利用減小的表面壓力鉆探的方法和系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種鉆探方法包括在形成于地下地巖層中的井(14)中布置具有入口流體導(dǎo)管(9)和返回流體導(dǎo)管(10)的雙鉆柱(20)，使得在雙鉆柱(20)和井(14)的壁(21)之間形成井環(huán)空(22)。分隔物元件(3)設(shè)置在井環(huán)空(22)中以將井環(huán)空(22)分隔成上部環(huán)形區(qū)域(5)和下部環(huán)形區(qū)域(12)，上部環(huán)形區(qū)域(5)在分隔物元件(3)上方延伸至井環(huán)空(22)的表面，下部環(huán)形區(qū)域(12)在分隔物元件(3)下方朝井環(huán)空(22)的底部延伸。下部環(huán)形區(qū)域(12)包含第一流體(25)。第二流體(27)被進(jìn)給到上部環(huán)形區(qū)域(5)中。該方法包括配置第二流體使得第二流體(27)的密度大于第一流體(25)的密度。
【專利說明】利用減小的表面壓力鉆探的方法和系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總體上涉及鉆井的方法和系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]為了從地下地巖層中的儲層提取烴類流體，在地巖層中鉆出井。鉆探技術(shù)的發(fā)展已演化出在任何方向上鉆井的可能性，例如以便提取存在于所鉆探的地巖層中的盡可能多的烴類流體。井可以例如包括基本上豎直的部段和從豎直部段偏離的至少一個部段，可能地基本上水平的部段。從基本上豎直的部段偏離的部段趨向于較長，常常延伸幾千米進(jìn)入地巖層中。為了滿足增加能源儲備的日益增加的需求，烴類勘探正向更深的水域推進(jìn)，并且井的深度在不斷增加。
[0003]通常通過將鉆柱一端上的鉆頭插入井中來進(jìn)行鉆探。鉆柱的重量與鉆柱的長度成比例。當(dāng)在較大的水深處鉆探時，水的深度也影響井中的壓力條件，并且增加到鉆柱的重量上。人們不希望地巖層流體在鉆探期間滲入鉆出的井中；因此，由鉆探系統(tǒng)施加在地巖層上的壓力應(yīng)高于地巖層孔隙壓力。鉆探系統(tǒng)也應(yīng)理解為包括在鉆柱和無襯地巖層壁之間添加的流體。利用這種流體，人們還能在鉆探期間控制井，并且因此將防止井噴。同時，還需要限制穿透無襯地巖層壁的鉆井流體的量，并且也需要在生產(chǎn)開始之前防止鉆出的井筒的側(cè)壁破裂。這意味著由鉆探系統(tǒng)施加的壓力不得超出地巖層的破裂壓力。地巖層孔隙壓力也依賴于靜液柱，并且在較大水深處，地巖層孔隙壓力增加。當(dāng)由鉆探系統(tǒng)施加的壓力朝由地巖層孔隙壓力和地巖層破裂壓力限定的邊界移動時，在鉆探可以繼續(xù)之前，必須通過套管或尾管對井加套管。因此，需要提供一種鉆探的方法，由此，鉆探可以在地巖層孔隙壓力和地巖層破裂壓力之間的容許壓力范圍內(nèi)繼續(xù)更長的時段，即更寬的鉆井窗口。
[0004]術(shù)語“鉆探”應(yīng)理解為是指借助于鉆柱在地下建立孔。它尤其適用于在海上或陸地上在地殼中鉆進(jìn)，以用于回收烴類、隧道、水道或為了回收地?zé)崮堋?br> [0005]WO 2010/039043 Al描述了一種包括工具單元的井下鉆井工具。工具單元包括至少一個第一流體導(dǎo)管和返回流體導(dǎo)管，并且工具單元布置成置于井筒中，限定井單元和井筒或帶套管的井筒之間的環(huán)形空間。返回流體導(dǎo)管可以布置在第一流體導(dǎo)管，在第一流體導(dǎo)管和返回流體導(dǎo)管之間留下環(huán)形空間以供第一流體流動，并且其中返回流體導(dǎo)管在返回流體導(dǎo)管的居中布置的空間內(nèi)行進(jìn)。
