一種具有防靜電功能的新型uv切割膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種具有防靜電功能的新型UV切割膜。
【背景技術(shù)】
[0002]在制造半導(dǎo)體及LED封裝的工序中，當(dāng)切斷半導(dǎo)體晶片或LED產(chǎn)品部件時(shí)一般需要使用切割膜。該切割膜主要通過(guò)粘貼半導(dǎo)體晶片或LED產(chǎn)品部件來(lái)作為支撐，再通切割設(shè)備(如設(shè)備廠商=Disco會(huì)社，東京精密會(huì)社等)進(jìn)行切割和分離，部分產(chǎn)品需對(duì)該切割膜進(jìn)行擴(kuò)展等；再?gòu)哪ど鲜叭』騽冸x切割后的產(chǎn)品。
[0003]然而，在產(chǎn)品的貼膜、搬運(yùn)以及切割等環(huán)節(jié)中，特別是后期產(chǎn)品的切割后撿取芯片的過(guò)程中都十分容易產(chǎn)生靜電，這種靜電會(huì)對(duì)芯片的性能造成一定程度的損傷，從而導(dǎo)致后續(xù)產(chǎn)品測(cè)試中良率的降低。
[0004]目前，現(xiàn)有的做法是在晶粒撿取設(shè)備上加裝離子防靜電風(fēng)機(jī)，從而通過(guò)離子風(fēng)來(lái)消散產(chǎn)生的靜電，同時(shí)采用具有防靜電性能的膠帶來(lái)切割，即在基材膜制備或膠粘劑中添加多種抗靜電的材料來(lái)達(dá)到防靜電的效果。但是，由于制膜工藝較為復(fù)雜且防靜電性能不穩(wěn)定，同時(shí)由于添加的材料會(huì)影響基材膜和膠粘劑的一些基本性能，從而導(dǎo)致膠帶切割產(chǎn)品時(shí)出現(xiàn)殘膠或拉絲等異常情況，進(jìn)而影響產(chǎn)品的良率；同時(shí)離子防靜電風(fēng)機(jī)的成本較為昂貴，從而導(dǎo)致成產(chǎn)成本的提高。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]為了解決上述的靜電問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種具有防靜電功能的新型UV切割膜，具備加工簡(jiǎn)單、防靜電效果好以及延展性好等優(yōu)點(diǎn)。
[0006]上述的一種具有防靜電功能的新型UV切割膜，包括基材膜層、UV膠粘膜層以及離型膜層，所述基材膜層貼合于UV膠粘膜層的上表面，所述離型膜層貼合于UV膠粘膜層的下表面；其中，所述基材膜層的上表面覆蓋有抗靜電涂層，所述抗靜電涂層由防靜電涂布液構(gòu)成且厚度為0.001?0.004mm。
[0007]上述結(jié)構(gòu)中，所述基材膜層的厚度為0.07?0.1mm。
[0008]上述結(jié)構(gòu)中，所述UV膠粘膜層的電阻值為10nQ/Sq?1012Q/Sq。
[0009]上述結(jié)構(gòu)中，所述離型膜層為PET離型膜。
[0010]上述結(jié)構(gòu)中，所述離型膜層的厚度為0.025?0.045mm。
[0011]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和有益效果在于:本實(shí)用新型提供了一種具有防靜電功能的新型UV切割膜，通過(guò)在基材膜層的表面噴涂一層0.001?0.004mm厚的防靜電涂層，使得基材膜層的表面電阻率達(dá)到106Q/Sq?108Q/Sq，從而降低了晶圓切割撿取晶粒時(shí)產(chǎn)生靜電的可能性，進(jìn)而避免了對(duì)芯片損傷的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)具備了加工簡(jiǎn)單和延展性好等優(yōu)點(diǎn)，并最終達(dá)到了提高產(chǎn)品良率和降低生產(chǎn)成本等目的。
【附圖說(shuō)明】
[0012]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0013]圖1是本實(shí)用新型中新型UV切割膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而不能以此來(lái)限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0015]如圖1所示，本實(shí)用新型記載了一種具有防靜電功能的新型UV切割膜，包括基材膜層2、UV膠粘膜層3以及離型膜層4。
