cè)試引腳 X1及X2表示)。本實(shí)施方式中，所述第一及第二三極管Q1及Q2為NPN型三極管，所述指示器 20為一發(fā)光二極管，也可以根據(jù)需要將所述指示器20選用其他具有指示功能的元件，如蜂鳴 器等。
所述電源Vcc通過(guò)所述電源開(kāi)關(guān)40連接到所述測(cè)試引腳Xl 。所述第一三極管Q1的集電極 連接到所述測(cè)試引腳X1 ，發(fā)射極連接到所述指示器20的陽(yáng)極，所述指示器20的陰極通過(guò)所述 第一電阻R1接地，所述第一三極管Q1的基極連接到所述第一二極管D1的陰極，所述第一二極 管D1的陽(yáng)極依次通過(guò)所述第一及第二電容C1及C2與所述測(cè)試引腳X1相連，所述第四電容C4連 接于所述第一三極管Q1的發(fā)射極及基極之間，所述第二二極管D2的陽(yáng)極連接于所述測(cè)試引腳 XI，陰極連接于所述第一二極管D1與所述第一電容C1之間的節(jié)點(diǎn)，所述第二電阻R2連接在所 述測(cè)試引腳X1與所述第一及第二電容C1及C2之間的節(jié)點(diǎn)之間，所述第二三極管Q2的發(fā)射極連 接在所述第一及第二電容C1及C2之間的節(jié)點(diǎn)，集電極接地，基極連接到測(cè)試引腳X2，所述第 三電容C3連接在所述第二三極管Q2的基極與發(fā)射極之間，所述測(cè)試引腳X2還通過(guò)所述第三電 阻R3接地。
本實(shí)施方式中，所述第一電阻R1的電阻值RK00Q，所述第二電阻R2的電阻值R24KQ ，所述第三電阻R3的電阻值R3二30KQ，所述第一電容Cl的電容值CKOOOpF，所述第二電容 C2的電容值C2450pF，所述第三電容C3的電容值C3二680pF，所述第四電容C4的電容值 C4=0.0047y F。
測(cè)試時(shí)，將一待測(cè)晶體振蕩器X放置于所述晶體振蕩器連接器30內(nèi)，即所述待測(cè)晶體振 蕩器X的兩輸出引腳通過(guò)所述兩測(cè)試引腳X1及X2連接到了圖2的電路中，按下所述電源開(kāi)關(guān) 40，所述電源Vcc即接入到了測(cè)試電路中。如果待測(cè)晶體振蕩器X滿足規(guī)格要求，在電源Vcc 接入后，由所述待測(cè)晶體振蕩器X、第二電容C2、第三電容C3及第二三極管Q2組成的振蕩電 路將開(kāi)始工作，振蕩信號(hào)由所述第二三極管Q2的發(fā)射極輸出，經(jīng)所述第一電容C1耦合到所述第一二極管D1進(jìn)行檢波、濾波后變成直流電壓信號(hào)，再送至所述第一三極管Q1的基極以使其 導(dǎo)通，此時(shí)所述指示器20發(fā)光，指示所述待測(cè)晶體振蕩器X符合規(guī)格要求。如果待測(cè)晶體振 蕩器X不滿足規(guī)格要求，在電源Vcc接入后，由所述待測(cè)晶體振蕩器X、第二電容C2、第三電 容C3及第二三極管Q2組成的振蕩電路將不工作，進(jìn)而使所述指示器20不發(fā)光，表明所述待測(cè) 晶體振蕩器X不符合規(guī)格要求，所述晶體振蕩器檢測(cè)裝置相較于現(xiàn)有的測(cè)試方法具有測(cè)試簡(jiǎn) 單快捷，且測(cè)試精度高等優(yōu)點(diǎn)。
其中，所述電阻R3為阻尼電阻，當(dāng)待測(cè)晶體振蕩器X的頻率小于6MHz且待測(cè)晶體振蕩器 X的等效電阻大于100Q時(shí)起到穩(wěn)定振蕩的作用，也可根據(jù)實(shí)際需要選擇刪除所述電阻R3，即 將所述測(cè)試引腳X2僅連接至所述第二三極管Q2的基極即可。所述第二及第三電容C2及C3為移 相電容，并且C2W3/(C2+C3)《L-Cs，式中CL為待測(cè)晶體振蕩器X的負(fù)載電容值，Cs為雜散電 容值，在電路中Cs約為4-6pF，通過(guò)調(diào)整所述第二及第三電容C2及C3的電容值可以測(cè)試不同 頻率的晶體振蕩器X。所述第一及第二電阻R1及R2為分壓限流電阻，用以保護(hù)所述指示器20 ，所述第四電容C4為濾波電容，所述第二二極管D2起到防止第一電容C1放電回流的作用，為 進(jìn)一步降低成本，可以將所述第一及第二電阻R1及R2、第四電容C4、第二二極管D2刪除。
