輪連施例 陽106] 對(duì)于實(shí)施例和對(duì)比實(shí)施例的切割晶片粘合膜的物理性能，通過下述方法來評(píng)估， 其結(jié)果示于下表3中。
[0107][實(shí)驗(yàn)實(shí)施例1:粘結(jié)劑的儲(chǔ)能模量]
[0108] 如在實(shí)施例和對(duì)比實(shí)施例的[切割膜的制造]的描述，將形成于已離型處理的陽T 膜（厚度為38μπι)的、厚度為ΙΟμπι的各粘結(jié)劑，層壓在已離型處理的陽T膜（厚度為 38μm)，之后使用已老化的樣品來堆疊幾張粘合層，由此制造了厚度為1mm的粘結(jié)劑樣品。
[0109] 將上述制造的厚度為1mm的測試樣品切割成矩形形狀（17mmX5mm)，之后在頻 率為IHz、預(yù)負(fù)載力為0.01N和升溫速率為10°C/min的條件下，使用動(dòng)態(tài)機(jī)械分析儀 值ynamicMechanicalAnalysis,DMA:TAinstrument公司）來測量了從 30°C至 150°C的 儲(chǔ)能模量。在30°C和80°C下測量的粘結(jié)劑的各儲(chǔ)能模量（Pa)示于下表3中。
[0110] [實(shí)驗(yàn)實(shí)施例2 :粘結(jié)劑的交聯(lián)度] 陽111] 將從樣品中取出，所述樣品是通過如下方式獲得的：將形成于已離型處理且厚度 為lOum的粘結(jié)劑層層壓于已離型處理的PET的粘結(jié)劑層，之后進(jìn)行老化，從該樣品中僅取 出0.5g的（a)粘結(jié)劑層，并將其浸入于溶劑（200g的乙酸乙醋）中一天。然后，在測量篩 目線網(wǎng)（meshwirenet)的重量后，將含有粘結(jié)劑層的溶劑通過200篩目線網(wǎng)（C)過濾，并 在80°C下干燥1小時(shí)，然后測量了干燥后溶劑和篩目線網(wǎng)的重量化）。
[0112] 接著，通過W下方程式測量交聯(lián)度，并示于下表3中。
[0113] 交聯(lián)度（％) = [(干燥后粘結(jié)劑和纖維的重量b-線網(wǎng)的重量C)/(初始重量 a)]X100
[0114][實(shí)驗(yàn)實(shí)施例3:粘合力的測量]
[0115] 將在實(shí)施例和對(duì)比實(shí)施例中所制造的切割晶片粘合膜切割成寬度為25mm，然后將 強(qiáng)度為300mJ/cm2(照度為70mW/cm2)的紫外線照射于切割膜的基底表面，由此制造了測量 粘合力的樣品。
[0116] 從制備的樣品，測定了在切割過程中W180度的角度和300mm/s的速度的條件剝 離晶片粘合膜時(shí)所需的能量（gf/25mm)，其結(jié)果示于下表3中。
[0117][實(shí)驗(yàn)實(shí)施例4 :拾取能力]
[0118] 將在實(shí)施例和對(duì)比實(shí)施例中所制造的切割晶片粘合膜的離型膜剝離后，在60°C下 將晶片結(jié)合表面安裝于鏡面晶圓（8寸，厚度為80μπι)中，然后在下列條件下進(jìn)行切割過 程，W具有l(wèi)OmmX10mm的晶片尺寸。
[0119] 通過強(qiáng)度為300mJ/cm2(照度為70mW/cm2)紫外線照射于已切割的切割膜的基底表 面，由此制造了測量拾取能力的樣品。
[0120] 通過使用SPA-400 (SHINKAWA)設(shè)備來在下列條件下拾取了所制備的樣品，并測量 其成功率，然后測量其結(jié)果，示于下表3中。 陽121]-切割條件-
[0122]設(shè)備：D抑-650值ISCO) 陽123] 刀片類型：27肥BB值ISCO)
[0124] 切割刀片高度（切割深度）：80 μπι 陽125] 切割速度：50mm/s 陽126] 刀片速度：40, 000巧m
[0127]-拾取條件-
[0128]設(shè)備：SPA-400 (SHINKAWA) 陽1巧]擴(kuò)展高度：3mm 陽130]針數(shù)：10
[0131] 針插高度：0. aim
[0132]針插速度：10mm/s
[0133][表引 陽134]
[0135] 從上表3中可W確認(rèn)，實(shí)施例1至5的粘合層在30°C下的儲(chǔ)能模量為3. 0*105至 2. 0*10申曰，在80°C下的儲(chǔ)能模量為1. 0*10申aW上，交聯(lián)度為80%至99%，因此，當(dāng)剝離粘 合層和粘合層時(shí)，薄型化的晶片沒有受損且拾取能力提高。
