專(zhuān)利名稱(chēng)：核磁共振成像系統(tǒng)的冷卻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有開(kāi)放式超導(dǎo)磁體系統(tǒng)的核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)，該開(kāi)放式超導(dǎo)磁體系統(tǒng)包括多個(gè)水平定向的超導(dǎo)線(xiàn)圈和用于容納液體冷卻介質(zhì)的低溫容器，該液體冷卻介質(zhì)用于冷卻位于該低溫容器內(nèi)的超導(dǎo)線(xiàn)圈，該低溫容器在其頂部設(shè)置有用于使從該容器中蒸發(fā)的冷卻介質(zhì)的連續(xù)液化的再冷凝器。
第一段所述的核磁共振成像系統(tǒng)由美國(guó)專(zhuān)利6011456是已知的。該專(zhuān)利描述了開(kāi)放結(jié)構(gòu)的重新冷凝的超導(dǎo)磁體，其具有作為氦容器的用于超導(dǎo)MRI磁體的低溫容器，其中對(duì)于氦冷卻劑的保存，使用了所謂的“零蒸發(fā)(ZBO)”技術(shù)。ZBO技術(shù)本身是涉及借助于再冷凝器重新使得在氦容器的頂部中某一位置處的氦氣重新液化而不是使氣作為氣體釋放從而防止氦(或任何其它的冷卻劑)損失的技術(shù)。在帶有再冷凝器的磁體中，蒸發(fā)的氦不能從氦容器中逃逸出去，這是因?yàn)樵陔x開(kāi)路徑中(在磁體頂部處在頸部中的某一位置)氦會(huì)遇到再冷凝器的冷表面，其使得氦氣液化。重新冷凝的氦隨后再次滴到氦容器中。因此，具有氦的連續(xù)循環(huán)。通常在依據(jù)本發(fā)明的MRI磁體中，熱泄漏的數(shù)量級(jí)為1W，這使得液氦以1.4升/小時(shí)的速度蒸發(fā)。其結(jié)果為，4.2K的氦氣以大約14升/小時(shí)的速度從氦容器中逃逸，這與沒(méi)有開(kāi)放結(jié)構(gòu)的常規(guī)MRI磁體相比是相當(dāng)大的量。因此嚴(yán)格意義上，術(shù)語(yǔ)“零蒸發(fā)”是不正確的。
零蒸發(fā)技術(shù)的其它細(xì)節(jié)在于低溫冷卻器的不受控的操作可導(dǎo)致在氦容器中的不希望的負(fù)壓。解決方案包括借助于在氦容器底部的加熱器來(lái)控制壓力。實(shí)際上，加熱器浪費(fèi)了再冷凝器的多余的冷卻能力。這確保了氦的恒定循環(huán)，這與低溫恒溫器的質(zhì)量無(wú)關(guān)。
如上所述，再冷凝器應(yīng)當(dāng)防止蒸發(fā)的氦離開(kāi)氦容器，并且在很大程度上是這樣做的。然而，實(shí)際上，由于維護(hù)操作、低溫系統(tǒng)的損壞、或存在小的沒(méi)有檢測(cè)到的氦泄漏，氦可從氦容器中逃逸出去，因此氦的一些損失是不可避免的。換言之，長(zhǎng)期而言的平均氦損失是非常小的，但不會(huì)為零。
在這點(diǎn)上，氦容器的重要的質(zhì)量因素是有效容積，這由磁體在其間可操作的、冷卻介質(zhì)的最大填充比率和冷卻介質(zhì)的最小填充比率之間的差來(lái)限定。例如，如果最大填充比率是氦容器的總?cè)萜鞯?5％并且最小填充比率是15％，則磁體可填充氦到95％并且必須在填充比率下降到低于15％之前重新填充。在這種情況下，有效容積是氦容器的總?cè)萜鞯?0％。通常，對(duì)于本領(lǐng)域的醫(yī)用成像系統(tǒng)的開(kāi)放式核磁共振成像(MRI)超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，最大填充比率和最小填充比率彼此相對(duì)接近，例如分別為95％和85％，在這種情況下，即使磁體設(shè)置有再冷凝器(零蒸發(fā)技術(shù))，有效容積也僅為10％。因此大的有效容積是所希望，這是因?yàn)檫@將增大氦重新填充的間隔。
