專利名稱：成形裝置及成形方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種成形裝置及成形方法。
背景技術：
已知有用樹脂封裝材料包覆(封裝)半導體芯片(半導體元件)形成的半導體封裝件。半導體封裝件的封裝材料通過例如轉移成形等對樹脂組合物進行成形加工而得到。在制造該樹脂組合物的過程中，在一對軋輥間對該樹脂組合物進行加壓、制成片狀(例如可參見專利文獻I)。專利文獻I中記載的各軋輥，其外周面被認為通常由金屬材料構成。這樣，各軋輥的外周面由金屬材料構成時，在軋輥間對樹脂組合物進行加壓時，由于該樹脂組合物和各軋輥外周面之間的摩擦，從各外周面上會產生金屬粉。因此，存在會制造出金屬粉作為異物混入的樹脂組合物的問題。并且，在將混入有金屬粉的樹脂組合物用于半導體封裝件的封裝時，不能切實地使半導體芯片絕緣、進行封裝，半導體芯片會由于混入的金屬粉而出現短路。專利文獻I :日本特開2006-297701號公報

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種在對樹脂組合物進行加壓、使其成形為片狀時能切實地防止該樹脂組合物中混入金屬粉末的成形裝置及成形方法。上述目的通過下述(I) (12)的本發(fā)明來達到。( I) 一種成形裝置，具有并列設置的一對軋輥，在該對軋輥之間對樹脂組合物進行加壓，使其成形為片狀，其特征在于，所述各軋輥，其各自的至少外周面由陶瓷構成。(2)上述(I)所述的成形裝置，其中，所述各軋輥分別具有呈圓柱狀或圓筒狀的芯部和設置在該芯部的外周部、由所述陶瓷構成的外層。(3)上述(2)所述的成形裝置,其中，所述外層的厚度為O. 2 100mm。(4)上述(I) (3)中任一項所述的成形裝置，其中，所述陶瓷包含氧化物類陶瓷。(5)上述(I) (4)中任一項所述的成形裝置，其中，所述各軋輥的外周面的表面粗糙度Ra (按JIS B 0601中的定義)為O 2μπι。(6)上述(I) (5)中任一項所述的成形裝置，其中，所述一對軋輥安裝成彼此的軸間距離可變。(7)上述(I) (6)中任一項所述的成形裝置，其具有對在所述一對軋輥之間通過的所述樹脂組合物進行冷卻的冷卻手段。(8)上述(7)所述的成形裝置，其中，通過所述冷卻手段，所述各軋輥的外周面的表面溫度在20°C以下。(9)上述(I) (8)中任一項所述的成形裝置，其中，所述樹脂組合物為用混煉裝置混煉過的混煉物，所述一對軋輥設置在所述混煉裝置的排出所述混煉物的排出口的下游側。(10)上述(9)所述的成形裝置，其中，所述混煉裝置具有對所述混煉物進行脫氣的功能，通過所述一對軋輥，使所述脫氣后的混煉物成形為片狀。(11)上述(I) (9)中任一項所述的成形裝置，其中，所述樹脂組合物成為構成IC 封裝件的外封裝部的模塑部。( 12) 一種成形方法，其中，使用并列設置的一對軋輥，在該對軋輥之間對樹脂組合物進行加壓，使其成形為片狀，其特征在于，所述各軋輥的各自的至少外周面由陶瓷構成。


圖I是顯示樹脂組合物的制造工序的圖。圖2是本發(fā)明的成形裝置及其周邊裝置的部分截面?zhèn)纫晥D。圖3是圖2中所示成形裝置的軋輥的縱截面圖。圖4是顯示本發(fā)明的成形裝置的第2實施方式的側視圖。圖5是顯示本發(fā)明的成形裝置的第3實施方式的部分截面?zhèn)纫晥D。圖6是使用樹脂組合物的IC封裝件的部分截面圖。
