本發(fā)明屬于3D打印技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種點(diǎn)陣技術(shù)3D打印方法及應(yīng)用其的設(shè)備。

背景技術(shù)：

常規(guī)的添加劑三維打印技術(shù)是建立在一個(gè)緩慢的層層打印的過程。以分步或?qū)訉拥姆绞竭M(jìn)行構(gòu)造三維物體。具體地講就是先打印一層，烘干或光固化后，補(bǔ)充樹脂再打印一層，重復(fù)上述操作。新層的形成可以在舊層表面頂上，也可以在底面。這個(gè)傳統(tǒng)3D打印的缺點(diǎn)包括速度慢，精細(xì)度低，有缺陷，機(jī)械強(qiáng)度低等等。

最近兩個(gè)公司/實(shí)驗(yàn)室，Orange Maker Inc. 和Carbon3D Inc. 發(fā)展了一個(gè)全新的3D打印技術(shù)-- 連續(xù)液體界面合成法（clip）。此法的原理是投影機(jī)將連續(xù)的從下面將紫外線射到對(duì)象的橫截面。以紫外光固化液態(tài)樹脂池底部上方一層液體。同時(shí)，連續(xù)升降成形物體。如專利WO2014126837中公開的3D打印技術(shù)。但上述專利使用了紫外光來固化樹脂，其一個(gè)主要的缺點(diǎn)是光反應(yīng)聚合的反應(yīng)有限，還有更多反應(yīng)不能用紫外光引發(fā)，比如一些非自由基縮聚反應(yīng)，分子催化反應(yīng)，酶催化反應(yīng)，熱聚反應(yīng)，冷聚反應(yīng)，陽離子聚合反應(yīng)，陰離子聚合反應(yīng)，金屬還原合成，自組裝，半導(dǎo)體材料合成，無機(jī)材料合成等等，或純粹物理相變固化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種點(diǎn)陣技術(shù)3D打印方法及應(yīng)用其的設(shè)備。

本發(fā)明提供了如下的技術(shù)方案：

一種點(diǎn)陣技術(shù)3D打印方法，所述方法為連續(xù)液體界面合成法，所述方法通過點(diǎn)陣形式引發(fā)固化液發(fā)生固化反應(yīng)進(jìn)行打印。

在上述方案中優(yōu)選的是，所述方法通過點(diǎn)陣形式引發(fā)局部固化液發(fā)生固化反應(yīng)進(jìn)行打印。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述方法利用點(diǎn)陣反應(yīng)裝置。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述點(diǎn)陣反應(yīng)裝置包括點(diǎn)陣板，所述點(diǎn)陣板上設(shè)置點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，通過電子控制裝置引發(fā)所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)處的固化液發(fā)生固化反應(yīng)。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述電子控制裝置控制所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)處的反應(yīng)條件引發(fā)固化反應(yīng)。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，控制反應(yīng)條件的方式包括電流、加熱或降溫。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，每個(gè)所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)由單獨(dú)的所述電子控制裝置控制。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)具有形狀。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)的形狀包括規(guī)則形狀和不規(guī)則形狀，所述規(guī)則形狀包括實(shí)點(diǎn)，空點(diǎn)，圓形，三角形，方形、線、長方形、環(huán)形、其他規(guī)則形狀中的一種或幾種。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述電子控制裝置由計(jì)算機(jī)軟件控制。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，通過所述計(jì)算機(jī)軟件控制所述點(diǎn)陣板上的至少一個(gè)所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)處的固化液發(fā)生固化反應(yīng)。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述方法為逐層固化，每層固化出來的圖案由選取的所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)處的固化液發(fā)生固化形成。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，形成每層圖案的所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)位置相同或不同。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述點(diǎn)陣板上的所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)的密度為納米級(jí)、微米級(jí)、毫米級(jí)、厘米級(jí)或米級(jí)；和/或所述點(diǎn)陣板上的所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)的尺寸為納米級(jí)、微米級(jí)、毫米級(jí)、厘米級(jí)或米級(jí)。

