專利名稱：用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種安裝于使用了磁流變(MR)流體的液壓發(fā)動(dòng)機(jī)底座內(nèi)部的孔板，更特別地涉及這樣形成的孔板，其使得磁場與在流動(dòng)路徑(MR流體通過所述流動(dòng)路徑流動(dòng))的所有區(qū)域上的MR流體的流動(dòng)方向垂直排列，并使得流動(dòng)路徑僅允許分別在線圈組的內(nèi)部和外部沿著線圈組的周邊的單向流動(dòng)。
背景技術(shù)：
為了抑制發(fā)動(dòng)機(jī)振動(dòng)，車輛的發(fā)動(dòng)機(jī)通過發(fā)動(dòng)機(jī)底座而安裝于車身的發(fā)動(dòng)機(jī)室中。常用的發(fā)動(dòng)機(jī)底座為利用橡膠材料的回彈性的橡膠底座，以及填充有液體并利用來自液體移動(dòng)的粘滯阻力來抑制振動(dòng)的液壓底座。當(dāng)然，液壓發(fā)動(dòng)機(jī)底座構(gòu)造為抑制高頻率范圍和低頻率范圍兩者的振動(dòng)，并廣泛用于許多類型的車輛中。圖I示出了具有常規(guī)結(jié)構(gòu)的液壓發(fā)動(dòng)機(jī)底座的橫截面。液壓發(fā)動(dòng)機(jī)底座將液壓流體保持在由絕緣體2和隔膜7限定的內(nèi)部空間中，且所述內(nèi)部空間具有安裝于其中的孔板
4,并被分隔為上液體室3和下液體室6?？装?具有沿著其內(nèi)周邊的流動(dòng)路徑5以用于液壓流體流動(dòng)通過，并具有選擇性地安裝于其中心的斷開器。聯(lián)接至絕緣體2的雙頭螺栓I被聯(lián)接至發(fā)動(dòng)機(jī)支架。因此，由彈性材料形成的絕緣體2通過施加在雙頭螺栓I上的負(fù)載的變化和振動(dòng)而被反復(fù)彈性地壓縮和恢復(fù)，且液壓流體流動(dòng)通過上液體室3和下液體室6中的流動(dòng)路徑5。液壓流體的這種流動(dòng)使斷開器振動(dòng)，且在高頻率范圍內(nèi)的振動(dòng)通過斷開器的振動(dòng)而得到抑制，在低頻率范圍內(nèi)的振動(dòng)通過液壓流體經(jīng)過流動(dòng)路徑5的流動(dòng)而得到抑制。液壓底座可填充有MR流體而不是普通的液壓流體。磁流變(MR)流體為具有混合于合成烴類液體中的光滑磁性粒子的懸浮液，并具有這樣的剪切應(yīng)力特性，該剪切應(yīng)力根據(jù)是否在附近施加了磁場和所施加的磁場的強(qiáng)度而改變。因此，如圖2所示，填充MR流體的液壓底座的孔板4’具有流動(dòng)路徑5’和線圈8，所述流動(dòng)路徑5’在所述孔板4’中豎直形成，線圈8進(jìn)一步安裝成在MR流體經(jīng)過的流動(dòng)路徑5’的附近施加磁場。通過控制施加至線圈8的電流量，使得底座的動(dòng)態(tài)剛度和阻尼特性可根據(jù)車輛行駛的條件來控制。當(dāng)不施加磁場時(shí)，MR流體顯示出類似于一般液壓流體的流動(dòng)性質(zhì)，但當(dāng)磁場在附近施加時(shí)，粒子排列成列而改變了所述流體的流動(dòng)特性。特別地，當(dāng)不施加磁場時(shí)，MR流體的剪切應(yīng)力被作為粘度和剪切速率的倍數(shù)的值而確定，當(dāng)施加磁場時(shí)，MR流體的剪切應(yīng)力變?yōu)榧由狭饲羟袘?yīng)力的的值(粘度和剪切速CN 102913586 A
