專利名稱：不對稱復(fù)合膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明包括涉及膜的實(shí)施方案。更具體地，本發(fā)明包括涉及不對稱復(fù)合膜的實(shí)施方案。
背景技術(shù)：
已報(bào)道，交聯(lián)的聚氧化乙烯膜在通過從混合氣體原料流中選擇性地去除諸如二氧 化碳和硫化氫的酸性氣體的氫氣純化中非常有效。盡管聚氧化乙烯膜的選擇性很高，但其 在環(huán)境操作條件下的通量低。膜的低滲透性源于相對高的厚度。因此，期望得到一種膜，其 具有高通量和增強(qiáng)的機(jī)械完整性，同時(shí)保持良好的選擇性。發(fā)明簡述在一個(gè)實(shí)施方案中，制備不對稱膜的方法包括將含有電子束反應(yīng)基團(tuán)的聚合物涂 覆在多孔基底膜上以形成涂層；用高能源輻射經(jīng)涂覆的多孔基底膜；將電子束反應(yīng)基團(tuán)永 久性地接枝到多孔基底膜上以形成填充膜的孔隙的涂層。在另一個(gè)實(shí)施方案中，制備不對稱膜的方法包括將含有電子束反應(yīng)基團(tuán)的聚合物 涂覆在多孔基底膜上以形成涂層，其中所述聚合物包括聚氧化乙烯或其衍生物，所述多孔 基底膜包括膨脹(expanded)聚四氟乙烯；用高能源輻射經(jīng)涂覆的多孔基底膜；將電子束反 應(yīng)基團(tuán)永久性地接枝到多孔基底膜上以形成填充膜的孔隙的涂層。發(fā)明詳述在本文中公開的是含有電子束反應(yīng)基團(tuán)的聚合材料，所述電子束反應(yīng)基團(tuán)被涂覆 到基底膜上、隨后經(jīng)電子束輻射而形成永久性涂覆的不對稱膜。本文中使用的基底膜可以是指無涂層的膜，而更普通意義上的膜可以是指包括本 公開實(shí)施方案的膜，除非文字或上下文另有說明?？墒褂酶鞣N材料形成基底膜，包括含氟 聚合物、砜、聚丙烯、聚偏氟乙烯或尼龍。適用的含氟聚合物包括但不限于膨脹聚四氟乙烯 (ePTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚(四氟乙烯-共-六氟丙烯)(FEP)、聚(乙烯-alt-四 氟乙烯)(ETFE)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、聚(四氟乙烯-共-全氟丙基乙烯醚)(PFA)、聚 (偏氟乙烯-共-六氟丙烯)(PVDF-co-HFP)和聚氟乙烯(PVF)。其他可用于形成具有開孔 結(jié)構(gòu)的膜的材料和方法包括聚烯烴(例如，聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚苯乙烯、取代的 聚苯乙烯、聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯腈)、聚酰胺、聚酯、聚砜、聚醚、丙烯酸和甲基丙烯酸聚 合物(例如，聚甲基丙烯酸酯)、聚苯乙烯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚酯(例如，聚對苯二甲酸乙 二酯、聚對苯二甲酸丁二酯)、聚醚砜、聚丙烯、聚乙烯、聚亞苯基砜、纖維素聚合物、聚苯醚、 聚酰胺(例如，尼龍、聚對苯二甲酰對苯二胺)中的一種或多種，及它們的兩種或多種的組 合。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，基底膜包括膨脹聚四氟乙烯。含氟聚合物，例如ePTFE，是機(jī)械堅(jiān)固、耐高溫且化學(xué)惰性的材料。這些優(yōu)點(diǎn)源自 碳_氟鍵的高強(qiáng)度，所述碳_氟鍵減緩了化學(xué)裂解。盡管碳_氟鍵的解離能是已知最強(qiáng)的 之一，但在碳氟化合物上形成基團(tuán)所需的吉布斯自由能值卻與碳-氫鍵相當(dāng)。