專利名稱：：切割/芯片焊接膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種切割/芯片焊接膜(夕"Oy夕"■夕"<求乂卜、'7一少厶)，其在切割前在工件(半導(dǎo)體晶片等)上付設(shè)用于粘接碎片工件(于y:/狀!7—夕)(半導(dǎo)體芯片等)與電極構(gòu)件的膠粘劑的狀態(tài)下，用于工件的切割。
背景技術(shù)：
：形成電路圖案的半導(dǎo)體晶片(工件)根據(jù)需要通過背面研磨來調(diào)節(jié)厚度之后，切割成半導(dǎo)體芯片(碎片工件)(切割工序)。在切割工序中，為了除去切斷層，通常在適度的液壓(通常為約2kg/cm2)下洗滌半導(dǎo)體晶片。接著，用膠粘劑將所述半導(dǎo)體芯片粘接于引線框等被粘體上(安裝工序)，然后，轉(zhuǎn)移至接合工序。在上述安裝工序中，在引線框和半導(dǎo)體芯片上涂布膠粘劑。但是，該方法中膠粘劑層的均勻化困難，另外膠粘劑的涂布需要特殊裝置和長時間。因此，提出了一種切割/芯片焊接膜，其在切割工序中膠粘保持半導(dǎo)體晶片的同時，也提供安裝工序中所需要的芯片粘接用的膠粘劑層(例如參照專利文獻1)。專利文獻1中所述的切割/芯片悍接膜，是通過以能剝離的方式在支撐基材上設(shè)置膠粘劑層而形成的。S卩，在膠粘劑層的保持下對半導(dǎo)體晶片進行切割后，將支撐基材拉伸使半導(dǎo)體芯片與膠粘劑層一起剝離，將其分別回收，通過該膠粘劑層粘接于引線框等被粘體上。在這種切割/芯片焊接膜的膠粘劑層中，為了不產(chǎn)生不能切割和尺寸錯誤等，期待對半導(dǎo)體晶片的良好保持力、和能夠使切割后的半導(dǎo)體芯片與膠粘劑層一體地從支撐基材上剝離的良好剝離性。但是，使4這兩個特性達到平衡絕非易事。特別是如用旋轉(zhuǎn)圓刀等對半導(dǎo)體晶片進行切割的方式等所述，在對膠粘劑層要求大保持力的情況下，難以得到滿足上述特性的切割/芯片焊接膜。為了克服上述問題，提出了各種改良方法(例如參照專利文獻2)。專利文獻2中提出了如下方法在支撐基材與膠粘劑層之間隔著能進行紫外線固化的粘合劑層，將其在切割后進行紫外線固化，使粘合劑層與膠粘劑層之間的膠粘力下降，通過兩者間的剝離，使半導(dǎo)體芯片的拾取(匕°:y夕7、乂:/)變?nèi)菀?。但是，在以往的切?芯片焊接膜中存在以下問題如果將切割膜與芯片焊接膜在貼合的狀態(tài)下保存規(guī)定時間，則剝離性會隨時間變化而下降。特別是在室溫下保存時，即使通過紫外線照射使粘合劑層進行紫外線固化，剝離性也未充分下降，由此在半導(dǎo)體芯片的拾取時產(chǎn)生拾取不良。其結(jié)果是，在將以往的切割/芯片焊接膜保存規(guī)定時間的情況下，通過在低溫下保存等來抑制紫外線固化后剝離性的下降。專利文獻l:日本特開昭60-57642號公報專利文獻2:日本特開平2-248064號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的發(fā)明，其目的在于提供一種切割/芯片焊接膜，具備在基材上具有粘合劑層的切割膜和設(shè)置在該粘合劑層上的芯片焊接膜，其即使在室溫下產(chǎn)品的保存穩(wěn)定性也優(yōu)異。本發(fā)明人為了解決上述現(xiàn)有問題而對切割/芯片焊接膜進行了研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過將粘合劑層的構(gòu)成材料即丙烯酸類聚合物的酸值和碘值設(shè)定為規(guī)定值，即使在室溫下保存規(guī)定時間，也可以防止紫外線固化后的剝離性的下降，從而完成了本發(fā)明。艮P，本發(fā)明的切割/芯片焊接膜為了解決上述課題而具有如下特征，其是具備在基材上具有放射線固化型粘合劑層的切割膜和設(shè)置在該粘合劑層上的芯片焊接膜的切割/芯片焊接膜，上述粘合劑層中的粘合劑含有丙烯酸類聚合物而構(gòu)成，上述丙烯酸類聚合物的酸值為0.011，碘值在510的范圍內(nèi)。本發(fā)明的切割膜中的粘合劑層為放射線固化型，從切割膜上剝離芯片焊接膜時，通過放射線照射來降低粘合劑層的粘合力，從而試圖提高剝離性。