[0006]從文獻(xiàn)WO 94/13925 Al知道利用彼此緊鄰布置的雙管道鉆探，其中一根管道用于流體從表面到鉆頭的泵送，并且另一根管道用作供鉆出的鉆屑和流體從鉆頭到表面設(shè)施的返回管線。在鉆柱的下部處，在鉆頭上方布置有密封活塞。在活塞上方為閉合管道和井筒壁或套管之間的空間的密封件，限定所述活塞和密封件之間的體積。泵入該體積內(nèi)的諸如液壓流體的加壓流體液壓地抵靠孔眼的底部施力于活塞和因此鉆頭。當(dāng)在地巖層中鉆探并試圖到達(dá)潛在的烴類儲層時，可能遇到具有比周圍地巖層更高的地巖層孔隙壓力的區(qū)域。這些區(qū)域可能是高壓氣體或水的氣阱或貯存器。通過常規(guī)的鉆探技術(shù)鉆穿這樣的區(qū)域可能是困難的或甚至不可能的，因為很難在欠平衡鉆井(UBD)的同時或利用控制壓力鉆井(MPD)對孔隙壓力保持控制，并且仍然進(jìn)一步下探到高壓地巖層區(qū)域。UBD是指套管或尾管內(nèi)部的流體靜壓小于儲層壓力的鉆探狀態(tài)，而MPD是在地巖層孔隙壓力和地巖層破裂壓力之間的差值較低時的合適方法。MPD是用來更精確地控制貫穿井筒的環(huán)形壓力分布的自適應(yīng)鉆探方法。
[0007]為了能夠鉆進(jìn)，鉆探系統(tǒng)的重量必須高于地巖層孔隙壓力。有可能在活塞上方泵送諸如液壓流體的加壓流體，但這樣旋轉(zhuǎn)控制裝置(RCD)(通常布置在井的頂部處且限定活塞和井的頂部之間的環(huán)形體積的上邊界)將不得不經(jīng)受來自泵出的加壓流體的壓力。因為鉆柱伴隨泥漿穿過RCD而旋轉(zhuǎn)，對于這些產(chǎn)品來說將始終存在受限制的壓力/旋轉(zhuǎn)范圍。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]在本發(fā)明的一方面，鉆探方法包括在地巖層中鉆出的井中布置具有一個入口流體導(dǎo)管和一個返回流體導(dǎo)管的雙鉆柱，使得在雙鉆柱和井的壁之間形成井環(huán)空。該方法包括在井環(huán)空中布置分隔物元件以將井環(huán)空分隔成上部環(huán)形區(qū)域和下部環(huán)形區(qū)域，上部環(huán)形區(qū)域在分隔物元件上方延伸至井環(huán)空的表面，下部環(huán)形區(qū)域在分隔物元件下方朝井環(huán)空的底部延伸。該方法包括將具有第二密度的第二流體進(jìn)給到上部環(huán)形區(qū)域。進(jìn)給包括配置第二流體使得第二密度大于第一密度。
[0009]在一個實施例中，第一流體的至少一部分是來自地巖層的流體。
[0010]在一個實施例中，進(jìn)給第二流體包括將第二流體作為未加壓流體提供。
[0011]在一個實施例中，該方法還包括在暴露于上部環(huán)形區(qū)域的分隔物元件的上表面和暴露于下部環(huán)形區(qū)域的分隔物元件的下表面中的至少一個處或附近測量壓力。
[0012]在一個實施例中，該方法還包括使用測量的壓力來選擇性地調(diào)整第二密度，使得在井的鉆探期間第二密度保持大于第一密度。
[0013]在一個實施例中，該方法包括在井環(huán)空的表面附近布置旋轉(zhuǎn)控制單元。作用在旋轉(zhuǎn)控制單元上的壓力將由井中的壓力和井環(huán)空中的流體的密度確定。
[0014]在本發(fā)明的另一方面，鉆探系統(tǒng)包括具有一個入口流體導(dǎo)管和一個返回流體導(dǎo)管的雙鉆柱。雙鉆柱布置在形成于地巖層中的井中，使得井環(huán)空形成于鉆柱和井的壁之間。布置在環(huán)空中的分隔物元件將井環(huán)空分隔成在分隔物元件上方延伸至井環(huán)空的表面的上部環(huán)形區(qū)域和在分隔物元件下方朝井環(huán)空的底部延伸的下部環(huán)形區(qū)域。下部環(huán)形區(qū)域包含具有第一密度的第一流體。具有第二密度的第二流體設(shè)置在上部環(huán)形區(qū)域中，在那里，第二密度大于第一密度。
[0015]在一個實施例中，鉆探系統(tǒng)還包括流體入口，第二流體通過該入口進(jìn)給到上部環(huán)形區(qū)域內(nèi)。
[0016]在一個實施例中，鉆探系統(tǒng)還包括布置在井環(huán)空的表面附近的旋轉(zhuǎn)控制單元，在那里，旋轉(zhuǎn)控制單元與流體入口連通。
[0017]在一個實施例中，鉆探系統(tǒng)還包括布置在井環(huán)空的表面附近與旋轉(zhuǎn)控制單元連接的防噴器，防噴器形成上部環(huán)形區(qū)域的上邊界。
[0018]在一個實施例中，鉆探系統(tǒng)還包括用于在暴露于下部環(huán)形區(qū)域的分隔物元件的下表面處或附近測量壓力的裝置。
[0019]在一個實施例中，鉆探系統(tǒng)還包括用于在暴露于上部環(huán)形區(qū)域的分隔物元件的上表面處或附近測量壓力的裝置。
