為半導(dǎo)體材料摻雜Cr³⁺的方案已為吾人所知。如此對(duì)AgCl晶體進(jìn)行摻雜，例如以便實(shí)現(xiàn)線性發(fā)射(Kunze,I和P.Müller，“Relaxation von Fehlstellendipolen in AgCl-Kristallen II.Ergebnisse an AgCl:Ti³⁺,AgCl:V³⁺und AgCl:Cr³⁺”，physica Status solidi(b)38.1(1970):271-276)。并且已在最低溫度下為Al₂O₃摻雜Cr³⁺，以對(duì)交叉弛豫進(jìn)行研究(Cremer,R.，“Untersuchung der Kreuzrelaxation von Cr³⁺-Ionen in Al₂O₃”，physica Status solidi(b)42.2(1970):507-521)。

還已知目前具有紅外區(qū)內(nèi)的線性發(fā)射的紅外線LED。

US 2010/0320480A1描述了一種用于紅外線LED的離子轉(zhuǎn)換器材料。

WO 2012/159556A1描述了一種粉末狀的離子LED材料。

WO 2013/169364A1描述了離子尖晶石的微生物式制備。

本發(fā)明的目的在于提供一種技術(shù)，通過所述技術(shù)可以提供具有紅外區(qū)內(nèi)的寬帶發(fā)射的高效光源。

在第一實(shí)施方案中，通過一種實(shí)現(xiàn)紅外區(qū)內(nèi)的寬帶光發(fā)射的光發(fā)射裝置實(shí)現(xiàn)本發(fā)明所基于的目的，所述光發(fā)射裝置包括光發(fā)射部件和發(fā)光體，所述發(fā)光體能夠吸收由光發(fā)射部件發(fā)出的光的一部分，并且發(fā)出波長與被吸收的光不同的光，其中

a)主晶格中的發(fā)光體具有至少一種非鉻的金屬元素或半導(dǎo)體元素，

b)發(fā)光體的至少一種金屬元素或半導(dǎo)體元素的原子的0.1至10摩爾％被鉻取代，以及

c)發(fā)光體是選自硼酸鹽、鋁酸鹽、鎵酸鹽、鍺酸鹽、釩酸鹽、氮氧化物、硫化物、硅酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽、鉬酸鹽、鎢酸鹽、氧化物或其混合物的半導(dǎo)體物質(zhì)。

事實(shí)表明，借此能夠首次實(shí)現(xiàn)近紅外區(qū)內(nèi)的寬帶光源。

光發(fā)射裝置優(yōu)選為LED(發(fā)光二極管)。

在本文中未就特征作另行描述的情況下，光發(fā)射裝置優(yōu)選如EP 0 936 682所述設(shè)置。

發(fā)光體

在發(fā)光體中優(yōu)選存在至少75摩爾％的Al(鋁)金屬原子。發(fā)光體優(yōu)選為硼酸鹽或者鋁酸鹽。

優(yōu)選地，發(fā)光體的至少一種金屬元素或半導(dǎo)體元素的原子的0.5至3摩爾％被鉻取代，特別優(yōu)選地，僅Al原子被鉻取代。

鉻優(yōu)選以3+的氧化態(tài)存在。這是非常適合的，因?yàn)樽鳛?例如鋁酸鹽或者鎵酸鹽中的)活化劑離子，鉻呈現(xiàn)較高的PL量子產(chǎn)率，此外作為[Ar]3d³離子，其具有的能級(jí)圖一方面優(yōu)先采用近紅外區(qū)內(nèi)的發(fā)射過渡，另一方面能夠借助晶場(chǎng)強(qiáng)度D_q和Racah參數(shù)B(共價(jià)特性)對(duì)這些過渡進(jìn)行良好的調(diào)節(jié)。對(duì)于近紅外區(qū)內(nèi)的寬帶發(fā)射(例如⁴T_2g-⁴A_2g)而言，例如特別需要Cr³⁺發(fā)光體，其中Cr³⁺位于具有弱晶場(chǎng)的位置上，例如四面體位置。

