本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1前序部分所述的方法。

背景技術(shù)：

由wo2015/120939a1公知這種方法。如果期望在微機械構(gòu)件的空穴中有確定的內(nèi)壓，或者在空穴中應(yīng)包含具有確定的化學(xué)組分的氣體混合物，則通常在封裝微機械構(gòu)件時或者在襯底晶片與罩晶片之間的鍵合過程中設(shè)定內(nèi)壓或化學(xué)組分。在封裝時例如將罩與襯底連接，由此罩與襯底共同包圍空穴。通過設(shè)定在封裝時在周圍環(huán)境中存在的氣體混合物的大氣或壓力和/或化學(xué)組分，可以因此設(shè)定在空穴中的確定的內(nèi)壓和/或確定的化學(xué)組分。

通過由wo2015/120939a1已知的方法可以有針對性地設(shè)定在微機械構(gòu)件的空穴中的內(nèi)壓。通過該方法尤其可能的是，制造具有第一空穴的微機械構(gòu)件，其中，在第一空穴中可以設(shè)定第一壓力和第一化學(xué)組分，該第一壓力或第一化學(xué)組分不同于在封裝時刻的第二壓力和第二化學(xué)組分。

在根據(jù)wo2015/120939a1的用于有針對性地設(shè)定微機械構(gòu)件的空穴中的內(nèi)壓的方法中，在罩中或者說在罩晶片中或在襯底中或者說在傳感器晶片中產(chǎn)生到空穴的窄的進(jìn)入通道。接著以所期望的氣體和所期望的內(nèi)壓通過進(jìn)入通道充滿空穴。最后借助激光器局部地加熱圍繞進(jìn)入通道的區(qū)域，襯底材料局部液化并且在固化時密封地封閉進(jìn)入通道。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的任務(wù)是，以相對于現(xiàn)有技術(shù)簡單并且成本有利的方式提供一種用于制造相對于現(xiàn)有技術(shù)機械牢固的以及具有長使用壽命的微機械構(gòu)件的方法。此外，本發(fā)明的任務(wù)是，提供一種相對于現(xiàn)有技術(shù)緊湊的、機械牢固的并且具有長使用壽命的微機械構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明，這尤其適用于具有(第一)空穴的微機械構(gòu)件。通過根據(jù)本發(fā)明的方法和根據(jù)本發(fā)明的微機械構(gòu)件也還能夠?qū)崿F(xiàn)微機械構(gòu)件，在該微機械構(gòu)件中，在第一空穴中可以設(shè)定第一壓力和第一化學(xué)組分，并且在第二空穴中可以設(shè)定第二壓力和第二化學(xué)組分。例如設(shè)置這樣的方法用于制造微機械構(gòu)件，對于該微機械構(gòu)件有利的是，在第一空穴中包含第一壓力并且在第二空穴中包含第二壓力，其中，第一壓力應(yīng)不同于第二壓力。例如當(dāng)用于轉(zhuǎn)速測量的第一傳感器單元和用于加速度測量的第二傳感器單元要集成到微機械構(gòu)件中時是這種情況。

該任務(wù)由此實現(xiàn)，即

-在第五方法步驟中，將空隙引入到襯底或罩中，用于接收第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層。

由此以簡單并且成本有利的方式提供一種用于制造微機械構(gòu)件的方法，通過該方法借助于空隙可以接收第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層。由此例如能夠有利地實現(xiàn)，第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層可以在時間上在部分去除或者說磨削或者說拋光襯底或罩之前沉積并且在時間上在去除或者說磨削或者說拋光之后保留布置在空隙中。因此能夠有利地實現(xiàn)，在時間上在去除或者說磨削或者說拋光之前第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層已經(jīng)可以在襯底或罩的表面上沉積或生長。這通常對于預(yù)給定的溫度預(yù)算和/或為了避免污染是有利的。