具體實施例方式下面根據附圖中所示的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明的成形裝置及成形方法進行詳細說明。<第I實施方式>圖I是顯示樹脂組合物的制造工序的圖，圖2是本發(fā)明的成形裝置及其周邊裝置的部分截面?zhèn)纫晥D，圖3是圖2中所示成形裝置的軋輥的縱截面圖，圖6是使用樹脂組合物的IC封裝件的部分截面圖。此外，下面，根據說明需要，將圖2、圖5、圖6中的上側稱作 “上”、“上方”或“上游”，將下側稱作“下”、“下方”或“下游”。圖2所示的本發(fā)明的成形裝置I是一種在制造最終形成成形體的樹脂組合物時的片材化工序中使用的裝置。在說明該成形裝置I之前，首先對由原材料制造樹脂組合物為止的整個制造工序進行說明。首先，準備作為樹脂組合物的原材料的各種材料。原材料包括樹脂、固化劑和填充材料(無機粒子)(微粒)，還可根據需要含有固化促進劑和偶聯劑等。作為樹脂，優(yōu)選為環(huán)氧樹脂。作為環(huán)氧樹脂，例如可以是甲酚醛型、聯苯型、二環(huán)戊二烯型、三酚基甲烷型、多芳環(huán)型等。作為固化劑，例如可以是苯酚酚醛清漆型、苯酚芳烷基型、三酚基甲烷型、多芳環(huán)型等。作為填充材料，例如可以是熔融硅石(破碎狀、球狀)、結晶硅石、氧化鋁等。作為固化促進劑，例如可以是磷化合物、胺化合物等。
作為偶聯劑，例如可以是硅烷化合物等。原材料也可省略上述材料中的一定材料，此外，還可含有上述以外的材料。作為其他材料，例如可以是著色劑、脫模劑、低應力劑、阻燃劑等。(微粉碎)如圖I所示，對原材料中的一定材料，首先，用粉碎裝置粉碎(微粉碎)至規(guī)定的粒度分布。作為進行該粉碎的原材料，例如為樹脂、固化劑、固化促進劑等填充材料以外的原材料，但也可加入部分填充材料。此外，作為粉碎裝置，例如可以使用連續(xù)式旋轉球磨機等。(表面處理)可對原材料中的一定材料，例如，對全部或部分(剩余部分)填充材料實施表面處理。作為該表面處理，例如使偶聯劑等附著在填充材料的表面上。此外，上述微粉碎和表面處理可同時進行，也可先進行任何一方。(混合)接著，用混合裝置對上述各材料進行混合。作為該混合裝置，例如可以使用具有旋轉葉片的聞速混合機等。(混煉)接著，用混煉裝置100對上述混合后的材料進行混煉。作為該混煉裝置100，例如可以使用單軸型混煉擠出機、雙軸型混煉擠出機等擠出混煉機、混合輥等輥式混煉機。(脫氣)接著，對上述混煉后的混煉物(樹脂組合物)進行脫氣。該脫氣例如可通過與混煉裝置100的將上述混煉后的材料排出的排出口 101連接的真空泵(圖中未示出)來進行。(片材化)接著，用成形裝置I將上述脫氣后的混煉物(以下稱“混煉物Q1”)加工成形成片狀，得到片狀材料(以下稱“片材Q2”)。后面對成形裝置I進行詳述。(冷卻)
接著，用冷卻裝置對片材Q2進行冷卻。由此，在下一工序中可容易且切實地對片材Q2進行粉碎。(粉碎)接著，用粉碎裝置將片材Q2粉碎至規(guī)定的粒度分布，得到粉末狀材料。作為該粉碎裝置，例如可以使用錘磨機、刀式粉碎機、銷棒粉碎機等。(壓片)接著，用成形體制造裝置(壓片裝置)對上述粉末狀材料進行壓縮成形，可以得到呈成形體的樹脂組合物。如圖6所示，該樹脂組合物例如可用于半導體芯片(IC芯片)901的包覆(封裝)，形成構成半導體封裝件(IC封裝件)900的外封裝部的模塑部902。用該模塑部902可以保護半導體芯片901。此外，用樹脂組合物包覆半導體芯片901時，可以通過轉移成形等將樹脂組合物加工成形、用作封裝材料包覆半導體901的方法。在圖6所示結構的半導體封裝件 900中，多個引線架903從模塑部902突出，各引線架903分別通過例如金等具有導電性的金屬材料構成的電線904，與半導體芯片901電連接。此外，也可省略上述壓片工序，將粉末狀材料作為樹脂組合物。此時，例如可用壓縮成形、注射成形等對封裝材料進行成形。接著對成形裝置I進行說明。圖2所示的成形裝置I是用于實施本發(fā)明的成形方法的裝置。該成形裝置I設置在混煉裝置100的排出口 101的下游側。