本發(fā)明意外發(fā)現(xiàn)，一些經(jīng)Cr³⁺摻雜的輻射轉(zhuǎn)換器，例如YAl₃(BO₃)₄:Cr和GdAl₃(BO₃)₄:Cr，僅具有非常小的熱淬滅，這對(duì)半導(dǎo)體LED中的應(yīng)用而言有重要意義，因?yàn)樾酒瑴囟茸罡呖梢赃_(dá)到200℃。而具有更小熱淬滅溫度的發(fā)光體則可能不適于應(yīng)用在這些LED中。為了進(jìn)行說明，圖21顯示了d³系統(tǒng)(例如Cr³⁺[Ar]3d³)的Tanabe-Sugano圖。

發(fā)光體的工作溫度優(yōu)選為10℃至400℃。

發(fā)光體優(yōu)選具有以下公式

M¹_mM²_n(M³_oCr_p)_qA_r(公式I)

其中M¹為堿土金屬、過渡金屬或者鑭系元素，

其中M²為堿土金屬，

其中M³為Al、Ga、In、Ge或者Sc，

其中A為陰離子，

其中m為1至2的數(shù)值，

其中n為0至1的數(shù)值，

其中o為0.9至0.999的數(shù)值，

其中p為0.001至1的數(shù)值，

其中q為2至15的數(shù)值，以及

其中r為3至20的數(shù)值。

陰離子優(yōu)選具有-2的電荷。陰離子優(yōu)選選自硼酸根或者氧。

M¹優(yōu)選選自Gd、Y、Lu、Ca、Sr、La或者Ba。

M²優(yōu)選為Mg。數(shù)值n例如可以是1。

發(fā)光體優(yōu)選選自YAl₃(BO₃)₄、LaAl₃(BO₃)₄、GdAl₃(BO₃)₄、LuAl₃(BO₃)₄、YGa₃(BO₃)₄、LaGa₃(BO₃)₄、GdGa₃(BO₃)₄、LuGa₃(BO₃)₄、YIn₃(BO₃)₄、LaIn₃(BO₃)₄、GdIn₃(BO₃)₄、LuIn₃(BO₃)₄、YSc₃(BO₃)₄、LaSc₃(BO₃)₄、GdSc₃(BO₃)₄、LuSc₃(BO₃)₄、SrAl₁₂O₁₉、CaAl₁₂O₁₉、BaAl₁₂O₁₉、LaMgAl₁₁O₁₉、Zn₃Ga₂Ge₄O₁₄、La₃Ga₅GeO₁₄、La₅Ga₅SiO₁₄、LiInGeO₄、Mg₂SiO₄、Al₂MoO₆、Al₂Mo₂O₉、Al₂Mo₃O₁₂、Al₂WO₆、Al₂W₂O₉、Al₂W₃O₁₂、Sc₂MoO₆、Sc₂Mo₂O₉、Sc₂Mo₃O₁₂、Sc₂WO₆、Sc₂W₂O₉、Sc₂W₃O₁₂，其中上述所有物質(zhì)均摻雜有0.1至10摩爾％的鉻。

優(yōu)選通過處于250至750nm范圍內(nèi)，特別是處于400至650nm范圍內(nèi)的輻射激發(fā)發(fā)光體。

發(fā)光體優(yōu)選存在于光發(fā)射裝置的發(fā)光轉(zhuǎn)換屏(例如粉末層、陶瓷、玻璃陶瓷、單晶或者粉末-聚合物復(fù)合物)內(nèi)。所述發(fā)光轉(zhuǎn)換屏可以是LED的部件。

發(fā)光體例如用于將光發(fā)射部件的光譜(具有例如300至500nm的輻射)轉(zhuǎn)換成寬帶近紅外光譜。

發(fā)光體優(yōu)選以粒子形式存在。中值粒徑d50優(yōu)選為1至20μm，特別優(yōu)選為5至8μm?？梢越柚す馍⑸錅y(cè)量粒徑。如果直徑更小，則轉(zhuǎn)換效率可能會(huì)降低。

發(fā)光體優(yōu)選具有針對(duì)高輻射功率的較高穩(wěn)定性。單位為瓦特的輻射功率Φ根據(jù)DIN 5031-1被描述為輻射能量Q與時(shí)間t的商：