作為結(jié)果，通 過電子束照射將官能化的(functionalized)聚氧化乙烯衍生物高能輻射接枝到含氟聚合物基底膜上成為可能?？梢酝ㄟ^例如對基底膜進(jìn)行打孔、拉伸、膨脹、發(fā)泡、或抽提中的一種或多種方式 來提供基底膜的可滲透性。制備所述膜的適用方法還包括對任意的適用材料進(jìn)行發(fā)泡、刮 削或澆鑄。在可替換的實(shí)施方案中，所述膜可以由織造或非織造纖維制得。在一個(gè)實(shí)施方案中，可以制備連續(xù)的孔。合適的孔隙率可以在大于約10%體積的 范圍內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施方案中，孔隙率可以在約10%體積至約20%體積，約20%體積至約 30 %體積，約30 %體積至約40 %體積，約40 %體積至約50 %體積，約50 %體積至約60 %體 積，約60 %體積至約70 %體積，約70 %體積至約80 %體積，約80 %體積至約90 %體積，或 大于約90%體積的范圍內(nèi)。
孔與孔的直徑可以是均一的，并且孔可具有預(yù)定圖案。作為選擇地，孔和孔的直徑 可以不同，所述孔可以具有不規(guī)則的圖案。合適的孔徑可以小于約100微米。在一個(gè)實(shí)施 方案中，平均孔徑可以為約ι微米至約20微米、約20微米至約40微米、約40微米至約60 微米、約60微米至約80微米、約80微米至約100微米。在一個(gè)實(shí)施方案中，平均孔徑可以 小于約0. 1微米、在約0. 01微米至約0. 1微米、約0. 1微米至約0. 25微米、約0. 25微米至 約0. 5微米、或者小于約1微米。在一個(gè)實(shí)施方案中，基底膜可以是三維基質(zhì)或包括多個(gè)由多根纖絲相互連接的節(jié) 點(diǎn)的格型(lattice type)結(jié)構(gòu)。節(jié)點(diǎn)和纖絲的表面可以在膜上限定出多個(gè)孔。至少部分 燒結(jié)的纖絲的直徑尺寸，在垂直于纖絲縱向的方向上，可為約0. 05微米至0. 5微米的。多 孔膜的比表面積可以在約0. 5平方米/每克膜材料至約110平方米/每克膜材料。節(jié)點(diǎn)和纖絲的表面可以限定很多相互連接的孔，所述孔在膜相對的主要側(cè)表面之 間以曲折的路徑延伸穿過該膜。在一個(gè)實(shí)施方案中，膜中孔的平均有效孔徑可以在微米范 圍內(nèi)。膜中孔的合適平均有效孔徑可以為約0. 01微米至約0. 1微米、約0. 1微米至約5微 米、約5微米至約10微米、或大于約10微米。在一個(gè)實(shí)施方案中，基底膜可以通過擠出細(xì)粉狀顆粒和潤滑劑的混合物來制備。 隨后擠出物被壓延。壓延的擠出物可在一個(gè)或多個(gè)方向上被“膨脹”或拉伸，以形成連接 節(jié)點(diǎn)的纖絲，從而限定三維基質(zhì)或格型結(jié)構(gòu)?！芭蛎洝笔侵赋霾牧系膹椥詷O限(elastic limit)拉伸以向纖絲引入永久變形或伸長。該膜可以被加熱或燒結(jié)，以通過將材料的部分 從結(jié)晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)闊o定形態(tài)以降低或最小化膜材料中的殘余應(yīng)力。在一個(gè)實(shí)施方案中，膜可 以不燒結(jié)或部分燒結(jié)，以適應(yīng)膜預(yù)期的最終用途。在一個(gè)實(shí)施方案中，基底膜可以限定許多相互連接的孔，所述孔與鄰近膜相對主 側(cè)面的環(huán)境可流體性連通。膜材料允許液體材料例如水性極性液體浸濕并通過孔的傾向性 可表示為一種或多種特性的函數(shù)。這些特性可包括膜的表面能、液體材料的表面張力、膜材 料與液體材料之間的相對接觸角、孔的尺寸或有效流動(dòng)面積、以及膜材料和液體材料的相 容性?；啄ど贤扛灿泻娮邮磻?yīng)基團(tuán)的聚合物以形成涂層。聚合物可以衍生以帶有 電子束反應(yīng)基團(tuán)。