[0016]其中，上述的基材膜層2貼合于UV膠粘膜層3的上表面，而離型膜層4則貼合于UV膠粘膜層3的下表面；
[0017]優(yōu)選的，上述基材膜層2的厚度為0.07?0.1mm且采用的是現(xiàn)有的PVC薄膜，其主要成分為低密度聚乙烯和聚氯乙烯等。該P(yáng)CV薄膜具有良好的延展性和一定的抗靜電性能；同時(shí)，UV膠粘膜層3主要是由多組分溶劑型丙烯酸壓敏膠、UV單體或UV低聚物、光引發(fā)劑和固化劑混合制成，且其電阻值為ΙΟΙΙΩ/sq?1012D/Sq;此外，離型膜層4采用了現(xiàn)有的PET離型膜，該P(yáng)ET離型膜通用的有單面硅PET和單面氟素PET等，且其厚度為0.025 ?0.045mm。
[0018]進(jìn)一步的，為了達(dá)到良好的防靜電效果，所以在基材膜層2的上表面覆蓋有抗靜電涂層I，該抗靜電涂層I主要由防靜電涂布液構(gòu)成，且厚度為0.001?0.004mm。
[0019]在實(shí)際使用中，首先將膠粘劑涂布在機(jī)臺(tái)上，并基材膜層2的下表面涂布一層UV膠粘劑，從而形成UV膠粘膜層3 ;
[0020]然后，再通過(guò)配套的設(shè)備把UV膠粘膜層3的膠層面與離型膜復(fù)合成卷，以便形成離型膜層4 ;
[0021]最后，采用噴霧涂布的方式將防靜電涂布液均勻噴在基材膜層2的上表面，從而在基材膜層2的上表面形成一層較薄的抗靜電涂層I。該噴霧涂布工藝的優(yōu)點(diǎn)在于，利用較低的涂布量即可實(shí)現(xiàn)對(duì)原基材膜層2上表面的良好覆蓋，且噴涂的厚度可以根據(jù)噴涂的材料而控制在2um左右。
[0022]經(jīng)實(shí)際檢測(cè)，本實(shí)用新型中新型UV切割膜的表面阻值可以達(dá)到106D/Sq?108 Ω /sq,而UV膠粘膜層3的電阻值則可以達(dá)到1011 Ω /sq?1012 Ω /sq，可以有效避免靜電的產(chǎn)生。
[0023]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有防靜電功能的新型UV切割膜，包括基材膜層、UV膠粘膜層以及離型膜層，所述基材膜層貼合于UV膠粘膜層的上表面，所述離型膜層貼合于UV膠粘膜層的下表面；其特征在于，所述基材膜層的上表面覆蓋有抗靜電涂層，所述抗靜電涂層由防靜電涂布液構(gòu)成且厚度為0.0Ol?0.004mm。
2.如權(quán)利要求1所述的一種具有防靜電功能的新型UV切割膜，其特征在于，所述基材膜層的厚度為0.07?0.1mm0
3.如權(quán)利要求1所述的一種具有防靜電功能的新型UV切割膜，其特征在于，所述UV膠粘膜層的電阻值為111 Ω /sq?112 Ω/sqo
4.如權(quán)利要求1所述的一種具有防靜電功能的新型UV切割膜，其特征在于，所述離型膜層為PET離型膜。
5.如權(quán)利要求4所述的一種具有防靜電功能的新型UV切割膜，其特征在于，所述離型膜層的厚度為0.025?0.045mm。
【專利摘要】本實(shí)用新型記載了一種具有防靜電功能的新型UV切割膜，包括基材膜層、UV膠粘膜層以及離型膜層，且基材膜層貼合于UV膠粘膜層的上表面，而離型膜層貼合于UV膠粘膜層的下表面；其中，在基材膜層的上表面覆蓋有抗靜電涂層，該抗靜電涂層由防靜電涂布液構(gòu)成且厚度為0.001～0.004mm。由于采用了上述技術(shù)，即本實(shí)用新型通過(guò)在基材膜層的表面噴涂一層0.001～0.004mm厚的防靜電涂層，使得基材膜層的表面電阻率達(dá)到106Ω/sq～108Ω/sq，從而降低了晶圓切割撿取晶粒時(shí)產(chǎn)生靜電的可能性，進(jìn)而避免了對(duì)芯片損傷的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)具備了加工簡(jiǎn)單和延展性好等優(yōu)點(diǎn)，并最終達(dá)到了提高產(chǎn)品良率和降低生產(chǎn)成本等目的。
【IPC分類】C09J7-02, H01L21-683
【公開(kāi)號(hào)】CN204569803
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520242283
【發(fā)明人】王成
【申請(qǐng)人】上海東煦電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月19日
【申請(qǐng)日】2015年4月20日