專利名稱：電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及觸摸屏領(lǐng)域，特別涉及一種電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，觸摸屏已成為顯示行業(yè)的熱門技術(shù)，觸摸屏用氧化銦錫(ΙΤ0)膜高端新型產(chǎn)品是高端消費(fèi)電子的關(guān)鍵部件。電阻式觸摸屏用ITO膜的結(jié)晶程度是決定電阻式觸摸屏好壞的關(guān)鍵因素之一，直接影響著其劃線壽命的高低。由于ITO膜的基片一般為柔性基片，不能耐高溫，使得ITO膜只能采用低溫設(shè)備中形成，但是傳統(tǒng)的制備ITO膜的低溫設(shè)備直接制備出的ITO膜無法達(dá)到結(jié)晶，這使得傳統(tǒng)的觸摸屏用ITO膜的劃線壽命較低。
實(shí)用新型內(nèi)容基于此，有必要提供一種能夠制備出具有較高劃線壽命的電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備。一種電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備，用于在柔性基片上形成結(jié)晶化的氧化銦錫膜，包括用于在所述柔性基片上形成所述氧化銦錫膜的鍍膜裝置；及與所述鍍膜裝置相鄰的表面改性裝置，包括殼體，具有一充有含氧氣體的內(nèi)腔，形成有所述氧化銦錫膜的柔性基片置于所述內(nèi)腔內(nèi) '及用于照射柔性基片使所述氧化銦錫膜結(jié)晶化的多個(gè)紫外線燈管，間隔設(shè)置于所述內(nèi)腔內(nèi)，且與所述柔性基片形成有所述氧化銦錫膜的一面相對(duì)設(shè)置。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述紫外線燈管為5個(gè) 15個(gè)。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述每個(gè)紫外線燈管到形成有所述氧化銦錫膜的柔性基片的距離為O. 5厘米 2厘米。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述柔性基片為聚對(duì)苯二甲酸乙二酯柔性基片、聚碳酸樹脂柔性基片、聚甲基丙烯酸酯基片、聚萘二甲酸乙二醇脂基片、紙張基片或布匹基片。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述氧化銦錫膜的厚度為8納米 17納米。上述電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備，將形成有氧化銦錫膜的柔性基片置于表面改性裝置的充有含氧氣體內(nèi)腔中，內(nèi)腔中設(shè)置有紫外線燈管，紫外線燈管能夠?qū)ρ趸熷a膜照射，促使氧化銦錫膜結(jié)晶化，而使的電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的劃線壽命提高，因此，上述電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備裝置能夠制備出具有較高劃線壽命的電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜。

圖I為一實(shí)施方式的電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；[0015]圖2為一實(shí)施方式的電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備制備的氧化銦錫膜的X射線衍射分析圖(XRD);圖3為傳統(tǒng)的低溫制備設(shè)備制備的氧化銦錫膜的X射線衍射分析圖(XRD)。
具體實(shí)施方式
下面主要結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。如圖I所示，一實(shí)施方式的電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備100，用于在柔性基片200上形成結(jié)晶化的氧化銦錫膜300。柔性基片200為本領(lǐng)域常用的基片，優(yōu)選為聚對(duì)苯二甲酸乙二酯柔性基片、聚碳酸樹脂柔性基片、聚甲基丙烯酸酯基片、聚萘二甲酸乙二醇脂基片、紙張基片或布匹基片。電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備100包括鍍膜裝 置110及與鍍膜裝置110相鄰的表面改性裝置120。用于在柔性基片200上形成氧化銦錫膜300的鍍膜裝置110可以為本領(lǐng)域常用的鍍膜裝置，優(yōu)選為射頻磁控濺射裝置或是直流磁控濺射裝置。其中，氧化銦錫膜300形成的靶材為質(zhì)量比為90:10或95:5的氧化銦與氧化錫。具體的，氧化銦錫膜300的厚度優(yōu)選為8納米 17納米。