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率的倍數(shù))。所述屈服剪切應(yīng)力與施加磁場的強(qiáng)度成正比增加。如圖2所示，為了垂直于流動(dòng)方向而排列MR流體內(nèi)的粒子，施加磁場的方向應(yīng)與MR流體的流動(dòng)方向垂直。然而，在相關(guān)技術(shù)方法中，盡管在線圈離流動(dòng)路徑一側(cè)的一定距離設(shè)置的結(jié)構(gòu)中，·磁場在區(qū)域“A”和區(qū)域“C”中垂直于MR流體的流動(dòng)方向而排列，但在區(qū)域“B”中磁場在(與MR流體的流動(dòng)方向)平行的方向上形成，且不穿過MR流體，這因此降低了控制效率。盡管降低的控制效率可通過升高施加至線圈的電流值或通過形成更長的流動(dòng)路徑而得以恢復(fù)，但這涉及尺寸增加的限制(這增加了產(chǎn)生的熱量)。公開于該發(fā)明背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在加深對本發(fā)明的一般背景技術(shù)的理解，而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各個(gè)方面涉及提供一種孔板結(jié)構(gòu)，其可避免如上限制，并更有效地控制MR流體的流動(dòng)特性。在本發(fā)明的一個(gè)方面中，一種用于填充磁流變(MR)流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置可包括線圈組、芯組件單元和流動(dòng)路徑隔離器；所述線圈組具有在其上纏繞的線圈，并且是環(huán)形形狀；所述芯組件單元容納所述線圈組，以盤狀形狀形成，并限定流動(dòng)路徑，所述流動(dòng)路徑的上通道設(shè)置于所述芯組件單元的頂面，且所述流動(dòng)路徑的下通道設(shè)置于所述芯組件單元的底面，其中所述流動(dòng)路徑沿著所述線圈組的周長環(huán)狀形成，所述流動(dòng)路徑隔離器安裝于所述上通道和所述下通道之間，使得經(jīng)過所述流動(dòng)路徑的MR流體僅能夠單向循環(huán)。在本發(fā)明的另一方面中，一種用于填充有磁流變(MR)流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置可包括線圈組和芯組件單元；所述線圈組具有在其上纏繞的線圈，并且是環(huán)形形狀；所述芯組件單元容納所述線圈組，以盤狀形狀形成，并限定至少兩個(gè)流動(dòng)路徑；其中至少兩個(gè)上通道在所述芯組件單元的頂面形成，且至少兩個(gè)下通道設(shè)置于所述芯組件單元的底面中，其中所述至少兩個(gè)流動(dòng)路徑沿著所述線圈組的周長環(huán)狀形成，且其中所述至少兩個(gè)流動(dòng)路徑的頂部和底部的任意一個(gè)在所述線圈組單元的縱向方向上排列。所述至少兩個(gè)流動(dòng)路徑在所述芯組件單元內(nèi)在兩個(gè)位置中形成，并彼此流體隔離，并可包括內(nèi)流動(dòng)路徑和外流動(dòng)路徑，所述內(nèi)流動(dòng)路徑在所述線圈組單元的內(nèi)部形成，所述外流動(dòng)路徑在所述線圈組單元的外部形成，其中第一流動(dòng)路徑和第二流動(dòng)路徑隔離器分別臨近所述內(nèi)流動(dòng)路徑和所述外流動(dòng)路徑安裝，以改變MR流體的流動(dòng)方向。所述芯組件單元可包括圓板形狀的下板、圓板形狀的下芯、圓板形狀的上芯和圓板形狀的上板；所述圓板形狀的下板包括在其中心形成的突出部分，以及對應(yīng)于所述內(nèi)流動(dòng)路徑和所述外流動(dòng)路徑的第一下通道和第二下通道；所述圓板形狀的下芯安裝于所述下板之上，并包括第一通道孔和第一孔，所述第一通道孔在所述下芯中形成，并與所述外流動(dòng)路徑的第二下通道連通，所述第一孔在所述下芯的中心形成，其中形成沿著所述第一孔的內(nèi)周長向上突出的內(nèi)邊緣，并形成沿著所述下芯的外周長向上突出的外邊緣；所述圓板形狀的上芯在所述下芯之上安裝，并包括第二通道孔和第二孔，所述第二通道孔在所述上芯中形成，所述第二孔在所述上芯的中心形成，其中形成沿著所述第二孔的內(nèi)周長向下突出
