專利名稱：中子照像閃爍增強(qiáng)屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種中子轉(zhuǎn)換顯示裝置。
中子照像作為無損檢測(cè)技術(shù)在許多先進(jìn)國家已被廣泛地采用。中子照像裝置小型化是該技術(shù)的一個(gè)主要課題。實(shí)踐證明利用小型密封中子源實(shí)現(xiàn)中子照像裝置小型化、可移動(dòng)化是可行的。由于小型中子源的源弱，引出中子束強(qiáng)度低，因此必須選用高靈敏度的中子轉(zhuǎn)換顯示裝置，這是解決小源中子照像的關(guān)鍵。較為成熟的高靈敏度的中子轉(zhuǎn)換顯示裝置之一是閃爍增強(qiáng)屏。
本發(fā)明的目的是提供一種適用于小型中子源進(jìn)行中子照像，轉(zhuǎn)換速度快，分辯率高的高靈敏度中子轉(zhuǎn)換顯示裝置。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，閃爍增強(qiáng)屏由反應(yīng)材料、熒光材料和粘結(jié)材料均勻混合制成。選用濃縮6LiF為反應(yīng)材料，其純度為(分析化學(xué))純6Li，豐度大于90.3%。熒光材料對(duì)閃爍屏性能的影響至關(guān)重要。用6Li制備閃爍屏的發(fā)光機(jī)制是熱中子與6Li反應(yīng)生成的α.T粒子激發(fā)熒光物質(zhì)發(fā)光，熒光材料ZnS·(Ag)，在α·T粒子激發(fā)下激發(fā)密度高，能量轉(zhuǎn)換效率也高，而對(duì)r線的能量轉(zhuǎn)換效率卻很低。選用中心顆粒度7±2μm，余輝10～100mS的ZnS(Ag)，適于作強(qiáng)r場(chǎng)下中子照像屏用。粘結(jié)材料除了要把這幾種材料固定在一起外，還涉及到光的傳輸性能，我們選用折射率為1.5，透射率好的高分子聚合物EVA作粘結(jié)劑。這種粘結(jié)劑不僅光學(xué)性能好，而且有很好的韌性。零點(diǎn)幾毫米厚的屏不用底襯就可以使用。
制屏材料選定后，需要進(jìn)一步解決的是材料配比。ZnS(Ag)和6LiF的重量比不同對(duì)閃爍屏的發(fā)光效率有直接的影響。實(shí)驗(yàn)證明選用制屏材料ZnS(Ag)和6LiF的重量比最佳值為4∶1～5∶1。粘結(jié)材料與上述兩種材料重量之和的比為1∶4。實(shí)際選用6LiF∶ZnS(Ag)∶EVA＝1∶4.5∶1.25。
本發(fā)明的制造工藝是將混合好的料在混煉機(jī)中加溫至130～200℃，此時(shí)粘結(jié)材料EVA已熔化，混合均勻后，用模具壓制而成。
本發(fā)明的固有分辯率、相對(duì)黑度等主要性能優(yōu)于英國研制的NE426屏。
權(quán)利要求
1.本發(fā)明屬于一種中子轉(zhuǎn)換顯示裝置，其特征在于該裝置由反應(yīng)材料6LiF、熒光材料ZnS(Ag)和高分子聚合物EVA混合而成，其熒光材料余輝＞10mS。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于6LiF∶ZnS(Ag)∶EVA＝1∶4.5∶1.25。
3.如權(quán)利要求1、2所述的裝置，其特征在于配料在混煉機(jī)中加溫至130～200℃，混合均勻后用模具壓制而成。
全文摘要
利用小型密封中子源實(shí)現(xiàn)中子照像，是許多先進(jìn)國家廣泛采用的技術(shù)。由于小型中子源的源弱、引出中子束強(qiáng)度低，因此必須選用高靈敏度的中子轉(zhuǎn)換顯示裝置。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，選用濃縮6LiF為反應(yīng)材料；ZnS(Ag)為熒光材料，其特征是長余輝，中心粒度7μm；高分子聚合物EvA做粘結(jié)劑，6LiF∶ZnS(Ag)∶EvA＝1∶4.5∶1.25。將混合好的料在混煉機(jī)中加溫至130—200℃混合均勻后，用模具壓制而成。該屏的固有分辨率、相對(duì)黑度等主要性能優(yōu)于英國研制的NE426屏。
文檔編號(hào)F04D29/42GK1054833SQ90108059
公開日1991年9月25日 申請(qǐng)日期1990年9月26日 優(yōu)先權(quán)日1990年2月21日
發(fā)明者馬維超, 金重鐵, 李樹忠, 周明達(dá), 何躍芳 申請(qǐng)人:東北師范大學(xué)