本發(fā)明的一目的在于提供一種醫(yī)用成像系統(tǒng)，該系統(tǒng)的低溫容器所需的冷卻介質(zhì)流體的重新填充的間隔增大或者在該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)使用壽命中不再需要重新填充。
為了實(shí)現(xiàn)以上目的，提供了本發(fā)明的MRI系統(tǒng)，其特征在于，該MRI系統(tǒng)包括用于從該再冷凝器沿該超導(dǎo)線(xiàn)圈的至少一部分引導(dǎo)該液體冷卻介質(zhì)的回路。在該回路中冷卻介質(zhì)應(yīng)當(dāng)能夠充分低冷卻超導(dǎo)線(xiàn)圈。這不是必需地規(guī)定超導(dǎo)線(xiàn)圈直接與冷卻介質(zhì)接觸?；蛘?，也可通過(guò)例如在冷卻介質(zhì)和超導(dǎo)線(xiàn)圈之間使用導(dǎo)熱中間材料例如回路本身，從而對(duì)超導(dǎo)線(xiàn)圈進(jìn)行充分冷卻。因?yàn)榛芈分皇切枰谠摶芈分写嬖谝后w冷卻介質(zhì)，所以Vmin可顯著降低，由此可相應(yīng)地增加有效容積。例如以這種方式，本發(fā)明可使得有效容積增大8倍，使得重新填充間隔增大8倍。實(shí)際上，這是每2年重新填充或每16年重新填充的差別。在每16年重新填充的情況下，磁體根本不需要重新填充，這是因?yàn)?6年已經(jīng)超過(guò)了MRI醫(yī)用成像系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)壽命。
依據(jù)本發(fā)明的MRI系統(tǒng)的特定實(shí)施例的特征在于，該回路包括至少一個(gè)用于該液體冷卻介質(zhì)的局部存儲(chǔ)器，該局部存儲(chǔ)器位于相關(guān)的超導(dǎo)線(xiàn)圈附近，以便冷卻所述的相關(guān)超導(dǎo)線(xiàn)圈。以這種方式，可實(shí)現(xiàn)有效容積的非常高效的增大。
依據(jù)本發(fā)明的MRI系統(tǒng)的另一實(shí)施例的特征在于，該局部存儲(chǔ)器包括用于該液體冷卻介質(zhì)的溢流邊緣，該溢流邊緣位于該相關(guān)的超導(dǎo)線(xiàn)圈的下側(cè)處或在該下側(cè)之上。以這種方式，可確保相關(guān)的超導(dǎo)線(xiàn)圈的至少下部分浸在流體冷卻介質(zhì)中。由于超導(dǎo)線(xiàn)圈的非常好的導(dǎo)熱特性，因此所述超導(dǎo)線(xiàn)圈的僅下部分浸在流體冷卻介質(zhì)中足以將該相關(guān)的超導(dǎo)線(xiàn)圈整體上保持在所需的下降的溫度。
依據(jù)本發(fā)明的MRI系統(tǒng)的再一實(shí)施例的特征在于，該局部存儲(chǔ)器是至少部分環(huán)狀的。以這種方式，該局部存儲(chǔ)器的形狀適于該相關(guān)的超導(dǎo)線(xiàn)圈的總體形狀。該特定的環(huán)形形狀包圍整個(gè)圓形在本發(fā)明的精神范圍內(nèi)不是嚴(yán)格必需的。由于良好的導(dǎo)熱特性，將環(huán)形形狀限定成例如該相關(guān)的超導(dǎo)線(xiàn)圈的15度也是足夠的，由此進(jìn)一步減少了允許磁體操作的最小填充比率。
依據(jù)本發(fā)明的MRI系統(tǒng)的特定實(shí)施例的特征在于，該局部存儲(chǔ)器包括用于該相關(guān)的超導(dǎo)線(xiàn)圈的繞組主體。該繞組主體例如為所謂的線(xiàn)圈架的一部分。在低溫存儲(chǔ)器中減少了額外的結(jié)構(gòu)部件的數(shù)量，這是因?yàn)樵摾@組主體不僅作為超導(dǎo)線(xiàn)圈在制造過(guò)程中線(xiàn)圈盤(pán)繞的主體，而且還作為用于存儲(chǔ)器的壁或節(jié)流裝置。
