本發(fā)明涉及電場監(jiān)測技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種靈敏度增強型電場傳感器的封裝蓋板及封裝方法。

背景技術(shù)：

電場監(jiān)測具有十分重要的意義。在氣象領(lǐng)域，監(jiān)測地表及高空大氣電場變化，可獲知雷電的孕育、發(fā)展及發(fā)生信息，為雷電預(yù)警提供重要指標，從而為導(dǎo)彈和衛(wèi)星等飛行器的發(fā)射升空提供重要的安全保障，也能夠為森林、景區(qū)、輸電線路、石化煉廠提供預(yù)警信息；在電網(wǎng)領(lǐng)域，監(jiān)測輸電線路及變電站等附近的電場，可準確獲知交直流電壓及相位信息，為智能電網(wǎng)輸電狀態(tài)提供重要參考，也可獲知輸電線路附近民宅等設(shè)施附近電場強度，為評估電網(wǎng)電磁環(huán)境影響提供依據(jù)；在石化領(lǐng)域，人體、設(shè)備、油氣等靜電荷積累到一定程度后容易引發(fā)放電，造成火災(zāi)、爆炸等嚴重的安全事故，通過監(jiān)測電場，評估靜電高危區(qū)域帶電情況，為石化領(lǐng)域安全生產(chǎn)提供有力支撐。然而，電場檢測離不開對電場傳感器的基礎(chǔ)研究工作。

隨著電場檢測技術(shù)的發(fā)展，電場傳感器朝體積小、集成化、批量化的方向發(fā)展，尤其是基于微納米技術(shù)的電場傳感器具有成本低、體積小、功耗低、可實現(xiàn)批量生產(chǎn)、易于集成化、工作頻帶寬，以及電場探測的空間分辨率高等突出優(yōu)點，是電場探測傳感器的重要發(fā)展方向，受到國際上越來越多的關(guān)注。然而，傳統(tǒng)電場傳感器封裝蓋板為單一平板結(jié)構(gòu)，隨著傳感器體積減小，有效感應(yīng)結(jié)構(gòu)面積減小，電場感應(yīng)效率也越來越低，傳感器的靈敏度及分辨力也隨之降低。此外，傳統(tǒng)的封裝管殼結(jié)構(gòu)雖然實現(xiàn)了對電場傳感器的有效保護，但是，也造成了傳感器靈敏度等指標的進一步衰減，導(dǎo)致傳感器在微弱電壓/電場檢測領(lǐng)域的空白。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

(一)要解決的技術(shù)問題

傳統(tǒng)電場傳感器封裝結(jié)構(gòu)的封裝蓋板為單一平板結(jié)構(gòu)，隨著傳感器體積減小，蓋板與敏感芯片之間的電場被均勻化。與無封裝蓋相比，電場線向電場傳感器方向的集聚效果減弱，從而使到達電場傳感器表面的電場減小，降低了傳感器敏感芯片的靈敏度。

(二)技術(shù)方案

鑒于上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板，包括：內(nèi)芯、蓋板邊緣和隔離環(huán)，所述的蓋板邊緣位于封裝蓋板兩端，用于連接隔離環(huán)和封裝管殼。所述的隔離環(huán)位于蓋板邊緣和內(nèi)芯之間。內(nèi)芯位于隔離環(huán)的正中即蓋板的中心位置，內(nèi)芯具備內(nèi)凸或外凸結(jié)構(gòu)，用于增強電場傳感器靈敏度。

內(nèi)芯為提升封裝后電場傳感器靈敏度的關(guān)鍵，使內(nèi)芯沿垂直于蓋板、朝芯片方向凸出，有助于減小封裝蓋板與電場傳感器之間的距離，從而增大二者之間的電場強度；使內(nèi)芯沿垂直于蓋板、遠離芯片方向凸出，有助于內(nèi)芯連接到更大的感應(yīng)電極以提升靈敏度，也有助于內(nèi)芯與其他便于探測、便于裝配的結(jié)構(gòu)連接。