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，聚合物包含聚氧化乙烯或其衍生物。合適的聚氧 化乙烯衍生物包括但不限于聚丙烯酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸乙二醇酯、聚二丙烯酸乙二 醇酯、聚甲基醚丙烯酸乙二醇酯、及它們的組合。涂層可包含約0. 1重量％至約20重量％的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，涂層包含約20重量0A至約40重量0A的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，涂層包含約40重量0A至約60重 量％的聚合物。在另一個(gè)實(shí)施方案中，涂層包含約60重量％至約80重量％的聚合物。在 又一個(gè)實(shí)施方案中，涂層包含約80重量％至約100重量％的聚合物?？捎?jì)算重量百分?jǐn)?shù)增加(add-on)或燒盡(bum-off)的重量百分含量以確定涂覆在基底膜上的電子束反應(yīng)涂層的量。在一個(gè)實(shí)施方案中，膜具有的涂層的重量百分?jǐn)?shù)增加 和/或燒盡的重量百分?jǐn)?shù)為0. 5至100重量％。在另一個(gè)實(shí)施方案中，膜具有的涂層的重 量百分?jǐn)?shù)增加和/或燒盡的重量百分?jǐn)?shù)為約3至15重量％。本發(fā)明中可使用任意的電子束反應(yīng)基團(tuán)，該基團(tuán)可以通過共價(jià)鍵結(jié)合到聚乙烯或 上述涂層材料。電子束反應(yīng)基團(tuán)是指在高能輻射下能形成基團(tuán)的結(jié)構(gòu)部分。暴露于電子束 源時(shí)，電子束反應(yīng)基團(tuán)生成自由基，并促進(jìn)交聯(lián)并接枝到其他反應(yīng)基質(zhì)上。能共價(jià)鍵合到聚 乙烯或其他涂層材料的試劑可以是單體、低聚物或聚合物、或上述的組合。在一個(gè)實(shí)施方案 中，電子束反應(yīng)官能團(tuán)包含甲基丙烯酸酯和/或丙烯酸酯。在另一個(gè)實(shí)施方案中，電子束反 應(yīng)官能團(tuán)包括伯、仲、叔脂肪族或脂環(huán)族基團(tuán)。在另一個(gè)替代實(shí)施方案中，電子束反應(yīng)官能 團(tuán)包括芳香組基團(tuán)，例如芐基。其他的電子束反應(yīng)官能團(tuán)包括丙烯酰胺、乙烯基酮、苯乙烯 類、乙烯醚、含乙烯基或烯丙基的試劑、芐基、叔-碳(CHR3)基材料?？梢耘c涂層共價(jià)結(jié)合的合適的甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯和乙烯基酮試劑包括但 不限于丙烯酰氯、(2E)-2-丁烯酰氯、馬來酸酐、2(5H)_呋喃酮、甲基丙烯酸酯、5，6_ 二 氫-2H-吡喃-2-酮、丙烯酸乙酯、丁烯酸甲酯、丙烯酸烯丙酯、丁烯酸乙烯酯、甲基丙烯酸 2-異氰酸乙酯、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸酐、甲基丙烯酰氯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、2-乙 基丙烯酰氯、3-亞甲基二氫-2(3H)_呋喃酮、3-甲基-2(5H)_呋喃酮、2-甲基丙烯酸甲 酯、反-2-甲氧基丙烯酸甲酯、檸康酸酐、衣康酸酐、(2E)-2-甲基-2-丁烯酸甲酯、2-甲 基丙烯酸乙酯、2-氰基丙烯酸乙酯、二甲基馬來酸酐、2-甲基丙烯酸烯丙酯、(2E)-2-甲 基-2- 丁烯酸乙酯、2-乙基丙烯酸乙酯、(2E) -2-甲基2-戊烯酸甲酯、2-甲基丙烯酸_2_羥 乙酯、2-(1_羥乙基)丙烯酸甲酯、[3-(甲基丙烯酰氧基)丙基]三甲氧基硅烷、甲基丙烯 酸-3-( 二乙氧基甲基甲硅烷基)丙酯、2-甲基丙烯酸-3-(三氯甲硅烷基)丙基酯、2-甲基 丙烯酸-3_(三甲氧基甲硅烷基)丙酯、甲基丙烯酸-3-[三(三甲基甲硅烷氧基)甲硅烷 基]丙酯、6-二氫-IH-環(huán)戊[c]呋喃-1，3 (4H)-二酮、2-氰基-3-甲基丁烯酸甲酯、反_2， 3_ 二甲基丙烯酸、N-(羥甲基)丙烯酰胺等。