相似優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用于依據(jù)本發(fā)明的MRI系統(tǒng)的另一實(shí)施例，其中該局部存儲(chǔ)器包括用于該相關(guān)的超導(dǎo)線(xiàn)圈的定位主體。例如作為所謂的線(xiàn)圈架的一部分的這種定位主體通常總設(shè)置在低溫存儲(chǔ)器中，以便避免超導(dǎo)線(xiàn)圈由于所產(chǎn)生的洛倫茲力引起的不希望的變形。
依據(jù)本發(fā)明的MRI系統(tǒng)的再一實(shí)施例的特征在于，該回路包括向下傾斜的引導(dǎo)裝置，以便將該液體冷卻介質(zhì)從第一超導(dǎo)線(xiàn)圈引導(dǎo)到定位在該第一超導(dǎo)線(xiàn)圈之下的第二超導(dǎo)線(xiàn)圈。以這種方式，可實(shí)現(xiàn)流體冷卻介質(zhì)的最佳流程。流體冷卻介質(zhì)沿連續(xù)的超導(dǎo)線(xiàn)圈被引導(dǎo)，其中對(duì)于在超導(dǎo)線(xiàn)圈之間出現(xiàn)流體冷卻介質(zhì)具有最小限度的需要。如果相應(yīng)的超導(dǎo)線(xiàn)圈在彼此之上沒(méi)有精確地定位，這是特別有利的。
依據(jù)本發(fā)明的MRI系統(tǒng)的特定實(shí)施例的特征在于，該核磁共振成像系統(tǒng)包括用于在該低溫容器內(nèi)確定該液體冷卻介質(zhì)的液面的感測(cè)裝置。以這種方式，在低溫容器中可以監(jiān)控流體冷卻介質(zhì)的填充比率。如果下一次重新填充是必要的話(huà)，通過(guò)對(duì)來(lái)自傳感器裝置的數(shù)據(jù)進(jìn)行插值，可預(yù)測(cè)何時(shí)進(jìn)行下一次重新填充。
以下將參照附圖并結(jié)合本發(fā)明的核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)的優(yōu)選實(shí)施例來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明，在附圖中


圖1示意地示出了本發(fā)明的核磁共振成像系統(tǒng)的開(kāi)放式超導(dǎo)磁體系統(tǒng)的截面，但是其中沒(méi)有特征涉及本發(fā)明；和圖2示意地示出了圖1所示的磁體系統(tǒng)的截面，其包括本發(fā)明的特征，并且包括磁體系統(tǒng)在其間可操作的氦的最大程度Vmax和最小程度Vmin。
圖1示出了開(kāi)放式超導(dǎo)磁體系統(tǒng)1的示意截面，該磁體系統(tǒng)形成本發(fā)明的核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)的一部分。圖1沒(méi)有示出本發(fā)明的特定特征。包括框架、患者支承單元和控制單元的MRI系統(tǒng)的其余部分沒(méi)有在圖1中示出，并且這對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言是公知的類(lèi)型。磁場(chǎng)和磁體系統(tǒng)1的軸線(xiàn)2沿垂直方向定向。磁場(chǎng)由環(huán)形的超導(dǎo)線(xiàn)圈3、4、5、6、7、8、9、10產(chǎn)生，每一線(xiàn)圈布置在水平平面中。具有最大直徑的兩個(gè)線(xiàn)圈3、4構(gòu)造成屏蔽線(xiàn)圈，其提供散射磁場(chǎng)的主動(dòng)屏蔽。主動(dòng)屏蔽是本領(lǐng)域內(nèi)減小磁體系統(tǒng)1的散射磁場(chǎng)的方法，以下使得在醫(yī)院中由MRI系統(tǒng)占據(jù)的體積減至最小。