封裝蓋板與封裝管殼共同構(gòu)成電場傳感器封裝結(jié)構(gòu)。其中，所述的封裝管殼用于為放置電場傳感器提供空間。

優(yōu)選地，內(nèi)芯垂直于封裝蓋板向電場傳感器方向內(nèi)凸出，與電場傳感器之間存在預(yù)設(shè)距離。

優(yōu)選地，內(nèi)芯垂直于封裝蓋板向遠離電場傳感器方向外凸出。

優(yōu)選地，封裝蓋板與電場傳感器之間存在固定電勢差時，隔離環(huán)是絕緣體材料，用于對內(nèi)芯同時起到電學(xué)隔離作用。

優(yōu)選地，封裝蓋板與電場傳感器之間存在懸浮非固定電勢差時，蓋板邊緣、隔離環(huán)、內(nèi)芯是不同材料或是相同材料的一體加工結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，封裝管殼底部內(nèi)表面中心位置固定電場傳感器，電場傳感器周圍設(shè)置金屬焊盤。封裝管殼內(nèi)還包括引線，引線用于連接電場傳感器和金屬焊盤。

優(yōu)選地，電場傳感器能夠固定在封裝蓋板下表面中心位置上，內(nèi)芯和所述電場傳感器之間保持可控距離。

此外，本發(fā)明還提出一種靈敏度增強型電場傳感器的封裝方法，包括：

S1、制備封裝蓋板；

S2、將電場傳感器固定于封裝管殼底部或封裝蓋板上；

S3、將封裝蓋板和封裝管殼固定在一起。

其中，在所述的步驟S1中，分別制備內(nèi)芯、隔離環(huán)和蓋板邊緣，使得內(nèi)芯垂直于封裝蓋板向內(nèi)或向外凸出。

優(yōu)選地，步驟S2中，將電場傳感器直接固定于封裝管殼的底部內(nèi)表面中心位置，或采用倒裝焊或粘接方式將電場傳感器固定于封裝蓋板下表面中心位置，并與內(nèi)芯保持可控距離。

優(yōu)選地，步驟S3中通過膠粘、鍵合、平行封焊或儲能焊工藝將封裝蓋板和封裝管殼固定在一起。

(三)有益效果

本發(fā)明為了提升電場傳感器的靈敏度，提出一種新型封裝蓋板，引入了內(nèi)芯等關(guān)鍵部件。通過內(nèi)芯結(jié)構(gòu)向內(nèi)凸起，封裝蓋板上的感應(yīng)電荷集聚到內(nèi)凸部件頂端。與傳統(tǒng)蓋板結(jié)構(gòu)相比，蓋板感應(yīng)電荷與敏感芯片之間距離減小，到達敏感芯片表面的電場增強，傳感器靈敏度增強。通過內(nèi)芯結(jié)構(gòu)外凸，封裝蓋板由平板結(jié)構(gòu)變?yōu)榧舛私Y(jié)構(gòu)，增強了電場在封裝蓋表面的集聚效應(yīng)，從而增強了封裝蓋表面電場，到達敏感芯片表面的電場也隨之增大，傳感器靈敏度增強。