此外，通過根據(jù)本發(fā)明的方法能夠有利地實現(xiàn)，借助于對所使用材料的結(jié)晶度有針對性的調(diào)節(jié)，可以提高在襯底或罩的在第三方法步驟中過渡到液態(tài)聚集態(tài)并且在第三方法步驟后過渡到固態(tài)聚集態(tài)的區(qū)域中和封閉進(jìn)入開口的材料區(qū)域中的相對于裂紋形成和/或裂紋擴展的阻力。

例如由此實現(xiàn)相對于裂紋形成和/或裂紋擴展的阻力的提高，即，多晶體層的或多晶體襯底的晶界作為防止裂紋擴展的障礙起作用。在此尤其微裂紋不會或者說只能以增加的消耗沿著晶軸穿過整個封閉部或者材料區(qū)域擴展。更確切地說，微裂紋停止在晶界上。由此防止或者明顯妨礙封閉部的撕裂。例如也由此實現(xiàn)相對于裂紋形成提高的阻力，即，通過施加第一晶體層、無定型層、納米晶體層和多晶體層產(chǎn)生或引起第一應(yīng)力或者說第一應(yīng)力起作用，該第一應(yīng)力起到抵制在封閉部或材料區(qū)域中出現(xiàn)的或者說由封閉部或材料區(qū)域發(fā)出的第二應(yīng)力的作用，或者說補償該第二應(yīng)力。在此第一應(yīng)力例如是壓應(yīng)力。

此外，如果只局部加熱襯底材料并且加熱后的材料不僅在固化時而且在冷卻時相對于它的周圍收縮，通過根據(jù)本發(fā)明的方法更少出現(xiàn)問題。也更少出現(xiàn)問題的是，在封閉區(qū)域中能夠出現(xiàn)拉應(yīng)力。最后，根據(jù)應(yīng)力和材料自發(fā)出現(xiàn)的裂紋形成以及在微機械構(gòu)件受熱或機械負(fù)載的情況下的裂紋形成在繼續(xù)加工時或者在場中更不可能。

此外，如果在襯底或罩的材料區(qū)域凝固時由于再結(jié)晶動力在熔化區(qū)的中心或者在凝固的材料區(qū)域的中心構(gòu)成尖端，則其通過根據(jù)本發(fā)明的方法更不嚴(yán)重，因為通過有針對性地調(diào)校關(guān)于從表面向著第一空穴方向的空隙延伸而言的空隙深度和第一層的厚度并且在必要時調(diào)校關(guān)于從表面向著第一空穴方向的第一層和必要時的其他層的延伸而言的另一層的厚度，可以減小或者避免尖端超出襯底或罩表面。因此通過使用空隙也避免在進(jìn)一步的制造流中的這種尖端損傷的可能性或者說不期望的碰觸尖端。因此，有利地減小在襯底或罩中產(chǎn)生裂紋的其它來源的影響。

因此，以與現(xiàn)有技術(shù)相比簡單并且成本有利的方式提供一種用于制造與現(xiàn)有技術(shù)相比機械牢固以及具有長使用壽命的微機械構(gòu)件的方法。

在本發(fā)明上下文中，可以如此理解概念“微機械構(gòu)件”，即該概念不僅包括微機械構(gòu)件而且包括微電子機械構(gòu)件。

此外，在本發(fā)明上下文中，概念“晶體”可以理解為“單晶體”。因此在本發(fā)明上下文中，在使用概念“晶體“時意味著單晶體或者宏晶體或者說宏觀晶體，該宏晶體的原子或分子形成連續(xù)一致的、均勻的晶格。換言之，概念“晶體”意味著，每個原子與它的相鄰原子的所有距離基本上是清楚限定的。尤其在本發(fā)明上下文中，如此理解“晶體”，即，理論上的晶體尺寸或者晶粒尺寸有時候大于1cm或者無窮大。在本發(fā)明上下文中，如此理解概念“多晶體”或“納米晶體”，即指晶體固體，該晶體固體包括多個單晶體或者微晶或者晶粒，其中，晶粒通過晶界相互分開。尤其在本發(fā)明上下文中，如此理解“多晶體”，即晶體尺寸或者說粒徑尺寸達(dá)到1μm到1cm。此外，尤其在本發(fā)明上下文中，如此理解“納米晶體”，即晶體尺寸或晶粒小于1μm。此外，在本發(fā)明上下文中，如此理解概念“無定型”，即無定型層的或無定型材料的原子僅具有短程有序，但不具有長程有序。換言之，“無定型”意味著，每個原子僅與它的第一最近的相鄰原子的距離是清楚限定的，但與它的第二和其他最近的相鄰原子的距離不是清楚限定的。