在此，作為粘合劑層的構(gòu)成成分的丙烯酸類聚合物，本發(fā)明使用具有酸值為0.011、碘值為510的物性的丙烯酸類聚合物，由此例如即使在室溫下保存一定時間，也可以抑制放射線照射后的粘合劑層的剝離性下降。即，如果為上述構(gòu)成的切割/芯片焊接膜，則即使在室溫下保存一定時間，也能抑制放射線固化后的剝離性的下降，產(chǎn)品的保存穩(wěn)定性優(yōu)異。其結(jié)果是，例如在將本發(fā)明的切割/芯片焊接膜適用于半導(dǎo)體裝置的制造方法時，減少拾取不良的產(chǎn)生，能夠抑制成品率。另外，上述酸值是指中和lg樣品中含有的COOH基所需要的氫氧化鉀的mg數(shù)。另外，上述碘值是指用如下百分率表示的值，即，使鹵素作用于樣品時將吸收的鹵素的重量換算成碘的重量而得到的重量相對于樣品的重量的百分率。上述構(gòu)成中，上述丙烯酸類聚合物的羥值優(yōu)選在730的范圍內(nèi)。由此，進一步抑制粘合劑層的放射線固化后的剝離性下降，半導(dǎo)體裝置制造的成品率進一步下降。另外，上述羥值是指中和使乙?；瘎┡clg樣品反應(yīng)而得到的乙?；锼Y(jié)合的乙酸需要的氫氧化鉀的mg數(shù)。圖1是表示本發(fā)明實施方式之一的切割/芯片焊接膜的截面示意圖。6圖2是表示本發(fā)明另一實施方式的其他切割/芯片焊接膜的截面示意圖。圖3是表示通過上述切割/芯片焊接膜中的芯片焊接膜來安裝半導(dǎo)體芯片的例子的截面示意圖。符號說明1基材2粘合劑層3芯片焊接膜4半導(dǎo)體晶片5半導(dǎo)體芯片6被粘體7接合引線8密封樹脂9隔離物10、11切割/芯片焊接膜具體實施例方式(切割/芯片焊接膜)參照圖1和圖2對本發(fā)明的實施方式進行說明。圖1是表示本發(fā)明的實施方式的切割/芯片焊接膜的截面示意圖。圖2是表示本發(fā)明的實施方式的另一切割/芯片焊接膜的截面示意圖。其中，省略無需說明的部分，另外為了易于說明，存在放大或縮小等而進行圖示的部分。如圖1所示，切割/芯片焊接膜10的結(jié)構(gòu)為具備在基材1上設(shè)有粘合劑層2的切割膜、和在該粘合劑層2上的芯片焊接膜3。另外，如圖2所示，本發(fā)明也可以為僅在半導(dǎo)體晶片貼附部分形成芯片焊接膜3'的結(jié)構(gòu)。上述基材1具有放射線透射性，并且是成為切割/芯片焊接膜10、U的強度母體的基材。例如，可以列舉低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺纖維(紙)、玻璃、玻璃纖維、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹脂、硅樹脂、金屬(箔)、紙等。另外，作為基材l的材料，可列舉出所述樹脂的交聯(lián)體等聚合物。所述塑料薄膜可以無拉伸使用，也可以根據(jù)需要使用實施單軸或雙軸拉伸處理后的薄膜。若采用通過拉伸處理等賦予了熱收縮性的樹脂片，則可以通過使其基材1在切割后進行熱收縮而使粘合劑層2和芯片焊接膜3、3'的膠粘面積減小，從而可以實現(xiàn)半導(dǎo)體芯片回收的容易化。為了提高基材1的表面與鄰接的層的密合性、保持性等，可以對其表面實施慣用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離放射線處理等化學(xué)上或物理上的處理、底涂劑(例如后述的粘合物質(zhì))的涂敷處理。所述基材1可以適宜地選擇使用同種類或不同種類的材料，可以根據(jù)需要使用將多種類混合制成的材料。另外，為了賦予基材1抗靜電性，可以在所述基材1上設(shè)置由金屬、合金、它們的氧化物等組成的厚度為約30約500人的導(dǎo)電性物質(zhì)的蒸鍍層?；?可以為單層或2種以上的多層?；?的厚度沒有特別限制，可以適當?shù)貨Q定，但通常優(yōu)選為約5,約200,。上述粘合劑層2含有放射線固化型粘合劑而構(gòu)成。放射線固化型粘合劑可以通過放射線的照射使交聯(lián)度增加，從而容易地使其粘合力降低。通過僅對圖2所示的粘合劑層2的與半導(dǎo)體晶片貼附部分對應(yīng)的部分2a進行紫外線照射，也可以設(shè)定與其他部分2b的粘合力之差。另外，作為放射線，可以列舉紫外線和電子射線等。