一種超高溫氣霧化陶瓷材料的專用環(huán)縫噴嘴的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種陶瓷顆粒生產(chǎn)設(shè)備，尤其涉及一種超高溫氣霧化噴嘴的結(jié)構(gòu)設(shè)
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【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有高溫氣霧化噴嘴目前只用于金屬材料，如不銹鋼噴丸珠，鐵或鋁合金粉末等的生產(chǎn)上，相對(duì)溫度較低，一般在1000°C ~1700°C，但陶瓷材料的熔點(diǎn)較高，一般達(dá)2000°C以上。傳統(tǒng)氣霧化噴嘴均采用金屬材料，如不銹鋼等。但明顯此種材料無法滿足2000°C以上高溫輻射。
[0003]而且傳統(tǒng)氣霧化噴嘴為持續(xù)生產(chǎn)，往往在氣霧化噴嘴上設(shè)置冷卻水裝置，從而結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜，氣霧化噴嘴維護(hù)、更換時(shí)難度較大，且成本難以降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本發(fā)明的目的是提出一種超高溫氣霧化陶瓷材料的專用環(huán)縫噴嘴，解決環(huán)縫噴嘴應(yīng)用于陶瓷材料生產(chǎn)的耐高溫問題。
[0005]本發(fā)明的上述目的，將通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn):一種超高溫氣霧化陶瓷材料的專用環(huán)縫噴嘴，裝接于正對(duì)出料口的電阻爐爐底，其特征在于:所述電阻爐爐底集成設(shè)有水冷部，所述專用環(huán)縫噴嘴為由上蓋和下蓋組裝構(gòu)成的出氣縫隙寬度可調(diào)的噴嘴，其中臨近電阻爐爐底的所述上蓋為耐熱輻射強(qiáng)度相對(duì)較高的環(huán)形硅件，且上蓋通過第一螺栓固定在電阻爐爐底并貼合水冷部，所述下蓋為耐熱輻射強(qiáng)度相對(duì)較低的不銹鋼環(huán)件，且下蓋通過第二螺栓及密封墊片固定在上蓋上并與上蓋形成環(huán)縫狀的噴嘴。
[0006]進(jìn)一步，所述環(huán)形硅件為由硅的化合物一體成型的環(huán)件，所述硅的化合物至少為SiC 或 Si3N4。
[0007]進(jìn)一步，其特征在于:所述專用環(huán)縫噴嘴的上蓋與電阻爐爐底間設(shè)有密封圈。
[0008]進(jìn)一步，所述密封墊片具有通過第二螺栓的旋緊程度調(diào)節(jié)出氣縫隙寬度的可調(diào)厚度。
[0009]應(yīng)用本發(fā)明該專用環(huán)縫噴嘴，較之于傳統(tǒng)氣霧化噴嘴具有顯著的優(yōu)點(diǎn):采用不同耐高溫程度的材質(zhì)設(shè)計(jì)并制造分體式的噴嘴，使噴嘴能適應(yīng)2000°C以上的高溫?zé)彷椛?，同時(shí)將水冷部移至爐底，使噴嘴結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)化、降低重量、易于裝卸；采用耐高溫的密封墊片，提高了環(huán)縫寬度、出氣量的調(diào)整自如性。
【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明專用環(huán)縫噴嘴的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]以下便結(jié)合實(shí)施例附圖，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的詳述，以使本發(fā)明技術(shù)方案更易于理解、掌握。
[0012]本發(fā)明突破傳統(tǒng)技術(shù)的局限，創(chuàng)新提出了一種超高溫氣霧化陶瓷材料的專用環(huán)縫噴嘴，解決環(huán)縫噴嘴應(yīng)用于陶瓷材料生產(chǎn)的耐高溫問題。
[0013]本發(fā)明專用環(huán)縫噴嘴一較佳實(shí)施例如圖1所示，該專用環(huán)縫噴嘴3裝接于正對(duì)出料口的電阻爐爐底I。細(xì)化特征結(jié)構(gòu)來看，該電阻爐爐底I集成設(shè)有水冷部2 ;而將水冷卻部分設(shè)計(jì)在該電阻爐底部，旨在簡(jiǎn)化噴嘴結(jié)構(gòu)，減輕噴嘴重量，易于單獨(dú)更換噴嘴構(gòu)件。