6的內(nèi)邊緣，并形成沿著所述上芯的外周長向下突出，使得突出部分聯(lián)接至所述第二孔的內(nèi)邊緣的外邊緣，其中所述第二通道孔通過第一空間而與所述第一下通道流體連通，所述第一空間在所述下芯的內(nèi)邊緣與所述上芯的內(nèi)邊緣之間形成，其中所述第一通道孔與第二空間流體連通，所述第二空間在所述上芯的外邊緣與所述下芯的外邊緣之間形成，且其中所述芯組件設(shè)置于所述下芯與所述上芯之間；所述圓板形狀的上板安裝于所述上芯之上，并包括所述內(nèi)流動(dòng)路徑和所述外流動(dòng)路徑的第一上通道和第二上通道，其中所述上芯的第二 通道孔與所述第一上通道流體連通，且所述第二空間與所述第二上通道流體連通。所述第一流動(dòng)路徑隔離器設(shè)置于在所述第一下通道和所述第二通道孔之間的所述第一空間中。所述第二流動(dòng)路徑隔離器設(shè)置于在所述第一通道孔和所述第二上通道之間的所述第二空間中。所述線圈組安裝于所述下芯的內(nèi)邊緣和所述上芯的外邊緣之間。所述下芯和所述上芯由具有比所述下板和所述上板更高的相對導(dǎo)磁率的材料制得。所述內(nèi)流動(dòng)路徑或所述外流動(dòng)路徑可具有安裝于其中的兩個(gè)或更多個(gè)流動(dòng)路徑隔離器以防止所述內(nèi)流動(dòng)路徑和所述外流動(dòng)路徑之間的流體連通，且取決于所述流動(dòng)路徑隔離器的數(shù)目而另外形成上通道和下通道。如上構(gòu)造的本發(fā)明的示例性實(shí)施方案具有如下效果通過使流動(dòng)路徑沿著線圈組的周長僅在一個(gè)方向上循環(huán)，通過增加受到磁場影響的有效區(qū)域(其中MR流體的流動(dòng)方向與磁場垂直的區(qū)域)而能夠更有效地控制MR流體的流動(dòng)特性。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案的孔板可具有在兩個(gè)位置處形成的流動(dòng)路徑，使得MR流體可更快流動(dòng)，并可同時(shí)控制更大量的MR流體。此外，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案的流動(dòng)路徑為如下的結(jié)構(gòu)外流動(dòng)路徑的頂部和內(nèi)流動(dòng)路徑的底部從線圈組垂直突出，使得在突出部分流動(dòng)的MR流體沿著整個(gè)流動(dòng)路徑周長與磁場形成直角，從而使得控制性能的進(jìn)一步提高成為可能(參照圖3中由箭頭表不的突出部分)。因此，可將較低的電流施加至線圈組，以防止所產(chǎn)生熱量的增加，且線圈組可更小地形成。盡管在相關(guān)技術(shù)中流動(dòng)路徑在豎直方向上筆直形成，從而當(dāng)線圈組中存在故障時(shí)阻尼功能大大降低，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案的孔板具有環(huán)狀形成的流動(dòng)路徑，從而即使未施加磁場時(shí)(如在使用普通液壓流體的液壓發(fā)動(dòng)機(jī)底座中)，在MR流體流動(dòng)時(shí)也可弓I起合適的粘滯阻力，以能夠提供最小量的阻尼功能。此外，下芯和上芯由具有高的相對導(dǎo)磁率的材料制得，且下板和上板由具有低的相對導(dǎo)磁率的材料制得，使得磁力線集中于流動(dòng)路徑而改進(jìn)控制效率。通過納入本文的附圖以及隨后與附圖一起用于說明本發(fā)明的某些原理的具體實(shí)施方式
，本發(fā)明的方法和裝置所具有的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將更為具體地變得清楚或得以闡明。


