專利名稱：電子部件的電鍍裝置和電鍍方法、以及該電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子部件的電鍍裝置和電鍍方法。
背景技術(shù)：
作為過去的電鍍裝置，有特開平10-195698號公報所記述的形式，該電鍍裝置，在鍍槽內(nèi)以斜向上傾斜的姿勢支撐有上端部開口的圓桶，并設(shè)置有鍍液供給機構(gòu)，將存儲在鍍槽內(nèi)的鍍液的一部分注入該圓桶。然后，在該電鍍裝置中，在收容有被鍍物的圓桶的一部分浸漬在鍍槽內(nèi)的鍍液中的狀態(tài)下轉(zhuǎn)動圓桶，從鍍液供給機構(gòu)向圓桶內(nèi)注入鍍液，在被鍍物上形成鍍膜。
并且在特開平10-195698號公報中，還記述了電鍍裝置的另外的實施形式，這種實施形式，是在鍍槽內(nèi)水平支撐筒狀的圓桶，該圓桶在壁面上具有使鍍液流過的多個透孔，并設(shè)置有鍍液供給機構(gòu)，用于將存儲在鍍槽內(nèi)的鍍液的一部分注入圓桶。然后，在該電鍍裝置中，也與上述同樣地轉(zhuǎn)動圓桶，向圓桶內(nèi)注入鍍液而在被鍍物上形成鍍膜。
另外，在特開平08-239799號公報中記述了具有以下部分的電鍍裝置固定在垂直的驅(qū)動軸的上端的水平的圓形底板；在該底板上固定著外周的安裝突緣且中心具有開口，并在與底板之間形成有處理室的蓋，該處理室越向徑向外側(cè)越低或為圓筒狀；夾在底板與安裝突緣之間的連續(xù)或間歇接觸用的通電用的接觸環(huán)；配置在該接觸環(huán)附近且只通過鍍液的多孔體窗；從開口向處理室提供處理液等的供給管；接受從多孔體窗飛出的鍍液的容器；將容器里積存的處理液送到供給管的泵；從開口插入而接觸鍍液的電極。在電鍍工序中使鍍敷處理室反復轉(zhuǎn)動、減速、停止，從而在被鍍物上形成鍍膜。
但是，特開平10-195698號公報所記述的裝置，是這樣的圓桶電鍍方式在以傾斜姿勢或水平姿勢支撐在鍍液中的圓桶槽內(nèi)，插入具有與被鍍物接觸的陰極的前端部——所謂具有ダンキユラ的電纜，并且同時投入被鍍物與促進衰減的介質(zhì)(小鋼球、不銹鋼或氧化鋯等硬的虛擬顆粒)，然后將圓桶槽的一部分或全部浸漬在設(shè)置有陽極的鍍液中慢慢向一個方向轉(zhuǎn)動，隨著被鍍物與介質(zhì)的攪拌·混合而捕捉與ダンキユラ之間的接觸通電機會，從而形成鍍膜。這種裝置適合于向外形和自重比較大的被鍍物上形成鍍膜的情況。
但是，該圓桶電鍍方式，雖能簡化電鍍裝置，但相反，特別是小型的被鍍物，自重輕，也容易受到鍍液的浮力影響，所以，作為其對策，也進行了比被鍍物更大量地投入顆粒小于被鍍物的介質(zhì)的嘗試，正因為是小型以及小顆粒的，所以不能避免產(chǎn)生電流密度過大以及過小的部位，在電流密度過大的部位，存在電鍍析出的成長過多導致的電鍍凝集，且也存在被鍍物漂浮等很分散的現(xiàn)象，不能得到穩(wěn)定的鍍膜，隨著電鍍處理的過程必須再次投入經(jīng)選擇或管理了成長過剩的介質(zhì)直徑的一定粒徑的粒子，又，電鍍處理需要時間長等，從而使生產(chǎn)效率低下，管理工時增加。
又，特開平08-239799號公報所記述的裝置，是以對小物體形成鍍膜為目的的，一邊轉(zhuǎn)動一體地結(jié)合了鍍液排出用的多孔窗而形成小室的鍍敷處理室，一邊從上部開口供給鍍液并從離心力所作用的周邊的多孔窗排出鍍液，從而形成鍍膜，但為了防止電鍍裝置內(nèi)部的鍍液的濃度隨著時間的推移而變化，要結(jié)合電泵和液面?zhèn)鞲衅鬟M行鍍液的供給，所以必須進行復雜的控制；又，因為驅(qū)動馬達和軸位于鍍敷處理室的下側(cè)，所以需進行鍍液的泄漏及絕緣的處理等，也使構(gòu)造變得復雜，電鍍裝置也固定化而缺少通用性，增加了許多設(shè)備投資。
