專利名稱：利用陣列與解碼器進(jìn)行器件表征的方法與系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及集成電路。更具體地說(shuō)，本發(fā)明提供了一種利用陣列與解碼器進(jìn)行器件表征的方法與系統(tǒng)。僅僅作為示例，本發(fā)明已被應(yīng)用于測(cè)試MOS晶體管。但是應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明具有更廣闊的應(yīng)用范圍。
背景技術(shù)：
集成電路已經(jīng)從單個(gè)硅芯片上制備的少數(shù)互連器件發(fā)展成為數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的器件。當(dāng)前集成電路提供的性能和復(fù)雜度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了最初的預(yù)想。為了在復(fù)雜度和電路密度(即，在給定的芯片面積上能夠封裝的器件數(shù)目)方面獲得進(jìn)步，最小的器件特征尺寸(又被稱為器件“幾何圖形”)伴隨每一代集成電路的發(fā)展而變得更小?，F(xiàn)在制備的半導(dǎo)體器件的特征尺寸小于1/4微米。
日益增加的電路密度不僅提高了集成電路的性能和復(fù)雜度，也降低了消費(fèi)者的成本。集成電路制造設(shè)備可能要花費(fèi)數(shù)億甚至數(shù)十億美元。每個(gè)制造設(shè)備具有一定的晶圓產(chǎn)量。每個(gè)晶圓上具有一定數(shù)量的集成電路。因此，通過(guò)將集成電路的個(gè)體器件制備得更小，可以在每個(gè)晶圓上制備更多器件，進(jìn)而增加了制造設(shè)備的產(chǎn)出。把器件制備得更小非常有挑戰(zhàn)性，因?yàn)榻o定的工藝、器件布局和/或系統(tǒng)設(shè)計(jì)通常只能向下達(dá)到某個(gè)特征尺寸。
這種限制的示例是MOS晶體管的表征。MOS晶體管具有多種柵極長(zhǎng)度和柵極寬度。傳統(tǒng)上，每個(gè)晶體管連接到至少一個(gè)單獨(dú)焊盤(pad)。例如，每個(gè)晶體管包括分別用于柵極、源極、漏極和襯底的四個(gè)終端，并且這四個(gè)終端分別連接到四個(gè)焊盤。不同的晶體管不共享相同的焊盤。因此焊盤面積遠(yuǎn)大于器件面積。焊盤面積和器件面積的總面積可能會(huì)太大。
從上文可以看出，需要一種用于表征MOS晶體管的改進(jìn)技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一般地涉及集成電路。更具體地說(shuō)，本發(fā)明提供了一種利用陣列與解碼器進(jìn)行器件表征的方法與系統(tǒng)。僅僅作為示例，本發(fā)明已被應(yīng)用于測(cè)試MOS晶體管。但是應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明具有更廣闊的應(yīng)用范圍。
在具體實(shí)施例中，本發(fā)明提供了一種測(cè)試器件的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括多個(gè)焊盤和耦合到多個(gè)器件的解碼器。所述解碼器被配置從所述多個(gè)焊盤接收多個(gè)選擇信號(hào)，并至少基于與所述多個(gè)選擇信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信息從所述多個(gè)器件選擇器件。此外，所述系統(tǒng)包括連接到所選器件的一個(gè)或多個(gè)焊盤。所述一個(gè)或多個(gè)焊盤被用于測(cè)試所選器件。
根據(jù)另一實(shí)施例，一種測(cè)試晶體管的系統(tǒng)包括多個(gè)焊盤和耦合到多個(gè)晶體管的解碼器。所述解碼器被配置從所述多個(gè)焊盤接收多個(gè)選擇信號(hào)，并至少基于與所述多個(gè)選擇信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信息從所述多個(gè)晶體管選擇晶體管。此外，所述系統(tǒng)包括連接到用于所選晶體管的第一終端的第一焊盤、連接到用于所選晶體管的第二終端的第二焊盤、連接到用于所選晶體管的第三終端的第三焊盤、以及連接到用于所選晶體管的第四終端的第四焊盤。第一焊盤、第二焊盤、第三焊盤和第四焊盤被用于測(cè)試所選晶體管。
根據(jù)又一實(shí)施例，一種測(cè)試器件的方法包括接收多個(gè)選擇信號(hào)，處理與所述多個(gè)選擇信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信息，以及至少基于與所述多個(gè)選擇信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信息從多個(gè)器件中選擇器件。所選器件至少耦合到控制器件。此外，所述方法包括產(chǎn)生與所選器件相關(guān)聯(lián)的控制信號(hào)，由控制器件接收控制信號(hào)，由控制器件將所選器件連接到一個(gè)或多個(gè)焊盤中的至少一個(gè)焊盤，以及利用所述一個(gè)或多個(gè)焊盤測(cè)試所選器件。