[0020]在一個實施例中，分隔物元件為活塞。
[0021]在一個實施例中，分隔物元件固定到雙鉆柱。
[0022]在另一個實施例中，分隔物元件可相對于雙鉆柱移動。
[0023]在一個實施例中，雙鉆柱的兩個流體導(dǎo)管為同心的。
[0024]在一個實施例中，第一流體的至少一部分是來自地巖層的流體。
[0025]在一個實施例中，第二流體為未加壓的。
[0026]應(yīng)當(dāng)理解，上述
【發(fā)明內(nèi)容】
和下面的【具體實施方式】是本發(fā)明的示例，并且旨在提供用于理解本發(fā)明所要求保護(hù)的本發(fā)明的性質(zhì)和特征的概述或框架。附圖是為了提供對本發(fā)明的進(jìn)一步了解而包含的，并且被納入本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分。附圖示出了本發(fā)明的各種實施例并且與說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理和操作。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]以下是對附圖中的圖的描述。附圖未必按比例繪制，并且附圖的某些特征和某些視圖可能為了清楚和簡明起見而按比例放大或以示意性方式顯示。
[0028]圖1示出具有根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的鉆探系統(tǒng)的井。
[0029]圖2是示出對于兩種不同重量的流體來說作為井環(huán)空中的深度的函數(shù)的壓力的坐標(biāo)圖。
【具體實施方式】
[0030]在以下詳細(xì)描述中，可闡述許多具體細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明的實施例的透徹理解。然而，對本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯的是，本發(fā)明的實施例可在沒有這些具體細(xì)節(jié)中的一些或全部的情況下實施。在其它情況下，可能不詳細(xì)描述熟知的特征或過程，以免使本發(fā)明不必要地難理解。此外，類似或相同的附圖標(biāo)記可用于標(biāo)識共同或類似的元件。
[0031]本發(fā)明涉及一種方法，該方法控制井環(huán)空中的壓力，使得在井環(huán)空附近的旋轉(zhuǎn)控制單元(RCD)處的壓力保持較低。該方法涉及使用布置在井環(huán)空中的通常為活塞的分隔物元件的使用。該布置使得存在分隔物元件下方的流體和分隔物元件上方的流體，其中分隔物元件上方的流體為重流體，并且分隔物元件下方的流體為輕流體，即，分隔物元件上方的流體具有比分隔物元件下方的流體更高的密度。在圖2中，線A表示作為系統(tǒng)的深度的函數(shù)的井環(huán)空中的壓力，其中輕流體在分隔物元件下方，并且重流體在分隔物元件上方。相比之下，線B表示當(dāng)分隔物元件上方和下方的流體均為例如具有基本上相等的密度的輕流體時或者當(dāng)井環(huán)空中不存在分隔物元件時作為深度的函數(shù)的井環(huán)空中的壓力。如圖2所示，線A和線B具有相同的井底壓力，如在Pl處所指示的。在分隔物元件正下方，在P2處，線A和線B的壓力也相同。在分隔物元件上方，線A從線B分開。線A和線B的表面壓力分別在P3和P4處示出。如圖所示，線A的表面壓力低于線P4的表面壓力。這是由于由線A表示的在系統(tǒng)中的分隔物元件上方的重流體。這意味著，由線A表示的系統(tǒng)中的RCD將經(jīng)受比由線B表示的系統(tǒng)中的RCD低的表面壓力。這種作用于RCD上的壓力的減小將允許更寬的鉆井窗口。如果由線A表示的系統(tǒng)中的重流體為未加壓的，那么作用于RCD上的壓力可以低至零。[0032]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一方面的鉆探系統(tǒng)I。鉆探系統(tǒng)I將呈現(xiàn)出與圖2的線A類似的井環(huán)空中的壓力，如上所述。鉆探系統(tǒng)I在海上鉆探的背景下示出，但它也可以應(yīng)用于陸上鉆探。井14已鉆穿地巖層32并且正鉆穿覆蓋烴類地巖層36的高壓地巖層34。井14的上部設(shè)有套管2。