【】本申請涉及半導體器件制備，尤其涉及一種晶圓電鍍方法及晶圓電鍍產(chǎn)品。

背景技術(shù)

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背景技術(shù)：

1、電鍍工藝是通過電化學過程在基材表面沉積一層金屬薄膜的一種技術(shù)。電鍍工藝被廣泛地應用于微電子技術(shù)領(lǐng)域，電鍍工藝可以增強基材的導電性、抗腐蝕性和耐磨性等；此外，電鍍工藝也可以用于形成電子器件中的導電路徑、接觸點和其他功能性結(jié)構(gòu)。

2、隨著微電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件尤其是大規(guī)模集成電路芯片的尺寸不斷縮小。例如，電極引線的寬度或電極引線之間的距離細小至0.3mm。相應地，電子器件對電鍍工藝的鍍層質(zhì)量，如鍍層厚度與鍍層表面形貌等，都具有更高的要求。

3、鍍層質(zhì)量很容易受到電鍍過程之中各項工藝參數(shù)和生產(chǎn)環(huán)境的影響，導致鍍層與基材之間結(jié)合力較弱，進而導致容易發(fā)生鍍層脫落失效的現(xiàn)象。這樣的缺陷對于電子器件的可靠性和使用壽命有著較大的影響。

技術(shù)實現(xiàn)思路

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技術(shù)實現(xiàn)要素：

1、本申請實施例提供的晶圓電鍍方法及晶圓電鍍產(chǎn)品，旨在降低相關(guān)技術(shù)中的鍍層發(fā)生脫落的風險。

2、第一方面，本申請實施例提供以下技術(shù)方案：一種晶圓電鍍方法。該晶圓電鍍方法包括如下步驟：在晶圓的表面制備種子層；對所述種子層進行光刻，以得到具有預設(shè)圖案的待電鍍區(qū)；對所述待電鍍區(qū)以第一預設(shè)電流密度進行第一電鍍操作，以得到金屬鍍層；以及在所述第一電鍍操作結(jié)束后，對所述待電鍍區(qū)以第二預設(shè)電流密度進行第二電鍍操作，以使所述金屬鍍層達到預設(shè)厚度；其中，所述第二預設(shè)電流密度為所述第一預設(shè)電流密度的65到75倍。

3、第二方面，本申請實施例提供以下技術(shù)方案：一種晶圓電鍍產(chǎn)品。該晶圓電鍍產(chǎn)品由如上所述的晶圓電鍍方法制備獲得。

4、本申請實施例提供的晶圓電鍍方法的優(yōu)勢是：通過進行晶圓電鍍的過程中，配合使用不同電流大小的第一電鍍操作和第二電鍍操作，一方面能夠有效地增強晶圓電鍍產(chǎn)品的金屬鍍層的粘附性，降低金屬鍍層脫落的風險。另一方面能夠提升第二電鍍操作時，能夠使用到的最大電流，達到縮短電鍍總時長的效果。

技術(shù)特征：

1.一種晶圓電鍍方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，第一電鍍時長是第二電鍍時長的0.5到0.7倍；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，所述金屬鍍層為銅鍍層；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，在所述對所述待電鍍區(qū)以第二預設(shè)電流密度進行第二電鍍操作之后，所述方法還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，所述快速退火操作包括：在350℃～380℃的條件下，退火10分鐘到15分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，在所述在保護氣氛下，對所述晶圓組件實施快速退火操作之前，所述方法還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，在所述對晶圓組件進行清洗之后，所述方法還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，在所述對所述待電鍍區(qū)以第一預設(shè)電流密度進行第一電鍍操作之前，所述方法還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓電鍍方法，其特征在于，所述在晶圓的表面制備種子層，具體包括：

10.一種晶圓電鍍產(chǎn)品，其特征在于，所述晶圓電鍍產(chǎn)品由權(quán)利要求1-9任一項所述的晶圓電鍍方法制備獲得。

技術(shù)總結(jié)
本申請實施例提供了晶圓電鍍方法及其晶圓電鍍產(chǎn)品。該方法包括：在晶圓的表面制備種子層；對所述種子層進行光刻，以得到具有預設(shè)圖案的待電鍍區(qū)；對所述待電鍍區(qū)以第一預設(shè)電流密度進行第一電鍍操作，以得到金屬鍍層；以及在所述第一電鍍操作結(jié)束后，對所述待電鍍區(qū)以第二預設(shè)電流密度進行第二電鍍操作，以使所述金屬鍍層達到預設(shè)厚度；其中，所述第二預設(shè)電流密度為所述第一預設(shè)電流密度的65到75倍。該方法能夠有效地增強金屬鍍層的粘附性，避免金屬鍍層脫落的同時，提升第二電鍍操作所能夠使用的最大電流，從而有效地縮短電鍍過程的總時長。

技術(shù)研發(fā)人員：張恒,王慧,齊步祥
受保護的技術(shù)使用者：蘇州希景微機電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6