專利名稱：量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種接觸阻抗的量測方法及其結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法及其結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來，由于平面顯示器兼具有高畫質(zhì)、體積小、重量輕、低電壓驅(qū)動、低消耗功率及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點，因此，已被廣泛的應(yīng)用在中、小型可攜式電視、行動電話、攝錄放影機、筆記型計算機、桌上型顯示器以及投影電視等消費性電子或計算機產(chǎn)品，并且更逐漸取代陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)而成為顯示器的主流。一般平面顯示器在制作完成之后，必須進行COG(Chip on Glass)制程，以使平面顯示器可藉由一些晶片與外界系統(tǒng)作連結(jié)，以供應(yīng)電源或驅(qū)動平面顯示器的顯示。
圖1是現(xiàn)有習(xí)知一種平面顯示器與晶片的COG制程的剖面示意圖。請參閱圖1所示，一般平面顯示器與晶片的COG制程是在晶片104上形成設(shè)有數(shù)個錫凸塊(bump)106，然后將晶片104置于平面顯示器100上方，并且使晶片104上的錫凸塊106對應(yīng)于平面顯示器100上的塊墊(pad)102上。之后在晶片(即芯片)104上施予適度的壓力以及溫度使得錫凸塊106成熔融狀，以使塊墊102與錫凸塊106彼此接合。
對于COG制程來說，是以平面顯示器與晶片之間接觸阻抗值來評估COG制程的良好與否，且接觸阻抗值會受到制程的溫度、壓力以及時間所影響。若所測得的接觸阻抗值過高，則表示COG制程不佳，如此將影響顯示元件的優(yōu)良率。目前評估接觸阻抗值的方式例如是以目側(cè)方式觀察晶片壓痕的情況，或者利用拉力測試的方式來測試晶片與平面顯示器之間二者接合的情況。然而，上述這些方式皆無法直接量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗值，因此所得到的阻抗值的正確性有待商榷。此外，如此的評估方式亦會影響質(zhì)量管理分析的結(jié)果，例如當(dāng)元件優(yōu)良率不佳時，由于現(xiàn)有習(xí)知的方法并無法直接量測晶片與平面顯示器的接觸阻抗值，而只能粗略的由壓痕來判斷COG制程的優(yōu)劣與否，所以質(zhì)量管理人員無法準(zhǔn)確判定元件不良的因素是否來自COG制程不佳所導(dǎo)致，因此勢必花費更多的時間進行分析與檢測。
由此可見，上述現(xiàn)有的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法及其結(jié)構(gòu)仍存在有缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決現(xiàn)有的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法及其結(jié)構(gòu)的缺陷，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法及其結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法及其結(jié)構(gòu)，能夠改進一般現(xiàn)有的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法及其結(jié)構(gòu)制造方法，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法及其結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種新的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使得平面顯示器與晶片之間的接觸阻抗可以直接量測，從而更加適于實用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法，所要解決的技術(shù)問題是使其藉由此方法可以精準(zhǔn)地量測出平面顯示器與晶片之間的接觸阻抗值，使得質(zhì)量管理的分析更有效率，而具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法，其包括以下步驟在一晶片上定義出一第一/第二/第三擬凸塊，且該第一/第二/第三擬凸塊之間是彼此電性連接；在一平面顯示器上定義出一第一/第二/第三擬接點并且定義出一第一/第二/第三/第四測試墊，其中該第一擬接點是與該第一測試墊電性連接，該第二擬接點是與該第二測試墊以及該第三測試墊電性連接，該第三擬接點是與該第四測試墊電性連接；進行一接合步驟，以使該晶片上的該第一/第二/第三擬凸塊分別與該平面顯示器上的該第一/第二/第三擬接點接合在一起；以及在該第一/第四測試墊其中之一以及該第二/第三測試墊其中之一之間通入電流，并在另外二測試墊之間量測電壓，進而取得一接觸阻抗值。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法，其更包括進行多次通入電流以及量測電壓的步驟，以取得復(fù)數(shù)個接觸阻抗值，進而計算出一平均接觸阻抗值。
前述的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法，其中所述的進行多次通入電流以及量測電壓的步驟包括在該第一測試墊以及該第二測試墊之間通入電流，并在該第三測試墊以及該第四測試墊量測電壓，以取得一第一接觸阻抗值；在該第一測試墊以及該第三測試墊之間通入電流，并在該第二測試墊以及該第四測試墊量測電壓，以取得一第二接觸阻抗值；在該第二測試墊以及該第四測試墊之間通入電流，并在該第一測試墊以及該第三測試墊量測電壓，以取得一第三接觸阻抗值；以及在該第三測試墊以及該第四測試墊之間通入電流，并在該第一測試墊以及該第二測試墊量測電壓，以取得一第四接觸阻抗值。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的結(jié)構(gòu)，其包括一晶片，該晶片上具有一第一/第二/第三擬凸塊，且該第一/第二/第三擬凸塊之間是彼此電性連接；以及一平面顯示器，該平面顯示器上具有一第一/第二/第三擬接點以及一第一/第二/第三/第四測試墊，且該第一擬接點是與該第一測試墊電性連接，該第二擬接點是與該第二/第三測試墊電性連接，該第三擬接點是與該第四測試墊電性連接，其中該晶片上的該第一/第二/第三擬凸塊是分別與該平面顯示器上的該第一/第二/第三擬接點接合在一起。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括一晶片以及一平面顯示器，其中該晶片上具有第一/第二/第三擬凸塊，且第一/第二/第三擬凸塊之間是彼此電性連接。另外，平面顯示器上具有第一/第二/第三擬接點以及第一/第二/第三/第四測試墊，且第一擬接點是與第一測試墊電性連接，第二擬接點是與第二測試墊以及第三測試墊電性連接，第三擬接點是與第四測試墊電性連接，除此之外，晶片上的第一/第二/第三擬凸塊是分別與平面顯示器上的第一/第二/第三擬接點接合在一起。后續(xù)僅需在平面顯示器上的第一/第二/第三/第四測試墊進行四點量測法，即可準(zhǔn)確的得知晶片與平面顯示器之間的接觸阻抗。
因此由上述可知，本發(fā)明在晶片上額外配置數(shù)個擬凸塊并且在平面顯示器配置數(shù)個擬接點與測試墊，且藉由適當(dāng)?shù)仉娦赃B接，使得平面顯示器與晶片之間的接觸阻抗可以直接被量測。
本發(fā)明還提出一種量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法，該方法是在晶片上定義出第一/第二/第三擬凸塊，且該第一/第二/第三擬凸塊之間是彼此電性連接。之后，在平面顯示器上定義出第一/第二/第三擬接點并且定義出第一/第二/第三/第四測試墊，其中第一擬接點是與第一測試墊電性連接，第二擬接點是與第二測試墊以及第三測試墊電性連接，第三擬接點是與第四測試墊電性連接。然后，進行接合步驟，以使晶片上的第一/第二/第三擬凸塊分別與平面顯示器上的第一/第二/第三擬接點接合在一起。接著，在第一/第四測試墊其中之一以及第二/第三測試墊其中之一之間通入電流，并在另外二測試墊之間量測電壓，進而取得一接觸阻抗值。除此之外，亦可包括進行多次通入電流以及量測電壓的步驟，以取得復(fù)數(shù)個接觸阻抗值，進而計算出一平均接觸阻抗值。
由上述可知，本發(fā)明在晶片上配置三個擬凸塊并且在平面顯示器配置三個擬接點與四個測試墊，且藉由適當(dāng)?shù)仉娦赃B接，如此一來僅需由其中二測試墊通電流，并量測另二測試墊之間的跨壓，就可快速地得知平面顯示器與晶片之間的接觸阻抗。