由于LED與激光二極管相似是接近點(diǎn)狀的輻射器，可以無需考慮立體角。舉例而言，OSRAM的用于投影應(yīng)用的高功率LED(LE B P3W-GYHX-24)具有21000至33000mW的輻射功率(I_F＝6000mA)?？梢酝ㄟ^功率測(cè)試儀確定所述特征值。

優(yōu)選地，發(fā)光體具有針對(duì)高輻射功率的一定程度的穩(wěn)定性，使得在耐久試驗(yàn)中，發(fā)光體在操作1000小時(shí)之后的亮度降低不超過初始功率的20％。例如可以按照已知的方法，在85℃和85％空氣濕度下，在持續(xù)負(fù)荷下以1W的輻射功率進(jìn)行所述穩(wěn)定性測(cè)量(還參閱I.H.Cho，G.Anoop，D.W.Suh，S.J.Lee，J.S.Yoo，On the stability and reliability of Sr1-xBaxSi202N2:Eu2+phosphors for white LED applications,Opt.Mater.Express.2(2012)1292-1305.doi:10.1364/OME.2.001292)。

發(fā)光體優(yōu)選具有耐化學(xué)性，特別是也具有針對(duì)水和CO₂的耐受性。例如在80℃和80％空氣濕度下借助穩(wěn)定性測(cè)試對(duì)轉(zhuǎn)換材料的耐受性以及整個(gè)成品LED進(jìn)行長期檢測(cè)，并對(duì)測(cè)試時(shí)間范圍內(nèi)的影響進(jìn)行評(píng)估。優(yōu)選地，在浸入5重量％的鹽酸中兩天之后輻射功率不下降。

發(fā)光體優(yōu)選在光發(fā)射部件的發(fā)射峰值中具有較高的吸收率。在激發(fā)元素的光發(fā)射的波長范圍內(nèi)，發(fā)光體的反射率優(yōu)選為75％至5％，特別優(yōu)選為30％至5％。粉末反射的特征例如在于粒子上的漫散射，因此必須在烏布里希球中測(cè)量反射率以進(jìn)行確定，從而排除角度相關(guān)效應(yīng)。為了進(jìn)行測(cè)量，例如對(duì)激發(fā)單色儀和發(fā)射單色儀進(jìn)行同步調(diào)諧，并且將試樣的光譜除以白度標(biāo)樣(BaSO₄)的光譜(參閱Lumineszenzeigenschaften von Eu3+dotierten Wolframaten，Helga Bettentrup的論文，Osnabrück大學(xué)，Steinfurt，2009年10月)。

通常適用A+T+R＝1，其中A表示吸收率，T表示透射率，R表示反射率。

優(yōu)選地，發(fā)光體具有30％至100％，優(yōu)選80％至100％的量子產(chǎn)率。量子產(chǎn)率依據(jù)DIN 5031-9確定，其中發(fā)光量子產(chǎn)率η_Ρ為

其中Φ_Ρ(em)為發(fā)射的光子，Φ_Ρ(abs)為吸收的光子。

在光發(fā)射裝置內(nèi)優(yōu)選存在不同于第一發(fā)光體的至少一種另外的發(fā)光體。所述至少一種另外的發(fā)光體優(yōu)選為鋁酸鹽、石榴石、硅酸鹽、氮化物或者氮氧化物。所述至少一種另外的發(fā)光體發(fā)射優(yōu)選處于400至1800nm范圍內(nèi)的光。特別優(yōu)選地，存在至少兩種另外的發(fā)光體。

圖23示例性顯示了由黃色石榴石發(fā)光體、紅色氮化物發(fā)光體和本發(fā)明要求保護(hù)的近紅外發(fā)光體制備的發(fā)光體轉(zhuǎn)換的LED的發(fā)射光譜。

主晶格

發(fā)光體的主晶格優(yōu)選共價(jià)。共價(jià)特性或者電子云擴(kuò)展效應(yīng)例如可以通過電負(fù)差描述。

發(fā)光體的主晶格中的電負(fù)差Δ_X優(yōu)選為0至1.5?？梢杂贸Ｒ姷姆椒ù_定所述電負(fù)差(參閱L.Pauling，The Nature of the Chemical Bond and the Structure of Molecules and Crystals:An Introduction to Modern Structural Chemistry，康奈爾大學(xué)出版社，1960)。

