磁流體密封裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種密封裝置，特別涉及一種磁流體密封裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]磁流體密封技術(shù)是在磁性流體的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，當(dāng)磁流體注入磁場(chǎng)的間隙時(shí)，它可以充滿整個(gè)間隙，形成一種“液體的O型密封圈”。磁流體密封裝置的功能是把旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)傳遞到密封容器內(nèi)，常用于真空密封，隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，國(guó)內(nèi)外真空設(shè)備發(fā)展迅猛。在許多回轉(zhuǎn)動(dòng)密封裝置上，磁流體密封得到了廣泛的應(yīng)用，例如在單晶硅爐、真空釬焊爐、真空熔煉爐、化學(xué)氣相沉積、離子鍍膜、液晶再生等真空設(shè)備的密封，以及高溫高壓設(shè)備及對(duì)環(huán)境要求較高的設(shè)備的密封。從而提高產(chǎn)品質(zhì)量，獲得很好的經(jīng)濟(jì)效益，目前的磁流體密封裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本較高，不適用于大部分產(chǎn)品。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了克服上述缺陷，本實(shí)用新型提供了一種能夠解決上述問(wèn)題的磁流體密封裝置。
[0004]本實(shí)用新型為了解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種磁流體密封裝置，包括密封本體，所述密封本體上設(shè)有氣體入口和真空吸引氣體出口，所述密封本體的上端轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)有一離子發(fā)生器，所述離子發(fā)生器的下端設(shè)有基板，所述密封本體內(nèi)的下方設(shè)有一固定架，所述固定架的上端面為接收離子的靶，所述離子發(fā)生器的上端轉(zhuǎn)動(dòng)軸與密封本體之間設(shè)有磁流體密封。
[0005]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述氣體入口設(shè)于密封本體的一側(cè)上方，所述真空吸引氣體出口設(shè)于密封本體另一側(cè)的下方。
[0006]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述磁流體密封呈上端直徑小于下端直接的圓柱臺(tái)階狀。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型的磁流體密封裝置通過(guò)圓環(huán)形永久磁鐵，極靴和轉(zhuǎn)軸所構(gòu)成的磁性回路，在磁鐵產(chǎn)生的磁場(chǎng)作用下，把放置在軸與極靴頂端縫隙間的磁流體加以集中，使其形成一個(gè)所謂的“O”形環(huán)，將縫隙通道堵死而達(dá)到密封的目的。這種密封方式可用于轉(zhuǎn)軸是磁性體和轉(zhuǎn)軸是非磁性體兩種場(chǎng)合。前者磁束集中于間隙處并貫穿轉(zhuǎn)軸而構(gòu)成磁路，而后者磁束比不通過(guò)轉(zhuǎn)軸，只是通過(guò)密封間隙中的磁流體而構(gòu)成磁路。其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)合理，密封效果好，被廣泛用于各種行業(yè)。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；
[0009]圖中標(biāo)示:1_密封本體；2-氣體入口 ；3_真空吸引氣體出口 ；4_離子發(fā)生器；5-基板；6-固定架；7-靶；8_轉(zhuǎn)動(dòng)軸；9_磁流體密封。
【具體實(shí)施方式】
[0010]為了加深對(duì)本實(shí)用新型的理解，下面將結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳述，該實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限定。
[0011]圖1示出了本實(shí)用新型一種磁流體密封裝置的一種實(shí)施方式，包括密封本體1，所述密封本體I上設(shè)有氣體入口 2和真空吸引氣體出口 3，所述密封本體I的上端轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)有一離子發(fā)生器4，所述離子發(fā)生器4的下端設(shè)有基板5，所述密封本體I內(nèi)的下方設(shè)有一固定架6，所述固定架6的上端面為接收離子的靶7，所述離子發(fā)生器4的上端轉(zhuǎn)動(dòng)軸8與密封本體I之間設(shè)有磁流體密封9。所述氣體入口 2設(shè)于密封本體I的一側(cè)上方，所述真空吸引氣體出口 3設(shè)于密封本體I另一側(cè)的下方。所述磁流體密封9呈上端直徑小于下端直接的圓柱臺(tái)階狀。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種磁流體密封裝置，包括密封本體(I)，其特征在于:所述密封本體(I)上設(shè)有氣體入口(2)和真空吸引氣體出口(3)，所述密封本體(I)的上端轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)有一離子發(fā)生器(4)，所述離子發(fā)生器(4)的下端設(shè)有基板(5)，所述密封本體(I)內(nèi)的下方設(shè)有一固定架(6)，所述固定架(6)的上端面為接收離子的靶(7)，所述離子發(fā)生器(4)的上端轉(zhuǎn)動(dòng)軸(8)與密封本體(I)之間設(shè)有磁流體密封(9)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁流體密封裝置，其特征在于:所述氣體入口(2)設(shè)于密封本體(I)的一側(cè)上方，所述真空吸引氣體出口(3)設(shè)于密封本體(I)另一側(cè)的下方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁流體密封裝置，其特征在于:所述磁流體密封(9)呈上端直徑小于下端直接的圓柱臺(tái)階狀。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種磁流體密封裝置，包括密封本體，所述密封本體上設(shè)有氣體入口和真空吸引氣體出口，所述密封本體的上端轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)有一離子發(fā)生器，所述離子發(fā)生器的下端設(shè)有基板，所述密封本體內(nèi)的下方設(shè)有一固定架，所述固定架的上端面為接收離子的靶，所述離子發(fā)生器的上端轉(zhuǎn)動(dòng)軸與密封本體之間設(shè)有磁流體密封。這種密封方式可用于轉(zhuǎn)軸是磁性體和轉(zhuǎn)軸是非磁性體兩種場(chǎng)合。前者磁束集中于間隙處并貫穿轉(zhuǎn)軸而構(gòu)成磁路，而后者磁束比不通過(guò)轉(zhuǎn)軸，只是通過(guò)密封間隙中的磁流體而構(gòu)成磁路。其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)合理，密封效果好，被廣泛用于各種行業(yè)。
【IPC分類】F16J15-43
【公開(kāi)號(hào)】CN204493728
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520159797
【發(fā)明人】胡建洋
【申請(qǐng)人】胡建洋
【公開(kāi)日】2015年7月22日
【申請(qǐng)日】2015年3月20日