另外，通過使與圖2所示的芯片焊接膜3'對應(yīng)的放射線固化型的粘合劑層2固化，能容易地形成粘合力顯著下降的上述部分2a。由于在固化、粘合力下降的上述部分2a上貼附芯片焊接膜3'，因此粘合劑層2的上述部分2a與芯片焊接膜3'的界面具有拾取時易于剝離的性質(zhì)。另一方面，未照射紫外線的部分具有充分的粘合力，形成上述部分2b。如上所述，在圖1所示的切割/芯片焊接膜10的粘合劑層2中，由未固化的放射線固化型粘合劑形成的上述部分2b與芯片焊接膜3粘合，能夠確保切割時的保持力。這樣，放射線固化型粘合劑能夠以良好的膠粘/剝離平衡來支撐用于將半導(dǎo)體芯片粘接于襯底等被粘體的芯片焊接膜3。在圖2所示的切割/芯片焊接膜11的粘合劑層2中，上述部分2b能夠固定切割環(huán)。切割環(huán)可以使用例如由不銹鋼制等金屬形成的切割環(huán)或樹脂制的切割環(huán)。所述放射線固化型粘合劑使用具有自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵等放射線固化性的官能團、且顯示粘合性的放射線固化型粘合劑。作為放射線固化型粘合劑，可以例示例如在丙烯酸類粘合劑中混合有放射線固化性單體成分或低聚物成分的添加型的放射線固化型粘合劑。丙烯酸類粘合劑是以丙烯酸類聚合物為原料聚合物的粘合劑，在避忌半導(dǎo)體晶片或玻璃等的污染的電子零件利用超純水或酒精等有機溶劑的清洗性等方面優(yōu)選。作為所述丙烯酸類聚合物，具體可以列舉使用丙烯酸酯作為主要9單體成分的丙烯酸類聚合物。作為所述丙烯酸酯，可以列舉例如丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一垸基酯、十二垸基酯、十三垸基酯、十四垸基酯、十六烷基酯、十八垸基酯、二十垸基酯等垸基的碳原子數(shù)為130、尤其是碳原子數(shù)為4~18的直鏈狀或支鏈狀烷基酯等)及丙烯酸環(huán)烷基酯(例如環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)等。這些單體可以單獨使用或2種以上并用。在上述例示的丙烯酸酯中，本發(fā)明優(yōu)選使用由化學(xué)式CHfCHCOOR(式中，R是碳原子數(shù)為610、更優(yōu)選為89的烷基)表示的單體。若碳原子數(shù)不足6，則粘合力變得過大，拾取性有時會下降。另一方面，若碳原子數(shù)超過10，則與芯片焊接膜的膠粘性降低，其結(jié)果在切割時有時會產(chǎn)生芯片分散。另外，當丙烯酸酯由化學(xué)式CH2=CHCOOR表示時，其含量優(yōu)選相對于全部單體成分為5091摩爾％，更優(yōu)選為8087摩爾％。若含量不足50摩爾％，則粘合力變得過大，拾取性有時會下降。另一方面，若超過91摩爾％，則粘合性降低，在切割時有時會發(fā)生芯片分散。此外，在由上述化學(xué)式表示的單體中，特別優(yōu)選丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯。所述丙烯酸類聚合物，含有能與所述丙烯酸酯共聚的含羥基單體作為必須成分。作為含羥基單體，可以列舉例如(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二烷基酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等。所述含羥基單體的含量，相對于丙烯酸酯，優(yōu)選在1030摩爾％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在1525摩爾。/。的范圍內(nèi)。若含量不足10摩爾。/。，則放射線照射后的交聯(lián)不充分，切割時有時會在貼附于粘合劑層2的切割環(huán)上產(chǎn)生糊殘留。另一方面，若含量超過30摩爾％，則粘合劑的極性提高，與芯片焊接膜的相互作用增加，由此使剝離變得困難。