[0136] 同時(shí)可W確認(rèn)到，對(duì)比實(shí)施例1和2的粘合層具有過低的粘結(jié)劑的交聯(lián)度（對(duì)比 實(shí)施例1)，在30°C下具有過高的儲(chǔ)能模量（對(duì)比實(shí)施例2)，從而使得拾取的成功率為70% W下。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種切割膜，其包含：基底膜；和粘合層，其中： 所述粘合層的儲(chǔ)能模量在30°c下為3. 0*105至4. 0*10 6Pa，且所述粘合層的交聯(lián)度為 80%至 99%。2. 權(quán)利要求1所述的切割膜，其中： 所述粘合層的儲(chǔ)能模量在80°C下為1. 0*105Pa以上。3. 權(quán)利要求1所述的切割膜，其中： 所述粘合層包含粘結(jié)樹脂、光引發(fā)劑、光引發(fā)劑和交聯(lián)劑。4. 權(quán)利要求3所述的切割膜，其中： 所述粘結(jié)樹脂包括玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為_28°C至_58°C的（甲基）丙烯酸酯類樹脂。5. 權(quán)利要求3所述的切割膜，其中： 所述交聯(lián)劑包括選自異氰酸酯類化合物、氮丙啶類化合物、環(huán)氧類化合物和金屬螯合 物類化合物中的一種以上化合物。6. 權(quán)利要求3所述的切割膜，其中： 所述粘合層包含〇. 1至20重量份的光引發(fā)劑和0. 1至40重量份的交聯(lián)劑，基于100 重量份的粘結(jié)樹脂計(jì)。7. 權(quán)利要求1所述的切割膜，其中： 所述基底膜為選自聚烯烴膜、聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚四氟乙烯膜、聚丁烯 膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-丙烯共聚物膜，以及 乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物膜中的一種聚合物膜。8. 權(quán)利要求1所述的切割膜，其中： 所述基底膜的厚度為10μm至200μm， 所述粘合層的厚度為5μm至100μm。9. 一種切割晶片粘合膜，其包括： 權(quán)利要求1所述的切割膜；以及形成于所述切割膜的至少一個(gè)表面的粘合層。10. 權(quán)利要求9所述的切割晶片粘合膜，其中： 所述粘合層包含熱塑性樹脂、環(huán)氧樹脂和固化劑。11. 權(quán)利要求9所述的切割晶片粘合膜，其中： 所述熱塑性樹脂包括選自聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酯酰亞胺、聚酰胺、聚醚砜、聚醚 酮、聚烯烴、聚氯乙烯、苯氧基樹脂、反應(yīng)性丁二烯丙烯腈共聚物橡膠和（甲基）丙烯酸酯類 樹脂中的一種以上聚合物樹脂。12. 權(quán)利要求9所述的切割晶片粘合膜，其中： 所述固化劑包含選自酚醛樹脂、胺類固化劑和酸酐類固化劑中的一種以上化合物。13. 權(quán)利要求9所述的切割晶片粘合膜，其中： 所述粘合層包含10至1000重量份的熱塑性樹脂和10至700重量份的固化劑，基于 100重量份的環(huán)氧樹脂計(jì)。14. 權(quán)利要求9所述的切割晶片粘合膜，其中： 所述粘合層可包含選自磷類化合物、硼類化合物、磷-硼類化合物和咪唑類化合物中 的一種以上固化催化劑。15. 權(quán)利要求9所述的切割晶片粘合膜，其中： 所述粘合層的厚度為1μm至300μm。16. -種半導(dǎo)體晶圓的切割方法，其包括： 通過對(duì)包括權(quán)利要求9的切割晶片粘合膜和堆疊在所述切割晶片粘合膜的至少一個(gè) 表面的晶圓的所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行部分預(yù)處理，從而使得半導(dǎo)體晶圓被完全切割或可切 割； 向已預(yù)處理的半導(dǎo)體晶圓的基底膜照射紫外線，并拾取通過半導(dǎo)體晶圓的切割來分離 的單個(gè)晶片。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種切割膜，其包括:基底膜；和粘合層，其中所述粘合層的儲(chǔ)能模量在30℃下為3.0*105至4.0*106Pa，所述粘合層的交聯(lián)度為80％至99％，還涉及一種包括所述切割膜的切割晶片粘合膜、及使用所述切割晶片粘合膜的半導(dǎo)體晶圓的切割方法。
【IPC分類】C09J133/04, C09J163/00, H01L21/301, C09J7/02
【公開號(hào)】CN105264033
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480031647
【發(fā)明人】S·R·金, 曹正鎬, 金榮國, 金熹正, 李光珠, 金丁鶴, 南承希
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社Lg化學(xué)
【公開日】2016年1月20日
【申請(qǐng)日】2014年12月29日
【公告號(hào)】US20160060489