點(diǎn)陣可以通過各種辦法制造。一般來說，點(diǎn)陣密度越大，生成的3D物件越精細(xì)。因此點(diǎn)陣的制造技術(shù)集中微米和納米技術(shù)上，但也包括其他制造毫米厘米尺寸，以及更大尺寸以用于身材大的物體（比如汽車，樓房等等）。微米，納米點(diǎn)陣的制造辦法包括MEMS辦法（芯片生產(chǎn)技術(shù)），2D打印技術(shù)，自組裝，模板辦法等。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，用于固化反應(yīng)的固化液包括待固化材料，所述待固化材料是指能夠發(fā)生固化反應(yīng)的材料。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述待固化材料包括有機(jī)材料，無機(jī)材料，金屬材料，金屬離子材料，半導(dǎo)體材料，復(fù)合材料等等，但不限于上述材料。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述有機(jī)材料包括軟材料和硬材料。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述軟材料包括硅膠。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述硬材料包括聚氯乙烯（PVC）。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述待固化材料包括單體化合物、初聚物溶液、溶液，所述單體化合物選自但不限于丙烯酸類，甲基丙烯酸類，丙烯酰胺，苯乙烯類，烯烴，鹵代烯烴，環(huán)烯烴，馬來酸酐，烯烴，炔烴，羰基化合物，可聚合的低聚物，帶官能團(tuán)的聚乙二醇（PEG）中的一種或幾種；所述初聚物溶液包括小分子量的所述上述單體化合物初步聚合的產(chǎn)物；所述溶液包括無機(jī)鹽溶液、有機(jī)離子溶液、無機(jī)離子溶液、無機(jī)氧化物溶液、金屬離子溶液中的一種或幾種。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述初聚物溶液的分子量為幾十至幾千道爾頓，和/或所述初聚物溶液的單體聚合程度為1%-99%。

本發(fā)明可引發(fā)更多反應(yīng)的發(fā)生，因此，可選擇的材料的擴(kuò)展很多。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述固化液還包括引發(fā)劑。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述引發(fā)劑包括自由基引發(fā)劑、陽離子引發(fā)劑、陰離子引發(fā)劑、電鍍還原劑電子，催化劑。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述固化反應(yīng)包括聚合反應(yīng)。

本發(fā)明的所述點(diǎn)陣形式引發(fā)固化液發(fā)生固化反應(yīng)進(jìn)行打印成像的作用原理可以通過以下例子解釋，例如：一個(gè)3×3的點(diǎn)陣共9個(gè)點(diǎn)，初始時(shí)由電子控制裝置控制其中選定的4個(gè)點(diǎn)處加熱，固化液被加熱后固化形成固體產(chǎn)生圖案，已生成的圖案向上拉起一定距離后，由電子控制裝置繼續(xù)控制另外選定的7個(gè)點(diǎn)處加熱，固化液被加熱后固化再形成固體，在已形成圖案的界面產(chǎn)生圖案……依次這樣操作，就形成了3D物體。

本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供應(yīng)用所述點(diǎn)陣技術(shù)3D打印方法的設(shè)備，包括支架、固化液池，還包括點(diǎn)陣反應(yīng)裝置。

在上述方案中優(yōu)選的是，所述支架設(shè)置在所述固化液池的上方并伸入所述固化液池內(nèi)，所述支架的底部設(shè)置打印平臺(tái)，所述點(diǎn)陣反應(yīng)裝置設(shè)置在所述固化液池的底部。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，在所述點(diǎn)陣反應(yīng)裝置上方設(shè)有多孔膜。所述多孔膜可控制氣體通過。如所述多孔膜引入氧氣作抑制劑。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述多孔膜為氧氣可透過膜。

氧氣可抑制一定厚度固化液的固化，防止在底部發(fā)生固化，因?yàn)椴皇枪饩酆?，多孔膜?duì)透明度沒有要求，因而擴(kuò)大選擇度。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述多孔膜為透氣或半透氣膜。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述多孔膜為透氣含氟聚合物膜、透氣性有機(jī)聚合物膜或無機(jī)多孔膜。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述透氣性有機(jī)聚合物膜包括聚二甲基硅氧烷膜。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述無機(jī)多孔膜包括多孔玻璃。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述多孔膜厚度為10微米～100毫米。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述多孔膜的上方為抑制層。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述抑制層的上方為生成層。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述抑制層的厚度為0.01微米～1毫米。