本發(fā)明優(yōu)選設(shè)置用于制造具有一個空穴的微機械構(gòu)件或者說用于具有一個空穴的微機械構(gòu)件。但是本發(fā)明例如也設(shè)置用于具有兩個空穴或者具有多于兩個即三個、四個、五個、六個或多于六個空穴的微機械構(gòu)件。

優(yōu)選地，通過借助于激光將能量或熱量引入到吸收該能量或熱量的襯底或罩的部分中來封閉進(jìn)入開口。在此優(yōu)選將能量或熱量在時間上先后地分別引入到多個微機械構(gòu)件的襯底或罩的吸收部分中，這些微機械構(gòu)件例如在一個晶片上共同制造。但是替代地也設(shè)置為，將能量或熱量在時間上并行地引入到多個微機械構(gòu)件的襯底或罩的各個吸收部分中，例如在使用多個激光束或者說激光裝置的情況下。

在從屬權(quán)利要求以及參照附圖的描述中可給出本發(fā)明的有利構(gòu)型和擴展方案。

根據(jù)優(yōu)選的擴展方案設(shè)置，罩與襯底包圍第二空穴，其中，在第二空穴中存在第二壓力并且包含具有第二化學(xué)組分的第二氣體混合物。

根據(jù)優(yōu)選的擴展方案設(shè)置，在第六方法步驟中，第二晶體層或第二無定型層或第二納米晶體層或第二多晶體層在第一晶體層上或在第一無定型層上或在第一納米晶體層上或在第一多晶體層上沉積或者生長。

根據(jù)優(yōu)選的擴展方案設(shè)置，在第七方法步驟中，第三晶體層或第三無定型層或第三納米晶體層或第三多晶體層在第二晶體層上或在第二無定型層上或在第二納米晶體層上或在第二多晶體層上沉積或者生長。

根據(jù)優(yōu)選的擴展方案設(shè)置，在第八方法步驟中，第四晶體層或第四無定型層或第四納米晶體層或第四多晶體層在第三晶體層上或在第三無定型層上或在第三納米晶體層上或在第三多晶體層上沉積或者生長。

根據(jù)優(yōu)選的擴展方案設(shè)置，在第十一方法步驟中，第五晶體層或第五無定型層或第五納米晶體層或第五多晶體層在第四晶體層上或在第四無定型層上或在第四納米晶體層上或在第四多晶體層上沉積或者生長。

通過施加具有確定結(jié)晶度的層或?qū)影梢岳缛绱苏{(diào)節(jié)層應(yīng)力、優(yōu)選壓應(yīng)力，使得在材料區(qū)域或封閉部中出現(xiàn)的應(yīng)力能夠得到補償。

根據(jù)優(yōu)選的擴展方案設(shè)置，在第九方法步驟中，至少部分去除

-襯底或罩和/或

-第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層和/或

-第二晶體層或第二無定型層或第二納米晶體層或第二多晶體層和或

-第三晶體層或第三無定型層或第三納米晶體層或第三多晶體層和或

-第四晶體層或第四無定型層或第四納米晶體層或第四多晶體層。由此能夠有利地實現(xiàn)，襯底或罩可以基本上從襯底或罩的背離第一空穴的表面向著第一空穴關(guān)于襯底或罩的延伸而言達(dá)到所期望的厚度。