另外，隨著最近的便攜式信息終端上使用的電器的輕薄短小化的進展，載置在電路基板上的具有方形、圓筒形、圓柱形等形狀的電子部件，例如電阻、電容器、電感器、熱敏電阻或熔斷器等片狀電子部件上，也與此相呼應(yīng)，在形狀或外形尺寸上小型·薄型化，例如，公稱長度×公稱寬度，以1.0mm×0.5mm、0.6mm×0.3mm、0.4mm×0.2mm的推移逐漸小型化。在這些片狀電子部件上，與電極有關(guān)的要求也變得嚴格，要求電極的專用面積也相對變小，以及鍍膜也具有大致均勻的厚度，并且也要求電路基板與電極焊接區(qū)有良好的軟釬焊接性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，是解決這些過去的問題的發(fā)明，目的是提供以下的電子部件的電鍍裝置以及電鍍方法即使是形狀和外形尺寸極輕薄短小的電子部件，也不需要投入介質(zhì)，電鍍裝置的構(gòu)造也可小型·簡化，容易維護且在處理槽之間移動富于通用性，可確保在短時間內(nèi)以大致均勻的厚度形成所希望的鍍膜。
為了解決上述課題，本發(fā)明提供的電子部件的電鍍裝置，其特征在于在附設(shè)有陽極的鍍槽內(nèi)，鍍桶可被驅(qū)動轉(zhuǎn)動地設(shè)置在驅(qū)動軸的下端，該鍍桶，具有內(nèi)壁上附設(shè)有陰極環(huán)的絕緣環(huán)、密閉該絕緣環(huán)的底部的底部絕緣板、固定在前述絕緣環(huán)的上側(cè)的上部絕緣板，在該上部絕緣板上，設(shè)置有貫通孔，從而利用驅(qū)動鍍桶轉(zhuǎn)動時作用的離心力，使鍍液從鍍桶的內(nèi)部流向外部并且從外部流向內(nèi)部。
在上述本發(fā)明的電鍍裝置中，鍍桶安裝在驅(qū)動軸的下端并浸漬在鍍槽內(nèi)，因為驅(qū)動軸是只驅(qū)動鍍桶轉(zhuǎn)動的，所以可使轉(zhuǎn)動驅(qū)動系統(tǒng)的裝置構(gòu)成為比較簡單的形式，也是可以對應(yīng)于作為被鍍物的電子部件的規(guī)格而比較容易更換鍍桶的形式。又，即使被鍍物的形狀和外形尺寸輕薄短小，如果采用本發(fā)明的裝置，則因為只要使鍍桶轉(zhuǎn)動，就可將被鍍物集中在陰極環(huán)處，并可使鍍液從上部絕緣板的孔向鍍桶中對流，所以，可比較切實地在形狀和外形尺寸輕薄短小的電子部件上大致均勻地形成所需要厚度的鍍膜。
又，在本發(fā)明的電子部件的電鍍裝置中，前述上部絕緣板的貫通孔由第一貫通孔和第二貫通孔構(gòu)成。前述第一貫通孔，在距離前述陰極環(huán)既定長度的位置上設(shè)置至少一個，以使鍍液在比前述陰極環(huán)更內(nèi)側(cè)同心圓狀地從鍍桶內(nèi)流出；前述第二貫通孔，可設(shè)置得使鍍液在比前述第一貫通孔更內(nèi)側(cè)流入鍍桶內(nèi)。
在此，如果說到前述第一貫通孔與前述陰極環(huán)之間的間隔長度與陰極環(huán)的內(nèi)周面上的電流密度之間的關(guān)系，在兩者接近設(shè)置時，如果一邊驅(qū)動鍍桶轉(zhuǎn)動一邊通電，則陰極環(huán)的內(nèi)周面上局部電流密度變大，存在容易導致在此析出過剩的鍍敷而堵塞貫通孔的問題。另一方面，在兩者間隔適度地分開設(shè)置時，即使同樣一邊驅(qū)動鍍桶轉(zhuǎn)動一邊通電，在陰極環(huán)的內(nèi)周面上電流密度也大致均勻，所以，在電子部件上，可比較切實地形成所需要厚度的大致均勻的鍍膜。
因此，在本發(fā)明的電鍍裝置中，前述第一貫通孔與前述陰極環(huán)之間的間隔長度，設(shè)定為即使一邊驅(qū)動鍍桶轉(zhuǎn)動一邊通電時、陰極環(huán)的內(nèi)周面上的電流密度也大致均勻的長度。
在以上構(gòu)成的電鍍裝置中，可改善流出鍍液的第一貫通孔的附近和陰極環(huán)的內(nèi)周上頂部的電流密度過大，在陰極環(huán)的內(nèi)周面上獲得穩(wěn)定的電流密度。又，即使陽極裝在鍍桶的外緣上，因為在比陰極環(huán)更向內(nèi)側(cè)既定長度的位置，設(shè)置了鍍液流出用的第一貫通孔，所以，可防止在第一貫通孔附近鍍敷過度析出，當在鍍槽內(nèi)轉(zhuǎn)動鍍桶時，從第一貫通孔流出鍍液，從第二貫通孔流入鍍液，這樣，可促進鍍液在鍍桶內(nèi)的對流，抑制鍍桶內(nèi)的特別是陰極環(huán)附近的鍍液的金屬濃度下降。
在本發(fā)明的電鍍裝置中，在前述底部絕緣板上，也可設(shè)置向鍍桶的轉(zhuǎn)動中心向下傾斜地形成的面。