井14的下部不帶套管。鉆探系統(tǒng)I由具有雙管道的鉆柱20組成。管道可以是同心的或彼此緊鄰定位。在所示實施例中，管是同心的。第一管道29具有連接到入口流體導(dǎo)管10的入口流體路徑A。第二管道30具有連接到返回流體導(dǎo)管9的返回流體路徑B。返回流體導(dǎo)管9在入口流體導(dǎo)管10的內(nèi)部上，但在備選實施例中，入口流體導(dǎo)管10可以在返回流體導(dǎo)管9的內(nèi)部上。鉆柱20的下部具有井底鉆具組合(BHA) 15和鉆頭4，鉆頭4在其下端中具有鉆井流體出口 18。BHA 15可以設(shè)有隔斷閥16。鉆屑入口 17定位在BHA 15的上部上。
[0033]鉆柱20布置在井14中，使得在鉆柱20和井14的壁21之間形成井環(huán)空22。諸如活塞、柱塞或油缸3的分隔物元件3在鉆柱20的外部上布置在井環(huán)空22中。分隔物元件3將井環(huán)空22分隔成在分隔物元件3上方的上部環(huán)形區(qū)域5和在分隔物元件3下方的下部環(huán)形區(qū)域12。上部環(huán)形區(qū)域5從分隔物元件3的上表面3b延伸至井環(huán)空22的表面，而下部環(huán)形區(qū)域12從分隔物元件3的下表面3a朝井環(huán)空22的底部延伸。在一個實施例中，下部環(huán)形區(qū)域12 —直延伸至井14的底部。分隔物元件3可以插入帶有套管2的井14的區(qū)域中或裸眼中。在一個實施例中，分隔物元件3固定到鉆柱20。在這種情況下，如果作用于分隔物元件3的上表面3b上的力大于作用于分隔物元件3的下表面3a上的力，分隔物元件3將趨于向下移動。如果在分隔物元件3上的凈力克服鉆柱20的重量，鉆柱20將通過分隔物元件3的運動向下(即，朝著井14的底部)施力。在另一個實施例中，分隔物元件3不固定地鉆柱20并且相對于鉆柱20自由移動。
[0034]在井14的表面或井環(huán)空22附近，在靠近海底13的區(qū)域中布置有防噴器(BOP) 8和旋轉(zhuǎn)控制裝置(RCD) 7。RCD 7與罐(未示出)或類似儲存設(shè)施連通，該設(shè)施用于通過流體入口 6儲存諸如鉆井流體的流體。流體入口 6還通向限定在分隔物元件3上方的上部環(huán)形區(qū)域5。用于旋轉(zhuǎn)或驅(qū)動鉆柱的頂部驅(qū)動轉(zhuǎn)接器11布置在水面船舶或平臺(未示出)處。
[0035]當(dāng)在井14中進(jìn)行鉆探操作時，鉆探系統(tǒng)I還包括包含在下部環(huán)形區(qū)域12中的下部環(huán)形區(qū)域流體25和設(shè)置在上部環(huán)形區(qū)域5中的上部環(huán)形區(qū)域流體27。在一個實施例中，下部環(huán)形區(qū)域流體25的至少一部分來自在其中鉆出井14的(多個)地巖層。下部環(huán)形區(qū)域流體25的剩余部分可以來自從鉆柱20排入井14的底部中的流體。下部環(huán)形區(qū)域流體25將在分隔物兀件3的下表面3a上施加第一壓力。
[0036]上部環(huán)形區(qū)域流體27可以通過流體入口 6進(jìn)給到上部環(huán)形區(qū)域5中。上部環(huán)形區(qū)域流體27將在分隔物元件3的上表面3b上施加第二壓力。上部環(huán)形區(qū)域5可以部分地或完全地用上部環(huán)形區(qū)域流體27填充。在上部環(huán)形區(qū)域5中的流體的柱的表面處的壓力將決定在井環(huán)空22的表面處的壓力。作用于RCD 7上的壓力將由在井14中的壓力和井環(huán)空22中的流體的密度確定，該密度與井環(huán)空22中的壓力有關(guān)。
[0037]在一個實施例中，上部環(huán)形區(qū)域流體27的密度大于下部環(huán)形區(qū)域流體25的密度。在這種情況下，在分隔物元件3的上表面3b處的流體靜壓將大于在分隔物元件3的下表面3a處的流體靜壓。在一個實施例中，上部環(huán)形區(qū)域流體27為“未加壓的”，即，不具有人為產(chǎn)生或保持的升高的壓力。如果上部環(huán)形區(qū)域流體27為未加壓的，那么在井環(huán)空22的表面處且作用于RCD 7上的壓力將基本上為零。上部環(huán)形區(qū)域流體27可以是例如鉆井流體。一般來講，上部環(huán)形區(qū)域流體27可以是液體、一種或多種液體的混合物、或一種或多種液體與一種或多種類型的固體顆粒的混合物。上部環(huán)形區(qū)域流體27的組成將被選擇以實現(xiàn)所需的密度，該密度將優(yōu)選地大于下部環(huán)形區(qū)域流體25的密度。通常，上部環(huán)形區(qū)域流體27的密度將大于l.0kg/1。