根據(jù)優(yōu)選的擴展方案設(shè)置，襯底或罩在第一樞轉(zhuǎn)步驟中在時間上在第五方法步驟之后圍繞基本平行于襯底或罩的表面走向的軸線樞轉(zhuǎn)基本上180°，其中，襯底或罩在第二樞轉(zhuǎn)步驟中在時間上在第九方法步驟之前圍繞基本上平行于襯底或罩的表面走向的軸線樞轉(zhuǎn)基本上180°。由此能夠有利地實現(xiàn)，預(yù)結(jié)構(gòu)化的罩晶片或者罩或者傳感器晶片或者具有預(yù)結(jié)構(gòu)化的側(cè)面作為背面的襯底可以通過標(biāo)準(zhǔn)工藝來進(jìn)行處理。

根據(jù)優(yōu)選的擴展方案設(shè)置，在時間上在第一樞轉(zhuǎn)步驟之后實施第二樞轉(zhuǎn)步驟。根據(jù)優(yōu)選的擴展方案設(shè)置，在時間上在第四方法步驟之后和/或在時間上在第六方法步驟之后實施第一樞轉(zhuǎn)步驟和第二樞轉(zhuǎn)步驟。

根據(jù)優(yōu)選的擴展方案設(shè)置，面向微機械構(gòu)件的周圍環(huán)境的層具有比其它層低的熔化溫度。由此能夠有利地實現(xiàn)，面向微機械構(gòu)件的周圍環(huán)境的層例如可以在第三方法步驟中有針對性地熔化。

根據(jù)優(yōu)選的擴展方案設(shè)置，在第十方法步驟中，

-襯底或罩和/或

-第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層和/或

-第二晶體層或第二無定型層或第二納米晶體層或第二多晶體層和或

-第三晶體層或第三無定型層或第三納米晶體層或第三多晶體層和或

-第四晶體層或第四無定型層或第四納米晶體層或第四多晶體層被摻雜。因此以有利的方式通過材料摻雜實現(xiàn)相對于裂紋形成的阻力的提高。在此例如通過摻雜改變材料或者層的晶體結(jié)構(gòu)。改變的晶體結(jié)構(gòu)或材料結(jié)構(gòu)例如可以使材料相對于裂紋形成更不敏感。

本發(fā)明的另一主題是具有襯底和與襯底連接并且與襯底包圍第一空穴的罩的微機械構(gòu)件，其中，在第一空穴中存在第一壓力并且包含具有第一化學(xué)組分的第一氣體混合物，其中，襯底或罩包括封閉的進(jìn)入開口，其中，

-微機械構(gòu)件包括在襯底或罩的表面上沉積或生長的第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層，其中，

-襯底或罩包括用于接收第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層的空隙。由此以有利的方式提供緊湊的、機械牢固的并且成本有利的具有設(shè)定的第一壓力的微機械構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明的方法的所述優(yōu)點相應(yīng)地也適用于根據(jù)本發(fā)明的微機械構(gòu)件。

根據(jù)優(yōu)選的擴展方案設(shè)置，微機械構(gòu)件包括在第一晶體層上或在第一無定型層上或在第一納米晶體層上或在第一多晶體層上沉積或者生長的第二晶體層或第二無定型層或第二納米晶體層或第二多晶體層。此可以以有利的方式這樣設(shè)定層應(yīng)力、優(yōu)選是壓應(yīng)力，使得可以補償在材料區(qū)域或者封閉部中產(chǎn)生的應(yīng)力。

根據(jù)優(yōu)選的擴展方案設(shè)置，罩與襯底包圍第二空穴，其中，在第二空穴中存在第二壓力并且包含具有第二化學(xué)組分的第二氣體混合物。由此以有利的方式提供緊湊的、機械牢固的且成本有利的具有設(shè)定的第一壓力和第二壓力的微機械構(gòu)件。