發(fā)光體的材料的金屬原子中的外部d電子(例如Al)優(yōu)選離域。這表示，能量最高的外部d軌道與能量最低的外部d軌道之間的能量差優(yōu)選為10000至30000cm^-1?？赏ㄟ^分析熒光譜確定所述能量差。

但是通常難以預(yù)先進(jìn)行一般估算，因?yàn)榉至训膹?qiáng)度很大程度上取決于晶體系統(tǒng)，故經(jīng)常借助實(shí)驗(yàn)檢測(cè)加以分析。分裂原則上基于薛定諤方程(參閱E.Quantisierung als Eigenwertproblem，Ann.Phys.384(1926)361—376.doi:10.1002/andp.19263840404)，其能夠?qū)ξ粍?shì)V中的點(diǎn)粒子的復(fù)雜波函數(shù)進(jìn)行描述。通過所述方程推導(dǎo)可以預(yù)測(cè)完美材料的電子分布。

圖22顯示了d軌道的取決于其結(jié)晶位置的不同分裂，因此僅能通過耗時(shí)且高復(fù)雜度的計(jì)算支持理論結(jié)論(參閱J.E.Huheey，R.Keiter，R.Keiter，Anorganische Chemie,Prinzipien von Struktur undDe Gruyter，Berlin，Boston，2003)。

當(dāng)d軌道進(jìn)一步遠(yuǎn)離原子核時(shí)，通常觀察到更強(qiáng)的分裂。

發(fā)光體的材料的晶場(chǎng)分裂優(yōu)選較小。通過d³離子的Tanabe-Sugano圖(圖21)推導(dǎo)，晶場(chǎng)分裂最高為2D_q。這同樣描述于標(biāo)準(zhǔn)教材(參閱J.E.Huheey，R.Keiter，R.Keite，Anorganische Chemie,Prinzipien von Struktur undDe Gruyter，Berlin，Boston，2003)，并且可以通過計(jì)算以及通過實(shí)踐試驗(yàn)加以驗(yàn)證。

發(fā)光體的材料的斯托克斯位移優(yōu)選較高。例如將激發(fā)帶與發(fā)射帶的最大值之間的能量差稱作斯托克斯位移?？梢杂贸Ｒ姷姆椒ù_定所述斯托克斯位移。

在某些情況下，具有尖晶石結(jié)構(gòu)或石榴石結(jié)構(gòu)的主晶格可能是不利的，因?yàn)檫@些結(jié)構(gòu)取決于其組成而具有較弱的共價(jià)特性。

尖晶石化合物通常具有較小共價(jià)特性并且更趨向于離子。因此在尖晶石結(jié)構(gòu)中通常產(chǎn)生線性發(fā)射，而非期望的寬帶發(fā)射。因此，不宜將尖晶石化合物用作發(fā)光體。

金屬元素或半導(dǎo)體元素

金屬元素或半導(dǎo)體元素優(yōu)選為金屬元素。優(yōu)選地，僅金屬元素被鉻取代。

至少一種金屬元素或半導(dǎo)體元素優(yōu)選為13族元素。

至少一種金屬元素或半導(dǎo)體元素優(yōu)選具有主晶格中的四面體配位。

至少一種金屬元素或半導(dǎo)體元素(例如M³)優(yōu)選為Al、Ga、In、Tl、Ge、Zn、Sn或者Si，特別優(yōu)選為Al。

其他金屬

除了至少一種金屬元素或半導(dǎo)體元素(特別是13族元素)之外，優(yōu)選包含至少一種另外的金屬。所述另外的金屬優(yōu)選選自堿土金屬、過渡金屬、鑭系元素。

特別地，在+2和+3氧化態(tài)下以氧化還原穩(wěn)定離子形式存在的元素被證明是合適的元素。

另外的金屬優(yōu)選選自Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Gd、La、Lu或其混合物。另外的金屬例如也可以是兩種不同的金屬。舉例而言，除了作為金屬元素或半導(dǎo)體元素的鋁以外，可以存在Ba和Mg作為另外的金屬。

