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基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝的制作方法

文檔序號:3780813閱讀:193來源:國知局
基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝,包括步驟:(a)首先,制備合成工藝所需的反應(yīng)單體;(b)然后,稱取一定量的反應(yīng)單體置于反應(yīng)容器中,并加入溶劑攪拌均勻,且控制反應(yīng)單體占溶液總質(zhì)量的10%~25%;(c)向反應(yīng)容器中加入引發(fā)劑;(d)調(diào)節(jié)反應(yīng)體系的pH值;(e)將反應(yīng)容器置于水浴中,以一定速度攪拌反應(yīng);(f)將反應(yīng)產(chǎn)物混合物冷卻并過濾;(g)將過濾后液體減壓蒸餾,分離后進行干燥,即得目標產(chǎn)品。本發(fā)明能成功合成出均聚物防垢劑,且合成出的均聚物的防垢性能優(yōu)良,合成所需的成本低,所需的時間短,合成工藝的轉(zhuǎn)化率高,且通過控制反應(yīng)過程中的單體濃度,從而提高了產(chǎn)品的防垢率。
【專利說明】基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]均聚反應(yīng)顧名思義就是指只用一種單體進行聚合。反應(yīng)所得到的高分子鏈中只有一種單體單元,這種聚合物稱為均聚物。按聚合反應(yīng)歷程可分為均縮聚(如ε_氨基乙酸[H2N(CH2)5C00H]的縮聚反應(yīng))和均加聚[如苯乙烯(CH2 = CHC6H5)的自由基聚合]。
[0003]當液體內(nèi)各部分之間有相對運動時,接觸面之間存在內(nèi)摩擦力,阻礙液體的相對運動,這種性質(zhì)稱為液體的粘滯性,液體的內(nèi)摩擦力稱為粘滯力。粘滯力的大小與接觸面面積以及接觸面處的速度梯度成正比,比例系數(shù)n稱為粘度(或粘滯系數(shù))。均聚產(chǎn)物是由結(jié)構(gòu)相同、組成相同但相對分子質(zhì)量不同的同系高分子組成的混合物,高分子聚合產(chǎn)物具有多分散性。聚合產(chǎn)物的相對分子質(zhì)量及其分布影響其性能,因此,估算或者測定聚合產(chǎn)物的相對分子質(zhì)量及其分布可以獲得確定聚合產(chǎn)物結(jié)構(gòu)與性能關(guān)系的重要數(shù)據(jù)。測定高聚摩爾質(zhì)量的方法很多,而不同方法所得平均摩爾質(zhì)量也有所不同。
[0004]單體能否聚合,須從熱力學和動力學兩方面來考慮。單體和聚合物自由焓差為負值時,才有聚合的可能。熱力學上能聚合的單體,還要求有適當?shù)囊l(fā)劑、溫度等動力學條件,才能保證一定的聚合速度。聚合反應(yīng)按反應(yīng)機理可以分為逐步聚合反應(yīng)和連鎖聚合反應(yīng)。對烯類單體的連鎖聚合反應(yīng),根據(jù)活性中心化學性質(zhì)不同,連鎖聚合反應(yīng)可以分為自由基聚合、離子型聚合和配位聚合,其中自由基聚合是連鎖聚合反應(yīng)的重要類型。自由基聚合反應(yīng)中,單體的聚合速度及聚合物結(jié)構(gòu)、分子量、分子量分布等都取決于這些基元反應(yīng)的速度和機理。
[0005]在均聚物防垢劑的合成過程中,反應(yīng)單體的濃度對合成出的產(chǎn)品的防垢率會產(chǎn)生很大影響,如何確定一個適當?shù)姆磻?yīng)單體濃度,對均聚物防垢劑的合成工藝顯得尤為重要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點和不足,提供一種基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝,該測定方法能成功合成出均聚物防垢劑,且合成出的均聚物的防垢性能優(yōu)良,合成所需的成本低,所需的時間短,合成工藝的轉(zhuǎn)化率高,且通過控制反應(yīng)過程中的單體濃度,從而提高了產(chǎn)品的防垢率。
[0007]本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實現(xiàn):一種基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝,包括步驟:(a)首先,制備合成工藝所需的反應(yīng)單體;(b)然后,稱取一定量的反應(yīng)單體置于反應(yīng)容器中,并加入溶劑攪拌均勻,且控制反應(yīng)單體占溶液總質(zhì)量的10%~25%;(C)向反應(yīng)容器中加入 引發(fā)劑;(d)調(diào)節(jié)反應(yīng)體系的pH值;(e)將反應(yīng)容器置于水浴中,以一定速度攪拌反應(yīng);(f)將反應(yīng)產(chǎn)物混合物冷卻并過濾;(g)將過濾后液體減壓蒸餾,分離后進行干燥,即得目標產(chǎn)品。
[0008]所述反應(yīng)容器為燒杯。[0009]通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器進行減壓蒸餾。
[0010]所述溶劑為蒸餾水。