根據(jù)優(yōu)選的擴展方案設(shè)置為，第一壓力小于第二壓力，其中，在第一空穴中布置有用于測量轉(zhuǎn)速的第一傳感器單元，并且在第二空穴中布置有用于測量加速度的第二傳感器單元。由此以有利的方式提供機械牢固的用于測量轉(zhuǎn)速和測量加速度的微機械構(gòu)件，該微機械構(gòu)件不僅對于第一傳感器單元而且對于第二傳感器單元具有優(yōu)化的運行條件。

附圖說明

圖1以示意性視圖示出根據(jù)本發(fā)明的示例實施方式的具有敞開的進(jìn)入開口的微機械構(gòu)件。

圖2以示意性視圖示出根據(jù)圖1的具有封閉的進(jìn)入開口的微機械構(gòu)件。

圖3以示意性視圖示出根據(jù)本發(fā)明的示例實施方式的用于制造微機械構(gòu)件的方法。

圖4和圖5以示意性視圖示出在用于制造根據(jù)本發(fā)明的示例實施方式的微機械構(gòu)件的根據(jù)本發(fā)明的方法期間對于不同時刻的微機械構(gòu)件。

具體實施方式

在不同的附圖中相同的部件總是設(shè)置有相同的參考標(biāo)記，并因此通常也分別只命名或提及一次。

在圖1和圖2中示出根據(jù)本發(fā)明的示例實施方式的微機械構(gòu)件1的示意性視圖，該微機械構(gòu)件在圖1中具有敞開的進(jìn)入開口11并且在圖2中具有封閉的進(jìn)入開口11。在此微機械構(gòu)件1包括襯底3和罩7。襯底3和罩7相互間優(yōu)選密封地連接并且共同包圍第一空穴5。微機械構(gòu)件1例如如此構(gòu)造，使得襯底3和罩7附加地共同包圍第二空穴。然而，第二空穴在圖1中和在圖2中未示出。

例如在第一空穴5中、尤其在如圖2中所示的進(jìn)入開口11封閉的情況下存在第一壓力。此外，在第一空穴5中包含具有第一化學(xué)組分的第一氣體混合物。此外，例如在第二空穴中存在第二壓力，并且在第二空穴中包含具有第二化學(xué)組分的第二氣體混合物。優(yōu)選地，進(jìn)入開口11布置在襯底3中或罩7中。在這里的本實施例中，進(jìn)入開口11示例性地布置在罩7中。然而，根據(jù)本發(fā)明對此替代地也可以設(shè)置，進(jìn)入開口11布置在襯底3中。

例如設(shè)置，第一空穴5中的第一壓力小于第二空穴中的第二壓力。例如也設(shè)置，在第一空穴5中布置有在圖1中和圖2中未示出的用于轉(zhuǎn)速測量的第一微機械傳感器單元，而在第二空穴中布置有在圖1和圖2中未示出的用于加速度測量的第二微機械傳感器單元。

在圖3中以示意性視圖示出根據(jù)本發(fā)明的示例實施方式的用于制造微機械構(gòu)件1的方法。在此，

-在第一方法步驟101中，在襯底3中或在罩7中構(gòu)造連接第一空穴5與微機械構(gòu)件1的周圍環(huán)境9的、尤其是狹長的進(jìn)入開口11。圖1示例性地示出在第一方法步驟101之后的微機械構(gòu)件1。此外，

-在第二方法步驟102中，設(shè)定第一空穴5中的第一壓力和/或第一化學(xué)組分或者說使第一空穴5通過進(jìn)入通道以所期望的氣體和所期望的內(nèi)壓力充注。此外例如，

-在第三方法步驟103中，通過借助于激光將能量或熱量引入到襯底3的或罩7的吸收部分21中來封閉進(jìn)入開口11。例如替代地也設(shè)置，

-在第三方法步驟103中，僅優(yōu)選通過激光局部加熱環(huán)繞進(jìn)入通道的區(qū)域并且密封地封閉進(jìn)入通道。因此有利地可能的是，根據(jù)本發(fā)明的方法也設(shè)置其他不同于激光器的能量源來封閉進(jìn)入開口11。圖2示例性地示出第三方法步驟103之后的微機械構(gòu)件1。