在成形裝置I中成形的片材Q2通過帶式輸送機 200輸送到下一工序。成形裝置I具有一對軋輥2a、2b。軋輥2a和2b被并列設置成水平上相互平行。 此外，軋輥2a和軋輥2b的中間位于混煉裝置100的排出口 101的垂直下方。由此，從混煉裝置100的排出口 101排出的混煉物Ql可以迅速通過軋輥2a和軋輥2b之間。這樣，混煉物Ql在通過軋輥2a和軋輥2b之間時，在該軋輥之間被加壓，成為片材Q2。此外，成形裝置I還具有對通過軋輥2a和2b之間的片材(混煉物Ql)進行冷卻的冷卻手段。通過同時對軋輥2a、2b進行冷卻，可以防止混煉物Ql附著到軋輥2a、2b上?！埞?a、2b的旋轉次數無特殊限制，例如優(yōu)選為I IOOrpm,更優(yōu)選為4 45rpm。此外，軋輥2a和軋輥2b的軸間距離p為恒定，此時，對軋輥2a和軋輥2b的空隙 g無特殊限制，例如優(yōu)選為O. 5 5mm,更優(yōu)選為I 3mm。軋輥2a和軋輥2b的結構基本相同，因此，下面以軋輥2a為代表進行說明。如圖2、圖3所示，軋輥2a呈圓筒狀，即，具有中空的芯部3和設置在芯部3的外周面31上的外層4。在芯部3的兩端部上分別形成有其外徑縮徑了的縮徑部32。各縮徑部32分別插入在軸承5中。此外，在軋輥2a的一方的端部側連接有電動機(圖中未示出)。由此，軋輥 2a可以旋轉。此外，作為芯部3的構成材料，無特殊限制，例如可以是不銹鋼等各種金屬材料。在芯部3的外周部31的除了形成有縮徑部32的部分以外的區(qū)域上設置有外層4。 外層4的外周面41將混煉物Ql壓碎，形成片材Q2。該外層4由陶瓷構成。作為陶瓷，無特殊限制，例如可以說氧化鋁、二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋯、氧化釔、磷酸鈣等氧化物陶瓷，氮化硅、氮化鋁、氮化鈦、氮化硼等氮化物陶瓷，碳化鎢等碳化物類陶瓷或者這些中的兩者以上任意組合而成的復合陶瓷。其中尤其優(yōu)選包含氧化物類陶瓷。外層4由這樣的陶瓷構成，由此，在使片材Q2成形時，片材Q2和外層4的外周面 41之間會產生摩擦，即使外周面41發(fā)生磨損，部分被磨削，其磨削掉的部分當然是陶瓷。而例如軋輥2的外周面為金屬制成的時候，使片材Q2成形時，由于上述那樣的磨損，從該外周面上會產生金屬粉末，形成混入了該金屬粉末的片材Q2。然而，在成形裝置I中，能切實防止這種金屬粉末混入片材Q2中，即使上述被磨削的陶瓷混入片材Q2中，該片材Q2仍能充分經受在半導體封裝件900的模塑部902中的使用。此外，通過使用氧化物類陶瓷，尤其是耐磨損性、絕緣性優(yōu)異的氧化鋁作為構成外層4的陶瓷，即使軋輥2a、2b的外周面41磨損，部分被磨削，仍能充分經受在半導體封裝件 900的模塑部902中的使用。此外,對外層4的厚度t無特殊限制,例如優(yōu)選為O. 2 100mm,更優(yōu)選為O. 3 40mm。通過將厚度t設定在該數值范圍內，能適宜地冷卻片材Q2而無過度或不足。例如，冷卻不充分時，存在片材Q2意外地貼附在外層4的外周面41上、難以從該外周面41上剝離之虞。此外，能切實防止正在對片材Q2進行加壓時外層4出現龜裂等破損。此外,對外層4的軋棍長度方向的長度L無特殊限制,例如優(yōu)選為300 1500mm, 更優(yōu)選為500 1000mm。此外，對軋棍2a的形成有外層4的部分的直徑Φ d無特殊限制,例如優(yōu)選在300mm 以上，更優(yōu)選為350 600_。此外，對外層4的外周面41的表面粗糙度Ra (按JIS B 0601中的定義)無特殊限制，例如優(yōu)選為O 2 μ m,更優(yōu)選為O I. 5 μ m。