帶寬

發(fā)光體優(yōu)選以從發(fā)射光子至吸收光子的至少10％的轉(zhuǎn)換率發(fā)射光。此外，發(fā)射光譜的能量分布優(yōu)選必須與應(yīng)用匹配，其中發(fā)射帶寬至少為10nm，優(yōu)選為50nm至100nm或者更大。

發(fā)光體優(yōu)選在750nm至1800nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在850nm至1000nm的范圍內(nèi)在寬度至少50nm的波長范圍內(nèi)發(fā)射光。

在從至少750nm至800nm的整個(gè)范圍內(nèi)，在其他條件相同的情況下，發(fā)光體優(yōu)選以相對(duì)于最大發(fā)射至少10％的強(qiáng)度發(fā)射光。

優(yōu)選通過從激發(fā)態(tài)的弛豫以等于4的自旋多重度2S+1實(shí)現(xiàn)發(fā)光體的光發(fā)射。

發(fā)光體優(yōu)選在650至1800nm的范圍內(nèi)進(jìn)行發(fā)射。

熱淬滅

發(fā)光體優(yōu)選具有較小的熱淬滅。舉例而言，V.Bachmann等人借助于(Ca,Sr,Ba)Si202N2:Eu²⁺對(duì)此進(jìn)行過詳細(xì)研究(參閱V.Bachmann，C.Ronda，O.Oeckler，W.Schnick，A.Meijerink，Color Point Tuning for(Sr,Ca,Ba)Si2O2N2:Eu2+for White Light LEDs,Chemistry of Materials.(2009)316-325.)。例如借助發(fā)射光譜的溫度相關(guān)的記錄對(duì)熱淬滅進(jìn)行量化，可以通過觀測(cè)發(fā)射峰值中的絕對(duì)強(qiáng)度以及通過觀測(cè)發(fā)射積分反映所述記錄。值TQ_1/2或者TQ₅₀描述強(qiáng)度，其中在0K升溫后，僅存在50％的強(qiáng)度。熱淬滅開始的越早，對(duì)在LED應(yīng)用中充當(dāng)轉(zhuǎn)換材料的用途來說越差，因?yàn)樵诖饲樾蜗?，芯片附近的操作溫度?00至200℃。對(duì)于本發(fā)明的發(fā)光體而言，TQ₅₀優(yōu)選至少為400℃。

其他實(shí)施方案

在另一實(shí)施方案中，通過近紅外區(qū)內(nèi)的寬帶輻射器實(shí)現(xiàn)本發(fā)明所基于的目的，所述寬帶輻射器具有本發(fā)明的光發(fā)射裝置。

在另一實(shí)施方案中，通過熱艙實(shí)現(xiàn)本發(fā)明所基于的目的，所述熱艙具有本發(fā)明的寬帶輻射器。

在另一實(shí)施方案中，通過本發(fā)明的裝置的以下用途實(shí)現(xiàn)本發(fā)明所基于的目的：血液成分的非侵入性確定、分析目的、熱療、改善創(chuàng)傷愈合、疼痛治療、食品監(jiān)控、熱艙、安全檢測(cè)器、運(yùn)動(dòng)檢測(cè)器和自動(dòng)取款機(jī)中的檢測(cè)器。

實(shí)施例

概述：

用常見的方法測(cè)量X射線粉末衍射圖，在Rigaku公司的型號(hào)為MiniFlex II的采用Bragg-Brentano幾何的粉末衍射儀上測(cè)量反射。使用具有波長為0.15413nm的K_α輻射、30kV的管電壓以及10mA的管電流的銅X射線管作為X射線源。在10至80°的角度范圍2θ內(nèi)以0.02°的步距測(cè)量所有衍射圖。

用常見的方法測(cè)量發(fā)射光譜，例如根據(jù)J.R.Lakowicz在Principles of Fluorescence Spectroscopy中所述(參閱J.R.Lakowicz，Principles of Fluorescence Spectroscopy，第3版2006.Corr.2010年第5次印刷，Springer，紐約，2010.)。在Edinburgh Instruments公司的熒光光譜儀FLS 920上，在具有鏡面光學(xué)系統(tǒng)的粉末試樣座中記錄發(fā)射光譜。在吸收峰值中激發(fā)光譜，并且在450至1000nm的波長范圍內(nèi)以1nm的步距進(jìn)行測(cè)量。