超導(dǎo)線(xiàn)圈3-10應(yīng)當(dāng)被冷卻以便成為超導(dǎo)狀態(tài)。為了冷卻超導(dǎo)線(xiàn)圈3-10，使得它們定位在低溫容器11中。該低溫容器11的形狀相當(dāng)于磁體系統(tǒng)1的特定形狀，這意味著低溫容器11包括盤(pán)狀上部分12和盤(pán)狀下部分13，這兩個(gè)部分12、13在一側(cè)由柱14互連。在本發(fā)明的范圍內(nèi)還可提供多個(gè)柱，以便獲得例如機(jī)械穩(wěn)定性，在圖1中僅示出了一個(gè)柱。符合這些特定輪廓的輻射屏蔽件15和氦容器16設(shè)置在低溫容器11內(nèi)。這使得氦容器16對(duì)于上部分12和下部分13是共用的。這是最經(jīng)濟(jì)的方式，這是因?yàn)槿绻麑?duì)于上部分12和下部分13使用兩個(gè)分離的氦容器，則許多部件需兩個(gè)，這包括較昂貴的低溫冷卻器，以下進(jìn)行清晰的詳細(xì)描述。
在如圖1所示的特殊結(jié)構(gòu)中，四個(gè)超導(dǎo)線(xiàn)圈位于低溫容器11的上部分12中，四個(gè)超導(dǎo)線(xiàn)圈位于下部分13中，但是這對(duì)于本發(fā)明并不重要。磁體系統(tǒng)的更均勻的形式需要更多的線(xiàn)圈，而磁體系統(tǒng)的不屏蔽的形式需要更少的線(xiàn)圈。在圖1中，上部分12和下部分13是對(duì)稱(chēng)的，然而在本發(fā)明的情況中并不必須如此。
區(qū)域17、18代表磁體系統(tǒng)1的其它部件的位置，例如梯度線(xiàn)圈、射頻線(xiàn)圈、和墊片系統(tǒng)，這些部件凹進(jìn)設(shè)置在低溫容器11的上部分12和下部分13的凹部中。以這種方式，對(duì)于患者可在患者空間19中在上部分12和下部分13之間實(shí)現(xiàn)最大的空間。
為了冷卻存在于氦容器16中的氦，設(shè)置有低溫冷卻器20，該低溫冷卻器經(jīng)在磁體頂部上的頸部21插入到氦容器16中。該低溫冷卻器20具有兩個(gè)熱力工位22、23。第一熱力工位22連接到磁體系統(tǒng)1的輻射屏蔽件15上。第二熱力工位23在氦容器16中浮動(dòng)并且作為再冷凝器。在該特定實(shí)施例中，使用了高級(jí)的兩級(jí)低溫冷卻器，該低溫冷卻器的第二熱力工位23或第二級(jí)的溫度到達(dá)4.2K以下，并且因此能夠重新冷凝氦，而第一熱力工位22或第一級(jí)冷卻輻射屏蔽件16。然而，在單個(gè)低溫冷卻器中組合重新冷凝和冷卻輻射屏蔽件的功能對(duì)于本發(fā)明而言不是實(shí)質(zhì)性的。或者，可使用氦液化器和獨(dú)立的裝置來(lái)冷卻輻射屏蔽件，例如獨(dú)立的低溫冷卻器或氮冷卻劑。
在圖2a和2b中，所示的氦容器16沒(méi)有由低溫容器11和輻射屏蔽件15包圍。為了提高附圖的可理解性，(與圖1不同)沒(méi)有線(xiàn)用來(lái)表示多個(gè)元件例如超導(dǎo)線(xiàn)圈在氦容器16內(nèi)的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。除了圖1所示的部件之外，圖2a和2b示出了用于每一超導(dǎo)線(xiàn)圈3-10的繞組主體24、25、26、27、28、29、30、31和線(xiàn)圈架32、33、34、35、36、37、38、39。在磁體系統(tǒng)1的制造過(guò)程中，超導(dǎo)線(xiàn)圈圍繞繞組主體進(jìn)行盤(pán)繞。線(xiàn)圈架用于支承超導(dǎo)線(xiàn)圈以便機(jī)械地抵抗洛倫茲力。即使在不應(yīng)用本發(fā)明的情況下，繞組主體和線(xiàn)圈架也應(yīng)設(shè)置在氦容器中，因?yàn)樗鼈兪潜匦璧?。另外，存在于氦容?6內(nèi)的氦用灰度級(jí)來(lái)表示。
在圖2a中，所示的氦處于磁體系統(tǒng)1可允許操作的最大液面40，而在圖2b中，所示的氦處于磁體系統(tǒng)1可允許操作的最小液面41。最大填充和最小填充之間的差是所謂的有效容積，其可容易地達(dá)到氦容器16的總?cè)莘e的80-90％。