通過(guò)本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)了許多優(yōu)于傳統(tǒng)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的一些實(shí)施例提供了能夠明顯減少焊盤面積和/或總面積的測(cè)試機(jī)制。例如，陣列包括256個(gè)進(jìn)行測(cè)試的器件。每個(gè)器件的平均面積約100 μm2。每個(gè)器件使用一個(gè)焊盤進(jìn)行測(cè)試。每個(gè)焊盤面積約為6400μm2。在傳統(tǒng)技術(shù)中，每個(gè)器件不與其它器件共享焊盤。焊盤面積大約是總面積的98.5％。根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例，焊盤的總數(shù)可以從256減少到9。9個(gè)焊盤包括8個(gè)選擇焊盤和1個(gè)測(cè)試焊盤。因此，在此示例中，總焊盤面積減少了96.5％。取決于實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)這些優(yōu)點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)。將在本說(shuō)明書尤其是在下文中詳細(xì)描述這些以及其它優(yōu)點(diǎn)。
參考隨后的詳細(xì)說(shuō)明和附圖，可以更全面地理解本發(fā)明的各種其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于測(cè)試器件的簡(jiǎn)化系統(tǒng)；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于測(cè)試器件的簡(jiǎn)化方法。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明一般地涉及集成電路。更具體地說(shuō)，本發(fā)明提供了一種利用陣列與解碼器進(jìn)行器件表征的方法與系統(tǒng)。僅僅作為示例，本發(fā)明已被應(yīng)用于測(cè)試MOS晶體管。但是應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明具有更廣闊的應(yīng)用范圍。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于測(cè)試器件的簡(jiǎn)化系統(tǒng)。該圖僅僅是一個(gè)示例，其不應(yīng)當(dāng)不適當(dāng)?shù)叵拗茩?quán)利要求的范圍。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到許多變換形式、替換形式和修改形式。系統(tǒng)100包括下述組件1.選擇焊盤110；2.解碼器120；3.測(cè)試焊盤130盡管已經(jīng)使用一組選定的組件來(lái)描述系統(tǒng)100，但是可以存在許多替換、修改和變化形式。例如，一些組件可以被擴(kuò)展和/或合并。可以在上面提到的組件中插入其它的組件。取決于實(shí)施例，組件的布局可以彼此交替。可以在本說(shuō)明書尤其在下文中找到對(duì)這些組件的進(jìn)一步描述。
解碼器120耦合到進(jìn)行測(cè)試的器件的陣列140。解碼器120從選擇焊盤110接收選擇信號(hào)，并且作為響應(yīng)從陣列140選擇器件。所選器件被連接到測(cè)試焊盤130，并且陣列140的其它器件沒(méi)有連接到任何測(cè)試焊盤130。例如，陣列140包括MOS晶體管，并且所選MOS晶體管具有用于柵極區(qū)、兩個(gè)源/漏極區(qū)和襯底區(qū)的四個(gè)終端。所選MOS晶體管的每個(gè)終端連接到測(cè)試焊盤130之一。測(cè)試焊盤130包括四個(gè)焊盤，每個(gè)焊盤對(duì)應(yīng)于所選MOS晶體管的不同終端。
在一個(gè)實(shí)施例中，陣列140包括進(jìn)行測(cè)試的多個(gè)MOS晶體管。所述多個(gè)MOS晶體管之一是MOS晶體管210，MOS晶體管210包括終端212、214、216和218。測(cè)試焊盤包括焊盤250、252、254和256。焊盤250連接到用于源/漏極區(qū)的終端212，并且焊盤252連接到用于襯底區(qū)的終端214。用于柵極區(qū)的終端216連接到控制晶體管230，用于源/漏極區(qū)的終端218連接到控制晶體管220?？刂凭w管220和230的每個(gè)柵極接收控制信號(hào)240。例如，解碼器120響應(yīng)于從選擇焊盤110接收的選擇信號(hào)而選擇晶體管210。作為響應(yīng)，控制信號(hào)240接通控制晶體管220和230。用于柵極區(qū)的終端216連接到焊盤254，并且用于源/漏極區(qū)的終端218連接到焊盤256。在另一示例中，晶體管210沒(méi)有被解碼器120響應(yīng)于從選擇焊盤110接收的選擇信號(hào)而選擇。作為響應(yīng)，控制信號(hào)240關(guān)斷控制晶體管220和230。用于柵極區(qū)的終端216沒(méi)有連接到焊盤254，并且用于源/漏極區(qū)的終端218沒(méi)有連接到焊盤256。