這個(gè)厚度的氧化銦錫膜300可以保證氧化銦錫膜300的電阻在350歐姆"1000歐姆之間。表面改性裝置120用于將柔性基片200上的氧化銦錫膜300進(jìn)行結(jié)晶化。表面改性裝置120包括殼體122及多個(gè)紫外線燈管124。殼體122具有一充有含氧氣體、壓強(qiáng)為O. 3Pa 0.4Pa的內(nèi)腔1222。形成有氧化銦錫膜300的柔性基片200置于內(nèi)腔1222內(nèi)。其中，含氧氣體為可以為氧氣與惰性氣體的混合氣，也可以為空氣，優(yōu)選為氧氣與惰性氣體的混合氣。惰性氣體可以為氮?dú)狻⒑?、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣及氡氣中的至少一種。當(dāng)含氧氣體為氧氣與惰性氣體的混合氣時(shí)，含氧氣體中氧氣的體積百分含量為59Γ20%。含氧氣體選用氧氣與惰性氣體的混合氣使得含氧氣體中含有氧氣及惰性氣體，而沒有其它的雜質(zhì)氣體，更有利于提高氧化銦錫膜300的結(jié)晶程度。其中，含氧氣體優(yōu)選為氧氣與氬氣的混合氣。含氧氣體中氧氣的體積百分含量優(yōu)選為10%，體積百分含量為10%的氧氣可以產(chǎn)生足夠的臭氧以使氧化銦錫膜300的表面改性。用于照射柔性基片200使氧化銦錫膜300結(jié)晶化的多個(gè)紫外線燈管124間隔設(shè)置于內(nèi)腔112內(nèi)，且柔性基片200形成有氧化銦錫膜300的一面相對(duì)設(shè)置。每個(gè)紫外線燈管124的照射強(qiáng)度為25mW/CnT35mW/Cm2，波長為150納米 300納米。其中，多個(gè)紫外線燈管124照射柔性基片200上的氧化銦錫膜300，而使柔性基片200上的氧化銦錫膜300結(jié)晶進(jìn)化。具體地，紫外線燈管124為5個(gè) 15個(gè)。多個(gè)紫外線燈管124中相鄰兩個(gè)紫外線燈管124之間的距離優(yōu)選為2厘米。每個(gè)紫外線燈管124與柔性基片200的距離為O. 5厘米 I厘米。有氧化銦錫膜300的柔性基片200于紫外線中照射60秒 100秒，使得有足夠的臭氧對(duì)使氧化銦錫結(jié)晶；若時(shí)間長于100秒，紫外線與氧氣反應(yīng)生成的臭氧的濃度太高，不適合對(duì)氧化銦錫膜300中InO和SnO向結(jié)晶性的In2O3和SnO2轉(zhuǎn)變；若時(shí)間短于60秒，照射時(shí)間不夠，使得生成的臭氧濃度較低。其中，紫外線照射的強(qiáng)度為25mw/cm2 35mw/cm2,波長為150納米 300納米。短波長的紫外線照射與空氣中的氧氣反應(yīng)產(chǎn)生臭氧，氧化性很強(qiáng)的臭氧可以進(jìn)一步氧化低溫鍍膜形成的氧化銦錫膜300，一方面促使SnO向SnO2轉(zhuǎn)變、結(jié)晶、氧化，另一方面可使多余的氧脫附，降低膜電阻，提高氧化銦錫膜300的導(dǎo)電性；紫外線臭氧活化氧化銦錫膜300，將低價(jià)態(tài)的銦錫氧化物和氧反應(yīng)形成高價(jià)的結(jié)晶性銦錫氧化物，提高其物理、光學(xué)、電學(xué)性能。短波長的紫外線光具有較高的能量，將形成有氧化銦錫膜300的柔性基片200經(jīng)紫外線處理后，氧化銦錫膜300與柔性基片200的結(jié)合面得到額外的能量，提高了其結(jié)合能，從而提高氧化銦錫膜300與柔性基片200的附著力。另一方面，柔性基片200在紫外線的照射下也可能會(huì)被改性，柔性基片200內(nèi)部的分子排列更有序，特別是對(duì)高分子的柔性基板200，性能有所提高，進(jìn)一步提高了電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜300的劃線壽命。上述電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜300的制備設(shè)備100在柔性基片200上形成有結(jié)晶化的氧化銦錫膜300的過程如下在室溫下，采用鍍膜裝置110在柔性基片200上形成厚度為8納米 17納米的氧化銦錫膜300 ;將形成有氧化銦錫膜300的柔性基片200置于殼體122的內(nèi)腔1222中，并 對(duì)內(nèi)腔1222抽真空至真空度為lX10_3Pa 2X10_3Pa，然后在內(nèi)腔1222內(nèi)充入含氧氣體，使得內(nèi)腔1222中的壓強(qiáng)為O. 3Pa^0. 4Pa，開啟多個(gè)紫外線燈管124對(duì)形成有氧化銦錫膜300的柔性基片200進(jìn)行照射，紫外線燈管124的照射強(qiáng)度為25mW/CnT35mW/Cm2，波長為150納米 300納米，照射60秒 100秒，紫外線燈管124發(fā)出的紫外線將內(nèi)腔1222中的氧氣變成臭氧，臭氧對(duì)氧化銦錫膜300進(jìn)行改性，得到結(jié)晶化的氧化銦錫膜300。如圖2所示，圖2表示的是上述電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備100制備的氧化銦錫膜300的X射線衍射分析圖(XRD)。