在時間上在第三方法步驟103之后，在圖2中示例性示出的橫向區(qū)域15中在罩7的背離空穴5的表面上以及在垂直于橫向區(qū)域15到微機械構(gòu)件1的表面上的投影、即沿著進(jìn)入開口11并且向著第一空穴5的方向的深度中產(chǎn)生機械應(yīng)力。該機械應(yīng)力、尤其是局部的機械應(yīng)力尤其存在于罩7的在第三加工步驟103中過渡到液態(tài)聚集態(tài)并且在第三方法步驟103后過渡到固態(tài)聚集態(tài)并且封閉進(jìn)入開口11的材料區(qū)域13與罩7的在第三方法步驟103中保持固態(tài)聚集態(tài)的剩余區(qū)域之間的界面上和界面附近。在此罩7的在圖2中封閉進(jìn)入開口11的材料區(qū)域13尤其關(guān)于它的橫向的、尤其平行于表面延伸的延伸尺度或成形部而言并且尤其關(guān)于它的垂直于橫向延伸尺度、尤其垂直于表面延伸的大小或造型結(jié)構(gòu)而言僅視為示意性的或者說示意性地示出。

如在圖3中示例地示出的那樣，附加地

-在第四方法步驟104中，第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層在襯底3或罩7的表面上沉積或者生長。

換言之，例如在第四方法步驟104中，在晶體襯底材料或罩材料上或者說在傳感器晶片上或在罩晶片上施加第二晶體材料、非定型材料、納米晶體材料或者優(yōu)選多晶體材料的層或者由上述材料或?qū)咏M成的材料包。這例如至少部分在時間上在第一方法步驟101之前布置的第四方法步驟104中發(fā)生。換言之，例如設(shè)置，在時間上在第一方法步驟101之前實施第四方法步驟104。但是根據(jù)本發(fā)明替代地或附加地設(shè)置，在時間上在第三方法步驟103之后實施第四方法步驟104。

此外，例如如同在圖3中示例性地示出的那樣，附加地，

-在第五方法步驟中，將空隙引入到襯底3或罩7中，用于接收第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶層或第一多晶體層。在此例如設(shè)置，在時間上在第四方法步驟104之前實施第五方法步驟105。

此外例如設(shè)置，在第六方法步驟中，第二晶體層或第二無定型層或第二納米晶層或第二多晶體層在第一晶體層上或在第一無定型層上或在第一納米晶層上或在第一多晶體層上沉積或生長。此外，例如在第七方法步驟中，第三晶體層或第三無定型層或第三納米晶層或第三多晶體層在第二晶體層上或在第二無定型層上或在第二納米晶層上或在第二多晶體層上沉積或生長。此外，例如在第八方法步驟中，第四晶體層或第四無定型層或第四納米晶層或第四多晶體層在第三晶體層上或在第三無定型層上或在第三納米晶層上或在第三多晶體層上沉積或生長。