上述本發(fā)明的電鍍裝置，因為可控制鍍桶在加速、等速、減速、停止的循環(huán)中向正反兩方向轉(zhuǎn)動，所以，在鍍桶等速轉(zhuǎn)動時，被鍍物受到離心力作用集中在陰極環(huán)處接觸通電，但在鍍桶減速至停止前的過程中，隨著離心力的下降被鍍物沿向下傾斜面向離開陰極環(huán)的方向移動，此時，促進了被鍍物的攪拌·混合。反之，在鍍桶加速至等速的過程中，隨著離心力的增加，被鍍物一邊被攪拌·混合一邊再次移動到陰極環(huán)。利用這樣的被鍍物的攪拌·混合作用，鍍膜在每個被鍍物上幾乎沒有偏差，可以按所需要厚度分別形成大致均勻的鍍膜。
在本發(fā)明的電鍍裝置中，也可設(shè)置止回閥，以防止鍍液從前述第二貫通孔倒流。
如果這樣設(shè)置止回閥，則使鍍桶從正轉(zhuǎn)變化到反轉(zhuǎn)，或從反轉(zhuǎn)變化到正轉(zhuǎn)時，可使鍍液或被鍍物從第二貫通孔流出的可能性極小。
在本發(fā)明的電鍍裝置中，也可使鍍桶的直徑大于鍍桶的轉(zhuǎn)動軸方向的長度。如果采用這樣的構(gòu)成，可望鍍桶的小型化·簡化。即，在被鍍物是具有輕薄短小的形狀和外形尺寸的小型的片狀電子部件時，即使使鍍桶的轉(zhuǎn)動軸方向的長度比較短，在形成鍍膜這點上也可獲得充分的效果，并且，也可實現(xiàn)電鍍裝置的小型化·簡化。
在本發(fā)明的電鍍裝置中，也可采用在前述驅(qū)動軸的內(nèi)表面上具有導入鍍液的貫通孔的構(gòu)成，以促進鍍槽與前述鍍桶內(nèi)的鍍液的循環(huán)。如果采用這樣的構(gòu)成，可根據(jù)鍍桶的容積和被鍍物的量，強制促進鍍液的對流·循環(huán)。
在本發(fā)明的電鍍裝置中，在前述上部絕緣板上，供鍍液向鍍桶內(nèi)流入的貫通孔、和供鍍液從鍍桶內(nèi)流出的貫通孔，也可共用相同貫通孔，在距離前述陰極環(huán)更內(nèi)側(cè)的位置形成。如果采用這樣的構(gòu)成，在將具有輕薄短小的形狀和外形尺寸的小型的片狀電子部件作為被鍍物的電鍍裝置中，可實現(xiàn)鍍桶的更加的小型化·簡化。
在本發(fā)明中，提供一種電鍍方法，其特征在于在至少具有附設(shè)在絕緣環(huán)的內(nèi)壁上的陰極環(huán)、密閉絕緣環(huán)的底部的底部絕緣板、使鍍液可出入前述陰極環(huán)的內(nèi)側(cè)的貫通孔的鍍桶內(nèi)，收容作為被鍍物的片狀電子部件，將鍍桶浸漬在附設(shè)了陽極的鍍槽中，并使前述底部絕緣板為大致水平地一邊保持鍍桶一邊驅(qū)動其轉(zhuǎn)動，利用該鍍桶的轉(zhuǎn)動離心力，使鍍液在前述鍍槽中和前述陰極環(huán)內(nèi)側(cè)對流，并使片狀電子部件集中在前述陰極環(huán)處接觸通電，且通過反復進行由該轉(zhuǎn)動的加速或減速以及停止引起的攪拌·混合和散開而形成所希望的鍍膜。
在本發(fā)明的電鍍方法中，因為利用轉(zhuǎn)動離心力，使鍍液對流，并使作為被鍍物的電子部件集中在陰極環(huán)處，并利用轉(zhuǎn)動的加速或減速以及停止所產(chǎn)生的轉(zhuǎn)動離心力的增減變化，反復進行被鍍物的攪拌·混合和散開，所以，鍍膜在各被鍍物上沒有偏差，可大致均勻地形成希望的厚度。
在本發(fā)明的電子部件的電鍍方法中，前述鍍桶通過包含正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)的工序構(gòu)成1個循環(huán)，并可構(gòu)成為在前述正轉(zhuǎn)工序和反轉(zhuǎn)工序的各工序中，具有加速、等速轉(zhuǎn)動、減速以及停止的步驟，且在等速轉(zhuǎn)動中通電。
如果采用以上的構(gòu)成，作為在浸漬于鍍液中的鍍桶的外緣上附設(shè)了陽極的構(gòu)成，因為利用離心力集中被鍍物以覆蓋陰極環(huán)的表面并通電，所以，可抑制向陰極環(huán)的過剩的鍍敷析出，通過反復進行正反轉(zhuǎn)，順利進行被鍍物的混合和攪拌，所以，鍍膜的厚度偏差極小，可獲得抑制鍍膜表面的凹凸的效果。
在本發(fā)明的電子部件的電鍍方法中，在鍍桶內(nèi)，也可以不在被鍍物中混入介質(zhì)，而形成鍍膜。