[0038]在一個實施例中，在分隔物元件3的上表面3b處或附近布置有壓力傳感器24，以測量上表面3b處或附近的壓力。備選地或附加地，壓力傳感器26可布置在分隔物元件3的下表面3a處或附近，以測量下表面3a處或附近的壓力。如此前所提及的，上部環(huán)形區(qū)域流體27的密度需要大于下部環(huán)形區(qū)域流體25的密度。如果上部環(huán)形區(qū)域流體27的密度大于下部環(huán)形區(qū)域流體25的密度，那么在分隔物元件3的上表面3b處或附近測量的壓力將大于在分隔物元件3的下表面3a處或附近測量的壓力。如果傳感器24、26的輸出表明上部環(huán)形區(qū)域流體27的密度不大于下部環(huán)形區(qū)域25的密度，那么上部環(huán)形區(qū)域流體27的密度可以增加。表面3a、3b處或附近的壓力的監(jiān)測可以在鉆探過程期間的不同時間進(jìn)行。這是因為在下部環(huán)形區(qū)域12中的條件可能隨時變化，例如由于地巖層流體流入或沿鉆柱20向下泵送的流體的組成中的變化。上部環(huán)形區(qū)域流體27的密度的調(diào)整可以是手動的或自動的。
[0039]如上所述，通過使用在分隔物元件3上方的重流體減小作用于RCD 7上的壓力的方法可以與諸如欠平衡鉆井模式、控制壓力鉆井模式和過平衡鉆井模式的任何鉆井模式一起使用。這意味著上部環(huán)形區(qū)域流體27的密度的選擇可以受地巖層孔隙壓力影響。
[0040]雖然本發(fā)明結(jié)合一些優(yōu)選實施例進(jìn)行描述，但可以做出變型。例如，流體流動方向以及鉆屑和鉆井流體的入口和出口可以互換。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，存在可以在所附權(quán)利要求中限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)做出的其它變型和修改。
【權(quán)利要求】
1.一種鉆探方法,包括: 在地巖層中鉆出的井(14)中布置具有一個入口流體導(dǎo)管(9)和一個返回流體導(dǎo)管(10)的雙鉆柱(20)，使得在所述雙鉆柱(20)和所述井(14)的壁(21)之間形成井環(huán)空(22)； 將分隔物元件(3)設(shè)置在所述井環(huán)空(22)中以將所述井環(huán)空(22)分隔成上部環(huán)形區(qū)域(5)和下部環(huán)形區(qū)域(12)，所述上部環(huán)形區(qū)域(5)在所述分隔物元件(3)上方延伸至所述井環(huán)空(22)的表面，所述下部環(huán)形區(qū)域(12)在所述分隔物元件(3)下方朝所述井環(huán)空(22)的底部延伸，所述下部環(huán)形區(qū)域(12)包含具有第一密度的第一流體；以及 將具有第二密度的第二流體進(jìn)給到所述上部環(huán)形區(qū)域(5)中，所述進(jìn)給包括配置所述第二流體，以使得所述第二密度大于所述第一密度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一流體的至少一部分是來自所述地巖層的流體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，還包括將所述第二流體作為未加壓流體而提供。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的方法，還包括:在暴露于所述上部環(huán)形區(qū)域 (5)的所述分隔物元件(3)上表面(3b)和暴露于所述下部環(huán)形區(qū)域(12)的所述分隔物元件(3)下表面(3a)中的至少一個處或附近而測量壓力。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的方法，還包括使用所述測量的壓力來選擇性地調(diào)整所述第二密度，以使得所述第二密度在所述井的鉆探期間保持大于所述第一密度。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的方法，還包括將旋轉(zhuǎn)控制單元布置在所述井環(huán)空的所述表面附近，其中，作用于所述旋轉(zhuǎn)控制單元上的壓力由所述井中的壓力和所述井環(huán)空中的流體的密度確定。