在另一實(shí)施例中，陣列140包括256個(gè)進(jìn)行測(cè)試的器件。選擇焊盤110包括8個(gè)焊盤，用于解碼器120在二進(jìn)制基礎(chǔ)上選擇256個(gè)器件之一。在又一實(shí)施例中，器件的陣列140被未以陣列布置的多個(gè)器件所替代。
圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于測(cè)試器件的簡(jiǎn)化方法。該圖僅僅是一個(gè)示例，其不應(yīng)當(dāng)不適當(dāng)?shù)叵拗茩?quán)利要求的范圍。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到許多變換形式、替換形式和修改形式。方法300包括下述步驟1.步驟310，接收選擇信號(hào)；2.步驟320，選擇器件；3.步驟330，接通或關(guān)斷控制器件；4.步驟340，測(cè)試所選器件。
盡管已經(jīng)使用一組選定的步驟來(lái)描述方法300，但是可以存在許多替換、修改和變化形式。例如，一些步驟可以被擴(kuò)展和/或合并?？梢栽谏厦嫣岬降牟襟E中插入其它的步驟。取決于實(shí)施例，步驟的布置可以彼此交替?？梢栽诒菊f(shuō)明書尤其在下文中找到對(duì)這些步驟的進(jìn)一步描述。
在步驟310中，選擇信號(hào)被接收。例如，解碼器120從選擇焊盤110接收選擇信號(hào)。在步驟320，從器件是從多個(gè)器件選擇的。例如，器件210是從陣列140選擇的，并且陣列140包括多個(gè)進(jìn)行測(cè)試的器件。
在步驟330，用于多個(gè)器件的控制器件被接通或關(guān)斷。例如，陣列140包括多個(gè)進(jìn)行測(cè)試的器件。所述多個(gè)器件的每個(gè)對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)控制器件。在一個(gè)實(shí)施例中，如果選擇了多個(gè)器件之一，則為了將所選器件連接到測(cè)試焊盤130，對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)控制器件被接通。與所述多個(gè)器件的其它器件相對(duì)應(yīng)的控制器件被關(guān)斷，以便將每個(gè)未選器件從測(cè)試焊盤130中的至少一個(gè)焊盤斷開連接。
例如，晶體管210是由解碼器120響應(yīng)于從選擇焊盤110接收的選擇信號(hào)而選擇的。作為響應(yīng)，控制信號(hào)240接通控制晶體管220和230。用于柵極區(qū)的終端216連接到焊盤254，并且用于源/漏極區(qū)的終端218連接到焊盤256。在另一示例中，晶體管210沒(méi)有被解碼器120響應(yīng)于從選擇焊盤110接收的選擇信號(hào)而選擇。作為響應(yīng)，控制信號(hào)240關(guān)斷控制晶體管220和230。用于柵極區(qū)的終端216沒(méi)有連接到焊盤254，并且用于源/漏極區(qū)的終端218沒(méi)有連接到焊盤256。
在步驟340，選擇器件被測(cè)試。在一個(gè)實(shí)施例中，所選器件是晶體管210。例如，晶體管210被測(cè)試，以測(cè)量作為Vgs的函數(shù)的Ids和/或作為Vds的函數(shù)的Ids。Ids代表兩個(gè)源/漏極區(qū)之間的電流。Vgs代表柵極區(qū)和用作源極的源/漏極區(qū)之間的電壓降。Vds代表兩個(gè)源/漏極區(qū)之間的電壓降。在另一示例中，晶體管210被測(cè)試以測(cè)量晶體管閾值電壓Vt。
根據(jù)另一實(shí)施例，一種測(cè)試器件的系統(tǒng)包括多個(gè)焊盤和耦合到多個(gè)器件的解碼器。所述解碼器被配置從所述多個(gè)焊盤接收多個(gè)選擇信號(hào)，并至少基于與所述多個(gè)選擇信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信息從所述多個(gè)器件選擇器件。此外，所述系統(tǒng)包括連接到所選器件的一個(gè)或多個(gè)焊盤。所述一個(gè)或多個(gè)焊盤中的至少一個(gè)焊盤沒(méi)有連接到所述多個(gè)器件中除所選器件之外的任何器件。所述一個(gè)或多個(gè)焊盤被用于測(cè)試所選器件。例如，該系統(tǒng)是根據(jù)系統(tǒng)100實(shí)現(xiàn)的。
根據(jù)另一實(shí)施例，一種測(cè)試晶體管的系統(tǒng)包括多個(gè)焊盤和耦合到多個(gè)晶體管的解碼器。所述解碼器被配置從所述多個(gè)焊盤接收多個(gè)選擇信號(hào)，并至少基于與所述多個(gè)選擇信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信息從所述多個(gè)晶體管選擇晶體管。此外，所述系統(tǒng)包括連接到用于所選晶體管的第一終端的第一焊盤、連接到用于所選晶體管的第二終端的第二焊盤、連接到用于所選晶體管的第三終端的第三焊盤、以及連接到用于所選晶體管的第四終端的第四焊盤。第一焊盤沒(méi)有連接到所述多個(gè)晶體管中除所選晶體管之外的任何晶體管。第二焊盤沒(méi)有連接到所述多個(gè)晶體管中除所選晶體管之外的任何晶體管。第一焊盤、第二焊盤、第三焊盤和第四焊盤被用于測(cè)試所選晶體管。例如，該系統(tǒng)是根據(jù)系統(tǒng)100實(shí)現(xiàn)的。