尤其在使用層包時例如也設(shè)置，例如在第三方法步驟103中有針對性地只熔化最上面的層。

例如也設(shè)置，在第九方法步驟109中，至少部分去除

-襯底或罩和/或

-第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層和/或

-第二晶體層或第二無定型層或第二納米晶體層或第二多晶體層和/或

-第三晶體層或第三無定型層或第三納米晶體層或第三多晶體層和/或

-第四晶體層或第四無定型層或第四納米晶體層或第四多晶體層。

此外，例如也設(shè)置，在第十方法步驟中，

-襯底3或罩7和/或

-第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層和/或

-第二晶體層或第二無定型層或第二納米晶體層或第二多晶體層和/或

-第三晶體層或第三無定型層或第三納米晶體層或第三多晶體層和/或

-第四晶體層或第四無定型層或第四納米晶體層或第四多晶體層被摻雜。

在圖4和圖5中以示意性視圖示出在用于制造根據(jù)本發(fā)明的示例實施方式的微機械構(gòu)件的根據(jù)本發(fā)明的方法期間的不同時刻的微機械構(gòu)件。在此，圖4和圖5示出，在第十二方法步驟112中，提供或制備罩7或者說罩襯底或者說罩晶片。例如替代地也設(shè)置，在第十二方法步驟112中提供或制備襯底3或者說襯底晶片或者說傳感器襯底。在此例如設(shè)置，在時間上在第五方法步驟105之前實施第十二方法步驟112。此外例如也設(shè)置，在第十二方法步驟112中提供晶體的襯底材料或者說晶體的罩晶片或傳感器晶片。例如替代地也設(shè)置，在第十二方法步驟112中提供無定型的、納米晶體的或者優(yōu)選多晶體的襯底材料或罩材料或者說罩晶片材料或傳感器晶片材料。

圖4和圖5示出，在時間上在第十二方法步驟112之后實施第五方法步驟105。換言之，在第五方法步驟105中，在罩7中或者說在罩襯底中或者說在罩晶片中，在以后應(yīng)定位或者說布置第一層和必要時的第二層和其它層或者說包括所述層的層堆疊的位置上蝕刻出凹槽或者說空隙1601?；旧蠌囊r底3或罩7的表面向著第一空穴5的方向的空隙1601的蝕刻深度或者說延伸這樣設(shè)計，使得保留的襯底厚度或者說襯底3的厚度或者罩厚度或者說罩7的厚度與所期望的層厚度或者說所期望的多個層、即第一層、第二層、第三層等的厚度或者說所期望的層堆疊的厚度一起相當(dāng)于所期望的罩晶片或傳感器晶片或者說襯底3或罩7的最終厚度。在此厚度分別指的是基本上從襯底3或罩7的表面向著第一空穴5的方向的延伸。罩晶片或傳感器晶片的最終厚度例如指的是在第九方法步驟109之后襯底3或罩7的厚度。

在圖4和圖5中示例性地示出，在時間上在第五方法步驟105之后實施第四方法步驟104。換言之，在時間上在第五方法步驟105之后施加第一層。在圖5中示例性地示出，在時間上在第四方法步驟104之后實施第六方法步驟106。換言之，在時間上在第四方法步驟104之后施加第二層。例如也設(shè)置，施加包括多個層的層堆疊。

圖4和圖5示例性地示出，在第十三方法步驟113中作為下一步驟或者說在時間上在第四方法步驟104之后對如此預(yù)結(jié)構(gòu)化的罩晶片或者說罩7或傳感器晶片或者說襯底3以預(yù)結(jié)構(gòu)化的側(cè)面作為背面通過標(biāo)準(zhǔn)工藝進(jìn)行處理。對于空隙1601布置在罩7中的情況，標(biāo)準(zhǔn)工藝?yán)缫馕吨?，在?中構(gòu)造用于第一空穴5的另一空隙。這在圖4和圖5中示例性地示出。對于空隙1601布置在襯底中的情況，標(biāo)準(zhǔn)工藝?yán)缫馕吨?，在襯底3中或者在襯底3上構(gòu)造傳感器結(jié)構(gòu)。

此外，在圖4和圖5中示例性地示出，在時間上在第十三方法步驟113之后實施第十四方法步驟114。在此，在第十四方法步驟114中使傳感器晶片或者說襯底3與罩晶片或者說罩7鍵合或者說接合。換言之，在第十四方法步驟114中實施在傳感器晶片或者說襯底3與罩晶片或者說罩之間的鍵合過程。