[0011]所述引發(fā)劑為過硫酸銨。
[0012]控制反應(yīng)單體占溶液總質(zhì)量的15%。
[0013]控制反應(yīng)單體占溶液總質(zhì)量的20%。
[0014]控制反應(yīng)單體占溶液總質(zhì)量的25%。
[0015]綜上所述,本發(fā)明的有益效果是:能成功合成出均聚物防垢劑,且合成出的均聚物的防垢性能優(yōu)良,合成所需的成本低,所需的時間短,合成工藝的轉(zhuǎn)化率高,且通過控制反應(yīng)過程中的單體濃度,從而提高了產(chǎn)品的防垢率。
【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合實施例,對本發(fā)明作進一步的詳細說明,但本發(fā)明的實施方式不僅限于此。
[0017]實施例:
[0018]本發(fā)明涉及的一種基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝,包括步驟:(a)首先,制備合成工藝所需的反應(yīng)單體;(b)然后,稱取一定量的反應(yīng)單體置于反應(yīng)容器中,并加入溶劑攪拌均勻,且控制反應(yīng)單體占溶液總質(zhì)量的10%~25% ;(c)向反應(yīng)容器中加入引發(fā)劑;(d)調(diào)節(jié)反應(yīng)體系的pH值;(e)將反應(yīng)容器置于水浴中,以一定速度攪拌反應(yīng);
(f)將反應(yīng)產(chǎn)物混合物冷卻并過濾;(g)將過濾后液體減壓蒸餾,分離后進行干燥,即得目標廣品。
[0019]所述反應(yīng)容器為燒杯。
[0020]通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器進行減壓蒸餾。
[0021]所述溶劑為蒸餾水。
[0022]所述引發(fā)劑為過硫酸銨。
[0023]控制反應(yīng)單體占溶液總質(zhì)量的15%。
[0024]控制反應(yīng)單體占溶液總質(zhì)量的20%。
[0025]控制反應(yīng)單體占溶液總質(zhì)量的25%。
[0026]在均聚物防垢劑的合成過程中,反應(yīng)單體的濃度對合成出的產(chǎn)品的防垢率會產(chǎn)生很大影響,如何確定一個適當?shù)姆磻?yīng)單體濃度,對均聚物防垢劑的合成工藝顯得尤為重要。
[0027]為了得到最佳的反應(yīng)單體濃度,本發(fā)明做了不同單體濃度對反應(yīng)所得的產(chǎn)品的防垢率的影響實驗,實驗結(jié)果如下表所示:
[0028]
【權(quán)利要求】
1.基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝,其特征在于,包括步驟:(a)首先,制備合成工藝所需的反應(yīng)單體;(b)然后,稱取一定量的反應(yīng)單體置于反應(yīng)容器中,并加入溶劑攪拌均勻,且控制反應(yīng)單體占溶液總質(zhì)量的10%~25% ; (c)向反應(yīng)容器中加入引發(fā)劑;(d)調(diào)節(jié)反應(yīng)體系的pH值;(e)將反應(yīng)容器置于水浴中,以一定速度攪拌反應(yīng);(f)將反應(yīng)產(chǎn)物混合物冷卻并過濾;(g)將過濾后液體減壓蒸餾,分離后進行干燥,即得目標產(chǎn)品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝,其特征在于,所述反應(yīng)容器為燒杯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝,其特征在于,通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器進行減壓蒸餾。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝,其特征在于,所述溶劑為蒸餾水。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝,其特征在于,所述引發(fā)劑為過硫酸銨。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝,其特征在于,控制反應(yīng)單體占溶液總質(zhì)量的15%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的 基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝,其特征在于,控制反應(yīng)單體占溶液總質(zhì)量的20%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于控制單體濃度的均聚物防垢劑合成工藝,其特征在于,控制反應(yīng)單體占溶液總質(zhì)量的25%。
【文檔編號】C09K8/52GK103804537SQ201210480406
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月13日
【發(fā)明者】李定遠 申請人:李定遠
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