對所述丙烯酸類聚合物而言，為了重整凝聚力、耐熱性等，可以根據(jù)需要含有與可以與所述丙烯酸垸基酯或環(huán)垸基酯共聚的其他單體成分對應(yīng)的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、丁烯酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙院磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；2-羥乙基丙烯?；姿狨サ群姿峄鶈误w；丙烯酰胺、丙烯腈等。這些可以共聚的單體成分可以使用l種或2種以上。這些可以共聚的單體的用量優(yōu)選為全部單體成分的40重量°/。以下。但是，在所述含羧基單體的情況下，由于該羧基與芯片焊接膜3中的環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基反應(yīng)，粘合劑層2與芯片焊接膜3的界面消失，兩者的剝離性有時會下降。因此，含羧基單體的用量優(yōu)選為全部單體成分的03重量％以下。此外，含羥基單體和含縮水甘油基單體，由于也可以與環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基反應(yīng)，因此優(yōu)選與含羧基單體的情況同樣。另外，這些單體成分中，本發(fā)明的粘合劑層2優(yōu)選不含有丙烯酸?？梢苑乐拐澈蟿?與芯片焊接膜3的反應(yīng)或相互作用，試圖進一步提高拾取性。在此，所述丙烯酸類聚合物，不含多官能性單體作為共聚用單體成分。由此，多官能性單體不會在芯片焊接膜中發(fā)生物質(zhì)擴散，可以防止由粘合劑層2與芯片焊接膜3的界面消失而引起的拾取性下降。另外，所述丙烯酸類聚合物可以含有具有自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物。作為所述異氰酸酯化合物，可以列舉例如甲基丙烯?；惽杷狨ァ?-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯、2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-a，a-二甲基芐基異氰酸酯等。11所述異氰酸酯化合物的含量，相對于含羥基單體，含量優(yōu)選在7090摩爾％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在7585摩爾％的范圍內(nèi)。若含量不足70摩爾％，則放射線照射后的交聯(lián)不充分，切割時在貼附于粘合劑層的切割環(huán)上產(chǎn)生糊殘留。另一方面，若含量超過90摩爾％，則粘合劑的極性提高，與芯片焊接膜的相互作用增加，由此使剝離變困難，拾取性降低。所述丙烯酸類聚合物通過將單一單體或2種以上的單體混合物進行聚合來得到。聚合可以通過溶液聚合、乳化聚合、本體聚合、懸濁聚合等任何方式來進行。從防止對洗凈的被粘體的污染等方面考慮，優(yōu)選低分子量物質(zhì)含量小。從這方面考慮，丙烯酸類聚合物的重均分子量優(yōu)選為約35萬約IOO萬，更優(yōu)選為約45萬約80萬。通過使重均分子量為35萬以上，防止成為低分子量聚合物，由此，例如在切割時可以防止從貼附于粘合劑層2的切割環(huán)上發(fā)生剝離。此外，由于防止放射線照射后的交聯(lián)不足，因而在將切割環(huán)從粘合劑層2上剝離時，也能防止產(chǎn)生糊殘留。另一方面，通過使重均分子量為100萬以下，能夠提高在基材1上形成粘合劑層2時的作業(yè)性。關(guān)于粘合劑層2的形成，例如可以在基材上涂布含有上述聚合物的粘合劑組合物的溶液后，使其干燥來進行，但是若聚合物的重均分子量超過100萬，則由于粘合劑組合物溶液的粘度變得過大，因此導(dǎo)致該聚合物的聚合和涂布時的作業(yè)性下降。本發(fā)明的丙烯酸類聚合物的酸值在0.011的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.051的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.10.5的范圍內(nèi)。若上述酸值不足0.05，則膠帶復(fù)原性的改善效果有時下降。另一方面，若酸值超過l，則切割膜對于芯片焊接膜的粘合力提高，有時拾取變困難。有時會損害粘合劑的流動性。