從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板具有以下有益效果：

(1)有效增強封裝管殼內(nèi)電場傳感器表面電場強度，提升封裝后的靈敏度；

(2)內(nèi)芯在封裝內(nèi)部凸起，不改變封裝管殼體積，不對外部電場造成擾動；

(3)通過內(nèi)芯在管殼外部適當(dāng)凸起，增強封裝的使用便利性；

(4)通過提升靈敏度，有效降低了相對溫度漂移、濕度漂移等，提升了傳感器的環(huán)境適應(yīng)性。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明提出的靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板具體實施例1封裝蓋板上內(nèi)芯外凸的剖面示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明提出的靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板具體實施例2封裝蓋板上內(nèi)芯內(nèi)凸的剖面示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明提出的靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板具體實施例3封裝蓋板上內(nèi)芯同時內(nèi)凸和外凸的剖面示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明提出的靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板具體實施例4封裝蓋板上內(nèi)芯同時內(nèi)凸和外凸、蓋板邊緣為弧形的剖面示意圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明提出的靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板具體實施例5封裝蓋板上內(nèi)芯同時內(nèi)凸和外凸、在外凸頂端固定安裝孔的剖面示意圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明提出的靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板具體實施例6封裝蓋板上內(nèi)芯同時內(nèi)凸和外凸、隔離環(huán)和蓋板邊緣為一體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明提出的靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板具體實施例7封裝蓋板上內(nèi)芯同時內(nèi)凸和外凸、隔離環(huán)和內(nèi)芯為一體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖8是根據(jù)本發(fā)明提出的靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板具體實施例8封裝蓋板上內(nèi)芯同時內(nèi)凸和外凸、蓋板邊緣、隔離環(huán)和內(nèi)芯為一體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖9是根據(jù)本發(fā)明提出的靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板具體實施例9封裝蓋板上內(nèi)芯同時內(nèi)凸和外凸、電場傳感器固定于封裝蓋板下表面中心位置的剖面示意圖。

圖10是根據(jù)本發(fā)明提出的靈敏度增強型電場傳感器的封裝方法流程示意圖。

其中，1是封裝管殼，2是電場傳感器，3是引線，4(a)、4(b)是蓋板邊緣，5是隔離環(huán)，6(a)、6(b)、6(c)是內(nèi)芯，7是蓋板邊緣與隔離環(huán)一體式結(jié)構(gòu)，8是隔離環(huán)與內(nèi)芯一體式結(jié)構(gòu)，9是蓋板邊緣、隔離環(huán)與內(nèi)芯一體式結(jié)構(gòu)，10是焊料。

具體實施方式

電場傳感器是靜電場傳感器或交流電場傳感器，包括采用微納米加工技術(shù)制備而成的微機械結(jié)構(gòu)芯片、微電子敏感芯片、光學(xué)敏感芯片，或其他類型的敏感芯片。通常電場傳感器的使用需要封裝管殼進行安置。為了增強電場傳感器在封裝管殼中的靈敏性，本發(fā)明通過內(nèi)芯結(jié)構(gòu)向內(nèi)凸起，從而使得封裝蓋板上的感應(yīng)電荷集聚到內(nèi)凸部件頂端，與傳統(tǒng)蓋板結(jié)構(gòu)相比，蓋板感應(yīng)電荷與敏感芯片之間距離減小，到達敏感芯片表面的電場增強，傳感器靈敏度增強；另一方面，通過內(nèi)芯結(jié)構(gòu)外凸，封裝蓋板由平板結(jié)構(gòu)變?yōu)榧舛私Y(jié)構(gòu)，增強了電場在封裝蓋表面的集聚效應(yīng)，從而增強了封裝蓋表面電場，到達敏感芯片表面的電場也隨之增大，傳感器靈敏度增強。

但是，在材料制備上，如果兩個帶電體之間通過導(dǎo)線連接到一起，則該兩個帶電體之間將存在固定電勢差，即一個帶電體上的電勢改變，會引起另一個帶電體同樣的電勢改變。如果兩個帶電體之間通過非良好導(dǎo)體連接，則該兩個帶電體之間將存在懸浮非固定電勢差，即二者之間的電勢幾乎不會互相影響。所以，當(dāng)封裝蓋板與電場傳感器之間存在固定電勢差時，隔離環(huán)的制備材料最好是絕緣體材料，以對內(nèi)芯起到支撐作用的同時可以實現(xiàn)電學(xué)隔離作用；而封裝蓋板上其他部件如蓋板邊緣、內(nèi)芯可以是便于連接隔離環(huán)的任意材料。同樣的，封裝蓋板與電場傳感器之間存在懸浮非固定電勢差時，二者之間的電勢幾乎不會互相影響，所以，封裝蓋板的部件蓋板邊緣、隔離環(huán)、內(nèi)芯可以為任意材料，也可以為相同材料的一體加工結(jié)構(gòu)。

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明作進一步的詳細說明。

需要說明的是，在附圖或說明書描述中，相似或相同的部分都使用相同的圖號。附圖中未繪示或描述的實現(xiàn)方式，為所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員所知的形式。另外，雖然本文可提供包含特定值的參數(shù)的示范，但應(yīng)了解，參數(shù)無需確切等于相應(yīng)的值，而是可在可接受的誤差容限或設(shè)計約束內(nèi)近似于相應(yīng)的值。此外，以下實施例中提到的方向用語，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明并非用來限制本發(fā)明。

