專利名稱：一種采用vmos硬件記憶式外設(shè)驅(qū)動的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種用于軍用定頻空調(diào)控制板上的，記憶式外設(shè)驅(qū)動。
技術(shù)背景空調(diào)電控板是空調(diào)電控系統(tǒng)的心臟，擔(dān)負(fù)人機(jī)接口，參數(shù)檢測、驅(qū)動控制任務(wù)，內(nèi) 機(jī)控制內(nèi)機(jī)部件，外機(jī)板控制外機(jī)部件。同時它們又相互通訊以達(dá)到共同控制空調(diào)的目的。 目前大多數(shù)普通空調(diào)都是只有內(nèi)機(jī)一塊板，變頻機(jī)則內(nèi)外都有，有些牌子不一樣，也是有 內(nèi)、外機(jī)板
實用新型內(nèi)容
本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種結(jié)構(gòu)簡單的，廣泛用于軍用定頻空調(diào)控 制板上的記憶式外設(shè)驅(qū)動。本實用新型的主要特點(diǎn)在于主要包括，電阻、二極管、電容、繼電器其中電阻與二 極管、電容串聯(lián)，其二極管與電阻并聯(lián)，電容與電阻并聯(lián)，其電容的一端通過電路連接繼電 器，其繼電器與一二極管并聯(lián)，電容與繼電器連接的電路中，采用了 VMOS管。本實用新型的有益效果為VM0S管作為CPU的外級驅(qū)動器，在強(qiáng)干擾的電磁環(huán)境 中，利用寄生電容的硬件存儲效應(yīng)，保持VMOS的有效輸出狀態(tài)長達(dá)1秒的時間，VMOS管作 為CPU的外級驅(qū)動器，在強(qiáng)干擾的電磁環(huán)境中，有效克服干擾。

圖1為本實用新型的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖具體實施方式
下面在具體實施方式
對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明如圖所述的一種硬件記憶式外設(shè)驅(qū)動，主要包括，電阻1、二極管2、電容3、繼電器 4，其中電阻1與二極管2、電容3串聯(lián)，其二極管2與電阻1并聯(lián)，電容3與電阻1并聯(lián)，其 電容3的一端通過電路連接繼電器4，其繼電器4與一二極管2并聯(lián)，電容3與繼電器4連 接的電路中，采用了 VMOS管，VMOS管作為CPU的外級驅(qū)動器，在強(qiáng)干擾的電磁環(huán)境中，利用 寄生電容的硬件存儲效應(yīng)，保持VMOS的有效輸出狀態(tài)長達(dá)1秒的時間，采用MOS管驅(qū)動器， 降低全工作溫度范圍內(nèi)的驅(qū)動損耗和漏電器，使靜態(tài)驅(qū)動損耗接近0瓦特，提高驅(qū)動電路 的可靠性。
權(quán)利要求一種采用VMOS硬件記憶式外設(shè)驅(qū)動，主要包括，電阻(1)、二極管(2)、電容(3)、繼電器(4)，其中電阻(1)與二極管(2)、電容(3)串聯(lián)，其二極管(2)與電阻(1)并聯(lián)，電容(3)與電阻(1)并聯(lián)，其電容(3)的一端通過電路連接繼電器(4)，其繼電器(4)與一二極管(2)并聯(lián)，其特征在于電容(3)與繼電器(4)連接的電路中，采用了VMOS管。
專利摘要本實用新型公開了一種采用VMOS硬件記憶式外設(shè)驅(qū)動，主要包括，電阻(1)、二極管(2)、電容(3)、繼電器(4)其中電阻(1)與二極管(2)、電容(3)串聯(lián)，其二極管(2)與電阻(1)并聯(lián)，電容(3)與電阻(1)并聯(lián)，其電容(2)的一端通過電路連接繼電器(4)，其繼電器(4)與一二極管(2)并聯(lián)，電容(3)與繼電器(4)連接的電路中，采用了VMOS管，本實用新型的有益效果為VMOS管作為CPU的外級驅(qū)動器，在強(qiáng)干擾的電磁環(huán)境中，利用寄生電容的硬件存儲效應(yīng)，保持VMOS的有效輸出狀態(tài)長達(dá)1秒的時間，VMOS管作為CPU的外級驅(qū)動器，在強(qiáng)干擾的電磁環(huán)境中，有效克服干擾。
文檔編號F24F11/00GK201764629SQ20102050916
公開日2011年3月16日 申請日期2010年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月24日
發(fā)明者宋 瑩, 岑磊, 趙志強(qiáng) 申請人:合肥通用電源設(shè)備有限公司