如果采用以上的構(gòu)成，因為鍍敷電流效率高，只用于在被鍍物上的鍍敷析出，所以，也減少了鍍敷材料的浪費，可降低鍍敷材料的成本。又由于不使用介質(zhì)，不必進行介質(zhì)的管理以及與被鍍物的分離，可獲得也可簡化鍍敷工序的作業(yè)的效果。
本發(fā)明，是將鍍桶浸漬在附設(shè)了陽極的鍍槽的鍍液中并獲得轉(zhuǎn)動離心力進行鍍敷析出的，即使是具有輕薄短小的形狀和外形尺寸的小型片狀電子部件，也不必在鍍桶內(nèi)投入介質(zhì)，并且也可使電鍍裝置自身的構(gòu)造小型·簡化，所以，即使在繼電鍍處理中的脫脂、清洗或形成所需要的鍍膜之后進行其他的鍍膜形成處理時，也可容易地將鍍桶移設(shè)到其他的處理槽中，富于通用性，并且也容易維護，另外可在比較短的時間內(nèi)大致均勻地形成所需要厚度的鍍膜。
圖面的簡單說明

圖1(a)是被鍍物的制造過程中的立體圖，圖1(b)是表示在圖1(a)的被鍍物上形成了鍍膜的狀態(tài)的立體圖。
圖2是本發(fā)明的電鍍裝置的示意截面圖。
圖3(a)是鍍桶的平面圖，圖3(b)是鍍桶的截面圖。
圖4是驅(qū)動鍍桶轉(zhuǎn)動時的時間圖。
圖5是例示與圖2以及圖3不同的狀態(tài)的電鍍裝置的局部截面圖。
圖6是例示圖5的鍍桶上的絕緣環(huán)和陰極環(huán)的不同附設(shè)狀況的局部截面圖。
圖7是表示自由開閉地覆蓋第二貫通孔的止回閥的圖。
圖8(a)～(c)是表示與圖7不同狀態(tài)的止回閥的圖。
圖9是在上部絕緣板上設(shè)置有共用貫通孔的形式。
圖10是與圖2以及圖3不同形式的電鍍裝置上的僅圖示了驅(qū)動軸和臂的圖。
實施發(fā)明的最佳形式參照圖1至圖6說明本發(fā)明的實施形式。
圖1(a)是被鍍物，即電阻、電容器、電感器或熱敏電阻等片狀電子部件在制造過程中的立體圖，在該被鍍物上形成由表層電極膜1a、背層電極膜1c以及端面電極膜1b等構(gòu)成的下層電極膜1。又，圖1(b)是表示在圖1(a)的被鍍物上形成鍍膜2的形式的立體圖。在本發(fā)明中，以這樣必須在下層電極膜1的表面上再形成鍍膜2的片狀電子部件作為“被鍍物”進行說明。鍍膜2，目的是例如防止下層電極膜1溶解析出、降低電極部分的電阻、以及改善電路基板與電極焊接區(qū)的軟釬接合等，至少形成一層以上。又，鍍膜，是例如使Cu系、Ni系、Sn系或Sn/Pb系等金屬析出形成的，在此所謂“系”是指單一的、或者至少含有1種以上金屬的材料。另外，本發(fā)明的裝置以及方法，不限于圖示那樣的具有絕緣基板的方形的片狀電子部件，也可適用于具有例如圓筒形或圓柱形等形狀的電子部件。
圖2是本發(fā)明的電鍍裝置10的示意截面圖，圖3(a)是鍍桶20的俯視圖，圖3(b)是鍍桶20的截面圖。在本發(fā)明的電鍍裝置10中，驅(qū)動馬達11在鍍槽8的上方利用支撐臂12支撐·固定，驅(qū)動軸15從該驅(qū)動馬達11向下方延伸，在該驅(qū)動軸15的下端通過臂18安裝有鍍桶20，鍍桶20浸漬在鍍液7中地被支撐著。另外，驅(qū)動馬達11能控制驅(qū)動軸15可適當切換到正反兩個方向的。
在此，前述驅(qū)動軸15位于鍍桶20的中心地設(shè)置。另外在驅(qū)動軸15上設(shè)置有滑動環(huán)16，并接觸該滑動環(huán)16地設(shè)置有電刷端子17，在該電刷端子17上，連接有軟線13，軟線13延伸至陰極電源。另一方面，在鍍槽8的內(nèi)部浸漬著陽極板6，在該陽極板6上連接有軟線5，軟線5延伸至陰極電源。
前述鍍桶20，如圖3(a)、(b)所示那樣，上部絕緣板21和底部絕緣板23分別被螺栓·螺母27固定在絕緣環(huán)22的上下開口上，并在絕緣環(huán)22的內(nèi)壁上附設(shè)有金屬制的陰極環(huán)24。利用這樣的螺栓·螺母27的緊固固定，是為了被鍍物容易取出或投入鍍桶20中，以及便于拆卸、維護。
鍍桶20，在上部絕緣板21上利用螺栓·螺母25安裝著臂18，通過在該臂18上固定驅(qū)動軸15的下端，使鍍桶20的上部絕緣板21和底部絕緣板23相對于鍍液面大致平行地得到支撐，因為這樣的構(gòu)成，鍍桶20、與驅(qū)動其轉(zhuǎn)動的驅(qū)動馬達11及驅(qū)動軸15等一體化，在從鍍槽8取出、或脫脂、清洗并形成既定的鍍膜之后，也可容易移動而用于其他的鍍膜形成處理。