所述抑制層的厚度可通過多種條件控制，如氧氣的通入量、多孔膜的孔徑大小或外加抑制劑的通入量等。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述生成層的厚度為0.01微米～1毫米。

所述抑制層的厚度可通過多種條件控制，如固化液的通入量、支架的上升速度等。

所述多孔膜厚度、所述抑制層的厚度和所述生成層的厚度可使固化速度不同。

所述抑制層的厚度和所述生成層的厚度均可由上方氣體壓力，氣體中氧氣含量，液體成分等等來控制。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述支架與上升驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)連接，所述打印平臺(tái)在所述上升驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的作用下上升，所述上升驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括驅(qū)動(dòng)器以及控制所述驅(qū)動(dòng)器的控制器。

支架在固化層上層，隨著支架向上移動(dòng)，所述打印平臺(tái)向上移動(dòng)，所述三維物體隨支架上升而上升。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述打印平臺(tái)的上升速度為0.01-1000 微米/秒。由于固化材料不同，所以上升速度不同，但材料允許的條件下，速度越快越好。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述打印平臺(tái)的上升時(shí)速度，相當(dāng)于通過所述生成層時(shí)間至少為0.1秒。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述固化液池與固化液注入通道連通，固化液由固化液源通過所述固化液注入通道進(jìn)入生成層。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述固化液池最下面、點(diǎn)陣板上為多孔膜，氧氣作為抑制劑由多孔膜進(jìn)入抑制層。在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述固化液池與抑制劑注入通道連通，抑制劑由抑制劑源通過所述抑制劑注入通道進(jìn)入抑制層。

除了氧氣外，還可加入其它的抑制劑，用于在固化液池的最底部形成抑制層，防止在最底部發(fā)生固化，影響打印。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述抑制劑可以在固化液池的底部引進(jìn)，也可以在側(cè)壁或頂部引進(jìn)。

抑制劑可由不同的位置引入，只要能夠在固化液池的最底部形成抑制層即可。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述設(shè)備還包括與所述固化液源和/或抑制劑源相關(guān)聯(lián)的壓力源。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述點(diǎn)陣反應(yīng)裝置包括點(diǎn)陣板，所述點(diǎn)陣板上設(shè)置點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述點(diǎn)陣板為導(dǎo)熱或?qū)щ姴馁|(zhì)。

在上述任一方案中優(yōu)選的是，所述點(diǎn)陣板材質(zhì)為金屬材質(zhì)、導(dǎo)熱或?qū)щ姺墙饘俨馁|(zhì)。

本發(fā)明可以克服使用紫外光引發(fā)反應(yīng)的局限性，以點(diǎn)陣引發(fā)的形式取代了紫外光引發(fā)反應(yīng)，可使連續(xù)液體液面合成法能夠選擇的材料更多，能夠打印的物件更多。本發(fā)明可使3D打印的速度更快，打印更精細(xì)。

附圖說明

圖1是本發(fā)明中應(yīng)用所述點(diǎn)陣技術(shù)3D打印方法的設(shè)備的一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是點(diǎn)陣反應(yīng)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是實(shí)施例4打印物體的照片；

圖4是實(shí)施例5打印物體的照片；

圖5是實(shí)施例6打印物體的照片。

具體實(shí)施方式

為了進(jìn)一步了解本發(fā)明的技術(shù)特征，下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)地闡述。實(shí)施例只對(duì)本發(fā)明具有示例性的作用，而不具有任何限制性的作用，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明的基礎(chǔ)上作出的任何非實(shí)質(zhì)性的修改，都應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

實(shí)施例 1：

一種點(diǎn)陣技術(shù)3D打印方法，所述方法為連續(xù)液體界面合成法，所述方法通過點(diǎn)陣形式引發(fā)固化液發(fā)生固化反應(yīng)進(jìn)行打印。

實(shí)施例 2：

與實(shí)施例1的不同之處僅在于：所述方法通過點(diǎn)陣形式引發(fā)局部固化液發(fā)生固化反應(yīng)進(jìn)行打印。

更進(jìn)一步地，所述方法利用點(diǎn)陣反應(yīng)裝置。

更進(jìn)一步地，所述點(diǎn)陣反應(yīng)裝置包括點(diǎn)陣板，所述點(diǎn)陣板上設(shè)置點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)。