本發(fā)明提供了一種靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板。該靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板中，通過蓋板中內(nèi)芯部件的體積、形狀變化，擴展了傳感器探測能力、提高了傳感器靈敏度，提升了傳感器的探測能力。

在本發(fā)明提出的具體實施例1中，提供了一種外凸靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板。請參照圖1，封裝蓋板與一封裝管殼1共同構(gòu)成電場傳感器封裝結(jié)構(gòu)，所述的封裝管殼1用于為放置電場傳感器2提供空間，所述的封裝蓋板包括內(nèi)芯6(a)、蓋板邊緣4(a)和隔離環(huán)5，所述的蓋板邊緣4(a)位于封裝蓋板兩端，用于連接隔離環(huán)5和封裝管殼1；

所述的隔離環(huán)5位于蓋板邊緣4(a)和內(nèi)芯6(a)之間；所述內(nèi)芯6(a)位于隔離環(huán)5的正中即封裝蓋板的中心位置，具備內(nèi)凸或外凸結(jié)構(gòu)，用于增強電場傳感器靈敏度。

電場傳感器2，固定于所述封裝管殼1內(nèi)；引線3，用于將傳感器信號從管殼中引出；蓋板邊緣4(a)，固定在封裝管殼1焊盤處；隔離環(huán)5，位于蓋板邊緣4(a)和內(nèi)芯6(a)之間，起到支撐與隔離作用；內(nèi)芯6(a)位于蓋板中部、被封裝電場傳感器2敏感面上方，用于增強靈敏度。

以下分別對本實施例電場傳感器封裝蓋板及相關(guān)元件進行詳細說明。

封裝管殼1可以為金屬管殼、陶瓷管殼、塑料管殼或其他類型管殼的任一種，在封裝管殼1上應(yīng)包含金屬焊盤與信號通路，以便于電場傳感器2進行電氣交互連接。根據(jù)不同的管殼類型，管殼上可以含有管腳、焊盤、芯片槽、通孔、接插件等元件。

電場傳感器2固定于封裝管殼1中，并與封裝管殼1的金屬焊盤之間通過引線3進行連接并傳輸信號。固定電場傳感器2的方式有雙面膠粘接、焊料鍵合或其他固定芯片方式中的任一種；引線3鍵合的方式包括金絲球焊、硅鋁絲焊、倒裝焊或其他鍵合方式中的任一種。

電場傳感器2是靜電場傳感器或交流電場傳感器，包括采用微納米加工技術(shù)制備而成的微機械結(jié)構(gòu)芯片、微電子敏感芯片、光學(xué)敏感芯片，或其他類型的敏感芯片。

蓋板邊緣4(a)固定于所述封裝管殼1的開口處，二者之間形成空腔，以容納電場傳感器2。根據(jù)固定的接觸面材料類型，可選取回流焊、平行縫焊、儲能焊、膠粘等方式進行封焊。

蓋板邊緣4(a)、隔離環(huán)5、內(nèi)芯6(a)和封裝管殼1之間緊密連接，形成密閉空腔，以提高電場傳感器2的環(huán)境適應(yīng)性。

蓋板邊邊緣4(a)、隔離環(huán)5、內(nèi)芯6(a)之間可分別加工，然后根據(jù)相互連接的接觸面類型，選取回流焊、平行縫焊、儲能焊、膠粘等方式進行連接?；蛘卟捎靡惑w加工工藝制備，例如澆鑄、沖壓等。也可以采用半導(dǎo)體工藝制備，通過沉積、電鍍、濺射、刻蝕等工藝進行批量化加工制造。

內(nèi)芯6(a)沿著垂直于蓋板方向向上凸出，形成電場感應(yīng)尖端，起到減小與被測物之間的距離、增強電場集聚效應(yīng)的作用。同時，該突出可以用于連接被測物或測試極板，方便測試。內(nèi)芯6(a)向上凸出越多，封裝蓋板上表面越尖，電場集聚效果越強，傳感器靈敏度增加越明顯。