陰極環(huán)24，接觸用于固定臂18和鍍桶20的螺栓·螺母25，由此，形成陰極的導電路徑。即，作為連接陰極電源到陰極環(huán)24的導電路徑，軟線13、電刷端子17、滑動環(huán)16、驅(qū)動軸15、臂18、螺栓·螺母25，按此順序分別可通電地連接而構(gòu)成，利用這樣形成陰極導電路徑，可望電鍍裝置的小型化以及簡化。這時，對緊固螺栓·螺母27、臂18以及驅(qū)動軸15暴露在鍍液中的表面進行如絕緣那樣的適當?shù)慕^緣處理。
又，上述是形成陰極導電路徑的一例，也可另外利用包覆導體形成導電路徑。另外，鍍桶的形狀，最好減少表面凹凸，以免轉(zhuǎn)動中在鍍槽內(nèi)使鍍液過度蕩漾。
鍍桶20的底部絕緣板23，使用無孔板以密閉絕緣環(huán)22的底部開口。另一方面，在上部絕緣板21上，在從陰極環(huán)24的上端向桶轉(zhuǎn)動中心側(cè)離開既定長度的位置上穿設(shè)有第一貫通孔21a，并在從第一貫通孔21a向桶轉(zhuǎn)動中心側(cè)離開既定長度的位置上穿設(shè)有第二貫通孔21b。第一貫通孔21a以與陰極環(huán)24大致同心圓的配置形成至少1條以上的窄縫狀，第二貫通孔21b位于上部絕緣板21的大致中心。
另外，在上部絕緣板21的內(nèi)表面一側(cè)，如圖3(a)、(b)所示那樣，也可設(shè)置篩網(wǎng)26。這在不必提高鍍桶20的轉(zhuǎn)速時有效，這樣，在驅(qū)動鍍桶20轉(zhuǎn)動時，也可防止被鍍物3從第一貫通孔21a和第二貫通孔21b流出。并且第一貫通孔21a也可形成圓形或多邊形等形狀。又，在圖3(a)、(b)中，雖然第一貫通孔21a是垂直穿設(shè)的，但第一貫通孔21a也可向外周傾斜形成，這樣，可提高從鍍桶20排出鍍液的效率。
在上述鍍桶20中，如圖3(b)所示那樣，通過形成為使鍍桶的直徑R比鍍桶的轉(zhuǎn)動軸方向的長度L大，可提供更加緊湊的鍍桶。
如以上那樣，通過將第二貫通孔21b配置在鍍桶20的轉(zhuǎn)動中心附近，將第一貫通孔21a配置在鍍桶20的外周附近，當驅(qū)動鍍桶20轉(zhuǎn)動時，鍍液，從第二貫通孔21b向鍍桶20內(nèi)流入，并從第一貫通孔21a向鍍桶20外流出，促進鍍液10在鍍槽9和鍍桶20內(nèi)的對流。通過這樣促進對流，在陰極環(huán)24的附近鍍液中的金屬濃度不會降低，而維持既定的金屬濃度。在鍍桶20內(nèi)，收容作為被鍍物的片狀電子部件3，在停止轉(zhuǎn)動驅(qū)動時，如圖3(b)所示那樣，雖然片狀電子部件3散開，但當鍍桶20驅(qū)動轉(zhuǎn)動時，被鍍物3受到轉(zhuǎn)動離心力和鍍液流的作用，又集中成接觸陰極環(huán)24。
這樣，第一貫通孔21a，雖然發(fā)揮使鍍液從鍍桶20內(nèi)部向鍍槽9環(huán)流的排出口的功能，但作為該鍍液的排出口的第一貫通孔21a，如上述那樣，因為是從陰極環(huán)24的上端部向鼓桶的轉(zhuǎn)動中心側(cè)離開既定長度地設(shè)置的，所以，在陰極環(huán)24的上端部附近電流密度不會升高，因此，可在陰極環(huán)24的內(nèi)側(cè)獲得大致均勻的電流密度，有效地抑制了鍍敷在作為鍍液的排出口的第一貫通孔21a附近析出。
鍍槽8，從形成鍍膜的生產(chǎn)率的觀點出發(fā)，是具有可維持合適的金屬濃度以及液體溫度的容量的槽，使得可承受所需要的鍍敷處理次數(shù)，并且是位于鍍桶的兩側(cè)或周圍地在內(nèi)壁附近配置陽極板6的，也可單槽形式構(gòu)成，或也可以循環(huán)形式(未圖示)構(gòu)成，以保持合適的金屬濃度以及液體溫度。
利用具有參照圖2以及圖3說明過的基本構(gòu)成的電鍍裝置，對在被鍍物上施加鍍膜的方法進行說明。
將被鍍物3投入鍍桶20中，該鍍桶20利用驅(qū)動軸15和臂18懸掛，之后，將鍍桶20浸漬在鍍槽8中。