圖3表示的是采用傳統(tǒng)的制備設(shè)備制備的氧化銦錫膜300的X射線衍射分析圖(XRD)。從圖2中可以得出，采用上述電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備100制備的氧化銦錫膜300有多個(gè)明顯的衍射峰，分別為2Theta角30. 5度、35. 5度、51度對(duì)應(yīng)的(222)、(400)、(440)三個(gè)主晶面的衍射峰，說明，此時(shí)，氧化銦錫膜300是結(jié)晶的。從圖3可以看出，采用傳統(tǒng)的低溫制備設(shè)備制備的氧化銦錫膜300沒有銦錫氧化物的衍射峰，說明，沒有結(jié)晶。上述電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備100制備的氧化銦錫膜300的劃線壽命為5萬次 10萬次；而傳統(tǒng)低溫設(shè)備直接制備的氧化銦錫膜300的劃線壽命只有3萬次左右。上述電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備100，將鍍膜裝置110中形成有厚度為8納米 17納米的氧化銦錫膜300的柔性基片200置于表面改性裝置120的充有含氧氣體內(nèi)腔1222中，內(nèi)腔1222設(shè)置有紫外線燈管124，紫外線燈管124能夠?qū)ρ趸熷a膜300照射，促使氧化銦錫膜300結(jié)晶化，而使的電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜300的劃線壽命提高，因此，上述電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備裝置100能夠制備出具有較高劃線壽命的電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜300。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備，用于在柔性基片上形成結(jié)晶化的氧化銦錫膜，其特征在于，包括 用于在所述柔性基片上形成所述氧化銦錫膜的鍍膜裝置；及 與所述鍍膜裝置相鄰的表面改性裝置，包括 殼體，具有一充有含氧氣體的內(nèi)腔，形成有所述氧化銦錫膜的柔性基片置于所述內(nèi)腔內(nèi)；及 用于照射柔性基片使所述氧化銦錫膜結(jié)晶化的多個(gè)紫外線燈管，間隔設(shè)置于所述內(nèi)腔內(nèi)，且與所述柔性基片形成有所述氧化銦錫膜的一面相對(duì)設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備，其特征在于，所述紫外線燈管為5個(gè) 15個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備，其特征在于，所述每個(gè)紫外線燈管到形成有所述氧化銦錫膜的柔性基片的距離為O. 5厘米 2厘米。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備，其特征在于，所述柔性基片為聚對(duì)苯二甲酸乙二酯柔性基片、聚碳酸樹脂柔性基片、聚甲基丙烯酸酯基片、聚萘二甲酸乙二醇脂基片、紙張基片或布匹基片。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備，其特征在于，所述氧化銦錫膜的厚度為8納米 17納米。
專利摘要一種電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備設(shè)備，用于在柔性基片上形成結(jié)晶化的氧化銦錫膜，包括用于在柔性基片上形成氧化銦錫膜的鍍膜裝置和與鍍膜裝置相鄰的表面改性裝置。表面改性裝置包括殼體和多個(gè)紫外線燈管。殼體具有一充有含氧氣體的內(nèi)腔，形成有所述氧化銦錫膜的柔性基片置于內(nèi)腔內(nèi)；用于照射柔性基片使氧化銦錫膜結(jié)晶化的多個(gè)紫外線燈管間隔設(shè)置于內(nèi)腔內(nèi)，且與柔性基片形成有氧化銦錫膜的一面相對(duì)設(shè)置。上述電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備裝置能夠制備出具有較高劃線壽命的電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜。
文檔編號(hào)B82Y40/00GK202717841SQ20122035183
公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2012年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月19日
發(fā)明者王學(xué)雷, 夏國濤, 柳錫運(yùn), 李章國, 王春平, 王戰(zhàn)娥 申請(qǐng)人:深圳南玻顯示器件科技有限公司