[0014]如圖所示，該專用環(huán)縫噴嘴3為由上蓋31和下蓋32組裝構(gòu)成的出氣縫隙33寬度可調(diào)的噴嘴，其中臨近電阻爐爐底的所述上蓋31為耐熱輻射強(qiáng)度相對(duì)較高的環(huán)形硅件，主要是由硅的化合物一體成型的環(huán)件，而硅的化合物可以是SiC，也可以是Si3N4。上蓋31通過第一螺栓42固定在電阻爐爐底I并貼合水冷部2，該上蓋離電阻爐較近，故所受熱輻射強(qiáng)度較大，采用上述硅的化合物，具有較強(qiáng)的耐熱性能，且將其直接與水冷部相接處，能有效、快速冷卻。而由于下蓋32離電阻爐相對(duì)較遠(yuǎn)，隨產(chǎn)品的溫度變化梯度及趨勢(shì)所受熱輻射強(qiáng)度顯著降低，故可以采用耐熱輻射強(qiáng)度相對(duì)較低的不銹鋼環(huán)件，且下蓋32通過第二螺栓41及密封墊片34固定在上蓋31上并與上蓋31形成環(huán)縫狀的噴嘴33。另外，上蓋31與下蓋32裝接形成有環(huán)狀氣室，而進(jìn)氣口 6便設(shè)于其中，于實(shí)際生產(chǎn)過程中，進(jìn)氣口的高壓氣流經(jīng)環(huán)狀的出氣縫隙噴出。
[0015]為進(jìn)一步提高氣密性，上述專用環(huán)縫噴嘴的上蓋31與電阻爐爐底I間設(shè)有密封圈5。
[0016]作為上述方案的優(yōu)化，上述密封墊片34具有通過第二螺栓的旋緊程度調(diào)節(jié)出氣縫隙寬度的可調(diào)厚度，有效提升了該專用環(huán)縫噴嘴的普遍適用性。
[0017]綜上可見，應(yīng)用本發(fā)明該專用環(huán)縫噴嘴，采用不同耐高溫程度的材質(zhì)設(shè)計(jì)并制造分體式的噴嘴，使噴嘴能適應(yīng)2000°C以上的高溫?zé)彷椛洌瑫r(shí)將水冷部移至爐底，使噴嘴結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)化、降低重量、易于裝卸；采用耐高溫的密封墊片，提高了環(huán)縫寬度、出氣量的調(diào)整自如性。
[0018]除上述實(shí)施例外，本發(fā)明還可以有其它實(shí)施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種超高溫氣霧化陶瓷材料的專用環(huán)縫噴嘴，裝接于正對(duì)出料口的電阻爐爐底，其特征在于:所述電阻爐爐底集成設(shè)有水冷部，所述專用環(huán)縫噴嘴為由上蓋和下蓋組裝構(gòu)成的出氣縫隙寬度可調(diào)的噴嘴，其中臨近電阻爐爐底的所述上蓋為耐熱輻射強(qiáng)度相對(duì)較高的環(huán)形硅件，且上蓋通過第一螺栓固定在電阻爐爐底并貼合水冷部，所述下蓋為耐熱輻射強(qiáng)度相對(duì)較低的不銹鋼環(huán)件，且下蓋通過第二螺栓及密封墊片固定在上蓋上并與上蓋形成環(huán)縫狀的噴嘴。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述超高溫氣霧化陶瓷材料的專用環(huán)縫噴嘴，其特征在于:所述環(huán)形硅件為由硅的化合物一體成型的環(huán)件，所述硅的化合物至少為SiC或Si3N4。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述超高溫氣霧化陶瓷材料的專用環(huán)縫噴嘴，其特征在于:所述專用環(huán)縫噴嘴的上蓋與電阻爐爐底間設(shè)有密封圈。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述超高溫氣霧化陶瓷材料的專用環(huán)縫噴嘴，其特征在于:所述密封墊片具有通過第二螺栓的旋緊程度調(diào)節(jié)出氣縫隙寬度的可調(diào)厚度。
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種超高溫氣霧化陶瓷材料的專用環(huán)縫噴嘴，裝接于正對(duì)出料口的電阻爐爐底，該電阻爐爐底集成設(shè)有水冷部，該專用環(huán)縫噴嘴為由上蓋和下蓋組裝構(gòu)成的出氣縫隙寬度可調(diào)的噴嘴，其中臨近電阻爐爐底的上蓋為耐熱輻射強(qiáng)度高的環(huán)形硅件且通過第一螺栓固定在電阻爐爐底并貼合水冷部，下蓋為不銹鋼環(huán)件且通過第二螺栓及密封墊片固定在上蓋上并與上蓋形成環(huán)縫狀的氣室及噴嘴。應(yīng)用本發(fā)明該專用環(huán)縫噴嘴，采用不同耐高溫程度的材質(zhì)設(shè)計(jì)并制造分體式的結(jié)構(gòu)，使噴嘴能適應(yīng)2000℃以上的高溫?zé)彷椛?，同時(shí)將水冷部移至爐底，使噴嘴結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)化、降低重量、易于裝卸；采用耐高溫的密封墊片，提高了環(huán)縫寬度、出氣量的調(diào)整自如性。
【IPC分類】F27B14-08
【公開號(hào)】CN104596245
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510052602
【發(fā)明人】許興康
【申請(qǐng)人】蘇州化聯(lián)高新陶瓷材料有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請(qǐng)日】2015年2月2日