然后，啟動驅(qū)動馬達11，以圖4的時間圖所示那樣的循環(huán)進行控制。即，1個循環(huán)由正轉(zhuǎn)區(qū)間A和反轉(zhuǎn)區(qū)間C構(gòu)成，在正轉(zhuǎn)區(qū)間A中，經(jīng)過從停止點P開始加速的步驟e，直到等速轉(zhuǎn)動B，通過減速的步驟f直到停止點P1。另一方面，在反轉(zhuǎn)區(qū)間C中，開始向反轉(zhuǎn)方向轉(zhuǎn)動，同樣，具有加速步驟e’、等速轉(zhuǎn)動D、減速步驟f’。
而且，在鍍桶的轉(zhuǎn)動停止點P、P1、P2，即使是例如小型而自重輕的被鍍物3，如圖3(b)所示那樣，也從陰極環(huán)24散開變得不通電。該鍍桶，在加速步驟e、e’轉(zhuǎn)動速度慢慢上升的過程中，散開的被鍍物3一邊被攪拌混合，一邊向陰極環(huán)24的內(nèi)壁慢慢集中而促進接觸。在等速轉(zhuǎn)動B、D的區(qū)間，被鍍物3利用離心力的作用密密地集中而與陰極環(huán)24接觸，也切實進行接觸通電，鍍液也由離心力促進了對流而配合被鍍物3，這樣在被鍍物3上形成鍍膜。然后，等速轉(zhuǎn)動B、D之后，在減速步驟f、f’失去對被鍍物3的集中約束，開始攪拌·混合，因停止而至散開。
另外，與特開平10-195698號公報中的攪拌·混合以及通電的方式相比，因為本發(fā)明通過1個循環(huán)中包含正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)而強制進行集中·通電、攪拌·混合以及散開，所以，并不一定需要投入過去技術(shù)那樣的介質(zhì)。
在此，雖然圖4的時間圖，是減速、停止以及加速連續(xù)的圖，但考慮到與轉(zhuǎn)速、減速以及加速的梯度的關(guān)系，也可設(shè)置既定的停止時間，可望促進攪拌·混合以及散開。
下面，分別參照圖5至圖9對與圖2以及圖3不同的電鍍裝置的形式進行說明。另外，在圖5至圖9中，與圖2以及圖3同樣的構(gòu)造采用同一符號，不再說明。
圖5是鍍筒的截面圖，在此，傾斜面33a，向鍍桶的轉(zhuǎn)動中心下坡地設(shè)置在底部絕緣板33的外周部分上。該傾斜面33a，是通過減小底部絕緣板33的中間部分的厚度而形成的。如果設(shè)置這樣的傾斜面33a，在使鍍桶20從等速轉(zhuǎn)動B、D減速的過程中，被鍍物沿傾斜面33a向下移動，以此促進攪拌·混合以及散開。反之，在加速步驟中，因為陰極環(huán)24附近比底部絕緣板33的中間部附近窄，所以，更有效地促進了被鍍物向陰極環(huán)24的內(nèi)壁的密集。
另外，在圖5中絕緣環(huán)22和陰極環(huán)24的設(shè)置形式，雖然是如圖6(a)那樣形成的，但考慮到投入的被鍍物的形狀以及尺寸、被鍍物向陰極環(huán)24的集中情況、當時的電流密度等，也可將絕緣環(huán)22和陰極環(huán)24構(gòu)成為圖6的(b)(c)(d)所示那樣的形狀。
然后，圖7是展示自由開閉地覆蓋上部絕緣板21的第二貫通孔21b的止回閥38的圖。在從正轉(zhuǎn)向反轉(zhuǎn)、或從反轉(zhuǎn)向正轉(zhuǎn)快速轉(zhuǎn)換時，該閥防止鍍液從第二貫通孔21b倒流，或防止被鍍物隨著該倒流從鍍桶流出。該止回閥38，軸固定在可上下活動地設(shè)置的軸38a的下端樞裝有閉鎖板38c，在軸38a上環(huán)繞安裝有施力的彈簧38b以向上方提起閉鎖板38c，當轉(zhuǎn)動接近停止時，閉鎖板38c動作而關(guān)閉第二貫通孔21b，在轉(zhuǎn)動過程中，鍍液從第一貫通孔21a流出，隨著鍍液的流出，鍍桶20內(nèi)的壓力下降，此時，閉鎖板38c受壓力作用而打開，以補充鍍液，鍍液流入。
又，圖8(a)～(c)是表示與圖7不同形式的止回閥39的圖。在該止回閥39中，導入環(huán)39b固定在導入筒39a的內(nèi)部，而導入筒39a固定在第二貫通孔21b上，導入環(huán)39b具有軸穿插孔39b-1和鍍液流動通道39b-2，軸39c上下活動自如地插穿在軸穿插孔39b-1中，閉鎖板39d樞裝在軸39c的下端，在軸39c的上端固定著彈簧固定件39e，環(huán)繞安裝在軸39c上的彈簧39f，其上下端與彈簧固定件39e和導入環(huán)39b對接。因此，當閉鎖板39d上沒有受到外力作用時，即，鍍桶20停止轉(zhuǎn)動，鍍液未通過第二貫通孔21b時，如圖8(b)所示那樣，彈簧39f將軸39c向上方頂起，而閉鎖板39d關(guān)閉導入筒39a的下端。并且同樣，當鍍桶20的轉(zhuǎn)動減速時，閉鎖板39d關(guān)閉第二貫通孔21b。反之，鍍桶20轉(zhuǎn)動時，利用鍍液從第二貫通孔21b向鍍桶20內(nèi)流入的壓力，閉鎖板38c如圖8(a)所示那樣成開放狀態(tài)。