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說明書4/6頁圖I為填充有普通液壓流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的橫截面圖。圖2為圖解填充有MR流體的液壓發(fā)動(dòng)機(jī)底座中安裝的相關(guān)技術(shù)的孔板結(jié)構(gòu)的圖，且MR流體中粒子的排列狀態(tài)取決于是否施加了磁場。圖3為立體圖和局部放大的橫截面圖，其圖解了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案的孔板的內(nèi)部形狀。圖4為圖解圖3中的孔板的分解圖。圖5為圖解翻轉(zhuǎn)倒置的圖3中的孔板的圖，以及翻轉(zhuǎn)的孔板的分解圖?！D6為圖解切成不同部分以顯示每個(gè)部分的截面形狀的圖3中的孔板的圖。圖7為圖解根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案的孔板的組裝順序的圖。圖8為圖解根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案的孔板的內(nèi)部的透視圖。應(yīng)當(dāng)了解，所附附圖并非一定是按比例的，其顯示了本發(fā)明的基本原理的圖示性的各種特征的略微簡化的畫法。本文所公開的本發(fā)明的具體設(shè)計(jì)特征包括例如具體尺寸、方向、位置和外形將部分地由具體預(yù)期應(yīng)用和使用的環(huán)境來確定。在這些圖形中，貫穿附圖的多幅圖形，附圖標(biāo)記引用本發(fā)明的同樣的或等同的部分。
具體實(shí)施例方式下面將對本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方案詳細(xì)地作出引用，這些實(shí)施方案的實(shí)例被顯示在附圖中并描述如下。盡管本發(fā)明將與示例性實(shí)施方案相結(jié)合進(jìn)行描述，但是應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，本說明書并非旨在將本發(fā)明限制為那些示例性實(shí)施方案。相反，本發(fā)明旨在不但覆蓋這些示例性實(shí)施方案，而且覆蓋可以被包括在由所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)的各種選擇形式、修改形式、等價(jià)形式及其它實(shí)施方案。在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案的一種用于填充有MR流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案的孔板包括芯組件，所述芯組件容納所述線圈組，以盤狀形狀形成，并限定流動(dòng)路徑，在所述流動(dòng)路徑中，上通道設(shè)置于所述芯組件的上表面中，下通道設(shè)置于所述芯組件的下表面中。如圖3所示，所述芯組件由聯(lián)接在一起的下板10、下芯20、上芯30和上板50形成，且線圈組40安裝于下芯20和上芯30之間。流動(dòng)路徑分別沿著線圈組40的內(nèi)周長和外周長而形成環(huán)狀的內(nèi)流動(dòng)路徑和外流動(dòng)路徑，從而通過總流動(dòng)路徑而擴(kuò)大前述磁場的有效面積。為了使MR流體在僅一個(gè)方向上循環(huán)通過所述流動(dòng)路徑，進(jìn)一步將流動(dòng)路徑隔離器60和70安裝于所述上通道和所述下通道之間。參考圖4和圖5，下板10以圓板形狀形成，并包括在其中心形成的突出部分11，且內(nèi)流動(dòng)路徑和外流動(dòng)路徑的下通道12a和12b在所述下板10中各自的預(yù)定位置處形成。螺栓孔Ila在突出部分11中限定，以通過突出部分11和上板50的孔51而固定和聯(lián)接螺栓。安裝在下板10之上的下芯20以圓板形狀形成，并限定通道孔25，所述通道孔25在與所述外流動(dòng)路徑的下通道12b連通的位置處。具有預(yù)定內(nèi)徑的孔24在下芯20的中心形成，以使得所述內(nèi)流動(dòng)路徑的下通道12a在與突出部分11預(yù)定距離處暴露。為了形成內(nèi)流動(dòng)路徑和外流動(dòng)路徑，并形成要在其中安置線圈組40的預(yù)定空間23，預(yù)定高度的內(nèi)邊緣