另外，碘值在510的范圍內(nèi)，優(yōu)選在5.59的范圍內(nèi)。另外，若上述碘值不足5，則放射線照射后的粘合力的降低效果有時會不充分。另一方面，若碘值超過10，則切割膜對于芯片焊接膜的粘合力提高，有時拾取變困難。本發(fā)明的切割/芯片焊接膜，通過使上述酸值和碘值同時滿足各自的數(shù)值范圍，即使在較高溫度(例如0°C40°C)下保存一定時間(例如約3天約2周)，也能抑制粘合劑層2的紫外線照射后的剝離性下降。另外，上述酸值的數(shù)值范圍是通過基于JISK0070-1992的電位差滴定法測定得到的值。另外，上述碘值的數(shù)值范圍是根據(jù)JISK0070-1992測定得到的值。此外，丙烯酸類聚合物的羥值優(yōu)選在730的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在1025的范圍內(nèi)。若上述羥值不足7，則放射線照射后的粘合力降低效果有時變得不充分。另一方面，若羥值超過30，則切割膜對于芯片焊接膜的粘合力提高，有時拾取變困難。本發(fā)明的切割/芯片焊接膜，除了上述酸值和碘值外，通過進一步將羥值調(diào)節(jié)到上述數(shù)值范圍內(nèi)，可以進一步防止放射線固化后的剝離性下降，使產(chǎn)品的保存穩(wěn)定性進一步提高。其結(jié)果，即使提高拾取時的拾取條件(例如針根數(shù)和針上推量)，也顯示良好的拾取性，實現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的制造成品率的下降。另外，上述羥值的數(shù)值范圍是通過基于JISK0070-1992的乙?；y定得到的值。顯示上述數(shù)值范圍內(nèi)的酸值和碘值的丙烯酸類聚合物，例如可以通過日本特開平2-187478號公報等中現(xiàn)有公知的方法來制造。此時，通過調(diào)節(jié)丙烯酸的共聚量，可以將酸值調(diào)節(jié)到上述數(shù)值范圍內(nèi)。另外，通過調(diào)節(jié)甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯的添加量，可以將碘值調(diào)節(jié)到上述數(shù)值范圍內(nèi)。另外，通過調(diào)節(jié)甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯的添加量和丙烯酸-2-羥乙酯的共聚量，可以將羥值調(diào)節(jié)到上述數(shù)值范圍內(nèi)。另外，本發(fā)明的粘合劑層2，優(yōu)選含有在分子中具有2個以上對羥基顯示反應(yīng)性的官能團的交聯(lián)劑。作為對羥基顯示反應(yīng)性的官能團，可以列舉例如異氰酸酯基、環(huán)氧基、縮水甘油基等。作為具有這樣的官能團的交聯(lián)劑，更具體可而言，可以列舉異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、氮雜環(huán)丙烷類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑等。作為所述異氰酸酯類交聯(lián)劑，只要是分子中具有2個以上異氰酸酯基的異氰酸酯類交聯(lián)劑即可，沒有特別限制，可以列舉例如甲苯二異氰酸酯、二苯基甲垸二異氰酸酯、己二異氰酸酯等。它們可以單獨使用，也可以2種以上并用。作為所述環(huán)氧類交聯(lián)劑，只要是分子中具有2個以上環(huán)氧基的環(huán)氧類交聯(lián)劑即可，沒有特別限制，可以列舉例如乙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、二甘油聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、間苯二酚二縮水甘油醚等。它們可以單獨使用或2種以上并用。作為所述氮雜環(huán)丙烷類交聯(lián)劑，只要是分子中具有2個以上氮雜環(huán)丙垸基的氮雜環(huán)丙垸類交聯(lián)劑即可，沒有特別限制。