當(dāng)封裝管殼1的側(cè)壁為金屬或半導(dǎo)體等材料時，封裝管殼1接電路系統(tǒng)的零電位或其他電位。此時，蓋板邊緣4(a)為金屬或半導(dǎo)體等材料，以便于封裝管殼1緊密連接。隔離環(huán)5為絕緣材料，以避免內(nèi)芯6(a)接地或者其他電位，屏蔽封裝管殼1內(nèi)部電場。

當(dāng)封裝管殼1的側(cè)壁為絕緣體材料時，蓋板邊緣4(a)為懸浮電勢，自身電位隨外電場變化。此時，對蓋板邊緣4(a)、隔離環(huán)5、內(nèi)芯6(a)無特殊材料要求，不影響電場傳感器2的測試。

在本發(fā)明提出的具體實施例2中，提供了一種內(nèi)凸靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板元件。請參照圖2，與具體實施例1相比，內(nèi)芯6(b)在上部與蓋板齊平，在下部向芯片方向凸起。與平板形狀的蓋板相比，通過向下凸起，減小了封裝蓋板與電場傳感器2之間的距離，從而增大了電場傳感器2表面的電場。內(nèi)芯6(b)向下凸起越多，內(nèi)芯6(b)下表面距離電場傳感器2上表面距離越近。感應(yīng)電荷集聚在內(nèi)芯6(b)下表面，電荷距離傳感器越近，到達電場傳感器2的電場越強，即電場傳感器2靈敏度增強越明顯。但是需要注意的是，內(nèi)芯6(b)不能無限向下凸起，以不能影響電場傳感器2正常工作為準。

在本發(fā)明提出的具體實施例3中，對具體實施例1和具體實施例2進行整合。請參照圖3，內(nèi)芯6(c)分別在垂直于蓋板方向上，向上和向下凸起預(yù)設(shè)距離，從而起到具體實施例1和具體實施例2的綜合加強效果。

在本發(fā)明提出的具體實施例4中，提供了一種彎曲蓋板靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板元件。請參照圖4，與具體實施例3相比，蓋板邊緣4(b)由平板形狀變?yōu)榛⌒?，增大了封裝內(nèi)腔體積，用于容納更大的電場傳感器2，或者在封裝管殼1內(nèi)部裝配電場傳感器的放大電路、信號解調(diào)電路。

在本發(fā)明提出的具體實施例5中，提供了帶外部接口靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板元件。請參照圖5，與具體實施例3相比，在內(nèi)芯6(d)的外凸末端增加了連接環(huán)，從而更好地與測試極板相連接。

在本發(fā)明提出的具體實施例6中，提供了一種蓋板邊緣及隔離環(huán)一體式靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板元件。請參照圖6，與具體實施例3相比，7為蓋板邊緣及隔離環(huán)為相同材料制備成的一體加工結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明提出的具體實施例7中，提供了一種隔離環(huán)及內(nèi)芯一體式靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板元件。請參照圖7，與第具體實施例3相比，8是隔離環(huán)及內(nèi)芯為相同材料制備成的一體加工結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明提出的具體實施例8中，提供了一種蓋板邊緣、隔離環(huán)及內(nèi)芯一體式靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板。請參照圖8，與具體實施例3相比，9為蓋板邊緣、隔離環(huán)及內(nèi)芯為相同材料，采用一體加工工藝制備而成。

在本發(fā)明提出的具體實施例9中，提供了一種倒裝焊式靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板。請參照圖9，與具體實施例3相比，電場傳感器2通過倒裝焊的方式直接固定到封裝蓋板上，電場傳感器2與蓋板邊緣4(a)之間采用焊料10相連接。

至此，已經(jīng)結(jié)合附圖對本發(fā)明靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板進行了詳細描述。依據(jù)以上描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)對本發(fā)明電場傳感器封裝組件有了清楚的認識。此外，上述對各元件的定義并不僅限于實施方式中提到的各種具體結(jié)構(gòu)或形狀，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可對其進行簡單地熟知地替換。