822 (以接觸所述線圈組的內(nèi)周邊)沿著孔24的周長突出，且外邊緣21沿著其外部周邊向上伸出。安裝在下芯20之上的上芯30以圓板形狀形成，限定與所述內(nèi)流動(dòng)路徑的上通道52a連通的通道孔35，在其中心處限定突出部分11插入的孔34，并具有沿著孔34的周長向下突出的內(nèi)邊緣32。內(nèi)邊緣32具有預(yù)定外徑，以被設(shè)置于所述內(nèi)流動(dòng)路徑的下通道12的內(nèi)部。外邊緣31沿著上芯30的外周長向下突出。因此，預(yù)定空間33在內(nèi)邊緣32和外邊緣31之間限定內(nèi)流動(dòng)路徑和外流動(dòng)路徑，并具有安置于其中的線圈組。安裝至上芯30之上的上板50具有圓板形狀，并限定所述內(nèi)流動(dòng)路徑和所述外流動(dòng)路徑的上通道52a和52b。用于部分阻塞所述內(nèi)流動(dòng)路徑的第一流動(dòng)路徑隔離器60安裝于下芯20的中心孔24的內(nèi)部以接觸突出部分11(參照圖5和圖7)，且用于部分阻塞所述外流動(dòng)路徑的第二流動(dòng)路徑隔離器70安裝于下芯20的外邊緣21的內(nèi)部以接觸上芯30。為了在可能的最長距離上移動(dòng)MR流體(以盡可能多地被磁場影響)，如圖6所示，所述內(nèi)流動(dòng)路徑和所述外流動(dòng)路徑各自的上通道52a和52b和下通道12a和12b以彼此之間的預(yù)定距離靠近設(shè)置，且第一流動(dòng)路徑隔離器60和第二流動(dòng)路徑隔離器70各自設(shè)置于其間。因此，流入所述內(nèi)流動(dòng)路徑或所述外流動(dòng)路徑的MR流體在第一流動(dòng)路徑隔離器60或第二流動(dòng)路徑隔離器70處被阻斷，并沿著所述線圈組的周長在一個(gè)方向上循環(huán)。線圈組40構(gòu)造為以線圈蓋聯(lián)接至環(huán)形的線圈繞組，使得MR流體不直接接觸線圈，并裝電線以接收來自外部的電力。為了線圈組40不起伏并被固定于所述芯組件內(nèi)，將線圈組40緊緊固定于下芯20的內(nèi)邊緣22和上芯30的外邊緣31之間的兩側(cè)。為了集中磁場的磁力線，下芯20和上芯30可用具有高相對導(dǎo)磁率的材料制得，且下板10和上板50以及第一流動(dòng)路徑隔離器60和第二流動(dòng)路徑隔離器70可用具有低相對導(dǎo)磁率的材料制得。參照圖7，為了將所述內(nèi)流動(dòng)路徑的下通道12a暴露在下板10之上，在安裝下芯20之后，將第一流動(dòng)路徑隔離器60安裝于下通道20的一側(cè)。安裝第一流動(dòng)路徑隔離器60，以將其設(shè)置于所述內(nèi)流動(dòng)路徑的上通道52a和下通道12a之間。線圈組40安置于第二流動(dòng)路徑隔離器上，且第二流動(dòng)路徑隔離器70安裝于所述外流動(dòng)路徑的下通道12b的一側(cè)。安裝第二流動(dòng)路徑隔離器70，以將其設(shè)置于所述外流動(dòng)路徑的上通道52b和下通道12b之間。上芯30和下板50隨后安裝，以對線圈組40的內(nèi)部形成內(nèi)流動(dòng)路徑，并對線圈組40的外部形成外流動(dòng)路徑。選擇性地，作為本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案，如圖8所示，可將兩個(gè)或更多個(gè)流動(dòng)路徑隔離器安裝于所述內(nèi)流動(dòng)路徑中或外流動(dòng)路徑中。在此情況中，可取決于流動(dòng)路徑隔離器的數(shù)目而另外形成上通道和下通道。即，為了使MR流體沿著線圈組的周長僅循環(huán)半轉(zhuǎn)，將第一流動(dòng)路徑隔離器60a和第二流動(dòng)路徑隔離器70a另外安裝在相對側(cè)，且為了使已通過另外安裝的流動(dòng)通道隔離器60a和70a而被阻止流動(dòng)的MR流體向外排放，可將下通道12c和12d以及上通道52c和52d另外安裝于下板10和上板50中。