圖9的形式，是在上部絕緣板21上設(shè)置唯一的孔21c，即共用貫通孔21c，該共用貫通孔21c的形式，兼具圖3(a)中的第一貫通孔21a和第二貫通孔21b的功能，鍍液通過共用貫通孔21c流入·流出。在該共用貫通孔21c上最好張設(shè)如圖示那樣的篩網(wǎng)28。共用貫通孔21c，其孔的邊緣設(shè)置在距陰極環(huán)24的上端部既定長度的位置。利用圖8那樣的構(gòu)成，即使在轉(zhuǎn)速低的時候，也可使用緊湊的鍍桶在更加輕薄短小且小型的片狀電子部件上形成合適的鍍膜。
圖10，是只展示了電鍍裝置上的驅(qū)動軸15和臂18的圖，雖然圖未示出，但在臂18的下方設(shè)置了第二貫通孔21b。在圖10中，在驅(qū)動軸15上設(shè)置有用于鍍液通過的配管15a，該配管15a在臂18的下表面上具有吹出口，該吹出口與第二貫通孔21b相向設(shè)置。配管15a，使從鍍槽9吸上來的鍍液通過第二貫通孔21b，導入鍍桶20內(nèi)。如果采用這種形式，考慮到被鍍物的形狀和尺寸，若以被鍍物不太分散開的程度的流入速度將鍍液導入鍍桶20內(nèi)，則可有效促進鍍液的對流。此時，暴露在鍍液中的部分進行了絕緣被覆。
實施例在上述的實施形式中，介紹了如下的實施例使用圖3(a)(b)的具有上部絕緣板21和底部絕緣板23的鍍桶20，用公稱長度0.6mm×公稱寬度0.3mm的方形的片狀電阻器且公稱電阻值為10kΩ的零件作為被鍍物的試樣，在鍍桶20中不投入介質(zhì)而只裝入被鍍物大致30萬個，在形成圖1(a)的下層電極膜而露出的表面上，形成Ni鍍膜，接著形成Sn鍍膜。
鍍敷析出時間圖使用與圖4同樣的曲線，觀測的析出的鍍膜的厚度的結(jié)果示于表1以及表2中。另外，示出了各鍍膜厚度測定的結(jié)果，是在試樣完成了各鍍膜的形成后，從其中抽取各20個，從試樣的縱向大致中間處切斷而測得的。
表1 Ni鍍膜的形成


表2 Sn鍍膜的形成


如實施例的結(jié)果所示那樣，不投入介質(zhì)，也不會產(chǎn)生鍍敷凝聚，鍍膜表面也密實，即使在鍍膜厚度上，也獲得了偏差穩(wěn)定的鍍膜。又，過去一般電阻值高時，必須供給大的電流，鍍敷時間也變長，但是如果根據(jù)實施例的結(jié)果，與過去的裝置相比可大幅度縮短鍍敷時間，從電阻器的鍍膜形成所看到的那樣，可不依賴額定電阻值的常數(shù)，鍍敷電流也以大致一定的值而在短時間形成鍍膜。另外，在本發(fā)明的實施例中，在表1以及表2中，雖然以具有既定外形尺寸的被鍍物為試樣，但本發(fā)明的適用范圍沒有特別限制。
權(quán)利要求
1.一種電子部件的電鍍裝置，其特征在于在附設(shè)有陽極的鍍槽內(nèi)，鍍桶可被驅(qū)動轉(zhuǎn)動地設(shè)置在驅(qū)動軸的下端，該鍍桶，具有內(nèi)壁上附設(shè)有陰極環(huán)的絕緣環(huán)、密閉該絕緣環(huán)的底部的底部絕緣板、和固定在前述絕緣環(huán)的上側(cè)的上部絕緣板，在該上部絕緣板上，設(shè)置有貫通孔，從而利用驅(qū)動鍍桶轉(zhuǎn)動時作用的離心力，使鍍液從鍍桶的內(nèi)部流向外部，并且從外部流入內(nèi)部。
2.如權(quán)利要求1所述的電子部件的電鍍裝置，其特征在于前述上部絕緣板的貫通孔由第一貫通孔和第二貫通孔構(gòu)成，前述第一貫通孔，在距離前述陰極環(huán)既定長度的位置上設(shè)置至少一個，使鍍液在比前述陰極環(huán)更靠內(nèi)的內(nèi)側(cè)同心圓狀地從鍍桶內(nèi)流出，該第二貫通孔被設(shè)置得使鍍液在比前述第一貫通孔更靠內(nèi)的內(nèi)側(cè)流入鍍桶內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電子部件的電鍍裝置，其特征在于前述底部絕緣板具有向鍍桶的轉(zhuǎn)動中心并向下傾斜地形成的面。