更進(jìn)一步地，通過電子控制裝置引發(fā)所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)處的固化液發(fā)生固化反應(yīng)。

更進(jìn)一步地，所述電子控制裝置控制所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)處的反應(yīng)條件引發(fā)固化反應(yīng)。

更進(jìn)一步地，控制反應(yīng)條件的方式包括電流、加熱或降溫。

更進(jìn)一步地，所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)具有形狀。

更進(jìn)一步地，每個(gè)所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)由單獨(dú)的所述電子控制裝置控制。

更進(jìn)一步地，所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)的形狀包括規(guī)則形狀和不規(guī)則形狀，所述規(guī)則形狀包括實(shí)點(diǎn)，空點(diǎn)，圓形，三角形，方形、線、長方形、環(huán)形中的一種或幾種。

更進(jìn)一步地，所述電子控制裝置由計(jì)算機(jī)軟件控制。

更進(jìn)一步地，通過所述計(jì)算機(jī)軟件控制所述點(diǎn)陣板上的至少一個(gè)所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)處的固化液發(fā)生固化反應(yīng)。

更進(jìn)一步地，所述方法為逐層固化，每層固化出來的圖案由選取的所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)處的固化液發(fā)生固化形成。

更進(jìn)一步地，形成每層圖案的所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)位置相同或不同。

更進(jìn)一步地，所述點(diǎn)陣板上的所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)的密度為納米級(jí)、微米級(jí)、毫米級(jí)、厘米級(jí)或米級(jí)；和/或所述點(diǎn)陣板上的所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)的尺寸為納米級(jí)、微米級(jí)、毫米級(jí)、厘米級(jí)或米級(jí)。

點(diǎn)陣可以通過各種辦法制造。一般來說，點(diǎn)陣密度越大，生成的3D物件越精細(xì)。因此點(diǎn)陣的制造技術(shù)集中微米和納米技術(shù)上，但也包括其他制造毫米厘米尺寸，以及更大尺寸以用于身材大的物體（比如汽車，樓房等等）。微米，納米點(diǎn)陣的制造辦法包括MEMS辦法（芯片生產(chǎn)技術(shù)），2D打印技術(shù)，自組裝，模板辦法等。

更進(jìn)一步地，用于固化反應(yīng)的固化液包括待固化材料，

更進(jìn)一步地，所述待固化材料包括有機(jī)材料，無機(jī)材料，金屬材料，金屬離子材料，半導(dǎo)體材料，復(fù)合材料。

更進(jìn)一步地，所述有機(jī)材料包括軟材料和硬材料。

更進(jìn)一步地，所述軟材料包括硅膠。

更進(jìn)一步地，所述硬材料包括聚氯乙烯PVC。

更進(jìn)一步地，所述待固化材料包括單體化合物、初聚物溶液、溶液，所述單體化合物選自丙烯酸類，甲基丙烯酸類，丙烯酰胺，苯乙烯類，烯烴，鹵代烯烴，環(huán)烯烴，馬來酸酐，烯烴，炔烴，羰基化合物，可聚合的低聚物，帶官能團(tuán)的PEG中的一種或幾種；所述初聚物溶液包括小分子量的所述上述單體化合物初步聚合的產(chǎn)物；所述溶液包括無機(jī)鹽溶液、有機(jī)離子溶液、無機(jī)離子溶液、無機(jī)氧化物溶液、金屬離子溶液中的一種或幾種。

更進(jìn)一步地，所述初聚物溶液的分子量為幾十至幾千道爾頓，和/或所述初聚物溶液的單體聚合程度為1%-99%。

本發(fā)明可引發(fā)更多反應(yīng)的發(fā)生，因此，可選擇的材料的擴(kuò)展很多。

更進(jìn)一步地，所述固化液還包括引發(fā)劑。

更進(jìn)一步地，所述引發(fā)劑包括自由基引發(fā)劑、陽離子引發(fā)劑、陰離子引發(fā)劑、電鍍還原劑電子，催化劑。

更進(jìn)一步地，所述固化反應(yīng)包括聚合反應(yīng)。

實(shí)施例3：

如圖1和2所示，一種應(yīng)用所述點(diǎn)陣技術(shù)3D打印方法的設(shè)備，包括支架1、固化液池2，還包括點(diǎn)陣反應(yīng)裝置3。