這種流動(dòng)路徑的分隔可根據(jù)MR流體的性質(zhì)(如粘度、粒子密度等)形成。即，如果MR流體的粘度相對相關(guān)技術(shù)中的液壓流體過高，使得即使在不將電流施加至線圈組40時(shí)流量也較低(低于設(shè)定標(biāo)準(zhǔn))，則可分隔流動(dòng)路徑以防止性質(zhì)的降低。在此情況中，盡管受到磁場影響的有效區(qū)域可以被減
9小，但控制效率可通過調(diào)節(jié)上通道或下通道的直徑或通過其他調(diào)整形式而得以補(bǔ)償。為了方便解釋和精確限定所附權(quán)利要求，術(shù)語“上”、“下”、“內(nèi)”和“外”被用于參 考附圖中所顯示的特征的位置來描述示例性實(shí)施方式的這些特征。前面對本發(fā)明具體示例性實(shí)施方案所呈現(xiàn)的描述是出于說明和描述的目的。前面的描述并不想要成為毫無遺漏的，也不是想要把本發(fā)明限制為所公開的精確形式，顯然，根據(jù)上述教導(dǎo)很多改變和變化都是可能的。選擇示例性實(shí)施方案并進(jìn)行描述是為了解釋本發(fā)明的特定原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使得本領(lǐng)域的其它技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)并利用本發(fā)明的各種示例性實(shí)施方案及其不同選擇形式和修改形式。本發(fā)明的范圍意在由所附權(quán)利要求書及其等價(jià)形式所限定。
權(quán)利要求
1.一種用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，所述孔板裝置包括線圈組，所述線圈組具有在其上纏繞的線圈，并且是環(huán)形形狀；芯組件單元，所述芯組件單元容納所述線圈組，以盤狀形狀形成，并限定流動(dòng)路徑，所述流動(dòng)路徑的上通道設(shè)置于所述芯組件單元的頂面，且所述流動(dòng)路徑的下通道設(shè)置于所述芯組件單元的底面，其中所述流動(dòng)路徑沿著所述線圈組的周長環(huán)狀地形成；以及流動(dòng)路徑隔離器，所述流動(dòng)路徑隔離器安裝于所述上通道和所述下通道之間，使得經(jīng)過所述流動(dòng)路徑的磁流變流體僅能夠單向循環(huán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，其中所述流動(dòng)路徑包括在所述芯組件單元內(nèi)在兩個(gè)位置中形成，并彼此流體隔離的至少兩個(gè)流動(dòng)路徑，所述至少兩個(gè)流動(dòng)路徑包括內(nèi)流動(dòng)路徑，所述內(nèi)流動(dòng)路徑在所述線圈組單元的內(nèi)部形成；以及外流動(dòng)路徑，所述外流動(dòng)路徑在所述線圈組單元的外部形成，其中第一流動(dòng)路徑隔離器和第二流動(dòng)路徑隔離器分別臨近所述內(nèi)流動(dòng)路徑和所述外流動(dòng)路徑安裝，以改變磁流變流體的流動(dòng)方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，其中所述芯組件單元包括圓板形狀的下板，所述圓板形狀的下板包括在其中心形成的突出部分，以及對應(yīng)于所述內(nèi)流動(dòng)路徑和所述外流動(dòng)路徑的第一下通道和第二下通道；圓板形狀的下芯，所述圓板形狀的下芯安裝于所述下板之上，并包括第一通道孔和第一孔，所述第一通道孔在所述下芯中形成并與所述外流動(dòng)路徑的第二下通道連通，所述第一孔在所述下芯的中心形成，其中形成沿著所述第一孔的內(nèi)周長向上突出的內(nèi)邊緣，并形成沿著所述下芯的外周長向上