合適的乙烯基和烯丙基電子束活性試劑包括但不限于烯丙基溴、烯丙基氯、雙烯 酮、5-亞甲基二氫-2 (3H)-呋喃酮、3-亞甲基二氫-2 (3H)-呋喃酮、2-氯乙基乙烯醚、4-甲 氧基_2 (5H)-呋喃酮等。合適的異氰酸酯電子束活性試劑包括但不限于異氰酸乙烯酯、異氰酸烯丙酯、 異氰酸糠酯、1-乙基-4-異氰酸根合苯、1-乙基-3-異氰酸根合苯、1-(異氰酸根合甲 基)-3-甲基苯、1-異氰酸根合-3，5- 二甲基苯、1-溴-2-異氰酸根合乙烷、(2-異氰酸根 合乙基)苯、1-(異氰酸根合甲基)-4-甲基苯、1-(異氰酸根合甲基)-3-甲基苯、1-(異氰 酸根合甲基)-2_甲基苯等。合適的苯乙烯類電子束活性試劑包括但不限于3-乙烯基苯甲醛、4-乙烯基苯甲 醛、4-乙烯基芐基氯、反式_肉桂酰氯、苯基馬來酸酐、4-羥基-3-苯基-2 (5H)-呋喃酮等。合適的環(huán)氧化物電子束活性試劑包括但不限于甲基丙烯酸縮水甘油酯、縮水甘油基乙烯醚、2-(3-丁烯基)環(huán)氧乙烷(2-(3-butenyl)oxirane)、3-乙烯基_7_氧雜二環(huán) [4. 1.0]庚烷、氧化苧烯(limonene oxide)等。制備不對稱膜的方法通常包括使用含有電子束反應(yīng)基團(tuán)的聚氧化乙烯和/或其 衍生物涂覆多孔基底膜；在受控的條件下干燥膜，然后，在一個(gè)實(shí)施方案中，用0. 1至2000 千戈瑞(kGy)劑量的電子束輻射該復(fù)合材料，在另一個(gè)實(shí)施方案中，用1至60kGy，優(yōu)選5至40kGy的劑量。在某些實(shí)施方案中，在涂覆過程中基底膜被完全浸濕以確保含有電子束反應(yīng)基團(tuán) 的聚合物的均一涂覆沉積。親水聚合物的涂覆不局限于任何特定的方法，可以采用溶液沉 積、高壓溶液沉積、真空過濾、漆涂(painting)、凹板涂敷(gravurecoating)、氣刷法(air brushing)等方法。在這種情況下，聚合物可以溶解在極性質(zhì)子惰性溶劑和/或極性質(zhì)子溶 劑中。例如，聚合物可以溶解在水或合適的極性質(zhì)子惰性溶劑中，并隨后與異丙醇混合。通常在能有效去除溶劑的溫度下干燥，其溫度可以從約室溫到約150攝氏度。根 據(jù)應(yīng)用需要，涂層可以真空干燥或空氣干燥?？墒褂脟婌F和/或浸泡該復(fù)合材料實(shí)現(xiàn)再潤 濕。隨后，可根據(jù)應(yīng)用需要在干燥或濕潤狀態(tài)下使用電子束進(jìn)行輻射。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，膜可以具有不同的尺寸，部分參照特定應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行選擇。在一個(gè)實(shí)施方案中，膜在流體流動(dòng)方向上的厚度小于約1微米。例如，膜在流體流動(dòng)方 向上的厚度可以在50納米至約1微米的范圍內(nèi)，和在約1微米至約10微米的范圍內(nèi)。在 其他的實(shí)施方案中，膜在流體流動(dòng)方向上的厚度可為約10微米至約100微米、約100微米 至約1毫米、約1毫米至約5毫米、或大于約5毫米。在一個(gè)實(shí)施方案中，膜可以由多個(gè)不 同的層制成。在垂直于流體流動(dòng)方向，膜可以具有大于約10毫米的寬度。