根據(jù)又一實(shí)施例，一種測(cè)試器件的方法包括接收多個(gè)選擇信號(hào)，處理與所述多個(gè)選擇信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信息，以及至少基于與所述多個(gè)選擇信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信息從多個(gè)器件中選擇器件。所選器件至少耦合到控制器件。此外，所述方法包括產(chǎn)生與所選器件相關(guān)聯(lián)的控制信號(hào)，由控制器件接收控制信號(hào)，由控制器件將所選器件連接到一個(gè)或多個(gè)焊盤中的至少一個(gè)焊盤，以及利用所述一個(gè)或多個(gè)焊盤測(cè)試所選器件。例如，該方法是根據(jù)方法300實(shí)現(xiàn)的。
本發(fā)明具有多種應(yīng)用。在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)100和/或方法300用來(lái)表征器件。在另一實(shí)施例中，系統(tǒng)100和/或方法300用來(lái)提取用于器件建模的參數(shù)。例如，陣列140包括多個(gè)進(jìn)行測(cè)試的MOS晶體管。這些MOS晶體管屬于相同類型，但是柵極長(zhǎng)度和柵極寬度不同。這些MOS晶體管中的每個(gè)晶體管都被單獨(dú)選擇和測(cè)試。測(cè)試結(jié)果被用于提取特征參數(shù)，提取的特征參數(shù)可以用于器件建模和/或其它目的。
本發(fā)明具有多個(gè)優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的一些實(shí)施例提供了能夠明顯減少焊盤面積和/或總面積的測(cè)試機(jī)制。例如，陣列140包括256個(gè)進(jìn)行測(cè)試的器件。每個(gè)器件的平均面積約100μm2。每個(gè)器件使用一個(gè)焊盤進(jìn)行測(cè)試。每個(gè)焊盤面積約為6400μm2。在傳統(tǒng)技術(shù)中，每個(gè)器件不與其它器件共享焊盤。焊盤面積大約是總面積的98.5％。根據(jù)系統(tǒng)100和/或方法300，焊盤的總數(shù)可以從256減少到9。9個(gè)焊盤包括8個(gè)選擇焊盤和1個(gè)測(cè)試焊盤。因此，總焊盤面積減少了96.5％。
還應(yīng)當(dāng)理解，這里所描述的示例和實(shí)施例只是為了說(shuō)明的目的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)上述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變化。這些修改和變化都在本申請(qǐng)的精神和范圍內(nèi)，并且也在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種測(cè)試器件的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括多個(gè)焊盤；耦合到多個(gè)器件的解碼器，所述解碼器被配置從所述多個(gè)焊盤接收多個(gè)選擇信號(hào)，并至少基于與所述多個(gè)選擇信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信息從所述多個(gè)器件選擇器件；連接到所選器件的一個(gè)或多個(gè)焊盤；其中所述一個(gè)或多個(gè)焊盤中的至少一個(gè)焊盤沒(méi)有連接到所述多個(gè)器件中除所選器件之外的任何器件；所述一個(gè)或多個(gè)焊盤被用于測(cè)試所選器件。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述多個(gè)器件以陣列布置。
3.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述多個(gè)器件的每個(gè)器件被耦合到至少一個(gè)控制器件；所述至少一個(gè)控制器件被耦合到所述一個(gè)或多個(gè)焊盤的至少一個(gè)焊盤。
4.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中所述解碼器還被配置至少基于與所述多個(gè)選擇信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信息來(lái)產(chǎn)生控制信號(hào)。
5.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中所選器件被至少耦合到控制器件；所述控制器件被配置接收所述控制信號(hào)，并且響應(yīng)于所述控制信號(hào)而將所選器件連接到所述一個(gè)或多個(gè)焊盤中的至少一個(gè)焊盤。
6.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述多個(gè)器件包括多個(gè)晶體管。