如上所述，在氦容器內(nèi)在一方面的氦蒸發(fā)與另一方面的由冷凝器進(jìn)行液化之間存在動(dòng)態(tài)平衡。由冷凝器液化的氦借助于回路沿所有超導(dǎo)線(xiàn)圈被引導(dǎo)。該回路開(kāi)始于冷凝器的正下方的向下傾斜的斜管42，氦通過(guò)該斜管流向具有U形截面的第一環(huán)狀局部存儲(chǔ)器63。U形腿由氦容器16本身的一部分形成并且由位于超導(dǎo)線(xiàn)圈3的內(nèi)側(cè)的壁43形成，而U形的主體由底部44形成。在圖2a的左側(cè)，示出了壁43的溢流邊緣45，向下傾斜的管48從該邊緣延伸到超導(dǎo)線(xiàn)圈5的正上方。線(xiàn)圈5定位在具有U形截面的第二環(huán)狀局部存儲(chǔ)器64中。該U形腿可由繞組主體25和壁46的一部分形成，其具有溢流邊緣47。U形的主體由線(xiàn)圈架33的一部分。氦溢流的溢流邊緣47達(dá)到由用于超導(dǎo)線(xiàn)圈7的繞組主體27和氦容器16的部件49、50形成的第三環(huán)狀局部存儲(chǔ)器65。繞組主體27的上邊緣51應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是用于氦的溢流邊緣。在溢流通過(guò)該邊緣51之后，氦達(dá)到第四環(huán)狀局部存儲(chǔ)器66，其也具有用于超導(dǎo)線(xiàn)圈7的U形截面。壁53、氦容器16的一部分52、和繞組主體27構(gòu)造成該第四局部存儲(chǔ)器66。壁53的高度小于繞組主體27的高度。因此，如果第四局部存儲(chǔ)器66完全填充滿(mǎn)氦，則氦將溢流通過(guò)壁53的上邊緣54。接著，由于重力，氦將經(jīng)氦容器16的延伸穿過(guò)柱14的一部分下落到向下傾斜的斜管55的上部分上，氦從該上部分向下流到第五環(huán)狀局部存儲(chǔ)器67中。該第五局部存儲(chǔ)器67用來(lái)共同地冷卻超導(dǎo)線(xiàn)圈6、8、10。該第五局部存儲(chǔ)器67由用于超導(dǎo)線(xiàn)圈6的繞組主體30形成，該繞組主體30在其上端密封地連接到氦容器16上。此外，該第五局部存儲(chǔ)器67由在三個(gè)超導(dǎo)線(xiàn)圈6、8、10下方的延伸的底部56形成并且由壁57形成。在圖2a和2b的右側(cè)，可以看到壁57的上邊緣58位于氦容器16的壁的稍下方，這允許氦在其間經(jīng)過(guò)流到向下傾斜的斜管59上，其將氦引導(dǎo)到第六環(huán)狀局部存儲(chǔ)器68中。該第六局部存儲(chǔ)器68由氦容器16的部分60、線(xiàn)圈架39、和由延伸部分61延伸的繞組主體31形成。在氦溢流通過(guò)延伸部分61的上邊緣62之后，氦到達(dá)氦容器16的底部63。在該底部，(未示出的)的加熱器設(shè)置用于可控地使氦蒸發(fā)，以便由低溫冷卻器20形成氦的重新冷凝的動(dòng)態(tài)平衡。
為了在氦容器16中監(jiān)控氦的液面，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員已知的是，可在氦容器的內(nèi)側(cè)上設(shè)置液面?zhèn)鞲衅?9。這可對(duì)氦液面進(jìn)行連續(xù)的監(jiān)控。監(jiān)控氦液面是所希望的，以便在早期檢測(cè)出問(wèn)題。氦液面的下降表示(例如氣體泄漏的)損壞，這最終導(dǎo)致從磁體系統(tǒng)1中損失氦。
從以上描述和(對(duì)比圖2a)圖2b中可清晰看出，為了將超導(dǎo)線(xiàn)圈冷卻到所需的溫度，如果所有局部存儲(chǔ)器63、64、65、66、67、68填充氦則這是足夠的。如果氦容器16只有相對(duì)較少部分填充氦，則這已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了，這是因?yàn)榫植看鎯?chǔ)器的容積明顯小于氦容器16的總?cè)莘e。如此適用，溢流通過(guò)局部存儲(chǔ)器中的一個(gè)存儲(chǔ)器的液氦經(jīng)由例如斜管和管的引導(dǎo)元件到達(dá)下方的局部存儲(chǔ)器。以這種方式，實(shí)現(xiàn)了從冷凝器到最高局部存儲(chǔ)器并且經(jīng)由中間的局部存儲(chǔ)器再到最低局部存儲(chǔ)器的液氦連續(xù)流動(dòng)，因此，盡管在每一局部存儲(chǔ)器中有局部的氦蒸發(fā)但是可確保所有存儲(chǔ)器保持填充狀態(tài)。