在一個(gè)實(shí)施方案中，膜寬度可為約10毫米至約45毫米、約45毫米至約50毫米、約50毫米至約10厘米、約10 厘米至約100厘米、約100厘米至約500厘米、約500厘米至約1米、或大于約1米。寬度可 以是圓形區(qū)域的直徑，或者是達(dá)到多邊形區(qū)域的最近周邊(peripheral edge)的距離。在 一個(gè)實(shí)施方案中，膜可以是矩形的，具有數(shù)米的寬度和不確定的長度。也就是說，在連續(xù)成 型工藝中，可以通過在預(yù)設(shè)的距離切割膜使膜形成長度確定的卷。依據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案制備的膜具有一種或多種預(yù)定的特性。這些特性可以包括干燥裝運(yùn)(dry-shipped)膜的可潤濕性、濕/干循環(huán)能力、極性液體或溶液的濾過性、非水性 液體或溶液的流動(dòng)性、在低PH條件下的流動(dòng)性和/或耐久性、在高pH條件下的流動(dòng)性和/ 或耐久性、在室溫條件下的流動(dòng)性和/或耐久性、在升高的溫度條件下的流動(dòng)性和/或耐久 性、在升高的壓力下的流動(dòng)性和/或耐久性、對預(yù)設(shè)波長的能量的透明度(transparency)、 對聲波能量的透明度、或者用于催化材料的載體中的一種或多種。耐久性進(jìn)一步是指涂層 材料在持續(xù)狀態(tài)下，例如持續(xù)一天以上或者超過一個(gè)循環(huán)(濕/干、熱/冷、高/低PH等)， 保持功能的能力。在一個(gè)實(shí)施方案中，膜對紫外線(UV)輻射的抵抗力可以用于膜的殺菌而不會損傷其性能。在一個(gè)替換的實(shí)施方案中，涂層組合物的交聯(lián)可以由暴露于照射源例如紫外光 源引起或促進(jìn)，其中，如果存在UV引發(fā)劑，它可以和UV吸收組合物進(jìn)行競爭。流體通過膜的流速可以取決于一種或多種因素。所述因素包括膜的物理和/或化學(xué)性能、流體的性質(zhì)(例如，粘度、PH、溶質(zhì)等)、和環(huán)境特性(例如，溫度、壓力等)等中的一種或多種。在一個(gè)實(shí)施方案中，膜可以是蒸汽可透過的，而不是，或除了，流體或液體可透 過的。當(dāng)存在時(shí)，合適的透氣率可為小于約每平方米每天1000克(g/m2/天)、約1000g/m2/ 天至約1500g/m2/天、約1500g/m2/天至約2000g/m2/天、或者大于約2000g/m2/天。在一個(gè) 實(shí)施方案中，膜可以是對流體或液體選擇性不可透過的，而對蒸汽是可透過的。下述例子僅旨在描述依據(jù)本發(fā)明的方法和實(shí)施方案，而不應(yīng)理解為對權(quán)利要求的 限制。
實(shí)施例實(shí)施例1聚乙二醇甲基醚丙烯酸酯以約65重量％溶解在異丙醇中形成溶液。所述溶液被 涂覆在膨脹聚(四氟乙烯)上，多余的溶液用刮板去除。在室溫和大氣壓下干燥膜。然后 在大氣壓下伴隨氮?dú)馇鍧嵤鼓そ?jīng)過電子束。電子束的加速電壓為80kV，劑量為lOOkGy。本文中公開的所有范圍都包括端點(diǎn)值，端點(diǎn)值可以彼此結(jié)合。本文中使用的術(shù)語 “第一”、“第二”等不代表任何順序、數(shù)量或重要性，而是用于區(qū)別一種要素和另一種要素。 與數(shù)量結(jié)合使用的修飾詞“約”和“近似的”包括固定值，且具有上下文所指出的含義(例 如，包括與特定數(shù)量的測量相關(guān)的誤差度)。描述本發(fā)明的上下文中(尤其是在下述的權(quán)利 要求中的范圍中)使用的術(shù)語“一”和“一”和“這”等指示詞被解釋為既包括單數(shù)也包括復(fù) 數(shù)，除非在本文中另行指明或者通過上下文清楚地給出相反描述。雖然本發(fā)明已經(jīng)結(jié)合許多實(shí)施方案進(jìn)行了詳細(xì)說明，但本發(fā)明不僅僅局限于這些 公開的實(shí)施方案。而是本發(fā)明可以進(jìn)行改進(jìn)以加入此處未作說明的任意的變化、改變、替換 或等同處理，但它們與本發(fā)明的精神和范圍等同。此外，雖然已經(jīng)說明了本發(fā)明的各種實(shí)施 方案，但其不應(yīng)理解為本發(fā)明僅包括已經(jīng)說明的實(shí)施方案。相應(yīng)地，本發(fā)明不應(yīng)被視為僅局 限于以上的說明，而是由所附的權(quán)利要求的范圍所限定。