7.一種測(cè)試晶體管的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括多個(gè)焊盤；耦合到多個(gè)晶體管的解碼器，所述解碼器被配置從所述多個(gè)焊盤接收多個(gè)選擇信號(hào)，并至少基于與所述多個(gè)選擇信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信息從所述多個(gè)晶體管選擇晶體管；連接到用于所選晶體管的第一終端的第一焊盤；連接到用于所選晶體管的第二終端的第二焊盤；連接到用于所選晶體管的第三終端的第三焊盤；連接到用于所選晶體管的第四終端的第四焊盤；其中第一焊盤沒(méi)有連接到所述多個(gè)晶體管中除所選晶體管之外的任何晶體管；第二焊盤沒(méi)有連接到所述多個(gè)晶體管中除所選晶體管之外的任何晶體管；第一焊盤、第二焊盤、第三焊盤和第四焊盤被用于測(cè)試所選晶體管。
8.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述多個(gè)器件以陣列布置。
9.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所選晶體管被耦合到第一晶體管和第二晶體管；第一晶體管被耦合到第一焊盤；第二晶體管被耦合到第二焊盤。
10.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述解碼器還被配置至少基于與所述多個(gè)選擇信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信息來(lái)產(chǎn)生控制信號(hào)。
11.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中第一晶體管被配置接收所述控制信號(hào)，并且響應(yīng)于所述控制信號(hào)而將第一焊盤連接到第一終端。
12.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中第二晶體管被配置接收所述控制信號(hào)，并且響應(yīng)于所述控制信號(hào)而將第二焊盤連接到第二終端。
13.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中第一終端與所選晶體管的源極區(qū)或漏極區(qū)相關(guān)聯(lián)。
14.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中第二終端與所選晶體管的柵極區(qū)相關(guān)聯(lián)。
15.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中第三焊盤被連接到所述多個(gè)晶體管中的每個(gè)晶體管；第四焊盤被連接到所述多個(gè)晶體管中的每個(gè)晶體管。
16.一種測(cè)試器件的方法，所述方法包括接收多個(gè)選擇信號(hào)；處理與所述多個(gè)選擇信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信息；至少基于與所述多個(gè)選擇信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信息從多個(gè)器件中選擇器件，所選器件至少耦合到控制器件；產(chǎn)生與所選器件相關(guān)聯(lián)的控制信號(hào)；由所述控制器件接收所述控制信號(hào)；由所述控制器件將所選器件連接到一個(gè)或多個(gè)焊盤中的至少一個(gè)焊盤；利用所述一個(gè)或多個(gè)焊盤測(cè)試所選器件。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述控制器件包括晶體管；連接所選器件包括響應(yīng)于所述控制信號(hào)而接通所述晶體管。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所選器件包括所選晶體管。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中測(cè)試所選器件包括測(cè)量所選晶體管的源極區(qū)和漏極區(qū)之間的作為電壓函數(shù)的電流。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中測(cè)試所選器件包括測(cè)量所選晶體管的閾值電壓。
全文摘要
一種測(cè)試器件的系統(tǒng)與方法。所述系統(tǒng)包括多個(gè)焊盤和耦合到多個(gè)器件的解碼器。所述解碼器被配置從所述多個(gè)焊盤接收多個(gè)選擇信號(hào)，并至少基于與所述多個(gè)選擇信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信息從所述多個(gè)器件選擇器件。此外，所述系統(tǒng)包括連接到所選器件的一個(gè)或多個(gè)焊盤。所述一個(gè)或多個(gè)焊盤中的至少一個(gè)焊盤沒(méi)有連接到所述多個(gè)器件中除所選器件之外的任何器件。所述一個(gè)或多個(gè)焊盤被用于測(cè)試所選器件。
文檔編號(hào)G01R31/00GK1987501SQ20051011199
公開日2007年6月27日 申請(qǐng)日期2005年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月22日
發(fā)明者龔斌 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司