優(yōu)選使用例如"-氮雜環(huán)丙烷基丙酸-2，2-二羥基甲基-丁醇-三酯、4,4，-雙(亞乙基亞氨基羰基氨基)二苯基甲垸、2,4,6-(三亞乙基亞氨基)-均三嗪、1，6-雙(亞乙基亞氨基羰基氨基)己垸等。它們可以單獨使用或2種以上并用。所述交聯(lián)劑的含量，相對于原料聚合物100重量份，優(yōu)選在220重量份的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在415重量份的范圍內(nèi)。若含量不足2重量份，則紫外線照射后的交聯(lián)不充分，拉伸彈性率下降。其結(jié)果是，在半導(dǎo)體晶片的切割時，在貼附于粘合劑層上的切割環(huán)上產(chǎn)生糊殘留，在半導(dǎo)體芯片的拾取時，剝離力變得過大，拾取性下降。另一方面，若含量超過20重量份，則拉伸彈性率變得過大，其結(jié)果在切割時產(chǎn)生芯片分散。另外，在粘合劑中，根據(jù)需要，除了上述成分外，還可以使用現(xiàn)有公知的各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。作為所混合的所述紫外線固化性單體成分，可列舉出例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲垸四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇一羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外線固化性低聚物成分可列舉出氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量優(yōu)選在約100約30000的范圍。紫外線固化性的單體成分或低聚物成分的混合量，可以根據(jù)所述粘合劑層的種類適當?shù)貨Q定能夠使粘合劑層的粘合力降低的量。通常，相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等原料聚合物100重量份，例如為約5約500重量份，優(yōu)選約40約150重量份。另外，作為放射線固化型粘合劑，除上述已進行了說明的添加型放射線固化型粘合劑以外，可列舉出使用在聚合物側(cè)鏈或主鏈中或主鏈末端具有自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的丙烯酸類聚合物作為原料聚合物的內(nèi)在型放射線固化型粘合劑。內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑不必含有作為低分子量成分的低聚物成分等、或者含有的不多，因此，低聚物成分等不會歷時性地在粘合劑中移動，能夠形成具有穩(wěn)定的層結(jié)構(gòu)的粘合劑層，所以優(yōu)選。即使在內(nèi)在型的放射線固化型粘合劑的情況下，丙烯酸類聚合物的酸值和碘值也在上述數(shù)值范圍內(nèi)。另外，作為丙烯酸類聚合物的具體例子，可以列舉上述例示的丙烯酸類聚合物。向所述丙烯酸類聚合物導(dǎo)入自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的方法沒有特別限制，可以采用各種方法，而自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵導(dǎo)入聚合物側(cè)鏈的方法，其分子設(shè)計較容易。例如可以列舉如下方法預(yù)先使具有羥基的單體與丙烯酸類聚合物共聚后，使具有可與該羥基反應(yīng)的異氰酸酯基及自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，在維持自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的放射線固化性的狀態(tài)下進行縮合或加成反應(yīng)。作為具有異氰酸酯基及自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉上述例示的異氰酸酯化合物。