此外，本發(fā)明可以進行多次的量測步驟以取得數(shù)組接觸阻抗值，進而取得其平均值，其中又以在不同的測試墊進行四次量測以取得平均接觸阻抗值為最佳，如此將可提升質(zhì)量管理分析的效率。
綜上所述，本發(fā)明特殊的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法及其結(jié)構(gòu)，使得平面顯示器與晶片之間的接觸阻抗可以直接量測，從而更加適于實用；藉此方法可以精準(zhǔn)地量測出平面顯示器與晶片之間的接觸阻抗值，使得質(zhì)量管理的分析更有效率，而具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。其具有上述諸多的優(yōu)點及實用價值，并在同類方法及產(chǎn)品中未見有類似的方法及結(jié)構(gòu)設(shè)計公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在方法、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大的改進，在技術(shù)上有較大的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法及其結(jié)構(gòu)具有增進的多項功效，從而更加適于實用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。


圖1是現(xiàn)有習(xí)知的一種平面顯示器與晶片的COG制程的剖面示意圖。
圖2是依照本發(fā)明一較佳實施例的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的結(jié)構(gòu)中晶片的上視示意圖。
圖3是圖2中量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的結(jié)構(gòu)中平面顯示器的上視示意圖。
圖4是圖2的晶片以及圖3的平面顯示器接合之后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖，其為對應(yīng)于圖2以及圖3由a-a’位置的剖面示意圖。
圖5是圖4中量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的結(jié)構(gòu)的等效電路示意圖。
100、204平面顯示器102塊墊104、202晶片 106錫凸塊200量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的結(jié)構(gòu)206a、206b、206c擬凸塊208、209a、209b、209c導(dǎo)線210a、210b、210c擬接點212a、212b、212c、212d測試墊R、r1、r2、r3、r4阻抗值具體實施方式
以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法及其結(jié)構(gòu)其具體方法、步驟、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。
圖2是依照本發(fā)明一較佳實施例的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的結(jié)構(gòu)中晶片的上視示意圖；圖3是圖2中量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的結(jié)構(gòu)中平面顯示器的上視示意圖；圖4是圖2的晶片以及圖3的平面顯示器接合之后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖，其為對應(yīng)于圖2及圖3由a-a’位置的剖面示意圖。
請同時參閱圖2、圖3及圖4所示，該用以量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的結(jié)構(gòu)200，是包括晶片202以及平面顯示器204，其中晶片202上具有三個擬凸塊(206a、206b與206c)，且該三個擬凸塊(206a、206b與206c)之間彼此藉由導(dǎo)線208電性連接，其中擬凸塊(206a、206b與206c)的材質(zhì)例如是錫或是錫合金，而導(dǎo)線208的材質(zhì)例如是金屬。