權(quán)利要求
1.一種晶體振蕩器檢測(cè)裝置，包括第一及第二三極管、一指示器、第一至第三電容、一第一二極管、第一及第二測(cè)試引腳，所述第一測(cè)試引腳連接一電源，所述第一三極管的集電極連接到所述第一測(cè)試引腳，發(fā)射極通過(guò)所述指示器接地，所述第一三極管的基極連接到所述第一二極管的陰極，所述第一二極管的陽(yáng)極依次通過(guò)所述第一及第二電容與所述第一測(cè)試引腳相連，所述第二三極管的發(fā)射極連接在所述第一及第二電容之間的節(jié)點(diǎn)，集電極接地，基極連接到所述第二測(cè)試引腳，所述第三電容連接在所述第二三極管的基極與發(fā)射極之間。
2 如權(quán)利要求l所述的晶體振蕩器檢測(cè)裝置，其特征在于所述電源與所述第一測(cè)試引腳之間還連接一 電源開(kāi)關(guān)。
3 如權(quán)利要求2所述的晶體振蕩器檢測(cè)裝置，其特征在于所述第一及第二測(cè)試引腳與一晶體振蕩器連接器的對(duì)應(yīng)引腳相連，用于插接一晶體振蕩器。
4 如權(quán)利要求3所述的晶體振蕩器檢測(cè)裝置，其特征在于所述電源開(kāi)關(guān)、指示器及晶體振蕩器連接器均設(shè)于一殼體上。
5 如權(quán)利要求l所述的晶體振蕩器檢測(cè)裝置，其特征在于所述指示器為一發(fā)光二極管或一蜂鳴器。
6 如權(quán)利要求l所述的晶體振蕩器檢測(cè)裝置，其特征在于所述第一三極管的發(fā)射極與基極之間還連接一第四電容。
7 如權(quán)利要求6所述的晶體振蕩器檢測(cè)裝置，其特征在于所述第一至第四電容的電容值分別為1000pF、 150pF、 680pF及0. 0047yF。
8 如權(quán)利要求l所述的晶體振蕩器檢測(cè)裝置，其特征在于所述指示器與地之間還串聯(lián)一第一電阻，所述第一測(cè)試引腳與所述第一及第二電容的節(jié)點(diǎn)之間還串聯(lián)一第二電阻，所述第二測(cè)試引腳與地之間還串聯(lián)一第三電阻。
9 如權(quán)利要求8所述的晶體振蕩器檢測(cè)裝置，其特征在于所述第一至第三電阻的電阻值分別為100 Q 、 1K Q及30K Q 。
10.如權(quán)利要求l所述的晶體振蕩器檢測(cè)裝置，其特征在于所述第一二極管的陽(yáng)極與所述第一測(cè)試引腳之間還串聯(lián)一第二二極管，且所述第二二極管的陽(yáng)極連接所述第一測(cè)試引腳，陰極連接所述第一二極管的陽(yáng)極。
全文摘要
一種晶體振蕩器檢測(cè)裝置，包括第一及第二三極管、一指示器、第一至第三電容、一第一二極管、第一及第二測(cè)試引腳，所述第一測(cè)試引腳連接一電源，所述第一三極管的集電極連接到所述第一測(cè)試引腳，發(fā)射極通過(guò)所述指示器接地，所述第一三極管的基極連接到所述第一二極管的陰極，所述第一二極管的陽(yáng)極依次通過(guò)所述第一及第二電容與所述第一測(cè)試引腳相連，所述第二三極管的發(fā)射極連接在所述第一及第二電容之間的節(jié)點(diǎn)，集電極接地，基極連接到所述第二測(cè)試引腳，所述第三電容連接在所述第二三極管的基極與發(fā)射極之間。本發(fā)明晶體振蕩器檢測(cè)裝置可簡(jiǎn)單、快速、準(zhǔn)確地檢測(cè)晶體振蕩器的品質(zhì)。
文檔編號(hào)G01R31/00GK101650395SQ20081030365
公開(kāi)日2010年2月17日 申請(qǐng)日期2008年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月11日
發(fā)明者翔 曹 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司