另外，作為丙烯酸類聚合物，使用將上述例示的含羥基單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇一乙烯基醚等醚類化合物等共聚而成的物質(zhì)。上述內(nèi)在型的放射線固化型粘合劑可以單獨使用上述具有自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的原料聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，但在不使特性變差的程度下，也可以混合上述放射線固化性的單體成分或低聚物成分。通常，相對于原料聚合物i00重量份，紫外線固化性的低聚物成分等在30重量份的范圍內(nèi)，優(yōu)選在010重量份的范圍。在利用紫外線等放射線進行固化的情況下，所述放射線固化型粘合劑中含有光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，可列舉出例如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、a-羥基-a,a'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮等a-酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-l-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-l等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、茴香偶姻甲基醚等苯偶姻醚類化合物；芐基二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯類化合物；l-苯酮-l,l-丙烷二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯酰苯甲酸、3,3，-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵化酮；酰基膦化氧；?；姿狨サ?。相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等原料聚合物100重量份，光聚合引發(fā)劑的混合量為例如約0.05約20重量份。另外，作為放射線固化型粘合劑，可列舉出例如日本特開昭60-196956號公報中所公開的、含有具有2個以上不飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環(huán)氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物、和羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎵鹽類化合物等光聚合引發(fā)劑的橡膠類粘合劑或丙烯酸類粘合劑等。16作為在上述粘合劑層2上形成上述部分2a的方法，可以列舉在基材1上形成放射線固化型粘合劑層2后對上述部分2a部分性的照射放射線而使其固化的方法。關(guān)于部分性的放射線照射，可以通過形成有與半導(dǎo)體晶片貼附部分3a以外的部分3b等對應(yīng)的圖案的光掩模來進行。另外，可以列舉點式照射放射線而使其固化的方法等。放射線固化型粘合劑層2的形成，可以通過將設(shè)在隔離物上的粘合劑層轉(zhuǎn)印到基材1上來進行。部分性的放射線固化也可以對設(shè)置于隔離物上的放射線固化型的粘合劑層2進行。在切割/芯片焊接膜10的粘合劑層2中，也可以對粘合劑層2的一部分進行放射線照射，使上述部分2a的粘合力<其他部分2b的粘合力。即，使用基材1的至少單面的與半導(dǎo)體晶片貼附部分3a對應(yīng)的部分以外的部分的全部或一部分被遮光的基材1，在其上形成放射線固化型的粘合劑層2后，照射放射線，使與半導(dǎo)體晶片貼附部分3a對應(yīng)的部分固化，可以形成粘合力下降的上述部分2a。作為遮光材料，可以通過印刷、蒸鍍等制作能夠在支撐膜上成為光掩模的材料。由此，能夠高效地制造本發(fā)明的切割/芯片焊接膜10。另外，紫外線照射時，在由氧引起固化阻礙的情況下，優(yōu)選由粘合劑層2的表面遮斷氧(空氣)。