通過將表面粗糙度Ra設定在這樣的數值范圍內，可以切實地防止片材Q2意外地貼附在外層4的外周面41上，由此，片材Q2從外周面41上的剝離得以切實進行。冷卻手段6具有向軋輥2a、2b的芯部3的中空部33中分別供給制冷劑61的供給源(圖中未示出)。作為該供給源，例如可以由貯存制冷劑61的儲罐、連接儲罐和軋輥2a、2b 的芯部3的中空部33的連接管和輸送制冷劑61的泵構成?；鞜捨颭l由于在上述各工序中經過規(guī)定的裝置而被加熱。在成為片材Q2時，為了維持其形狀，優(yōu)選 用冷卻手段6對該片材Q2進行冷卻。此外，通過對片材Q2進行冷卻， 還具有防止其粘附到向下一冷卻工序進行輸送的輸送設備且下一工序中的冷卻操作的負擔減少的優(yōu)點。如圖3所示，制冷劑61在軋輥2a的中空部33中從其一端側(圖中的左側)向著另一端側(圖中的右側)通過(軋輥2b也相同)。由此，制冷劑61可以循環(huán)，從而能切實地將片材Q2冷卻。此外，通過冷卻手段6，軋輥2a、2b的外周面41的表面溫度優(yōu)選在20°C以下，更優(yōu)選為一 5 15°C。通過將表面溫度設定在該數值范圍內，可對片材Q2進行適宜的即無不足或過度的冷卻。此外，作為制冷劑，無特殊限制，例如可以是水、油、無機類鹽溶液、有機類鹽溶液
坐寸ο如圖2所示，成形裝置I具有分別配置在軋輥2a側及軋輥2b側的刮板7。各刮板 7的結構基本相同，因此，下面以軋輥2a側的刮板7為代表進行說明。刮板7用來刮取殘留在軋輥2a的外周面41上的混煉物Ql。該刮板7的材質例如由不銹鋼等金屬、陶瓷、樹脂等板材構成，但更優(yōu)選至少刮板7的表面為非金屬。此外，刮板7以可接近/離開軋輥2a的外周面41的方式得到支承。刮板7在接近軋輥2a的外周面41、進行接觸的狀態(tài)下，如上述那樣，可刮取混煉物Q1，在沒有此必要時，處于離開軋輥 2a的外周面41的狀態(tài)?！吹?實施方式>圖4是顯示本發(fā)明的成形裝置的第2實施方式的側視圖。下面參照該圖對本發(fā)明的成形裝置及成形方法的第2實施方式進行說明，但以與上述實施方式的不同點為中心進行說明，省略對同樣事項的說明。本實施方式除了軋輥之間的軸間距離被安裝成可變以外，與上述第I實施方式相同。在圖4所示的成形裝置I中，支承軋輥2a的臂8可在水平方向(圖4中的左右方向)上移動。由此，軋輥2a可接近/離開軋輥2b，因此，可以改變軋輥2a和軋輥2b彼此間的軸間距離P。通過這種結構，本實施方式的成形裝置I在使片材Q2成形時，容易將該片材 Q2加工成形成所希望的厚度。〈第3實施方式>圖5是顯示本發(fā)明的成形裝置的第3實施方式的部分截面?zhèn)纫晥D。下面參照該圖對本發(fā)明的成形裝置及成形方法的第3實施方式進行說明，但以與上述實施方式的不同點為中心進行說明，省略對同樣事項的說明。在混煉裝置100中，在排出口 101的中途設置有脫氣裝置300。脫氣裝置300具有外殼302、可旋轉自由地設置在外殼302內的轉子(封裝手段) 303和對外殼302的后述脫氣室3022進行減壓的減壓機構(減壓手段)304。外殼302設置在混煉裝置100的排出口 101的中途，具有通過混煉裝置100對混煉物Ql進行脫氣的脫 氣室3022及呈圓筒狀(筒狀)的筒狀部3023。筒狀部3023位于脫氣室3022的下側。在圖示的結構中，脫氣室3022呈其橫截面為四方形的筒狀。此外，將脫氣室3022 內的橫截面的面積設定成較管路3021內的橫截面的面積大。此外，當然也可將脫氣室3022 內的橫截面的面積設定成與管路3021內的橫截面的面積相等。在圖示的結構中，筒狀部3023為圓筒狀，呈其兩端部堵塞的形狀。在該筒狀部 3023內設置有可在圖5中的順時針方向自由旋轉的轉子303。脫氣室3022和脫氣室3022 的下游側之間被該轉子303密封。