另外，平面顯示器204上具有三個擬接點(210a、210b與210c)以及四個測試墊(212a、212b、212c與212d)，且擬接點210a是藉由導(dǎo)線209a與測試墊212a電性連接，擬接點210b是藉由導(dǎo)線209b與二測試墊(212b與212c)電性連接，擬接點210c是藉由導(dǎo)線209c與測試墊212d電性連接，其中導(dǎo)線(209a、209b、209c)的材質(zhì)例如是金屬，而這些擬接點(210a、210b與210c)與測試墊(212a、212b、212c與212d)是構(gòu)成一“四點量測法”的布局方式。
除此之外，晶片202上的三個擬凸塊(206a、206b與206c)是分別與平面顯示器204上的三個擬接點(210a、210b與210c)接合在一起，意即擬凸塊206a是與擬接點210a接合，擬凸塊206b是與擬接點210b接合，擬凸塊206c是與擬接點210c接合，其中接合的方式例如是利用熱壓頭給予晶片202適度的壓力以及溫度使得擬凸塊(206a、206b與206c)成熔融狀，以將擬接點(210a、210b與210c)與擬凸塊(206a、206b與206c)彼此接合。
因此由上述可知，本發(fā)明在晶片上額外配置擬凸塊并且在平面顯示器配置擬接點與測試墊，藉由適當(dāng)?shù)仉娦赃B接以及接合，便能使得平面顯示器與晶片之間的接觸阻抗可以直接被量測。
為了論證本發(fā)明的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的結(jié)構(gòu)確實可行，以下特舉一種量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法加以說明。
當(dāng)晶片202上的擬凸塊(206a、206b與206c)分別與平面顯示器204上的擬接點(210a、210b與210c)彼此接合在一起之后其等效電路如圖5所示。其中，擬凸塊(206a、206b與206c)內(nèi)部兩兩之間是為短路，且擬凸塊(206a、206b與206c)是分別與擬接點(210a、210b與210c)電性連接。此外，擬凸塊206a阻抗值與連接測試墊212a的導(dǎo)線209a的阻抗值是構(gòu)成阻抗值r1。擬凸塊206c阻抗值與連接測試墊212d的導(dǎo)線209c的阻抗值是構(gòu)成形成阻抗值r4。而連接測試墊(212b與212c)的導(dǎo)線209b上則具有另二阻抗值(r2與r3)。另外，平面顯示器204與晶片202之間接觸阻抗值是為R，且其亦為評估COG制程的參閱依據(jù)。
接著，請繼續(xù)參閱圖5所示，量測平面顯示器204與晶片202之間接觸阻抗值R的方式例如是在測試墊212a以及測試墊212b之間通入電流I，并在測試墊(212c與212d)之間量測跨壓值V，進而取得接觸阻抗值R，其中R是為電壓V除以電流I所得的商數(shù)。此外，亦可以選擇在測試墊212a以及測試墊212c之間通入電流I，在測試墊(212b與212d)之間量測電壓V，進而取得接觸阻抗值R。另外，亦可選擇在測試墊212d以及測試墊212c之間通入電流I，在測試墊(212a與212b)之間量測電壓V，進而取得接觸阻抗值R。當(dāng)然，還可選擇在測試墊212d以及測試墊212b之間通入電流I，而在測試墊(212a與212c)之間量測電壓V，進而取得接觸阻抗值R。
在本發(fā)明一較佳實施例中，是進行一次以上的量測步驟，以取得數(shù)個接觸阻抗值R，進而計算出一平均接觸阻抗值?，F(xiàn)將進行多次的量測步驟詳細說明如下首先在測試墊212a以及測試墊212b之間通入電流I1，并在測試墊212c以及測試墊212d之間量測其跨壓值V1，以取得接觸阻抗值R1。
之后，進行第二次的量測，在測試墊212a以及測試墊212c之間再次通入電流I2，并在測試墊212b以及測試墊212d之間量測其跨壓值量V2測電壓，以取得另一接觸阻抗值R2，如此即可以利用所測得二接觸阻抗值(R1與R2)而求得一平均接觸阻抗值。
當(dāng)然，為了增加平均接觸阻抗值的可信度，更可進行第三次的量測，即在進行上述兩次量測步驟之后，再在測試墊212b以及測試墊212d之間通入電流I3，并在測試墊212a以及測試墊212c量測其跨壓V3，以取得接觸阻抗值R3。之后，利用所測得的三接觸阻抗值(R1、R2與R3)，以求得平均接觸阻抗值。