權(quán)利要求
1.一種具有開(kāi)放式超導(dǎo)磁體系統(tǒng)的核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)，該開(kāi)放式超導(dǎo)磁體系統(tǒng)包括多個(gè)水平定向的超導(dǎo)線(xiàn)圈和用于容納液體冷卻介質(zhì)的低溫容器，該液體冷卻介質(zhì)用于冷卻位于該低溫容器內(nèi)的超導(dǎo)線(xiàn)圈，該低溫容器在其頂部設(shè)置有用于使從該容器中蒸發(fā)的冷卻介質(zhì)的連續(xù)液化的再冷凝器，其特征在于，該核磁共振成像系統(tǒng)包括用于從該再冷凝器沿該超導(dǎo)線(xiàn)圈的至少一部分引導(dǎo)該液體冷卻介質(zhì)的回路。
2.如權(quán)利要求1所述的核磁共振成像系統(tǒng)，其特征在于，該回路包括至少一個(gè)用于該液體冷卻介質(zhì)的局部存儲(chǔ)器，該局部存儲(chǔ)器位于相關(guān)的超導(dǎo)線(xiàn)圈附近，以便冷卻所述的相關(guān)超導(dǎo)線(xiàn)圈。
3.如權(quán)利要求2所述的核磁共振成像系統(tǒng)，其特征在于，該局部存儲(chǔ)器包括用于該液體冷卻介質(zhì)的溢流邊緣，該溢流邊緣位于該相關(guān)的超導(dǎo)線(xiàn)圈的下側(cè)處或在該下側(cè)之上。
4.如權(quán)利要求2所述的核磁共振成像系統(tǒng)，其特征在于，該局部存儲(chǔ)器是至少部分環(huán)狀的。
5.如權(quán)利要求2所述的核磁共振成像系統(tǒng)，其特征在于，該局部存儲(chǔ)器包括用于該相關(guān)的超導(dǎo)線(xiàn)圈的繞組主體。
6.如權(quán)利要求2所述的核磁共振成像系統(tǒng)，其特征在于，該局部存儲(chǔ)器包括用于該相關(guān)的超導(dǎo)線(xiàn)圈的定位主體。
7.如權(quán)利要求1所述的核磁共振成像系統(tǒng)，其特征在于，該回路包括向下傾斜的引導(dǎo)裝置，以便將該液體冷卻介質(zhì)從第一超導(dǎo)線(xiàn)圈引導(dǎo)到定位在該第一超導(dǎo)線(xiàn)圈之下的第二超導(dǎo)線(xiàn)圈。
8.如權(quán)利要求1所述的核磁共振成像系統(tǒng)，其特征在于，該核磁共振成像系統(tǒng)包括用于在該低溫容器內(nèi)確定該液體冷卻介質(zhì)的液面的感測(cè)裝置。
全文摘要
一種具有開(kāi)放式超導(dǎo)磁體系統(tǒng)的核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)，該開(kāi)放式超導(dǎo)磁體系統(tǒng)包括多個(gè)水平定向的超導(dǎo)線(xiàn)圈(3－10)和用于容納液體冷卻介質(zhì)的低溫容器(11)，該液體冷卻介質(zhì)用于冷卻位于該低溫容器內(nèi)的超導(dǎo)線(xiàn)圈，該低溫容器在其頂部設(shè)置有用于使從該容器中蒸發(fā)的冷卻介質(zhì)的連續(xù)液化的再冷凝器(23)。該磁體系統(tǒng)包括用于從該再冷凝器沿該超導(dǎo)線(xiàn)圈的至少一部分引導(dǎo)該液體冷卻介質(zhì)的回路。
文檔編號(hào)F17C13/00GK1606786SQ02825744
公開(kāi)日2005年4月13日 申請(qǐng)日期2002年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月21日
發(fā)明者G·B·J·馬爾德 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司