用常見的方法測(cè)量激發(fā)光譜，例如根據(jù)J.R.Lakowicz所述(參閱J.R.Lakowicz，Principles of Fluorescence Spectroscopy，第3版2006.Corr.2010年第5次印刷，Springer，紐約，2010.)。使用Edinburgh Instruments公司的型號(hào)為FLS 920的熒光光譜儀，在250至650nm的波長范圍內(nèi)以1nm的步距記錄所有激發(fā)光譜。選擇研究的試樣的發(fā)射峰值作為檢測(cè)波長。

在Edinburgh Instruments公司的型號(hào)為FS920的熒光光譜儀上用常見的方法在涂布有BaSO₄的烏布里希球中相對(duì)于白度標(biāo)樣(BaSO₄)測(cè)量反射光譜。在激發(fā)單色儀和發(fā)射單色儀經(jīng)同步調(diào)諧的情況下以1nm的步距記錄所有光譜，并且除以白度標(biāo)樣的測(cè)量值。其中反射光譜的記錄方法參閱C.Ronda在Luminescence:From Theory to Application中的描述(參閱P.Vergeer，Experimental Techniques，見于C.Ronda(Ed.)，Luminescence，Wiley-VCH Verlag GmbH&Co.KGaA，2007：第219-250頁)。

例如V.Bachmann等人借助于(Sr,Ca,Ba)Si₂O₂N₂:Eu²⁺的研究對(duì)熱淬滅曲線的記錄和分析進(jìn)行過深入研究(參閱V.Bachmann，C.Ronda，O.Oeckler，W.Schnick，A.Meijerink，Color Point Tuning for(Sr,Ca,Ba)Si2O2N2:Eu2+for White Light LEDs,Chemistry of Materials.(2009)316-325.)。在Edinburgh Instruments公司的裝有Oxford Instruments公司的低溫恒溫器的熒光光譜儀上，在75至500K的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行本文所述實(shí)施例的測(cè)量。在溫度穩(wěn)定化之后，在激發(fā)峰值中進(jìn)行激發(fā)的情況下，在450至1000nm的波長范圍內(nèi)以1nm的步距對(duì)發(fā)射光譜進(jìn)行測(cè)量。發(fā)射積分的形成以及借助Boltzmann Sigmuidal函數(shù)在0至1的范圍內(nèi)進(jìn)行的曲線調(diào)整反映TQ_1/2的淬滅溫度。

在未另外說明的情況下，例如如EP 0 936 682的實(shí)施例和說明書中所述按照常見的步驟和方法制備本發(fā)明的光發(fā)射裝置。

a)YAl₃(BO₃)₄:Cr(0.1–10％)

Y₂O₃+3(1-x)Al₂O₃+3x Cr₂O₃+4H₃BO₃→2Y(Al_1-xCr_x)₃(BO₃)₄+6H₂O

合成

在瑪瑙研缽中將離析物充分混合，隨后將其移入剛玉坩鍋。在第一煅燒步驟中，在500℃下將混合物脫水2h。隨后重新研碎，并且在1200℃下將混合物煅燒4h，其中形成目標(biāo)相態(tài)。其中：

圖1為Y(Al_0.98Cr_0.02)₃(BO₃)₄的Cu Kalpha輻射的X射線粉末衍射圖

圖2為Y(Al_0.98Cr_0.02)₃(BO₃)₄在425nm激發(fā)下的發(fā)射光譜

圖3為Y(Al_0.98Cr_0.02)₃(BO₃)₄的720nm發(fā)射的激發(fā)光譜

圖4為Y(Al_0.98Cr_0.02)₃(BO₃)₄相對(duì)于充當(dāng)白度標(biāo)樣的BaSO₄的反射光譜

圖4a為Y(Al_0.99Cr_0.01)₃(BO₃)₄的淬滅曲線

b)GdAl₃(BO₃)₄:Cr(0.1–10％)

Gd₂O₃+3(1-x)Al₂O₃+3x Cr₂O₃+4H₃BO₃→2Gd(Al_1-xCr_x)₃(BO₃)₄+6H₂O

合成

在瑪瑙研缽中將離析物充分混合，隨后將其移入剛玉坩鍋。在第一煅燒步驟中，在500℃下將混合物脫水2h。隨后重新研碎，并且在1200℃下將混合物煅燒4h，其中形成目標(biāo)相態(tài)。其中：