由此可容易且切實地對脫氣室3022進行減壓。此外，夕卜殼302的上游側被混煉裝置100內的混煉物Ql密封。轉子303具有將筒狀部3023內分隔成多個空間(在圖示的結構中為4個空間，即 231、232、233及234)的多個(在圖示的結構中為4個)隔板3031。各隔板3031以等間隔 (等角度間隔)，即，在圖示的結構中以90°間隔進行配置。該轉子303通過圖中未示出的電動機(驅動源)的運轉而旋轉。通過該轉子303的旋轉，混煉物Ql被隔板3031搬運到下游側。此外，在筒狀部3023的內周面和隔板3031的前端之間形成有間隙。由此，在轉子 303旋轉時，可以防止隔板3031的前端刮擦筒狀部3023的內周面，使構成隔板3031、筒狀部3023的材料的粉末(異物)混入到混煉物Ql中。上述間隙的大小，即筒狀部3023的內周面和隔板3031的前端間的間隙距離優(yōu)選在O. 2mm以下，更優(yōu)選在O. 01 O. Imm左右。由此，可以在防止泄漏的同時，防止隔板3031 刮擦筒狀部3023。對外殼302的構成材料無特殊限制,但優(yōu)選筒狀部3023的至少內周面由非金屬構成，更優(yōu)選外殼302的至少內周面由非金屬構成。此時，筒狀部3023也可整個由非金屬構成。此外，外殼302也可整個由非金屬構成。此外，對轉子303的構成材料無特殊限制，但優(yōu)選轉子303的至少表面由非金屬構成。此時,轉子303也可整個由非金屬構成。由此，脫氣時，可以防止混煉物Ql中混入金屬制成的異物(金屬異物)，在用制成的樹脂組合物封裝半導體芯片901時，可以防止短路等的發(fā)生。作為上述非金屬材料，無特殊限制，例如可以使用上述那樣的陶瓷。
減壓機構304具有連接在脫氣室3022 (連通到脫氣室3022內)上的管路3043、 通過管路3043對脫氣室3022進行減壓的泵3041和設置在脫氣室3022和泵3041間的閥 3042。對混煉物Ql進行脫氣時，打開閥3042，使泵3041運轉，對脫氣室3022內進行減壓。

對該脫氣時的減壓的程度(真空度)，即脫氣室3022內的壓力(氣壓)無特殊限制， 但優(yōu)選設定在60kPa以下,更優(yōu)選設定在50kPa以下,尤其優(yōu)選設定在50 30kPa左右。由此可以更切實地進行脫氣。接著，根據圖5對脫氣工序中的脫氣裝置300的作用進行說明。如上述那樣，脫氣裝置300的外殼302處于下述密封狀態(tài)，S卩，在筒狀部3023中， 脫氣室3022與脫氣室3022的下游側之間被轉子303的隔板3031密封。在對用混煉裝置100混煉過的混煉物Ql進行脫氣時，打開脫氣裝置300的閥 3042，使泵3041運轉，對脫氣室3022內進行減壓，使其成為減壓狀態(tài)，與此同時，通過使圖中未示出的電動機運轉而使轉子303旋轉。將脫氣室3022內減壓后，不僅該脫氣室3022 內，脫氣室3022的上側也被減壓，成為減壓狀態(tài)，此外，脫氣室3022下側的管路3021內及由連通管路3021的筒狀部3023內的隔板3031所分隔成的空間231也被減壓，成為減壓狀態(tài)?；鞜捨颭l導入(供給)到脫氣裝置300中后，會因自重(重力)而向下方移動，通過脫氣室3022及管路3021，被儲存到連通該管路3021的筒狀部3023內的空間231內，該空間231在連通管路3021的期間被脫氣。由此，從混煉物Ql中除去氣體(例如空氣等)、水分。 這樣，在用制成的樹脂組合物封裝半導體芯片901時，可以防止空洞(氣泡)的發(fā)生，提高半導體封裝件的可靠性?？臻g231內的混煉物Ql通過轉子303的旋轉，由隔板3031搬運，從其排出口 101 排出。