突出的外邊緣；以及圓板形狀的上芯，所述圓板形狀的上芯在所述下芯之上安裝，并包括第二通道孔和第二孔，所述第二通道孔在所述上芯中形成，所述第二孔在所述上芯的中心形成，其中形成沿著所述第二孔的內(nèi)周長向下突出的內(nèi)邊緣，并形成沿著所述上芯的外周長向下突出，使得突出部分聯(lián)接至所述第二孔的內(nèi)邊緣的外邊緣，其中所述第二通道孔通過第一空間而與所述第一下通道流體連通，所述第一空間在所述下芯的內(nèi)邊緣與所述上芯的內(nèi)邊緣之間形成，其中所述第一通道孔與第二空間流體連通，所述第二空間在所述上芯的外邊緣與所述下芯的外邊緣之間形成，且其中所述芯組件設(shè)置于所述下芯與所述上芯之間；以及圓板形狀的上板，所述圓板形狀的上板安裝于所述上芯之上，并包括所述內(nèi)流動(dòng)路徑和所述外流動(dòng)路徑的第一上通道和第二上通道，其中所述上芯的第二通道孔與所述第一上通道流體連通，且所述第二空間與所述第二上通道流體連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，其中所述第一流動(dòng)路徑隔離器設(shè)置于在所述第一下通道和所述第二通道孔之間的所述第一空間中。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，其中所述第二流動(dòng)路徑隔離器設(shè)置于在所述第一通道孔和所述第二上通道之間的所述第二空間中。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，其中所述線圈組安裝于所述下芯的內(nèi)邊緣和所述上芯的外邊緣之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，其中所述下芯和所述上芯由具有比所述下板和所述上板更高的相對導(dǎo)磁率的材料制得。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，其中所述內(nèi)流動(dòng)路徑或所述外流動(dòng)路徑具有在其中安裝的兩個(gè)或更多個(gè)流動(dòng)路徑隔離器以防止所述內(nèi)流動(dòng)路徑和所述外流動(dòng)路徑之間的流體連通，且取決于所述流動(dòng)路徑隔離器的數(shù)目而另外形成上通道和下通道。
9.一種用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，所述孔板裝置包括線圈組，所述線圈組具有在其上纏繞的線圈，并且是環(huán)形形狀；以及芯組件單元，所述芯組件單元容納所述線圈組，以盤狀形狀形成，并限定至少兩個(gè)流動(dòng)路徑，其中至少兩個(gè)上通道在所述芯組件單元的頂面形成，且至少兩個(gè)下通道設(shè)置于所述芯組件單元的底面中，其中所述至少兩個(gè)流動(dòng)路徑沿著所述線圈組的周長環(huán)狀形成，且其中所述至少兩個(gè)流動(dòng)路徑的頂部和底部的任意一個(gè)在所述線圈組單元的縱向方向上排列。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，其中所述至少兩個(gè)流動(dòng)路徑在所述芯組件單元內(nèi)在兩個(gè)位置中形成，并彼此流體隔離，所述至少兩個(gè)流動(dòng)路徑包括內(nèi)流動(dòng)路徑，所述內(nèi)流動(dòng)路徑在所述線圈組單元的內(nèi)部形成；以及外流動(dòng)路徑，所述外流動(dòng)路徑在所述線圈組單元的外部形成，其中第一流動(dòng)路徑隔離器和第二流動(dòng)路徑隔離器分別臨近所述內(nèi)流動(dòng)路徑和所述外流動(dòng)路徑安裝，以改變磁流變流體的流動(dòng)方向。