例如設(shè)置，襯底3或罩7在時間上在第五方法步驟105之后的第一樞轉(zhuǎn)步驟中圍繞基本上平行于襯底3或罩7的表面走向的軸線樞轉(zhuǎn)基本上180°。第一樞轉(zhuǎn)步驟在圖4和圖5中示例性地以箭頭表示。例如設(shè)置，在時間上在第四方法步驟104之后并且在時間上在第十三方法步驟113之前實施第一樞轉(zhuǎn)步驟。此外例如也設(shè)置，在時間上在第九方法步驟109之前的第二樞轉(zhuǎn)步驟中，襯底3或罩7圍繞基本上平行于襯底3或罩7的表面走向的軸線樞轉(zhuǎn)基本上180°。第二樞轉(zhuǎn)步驟在圖4和圖5中示例性地以另一箭頭表示。例如設(shè)置，在時間上在第十三方法步驟113之后并且在時間上在第十四方法步驟114之前實施第二樞轉(zhuǎn)步驟。

此外，在圖4和圖5中示例性地示出，在時間上在第十四方法步驟114之后實施第九方法步驟109。換言之，在時間上在第十四方法步驟114之后將罩晶片或者說罩7或傳感器晶片或者說襯底3減薄到所期望的厚度。在此例如從表面去除所施加的第一層或者說層堆疊并且只在凹槽或者說空隙1601的蝕刻底部上保留所述第一層或者說層堆疊。第九方法步驟109的結(jié)果是具有第一層的或第一層和第二層的或者說包括多層的層堆疊的嵌入?yún)^(qū)域的平的罩表面或者說傳感器表面。

例如如同在圖4和圖5中示出的那樣設(shè)置，在時間上在第九方法步驟109之后才實施第一方法步驟101，然后實施第二方法步驟102，并接著實施第三方法步驟103。換言之，例如在時間上在第九方法步驟109之后首先打開進(jìn)入開口11或者說多個進(jìn)入開口11或者說進(jìn)入通道，并且接著利用激光再封閉。

例如也設(shè)置，在時間上在第十三方法步驟113之后實施第五方法步驟105。換言之，例如設(shè)置，在罩晶片或傳感器晶片或者說罩7或襯底3的標(biāo)準(zhǔn)處理過程之后但是在使罩晶片與傳感器晶片或者說罩7與襯底3接合之前，將空隙1601引入到襯底3或者罩7中或者說在襯底3或者在罩7中構(gòu)造。

此外例如也設(shè)置，這樣設(shè)計第一層或包括多層的層堆疊的層厚度，使得激光封閉或者說通過激光熔化的區(qū)域或者說材料區(qū)域13完全位于或者說發(fā)生在第一層中或該層堆疊中。換言之，例如設(shè)置，這樣設(shè)計第一層或?qū)佣询B的層厚度，使第一層或?qū)佣询B基本上完全包括材料區(qū)域13。

此外例如也設(shè)置，這樣設(shè)計凹槽或者說空隙1601，使得保留的襯底厚度或者說襯底3的厚度或罩7的厚度小于所期望的罩晶片或傳感器晶片或者說襯底3或罩7的最終厚度。在此，罩晶片或傳感器晶片的最終厚度例如指的是在第九方法步驟109之后襯底3或罩7的厚度。由此能夠有利地實現(xiàn)，在罩晶片或傳感器晶片的背面減薄之后，第一層或者說層堆疊相對于晶片表面或者說相對于表面沉降。

此外例如設(shè)置，移除自然的氧化物，或者說防止重新氧化而進(jìn)行鈍化處理。在此例如設(shè)置，移除罩晶片或傳感器晶片或者說罩7或襯底3的自然氧化物。此外，在此例如也設(shè)置，防止罩晶片或傳感器晶片或者說襯底3或罩7重新氧化。

例如還附加地設(shè)置，在局部加熱工藝時、例如在第三方法步驟103期間熔化摻雜的或者未摻雜的襯底材料或者施加的材料或材料包或者襯底材料和施加的材料或材料包。

最后設(shè)置，通過根據(jù)本發(fā)明的方法制造的微機械構(gòu)件1例如包括不同的并且例如與現(xiàn)有技術(shù)不同的罩材料、多層罩或改變的罩材料。