圖5為Gd(Al_0.98Cr_0.02)₃(BO₃)₄的Cu Kalpha輻射的X射線粉末衍射圖

圖6為Gd(Al_0.98Cr_0.02)₃(BO₃)₄在420nm激發(fā)下的發(fā)射光譜

圖7為Gd(Al_0.98Cr_0.02)₃(BO₃)₄的720nm發(fā)射的激發(fā)光譜

圖8為Gd(Al_0.98Cr_0.02)₃(BO₃)₄相對(duì)于充當(dāng)白度標(biāo)樣的BaSO₄的反射光譜

c)BaMgAl₁₀O₁₇:Cr(0.1–10％)

BaCO₃+MgO+5(1-x)Al₂O₃+5x Cr₂O₃→BaMg(Al_1-xCr_x)₁₀O₁₇+CO₂

合成

在瑪瑙研缽中將離析物充分混合，隨后將其移入剛玉坩鍋。隨后在1250℃下將混合物煅燒5h，其中形成目標(biāo)相態(tài)。其中：

圖9為BaMg(Al_0.99Cr_0.01)₁₀O₁₇的Cu Kalpha輻射的X射線粉末衍射圖

圖10為BaMg(Al_0.99Cr_0.01)₁₀O₁₇在420nm激發(fā)下的發(fā)射光譜

圖11為BaMg(Al_0.99Cr_0.01)₁₀O₁₇的720nm發(fā)射的激發(fā)光譜

圖12為BaMg(Al_0.99Cr_0.01)₁₀O₁₇相對(duì)于充當(dāng)白度標(biāo)樣的BaSO₄的反射光譜

d)LaMgAl₁₁O₁₉:Cr(0.1–10％)

0.5La₂O₃+MgO+5.5(1-x)Al₂O₃+5.5x Cr₂O₃→LaMg(Al_1-xCr_x)₁₁O₁₉

合成

在瑪瑙研缽中將離析物充分混合，隨后將其移入剛玉坩鍋。隨后在1400℃下將混合物煅燒5h，其中形成目標(biāo)相態(tài)。其中：

圖13為LaMg(Al_0.98Cr_0.02)₁₁O₁₉的Cu Kalpha輻射的X射線粉末衍射圖

圖14為LaMg(Al_0.98Cr_0.02)₁₁O₁₉在460nm激發(fā)下的發(fā)射光譜

圖15為LaMg(Al_0.98Cr_0.02)₁₁O₁₉的720nm發(fā)射的激發(fā)光譜

圖16為LaMg(Al_0.98Cr_0.02)₁₁O₁₉相對(duì)于充當(dāng)白度標(biāo)樣的BaSO₄的反射光譜

e)SrAl₁₂O₁₉:Cr(0.1–10％)

SrCO₃+6(1-x)Al₂O₃+6x Cr₂O₃→Sr(Al_1-xCr_x)₁₂O₁₉+CO₂

合成

在瑪瑙研缽中將離析物充分混合，隨后將其移入剛玉坩鍋。隨后在1400℃下將混合物煅燒5h，其中形成目標(biāo)相態(tài)。其中：

圖17為Sr(Al_0.98Cr_0.02)₁₂O₁₉的Cu Kalpha輻射的X射線粉末衍射圖

圖18為Sr(Al_0.98Cr_0.02)₁₂O₁₉在420nm激發(fā)下的發(fā)射光譜

圖19為Sr(Al_0.98Cr_0.02)₁₂O₁₉的720nm發(fā)射的激發(fā)光譜

圖20為Sr(Al_0.98Cr_0.02)₁₂O₁₉相對(duì)于充當(dāng)白度標(biāo)樣的BaSO₄的反射光譜

為在各實(shí)施方案中實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，說明書、附圖以及權(quán)利要求書中揭示的本發(fā)明的特征既可以單獨(dú)應(yīng)用，也可以任意組合。本發(fā)明不僅局限于所述實(shí)施方案。可以在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)結(jié)合本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行變更。