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，其中所述芯組件單元包括圓板形狀的下板，所述圓板形狀的下板包括在其中心形成的突出部分，以及對應(yīng)于所述內(nèi)流動(dòng)路徑和所述外流動(dòng)路徑的第一下通道和第二下通道；圓板形狀的下芯，所述圓板形狀的下芯安裝于所述下板之上，并包括第一通道孔和第一孔，所述第一通道孔在所述下芯中形成并與所述外流動(dòng)路徑的第二下通道連通，所述第一孔在所述下芯的中心形成，其中內(nèi)邊緣形成為沿著所述第一孔的內(nèi)周長向上突出，且外邊緣形成為沿著所述下芯的外周長向上突出；以及圓板形狀的上芯，所述圓板形狀的上芯在所述下芯之上安裝，并包括第二通道孔和第二孔，所述第二通道孔在所述上芯中形成，所述第二孔在所述上芯的中心形成，其中形成沿著所述第二孔的內(nèi)周長向下突出的內(nèi)邊緣，并形成沿著所述上芯的外周長向下突出，使得突出部分聯(lián)接至所述第二孔的內(nèi)邊緣的外邊緣，其中所述第二通道孔通過第一空間而與所述第一下通道流體連通，所述第一空間在所述下芯的內(nèi)邊緣與所述上芯的內(nèi)邊緣之間形成，其中所述第一通道孔與第二空間流體連通，所述第二空間在所述上芯的外邊緣與所述下芯的外邊緣之間形成，以及其中所述芯組件設(shè)置于所述下芯與所述上芯之間；以及圓板形狀的上板，所述圓板形狀的上板安裝于所述上芯之上，并包括所述內(nèi)流動(dòng)路徑和所述外流動(dòng)路徑的第一上通道和第二上通道，其中所述上芯的第二通道孔與所述第一上通道流體連通，且所述第二空間與所述第二上通道流體連通。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，其中所述第一流動(dòng)路徑隔離器設(shè)置于在所述第一下通道和所述第二通道孔之間的所述第一空間中。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，其中所述第二流動(dòng)路徑隔離器設(shè)置于在所述第一通道孔和所述第二上通道之間的所述第二空間中。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，其中所述線圈組安裝于所述下芯的內(nèi)邊緣和所述上芯的外邊緣之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，其中所述下芯和所述上芯由具有比所述下板和所述上板更高的相對導(dǎo)磁率的材料制得。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，其中所述內(nèi)流動(dòng)路徑或所述外流動(dòng)路徑具有在其中安裝的兩個(gè)或更多個(gè)流動(dòng)路徑隔離器以防止所述內(nèi)流動(dòng)路徑和所述外流動(dòng)路徑之間的流體連通，且取決于所述流動(dòng)路徑隔離器的數(shù)目而另外形成上通道和下通道。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于填充有磁流變流體的發(fā)動(dòng)機(jī)底座的孔板裝置，其可以包括線圈組、芯組件單元和流動(dòng)路徑隔離器，所述線圈組具有在其上纏繞的線圈并且是環(huán)形形狀，所述芯組件單元容納所述線圈組且以盤狀形狀形成并限定了流動(dòng)路徑，所述流動(dòng)路徑的上通道可設(shè)置于所述芯組件單元的頂面，且所述流動(dòng)路徑的下通道可設(shè)置于所述芯組件單元的底面，其中所述流動(dòng)路徑可沿著所述線圈組的周長環(huán)狀地形成，所述流動(dòng)路徑隔離器安裝于所述上通道和所述下通道之間，使得經(jīng)過所述流動(dòng)路徑的磁流變(MR)流體僅能夠單向循環(huán)。
文檔編號(hào)F16F9/53GK102913586SQ20121026458
公開日2013年2月6日 申請日期2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月1日
發(fā)明者金壯鎬 申請人:現(xiàn)代自動(dòng)車株式會(huì)社