此外，更佳的是進行第四次的接觸阻抗的量測，即在進行上述三次量測步驟之后，再在測試墊212c以及測試墊212d之間通入電流I4，并在測試墊212a以及測試墊212b之間量測跨壓V4，以取得另一接觸阻抗值R4，之后，再將所測得的四個接觸阻抗值(R1、R2、R3與R4)平均，以求得平均接觸阻抗值。
因此由上述可知，本發(fā)明在晶片上設(shè)置擬凸塊(206a、206b與206c)，并且在平面顯示器設(shè)置擬接點(210a、210b與210c)與測試墊(212a、212b、212c與212d)，以構(gòu)成“四點量測法”的布局，可以達到量測晶片與平面顯示器的接觸阻抗。
利用本發(fā)明的方法可以直接在二測試墊之間通入電流，并在另二測試墊測試墊量測其跨壓，以取得接觸阻抗值，故該量測方法非常簡便而且所得的阻抗值較現(xiàn)有習(xí)知方法精確，如此有助于正確評估COG制程的良好與否。
另外，本發(fā)明可以進行多次的量測，以取得數(shù)個接觸阻抗值，并求其平均值，如此使得所得的平均的接觸阻抗值更具有可信度，如此將可提升助質(zhì)量管理分析的效率。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法，其特征在于其包括以下步驟在一晶片上定義出一第一/第二/第三擬凸塊，且該第一/第二/第三擬凸塊之間是彼此電性連接；在一平面顯示器上定義出一第一/第二/第三擬接點并且定義出一第一/第二/第三/第四測試墊，其中該第一擬接點是與該第一測試墊電性連接，該第二擬接點是與該第二測試墊以及該第三測試墊電性連接，該第三擬接點是與該第四測試墊電性連接；進行一接合步驟，以使該晶片上的該第一/第二/第三擬凸塊分別與該平面顯示器上的該第一/第二/第三擬接點接合在一起；以及在該第一/第四測試墊其中之一以及該第二/第三測試墊其中之一之間通入電流，并在另外二測試墊之間量測電壓，進而取得一接觸阻抗值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法，其特征在于其更包括進行多次通入電流以及量測電壓的步驟，以取得復(fù)數(shù)個接觸阻抗值，進而計算出一平均接觸阻抗值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法，其特征在于其中所述的進行多次通入電流以及量測電壓的步驟包括在該第一測試墊以及該第二測試墊之間通入電流，并在該第三測試墊以及該第四測試墊量測電壓，以取得一第一接觸阻抗值；在該第一測試墊以及該第三測試墊之間通入電流，并在該第二測試墊以及該第四測試墊量測電壓，以取得一第二接觸阻抗值；在該第二測試墊以及該第四測試墊之間通入電流，并在該第一測試墊以及該第三測試墊量測電壓，以取得一第三接觸阻抗值；以及在該第三測試墊以及該第四測試墊之間通入電流，并在該第一測試墊以及該第二測試墊量測電壓，以取得一第四接觸阻抗值。
4.一種量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的結(jié)構(gòu)，其特征在于包括一晶片，該晶片上具有一第一/第二/第三擬凸塊，且該第一/第二/第三擬凸塊之間是彼此電性連接；以及一平面顯示器，該平面顯示器上具有一第一/第二/第三擬接點以及一第一/第二/第三/第四測試墊，且該第一擬接點是與該第一測試墊電性連接，該第二擬接點是與該第二/第三測試墊電性連接，該第三擬接點是與該第四測試墊電性連接，其中該晶片上的該第一/第二/第三擬凸塊是分別與該平面顯示器上的該第一/第二/第三擬接點接合在一起。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的方法及其結(jié)構(gòu)，該量測平面顯示器與晶片之間接觸阻抗的結(jié)構(gòu)，其包括晶片與平面顯示器，其中晶片上具有第一/第二/第三擬凸塊，且第一/第二/第三擬凸塊之間彼此電性連接。另外，平面顯示器上具有第一/第二/第三擬接點以及第一/第二/第三/第四測試墊，且第一擬接點與第一測試墊電性連接，第二擬接點與第二/第三測試墊電性連接，第三擬接點與第四測試墊電性連接，此外，晶片上的第一/第二/第三擬凸塊是分別與平面顯示器上的第一/第二/第三擬接點接合。由于可以直接在平面顯示器與晶片之間量測接觸阻抗值，因此可以提高質(zhì)量管理分析的效率。
文檔編號G01R27/02GK1529175SQ20031010055
公開日2004年9月15日 申請日期2003年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月16日
發(fā)明者顧建峰, 張云華 申請人:友達光電股份有限公司