7.—種鉆探系統(tǒng)(1)，包括: 雙鉆柱(20)，其布置在形成于地巖層中的井(14)中，以使得在所述雙鉆柱(20)和所述井(14)的壁(21)之間形成井環(huán)空(22)，所述雙鉆柱具有一個入口流體導(dǎo)管(10)和一個返回流體導(dǎo)管(9)； 分隔物元件(3)，其布置在所述井環(huán)空(22)中以將所述井環(huán)空(22)分隔成上部環(huán)形區(qū)域(5)和下部環(huán)形區(qū)域(12)，所述上部環(huán)形區(qū)域(5)在所述分隔物元件(3)上方延伸至所述井環(huán)空(22)的表面，并且所述下部環(huán)形區(qū)域(12)朝向所述井環(huán)空(22)的底部在所述分隔物元件(3)下方，所述下部環(huán)形區(qū)域(12)包含具有第一密度的第一流體(25);以及 第二流體(27)，其具有第二密度且設(shè)置在所述上部環(huán)形區(qū)域(5)中，所述第二流體被配置成使得所述第二密度大于所述第一密度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鉆探系統(tǒng)(I)，還包括流體入口(6)，所述第二流體通過所述流體入口(6)進(jìn)給到所述上部環(huán)形區(qū)域(5)中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鉆探系統(tǒng)(I)，還包括布置在所述井環(huán)空(22)的所述表面附近的旋轉(zhuǎn)控制單元(7),所述旋轉(zhuǎn)控制單元(7)與所述流體入口(6)連通。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鉆探系統(tǒng)(I)，還包括與所述旋轉(zhuǎn)控制單元(7)連接而布置在所述井環(huán)空(22)的所述表面附近的防噴器，所述防噴器(8)形成所述上部環(huán)形區(qū)域(5)的上邊界。
11.根據(jù)權(quán)利要求7至10中的任一項所述的鉆探系統(tǒng)(I)，還包括用于在暴露于所述下部環(huán)形區(qū)域(12)的所述分隔物元件(3)下表面(3a)處或附近而測量壓力的裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至11中的任一項所述的鉆探系統(tǒng)(I)，還包括用于在暴露于所述上部環(huán)形區(qū)域(5)的所述分隔物元件(3)上表面(3b)處或附近而測量壓力的裝置。
13.根據(jù)權(quán)利要求7至12中的任一項所述的鉆探系統(tǒng)(I)，其中，所述分隔物元件(3)為活塞。
14.根據(jù)權(quán)利要求7至13中的任一項所述的鉆探系統(tǒng)(I)，其中，所述分隔物元件(3)固定到所述雙鉆柱(20)。
15.根據(jù)權(quán)利要求7至13中的任一項所述的鉆探系統(tǒng)(I)，其中，所述分隔物元件(3)能相對于所述雙鉆柱(20)移動。
16.根據(jù)權(quán)利要求7至14中的任一項所述的鉆探系統(tǒng)(I)，其中，所述雙鉆柱的所述兩個流體導(dǎo)管(9，10)為同心的。
17.根據(jù)權(quán)利要求7至16中的任一項所述的鉆探系統(tǒng)(I)，其中，所述第一流體(25)的至少一部分是來自所述地巖層的流體。
18.根據(jù)權(quán)利要求7至17中的任一項所述的鉆探系統(tǒng)(I)，其中，所述第二流體(27)是未加壓的。
【文檔編號】E21B17/20GK104040107SQ201280053006
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2012年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月31日
【發(fā)明者】O.M.維斯塔維克 申請人:里爾韋爾公司