更進(jìn)一步地，所述點(diǎn)陣反應(yīng)裝置包括點(diǎn)陣板6，所述點(diǎn)陣板上設(shè)置點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)7。

更進(jìn)一步地，通過電子控制裝置引發(fā)所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)7處的固化液發(fā)生固化反應(yīng)。

更進(jìn)一步地，所述電子控制裝置控制所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)7處的反應(yīng)條件引發(fā)固化反應(yīng)。

更進(jìn)一步地，控制反應(yīng)條件的方式包括電流、加熱或降溫。

更進(jìn)一步地，每個(gè)所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)7由單獨(dú)的所述電子控制裝置控制。

更進(jìn)一步地，所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)7具有形狀。

更進(jìn)一步地，所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)7的形狀包括規(guī)則形狀和不規(guī)則形狀，所述規(guī)則形狀包括實(shí)點(diǎn)，空點(diǎn)，圓形，三角形，方形、線、長方形、環(huán)形中的一種或幾種。

更進(jìn)一步地，所述電子控制裝置由計(jì)算機(jī)軟件控制。

更進(jìn)一步地，通過所述計(jì)算機(jī)軟件控制所述點(diǎn)陣板6上的至少一個(gè)所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)7處的固化液發(fā)生固化反應(yīng)。

進(jìn)一步地，所述支架1設(shè)置在所述固化液池2的上方并伸入所述固化液池2內(nèi)，所述支架1的底部設(shè)置打印平臺(tái)，所述點(diǎn)陣反應(yīng)裝置3設(shè)置在所述固化液池2的底部。

更進(jìn)一步地，在所述點(diǎn)陣反應(yīng)裝置3上方設(shè)有多孔膜。

更進(jìn)一步地，所述多孔膜為氧氣可透過膜。

氧氣可抑制一定厚度固化液的固化，防止在底部發(fā)生固化，因?yàn)椴皇枪饩酆希嗫啄?duì)透明度沒有要求，因而擴(kuò)大選擇度。

更進(jìn)一步地，所述多孔膜為透氣或半透氣膜。

更進(jìn)一步地，所述多孔膜為透氣含氟聚合物膜、透氣性有機(jī)聚合物膜或無機(jī)多孔膜。

更進(jìn)一步地，所述透氣性有機(jī)聚合物膜包括聚二甲基硅氧烷膜。

更進(jìn)一步地，所述無機(jī)多孔膜包括多孔玻璃。

更進(jìn)一步地，所述多孔膜厚度為10微米～100毫米。

更進(jìn)一步地，所述多孔膜的上方為抑制層5。

更進(jìn)一步地，所述抑制層5的上方為生成層4。

更進(jìn)一步地，所述抑制層5的厚度為0.01微米～1毫米。

更進(jìn)一步地，所述生成層4的厚度為0.01微米～1毫米。

更進(jìn)一步地，所述支架1與上升驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)連接，所述打印平臺(tái)在所述上升驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的作用下上升，所述上升驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括驅(qū)動(dòng)器以及控制所述驅(qū)動(dòng)器的控制器。