權(quán)利要求
一種制備不對稱膜的方法，該方法包括將含有電子束反應(yīng)基團(tuán)的聚合物涂覆在多孔基底膜上以形成涂層；用高能源輻射所述經(jīng)涂覆的多孔基底膜；以及將所述電子束反應(yīng)基團(tuán)永久性地接枝到所述多孔基底薄膜上以形成填充膜孔隙的涂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多孔基底膜包括聚乙烯、聚烯烴、聚酰胺、聚 酯、聚砜、聚醚、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚丙烯、聚苯砜、聚苯醚、 或纖維素聚合物、或它們的兩種或多種的組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多孔基底薄膜包括聚偏二氟乙烯、聚(四氟乙 烯-共_六氟丙烯)、聚(乙烯-alt-四氟乙烯)、聚三氟氯乙烯、聚(四氟乙烯-共-全氟 丙基乙烯醚)、聚(偏氟乙烯-共-六氟丙烯)、和聚氟乙烯、聚四氟乙烯、或它們的兩種或 多種的組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中聚合物包括聚氧化乙烯或其衍生物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電子束反應(yīng)基團(tuán)包括甲基丙烯酸酯、丙烯酸 酯、丙烯酰胺、乙烯酮、苯乙烯類、乙烯醚、含乙烯基試劑、含烯丙基試劑、芐基、叔-碳基材 料、或它們的組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中用高能源輻射所述經(jīng)涂覆的多孔基底膜包括將所 述經(jīng)涂覆的多孔基底膜暴露于劑量率為0. IkGy至2000kGy的電子束。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在將所述聚合物涂覆到所述多孔基底膜上之前，將所述聚合物溶解在溶劑或溶劑混合 物中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中用高能源輻射所述經(jīng)涂覆的多孔基底膜包括另外 的步驟，所述步驟包括將所述經(jīng)涂覆的膜多次暴露于高能源。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括 在進(jìn)行輻射前，干燥所述經(jīng)涂覆的多孔基底膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中干燥所述經(jīng)涂覆的多孔膜包括將所述經(jīng)涂覆的 多孔膜加熱到低于150攝氏度的溫度。
全文摘要
一種制備不對稱膜的方法，包括將含有電子束反應(yīng)基團(tuán)的聚合物涂覆在多孔基底膜上以形成涂層；用高能源輻射經(jīng)涂覆的多孔基底膜；以及將電子束反應(yīng)基團(tuán)永久性地接枝到多孔基底膜上以形成填充膜孔隙的涂層。
文檔編號B01D69/10GK101797482SQ20091100017
公開日2010年8月11日 申請日期2009年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月5日
發(fā)明者H·M·杜, R·A·哈欽森, R·塔馬基 申請人:通用電氣公司