4.如權(quán)利要求2所述的電子部件的電鍍裝置，其特征在于設(shè)置止回閥，以防止鍍液從前述第二貫通孔倒流。
5.如權(quán)利要求1至4所述的電子部件的電鍍裝置，其特征在于前述鍍桶的直徑大于前述鍍桶的轉(zhuǎn)動軸方向上的長度。
6.如權(quán)利要求1至5所述的電子部件的電鍍裝置，其特征在于在前述驅(qū)動軸的內(nèi)表面上，具有導入鍍液的貫通孔，以促進渡液在前述鍍槽與前述鍍桶內(nèi)的循環(huán)。
7.如權(quán)利要求1所述的電子部件的電鍍裝置，其特征在于在前述上部絕緣板上，供鍍液向前述鍍桶內(nèi)流入的貫通孔、和供鍍液從前述鍍桶內(nèi)流出的貫通孔，共用相同貫通孔地在距前述陰極環(huán)更向內(nèi)側(cè)的位置上形成。
8.一種電子部件的電鍍方法，其特征在于在至少具有附設(shè)在絕緣環(huán)的內(nèi)壁上的陰極環(huán)、密閉絕緣環(huán)的底部的底部絕緣板、使鍍液可出入鍍桶的內(nèi)部的貫通孔的鍍桶中，收容有作為被鍍物的片狀電子部件，將鍍桶浸漬在附設(shè)了陽極的鍍槽中，并且使前述底部絕緣板為大致水平地一邊保持鍍桶一邊驅(qū)動其轉(zhuǎn)動，利用該鍍桶的轉(zhuǎn)動離心力使鍍液在前述鍍槽中和前述鍍桶內(nèi)部對流，并且使片狀電子部件集中于前述陰極環(huán)處進行接觸通電，且通過反復進行由該轉(zhuǎn)動的加速或減速以及停止引起的攪拌·混合和散開而形成所希望的鍍膜。
9.如權(quán)利要求8所述的電子部件的電鍍方法，其特征在于前述鍍桶通過包含正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)的工序構(gòu)成1個循環(huán)，并在前述正轉(zhuǎn)工序和前述反轉(zhuǎn)工序的各工序中，具有加速、等速轉(zhuǎn)動、減速以及停止的步驟，且在等速轉(zhuǎn)動中通電。
10.如權(quán)利要求9所述的電子部件的電鍍方法，其特征在于在鍍桶內(nèi)，不在被鍍物中混入介質(zhì)而形成鍍膜。
11.一種片狀電子部件，其特征在于在至少具有附設(shè)在絕緣環(huán)的內(nèi)壁上的陰極環(huán)、密閉絕緣環(huán)的底部的底部絕緣板、使鍍液可出入前述鍍桶內(nèi)部的貫通孔的鍍桶中，收容有作為被鍍物的片狀電子部件，將鍍桶浸漬在附設(shè)了陽極的鍍槽中，并且使前述底部絕緣板為大致水平地一邊保持鍍桶一邊驅(qū)動其轉(zhuǎn)動，利用該鍍桶的轉(zhuǎn)動離心力使鍍液在前述鍍槽中和前述鍍桶內(nèi)部對流，并在前述鍍桶的正轉(zhuǎn)工序和反轉(zhuǎn)工序的等速轉(zhuǎn)動中，使片狀電子部件集中于前述陰極環(huán)處進行接觸通電，且通過反復進行由該轉(zhuǎn)動的加速或減速以及停止引起的攪拌·混合和散開而形成所希望的鍍膜。
全文摘要
提供一種電子部件的電鍍裝置，即使是形狀和外形尺寸板輕薄短小的電子部件，也不必投入介質(zhì)，還可使電鍍裝置的構(gòu)造小型·簡化，可確保在短時間內(nèi)并以大致均勻的厚度形成所希望的鍍膜。在附設(shè)了陽極(6)的鍍槽(8)內(nèi)，鍍桶(20)可被驅(qū)動轉(zhuǎn)動地設(shè)置在驅(qū)動軸(15)的下端，鍍桶，具有內(nèi)壁上附設(shè)了陰極環(huán)(24)的絕緣環(huán)(22)、密閉絕緣環(huán)的底部的底部絕緣板(23)、固定在絕緣環(huán)上側(cè)的上部絕緣板(21)，在上部絕緣板上，設(shè)置有第一貫通孔(21a)和第二貫通孔(21b)，使得鍍液利用鍍桶被驅(qū)動轉(zhuǎn)動時所作用的離心力，從鍍桶內(nèi)部向外部流出并從外部向內(nèi)部流入。
文檔編號C25D7/00GK1576400SQ20041007130
公開日2005年2月9日 申請日期2004年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月18日
發(fā)明者吉田俊秀, 神谷英二 申請人:釜屋電機株式會社