上面就圖示的實施方式對本發(fā)明的成形裝置及成形方法進行了說明，但本發(fā)明并不局限于此，構成成形裝置的各部分可以置換成能發(fā)揮同樣功能的任意部件。此外，還可以附加任意的部件。此外，本發(fā)明的成形裝置及成形方法可以是組合了上述各實施方式中任意2個以上的結構(特征)的成形裝置及成形方法。此外，本發(fā)明的成形裝置的各軋輥分別具有芯部和外層，該外層由陶瓷構成，但并不局限于此，也可整個軋輥由陶瓷構成。此外，本發(fā)明的成形裝置的各軋輥的各自的芯部呈圓筒狀，但并不局限于此，例如，芯部也可呈圓柱狀，即，芯部為實體。根據本發(fā)明，在對樹脂組合物進行加壓、使其成形為片狀時，即使該樹脂組合物和各軋輥的外周面之間產生摩擦，外周面發(fā)生磨損，部分被磨削，該磨削的部分當然也是陶瓷。與此相對，例如各軋輥的外周面為金屬制成的時候，在對樹脂組合物進行成形時，由于上述磨損，從該外周面上會產生金屬粉末，形成混入了該金屬粉末的樹脂組合物。然而，在本發(fā)明中，能切實地防止這樣的金屬粉末混入樹脂組合物中，而且，即使上述磨削的陶瓷混入樹脂組合物中，該樹脂組合物也能充分經受使用。因此，本發(fā)明具有產業(yè)上應用的可能性。
權利要求
1.成形裝置，具有并列設置的一對軋輥，在該對軋輥之間對樹脂組合物進行加壓，使其成形為片狀，其特征在于， 所述各軋輥的各自的至少外周面由陶瓷構成。
2.根據權利要求I所述的成形裝置，其特征在于，所述各軋輥分別具有呈圓柱狀或圓筒狀的芯部和設置在該芯部的外周部上、由所述陶瓷構成的外層。
3.根據權利要求2所述的成形裝置，其特征在于，所述外層的厚度為0.2 100_。
4.根據權利要求I 3中任一項所述的成形裝置，其特征在于，所述陶瓷包含氧化物類陶瓷。
5.根據權利要求I 4中任一項所述的成形裝置，其特征在于，所述各軋輥的外周面的表面粗糙度Ra (按JIS B 0601中的定義)為0 2iim。
6.根據權利要求I 5中任一項所述的成形裝置，其特征在于，所述一對軋輥的彼此的軸間距離被安裝成可變。
7.根據權利要求I 6中任一項所述的成形裝置，其特征在于，具有對在所述一對軋輥之間通過的所述樹脂組合物進行冷卻的冷卻手段。
8.根據權利要求7所述的成形裝置，其特征在于，通過所述冷卻手段，所述各軋輥的外周面的表面溫度在20°C以下。
9.根據權利要求I 8中任一項所述的成形裝置，其特征在于，所述樹脂組合物為用混煉裝置混煉過的混煉物， 所述一對軋輥設置在所述混煉裝置的排出所述混煉物的排出口的下游側。
10.根據權利要求9所述的成形裝置，其特征在于，所述混煉裝置具有對所述混煉物進行脫氣的功能， 通過所述一對軋輥，使所述脫氣后的混煉物成形為片狀。
11.根據權利要求I 9中任一項所述的成形裝置，其特征在于，所述樹脂組合物形成構成IC封裝件的外封裝部的模塑部。
12.成形方法，在該方法中，使用并列設置的一對軋輥，在該對軋輥之間對樹脂組合物進行加壓，使其成形為片狀，其特征在于， 所述各軋輥的各自的至少外周面由陶瓷構成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種成形裝置，包括并列設置的一對軋輥，在一對軋輥間對樹脂組合物進行加壓，使其成形為片狀。該成形裝置的各軋輥分別具有形成為圓柱狀或圓筒狀的芯部和設置在芯部的外周部、由包含氧化物類陶瓷的陶瓷構成的厚0.2～100mm的外層。此外，各軋輥的各自的外層的表面粗糙度Ra(按JIS B 0601中的定義)為0～2μm。
文檔編號B29B9/04GK102712114SQ201180006223
公開日2012年10月3日 申請日期2011年2月21日 優(yōu)先權日2010年3月3日
發(fā)明者住吉孝文, 野田和男 申請人:住友電木株式會社