支架1在生成層4上層，隨著支架1向上移動(dòng)，所述打印平臺(tái)向上移動(dòng)，所述三維物體隨支架1上升而上升。

更進(jìn)一步地，所述打印平臺(tái)的上升速度為0.01-1000 微米/秒。

更進(jìn)一步地，所述打印平臺(tái)的上升時(shí)速度，相當(dāng)于通過所述生成層4時(shí)間至少為0.1秒。

更進(jìn)一步地，所述固化液池2與固化液注入通道連通，固化液由固化液源通過所述固化液注入通道進(jìn)入生成層4。

更進(jìn)一步地，所述固化液池2與抑制劑注入通道連通，抑制劑由抑制劑源通過所述抑制劑注入通道進(jìn)入抑制層5。

更進(jìn)一步地，所述抑制劑可以在固化液池的底部引進(jìn)，也可以在側(cè)壁或頂部引進(jìn)。如氣體可在頂部引入。

更進(jìn)一步地，所述設(shè)備還包括與所述固化液源和/或抑制劑源相關(guān)聯(lián)的壓力源。

更進(jìn)一步地，所述點(diǎn)陣板為導(dǎo)熱或?qū)щ姴馁|(zhì)。

更進(jìn)一步地，所述點(diǎn)陣板材質(zhì)為金屬材質(zhì)、導(dǎo)熱或?qū)щ姺墙饘俨馁|(zhì)。

本設(shè)備的所述固化液池2內(nèi)注滿所述固化液，所述點(diǎn)陣反應(yīng)裝置3設(shè)置在所述固化液池2的底部；在所述點(diǎn)陣反應(yīng)裝置3的所述點(diǎn)陣板上設(shè)置所述多孔膜；所述多孔膜為氧氣可透，在所述多孔膜上層形成抑制層5，可抑制點(diǎn)陣反應(yīng)裝置3上層固化液被固化；也可將抑制劑注入所述抑制層5，來抑制點(diǎn)陣反應(yīng)裝置3上層固化液被固化；所述打印平臺(tái)在打印初始時(shí)處于生成層4內(nèi)，隨著打印開始，由計(jì)算機(jī)軟件控制的所述電子控制裝置進(jìn)而控制所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)處的反應(yīng)條件，因此生成層4該處的固化液發(fā)生聚合固化反應(yīng)，在打印平臺(tái)產(chǎn)生2D圖案；然后，所述支架1的上升，所述電子控制裝置繼續(xù)控制所述點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)處的反應(yīng)條件在打印平臺(tái)已圖案的界面處繼續(xù)打印下一層2D圖案，隨著所述支架1的逐漸上升，3D物體逐漸打印出來。

實(shí)施例4：

通過點(diǎn)陣技術(shù)3D打印方法打印柱狀結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例中使用的材料為聚賴氨酸 - 聚（乙烯乙二醇）-tyramine（PPT）跟雙氧水和辣根過氧化物酶的混合物。

條件：以過氧化酶為催化劑，氧氣為抑制劑，多孔膜采用特氟龍Teflon AF 2400，生成層厚度為1mm， 抑制層厚度為1mm，多孔膜厚度為200μm，支架上升速度為1mm/min，在點(diǎn)陣底下直接用加熱爐加熱（也可使用電控制加熱），加熱到80℃。

池子注入液體，點(diǎn)陣開始加熱，1分鐘后支架開始上升，點(diǎn)陣持續(xù)加熱。池子中持續(xù)注入液體，保持一定液體厚度。

通過加熱點(diǎn)陣上的點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)，支架上升打印出柱狀結(jié)構(gòu)（見圖3）。

實(shí)施例5：

通過點(diǎn)陣技術(shù)3D打印方法打印支柱結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例中使用的材料為酸銅，硫酸，氯化銅，聚乙二醇和雙（3-磺丙基）二硫化物的混合物。

條件：以電流引發(fā)反應(yīng)，氧氣為抑制劑，多孔膜采用特氟龍Teflon AF 2400，生成層厚度為1mm， 抑制層厚度為1mm，多孔膜厚度為200μm，支架上升速度為1mm/min，在點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)處發(fā)生電還原反應(yīng)。

池子注入液體，點(diǎn)陣開始加反應(yīng)，1分鐘后支架開始上升，點(diǎn)陣持續(xù)反應(yīng)。池子中持續(xù)注入液體，保持一定液體厚度。

通過給予點(diǎn)陣上的點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)直流電，支架上升，電解生成成致密的銅打印出柱子（見圖4）。

實(shí)施例6：

通過點(diǎn)陣技術(shù)3D打印方法打印網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例中使用的材料為三羥甲基丙烷三丙烯酸酯和鄰苯二甲酸丁芐酯混合物，通過加熱點(diǎn)陣上的點(diǎn)陣反應(yīng)引發(fā)點(diǎn)，支架上升打印出網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)（見圖5）。

條件：以過氧化酶為催化劑，氧氣為抑制劑，生成層厚度為1mm， 抑制層厚度為1mm，多孔膜厚度為200μm，支架上升速度為1mm/min，在點(diǎn)陣底下直接用加熱爐加熱（也可使用電控制加熱），加熱到80℃。

池子注入液體，點(diǎn)陣開始加熱，1分鐘后支架開始上升，點(diǎn)陣持續(xù)加熱。池子中持續(xù)注入液體，保持一定液體厚度。