除此之外，本發(fā)明根據(jù)所提出的電場傳感器的封裝蓋板，相應(yīng)地提出了電場傳感器的封裝方法，如圖10所述，包括：

S1、制備封裝蓋板；

S2、將電場傳感器固定于一封裝管殼底部或封裝蓋板上；

S3、將封裝蓋板和封裝管殼固定在一起。

其中，在步驟S1中，通過機加工、澆筑、沖壓等方法分別制備內(nèi)芯、隔離環(huán)和蓋板邊緣，或通過澆鑄、沖壓、半導(dǎo)體工藝等工藝制備相同材料的內(nèi)芯、隔離環(huán)和蓋板邊緣一體化封裝蓋板，使得內(nèi)芯垂直于封裝蓋板向內(nèi)或向外凸出。

根據(jù)上述的封裝方法以及具體實施例3所述的封裝蓋板上內(nèi)芯同時內(nèi)凸和外凸的封裝結(jié)構(gòu)，本發(fā)明相應(yīng)地提出了其封裝方法具體實施例10，其步驟具體包括：

步驟1：制備封裝蓋板；

首先，蓋板邊緣4(a)的加工：通過模具沖壓的方法，加工薄片形狀的蓋板邊緣4(a)，適合沖壓的金屬材料包括低碳鋼、不銹鋼、鋁及鋁合金、銅及銅合金等，優(yōu)選鐵鈷鎳合金。沖壓后進行電鍍處理，起到防銹、防氧化的作用，鍍層一般為鋅、鎳、金等金屬或其合金，優(yōu)選金鍍層。蓋板邊緣4(a)內(nèi)部留有圓形、方形等預(yù)設(shè)形狀的孔，以便與隔離環(huán)5對接。

其次，隔離環(huán)5的加工：隔離環(huán)5選取絕緣材料，優(yōu)選Al₂O₃陶瓷材料，采取燒結(jié)法加工出方形、圓形或其他預(yù)設(shè)形狀的環(huán)形結(jié)構(gòu)，優(yōu)選圓形。在隔離環(huán)5與其他結(jié)構(gòu)相連的部分同時燒結(jié)出金屬層，用于和其他金屬材料進行連接。

然后，內(nèi)芯6(c)的加工：選取合適形狀的方形、圓形或其他預(yù)設(shè)形狀的棒材，優(yōu)選圓形棒材，采用線切割等方法得到預(yù)設(shè)長度的內(nèi)芯6(c)。

最后，組裝封裝蓋板：將蓋板邊緣4(a)、隔離環(huán)5及內(nèi)芯6(c)一次相連，相連的部位放置焊料。其中，內(nèi)芯6(c)通過調(diào)整，在蓋板外部和內(nèi)部凸出預(yù)設(shè)距離。根據(jù)選取不同的焊料類型，進行回流焊，將蓋板邊緣4(a)、隔離環(huán)5及內(nèi)芯6(c)三者固定在一起。

步驟2：將電場傳感器2固定于封裝管殼1底部或封裝蓋板上；選取大小合適的封裝管殼1，將電場傳感器2放置在其中，利用金絲球焊等技術(shù)制作電場傳感器2與封裝管殼1之間的引線3。

步驟3：將封裝蓋板和封裝管殼1固定在一起；在封裝管殼1上方安裝蓋板，封裝管殼1上預(yù)留連接蓋板的焊盤，可選取焊料回流焊、平行封焊、儲能焊等方法將蓋板與封裝管殼1進行連接。

綜上所述，本發(fā)明提供一種靈敏度增強型電場傳感器封裝蓋板及其封裝方法，其封裝結(jié)構(gòu)包括蓋板邊緣、內(nèi)芯及隔離環(huán)。根據(jù)被測電場大小及對傳感器靈敏度要求等情況，對封裝蓋板各個分部件進行結(jié)構(gòu)尺寸優(yōu)化，從而達到最佳探測效果。本發(fā)明對電場傳感器封裝外部尺寸改動小，對電場探測靈敏度增強效果顯著。

以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。