作為該方法，可以列舉例如將粘合劑層2的表面用隔離物覆蓋的方法、在氮氣氣氛中進行紫外線等紫外線的照射的方法等。另外，優(yōu)選上述粘合劑層2的放射線照射前在23X:下的拉伸彈性率在0.43.5MPa的范圍內(nèi)，放射線照射后在23'C下的拉伸彈性率在7100MPa的范圍內(nèi)。若使放射線照射前的拉伸彈性率(23°C)為0.4MPa以上，則切割半導(dǎo)體晶片時半導(dǎo)體芯片的固定良好，其結(jié)果可以防止產(chǎn)生碎屑。另外，在剝離切割環(huán)時，可以防止產(chǎn)生糊殘留。另—方面，若使拉伸彈性率(23'C)為3.5MPa以下，則可以防止在切割時產(chǎn)生芯片分散。另外，若使放射線照射后的拉伸彈性率(23°C)為7MPa以上，則實現(xiàn)拾取性的提高。粘合劑層2的厚度沒有特別限制，但從兼具有防止芯片切斷面的欠缺及固定保持膠粘層等方面考慮，優(yōu)選為約1約5(Him。優(yōu)選230|im、更優(yōu)選525,。芯片焊接膜3可以為例如僅由膠粘劑層的單層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。此外，也可以將玻璃化轉(zhuǎn)變溫度不同的熱塑性樹脂、熱固化溫度不同的熱固性樹脂適當組合，制成2層以上的多層結(jié)構(gòu)。另外，由于在半導(dǎo)體晶片的切割工序中使用切削水，因此有時芯片焊接膜3吸濕而得到常態(tài)以上的含水率。若在該高含水率的狀態(tài)下與襯底等膠粘，則在后固化的階段在膠粘界面上滯留水蒸汽，有時發(fā)生浮起。因此，作為芯片膠粘用膠粘劑，制成用芯片膠粘劑夾有透濕性高的芯材料的結(jié)構(gòu)，由此在后固化階段，可以使水蒸汽通過膜而擴散，從而避免所述問題?；诖擞^點，芯片焊接膜3可以為在芯材料的單面或雙面上形成有膠粘劑層的多層結(jié)構(gòu)。作為上述芯材料，可以列舉膜(例如聚酰亞胺膜、聚酯膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚碳酸酯膜等)、由玻璃纖維或塑料制無紡纖維進行強化而成的樹脂襯底、硅襯底或玻璃襯底等。本發(fā)明的芯片焊接膜3含有環(huán)氧樹脂作為主要成分而構(gòu)成。環(huán)氧樹脂在腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)等的含量少的方面優(yōu)選。作為所述環(huán)氧樹脂，只要是作為膠粘劑組合物通常使用的環(huán)氧樹脂即可，沒有特別限制，可以使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、線性酚醛型、線性鄰甲酚酚醛型、三羥苯基甲垸型、四羥苯基乙垸型等二官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂、或乙內(nèi)酰脲型、三縮水甘油基異氰脲18酸酯型或縮水甘油胺型等環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨使用或兩種以上并用。在這些環(huán)氧樹脂中，尤其優(yōu)選線性酚醛型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三羥苯基甲烷型樹脂或四羥苯基乙烷型環(huán)氧樹脂。其原因在于，這些環(huán)氧樹脂富有與作為固化劑的酚醛樹脂的反應(yīng)性，且耐熱性等優(yōu)異。另外，芯片焊接膜3還可以根據(jù)需要適當并用其他熱固性樹脂和熱塑性樹脂。作為所述熱固性樹脂，可以列舉酚醛樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、硅樹脂或熱固性聚酰亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨使用，或2種以上并用。另外，作為環(huán)氧樹脂的固化劑，優(yōu)選酚醛樹脂。另外，所述酚醛樹脂是作為所述環(huán)氧樹脂的固化劑而發(fā)揮作用的樹脂，可列舉出例如線性酚醛樹脂、芳垸基酚樹脂、線性甲酚酚醛樹脂、叔丁基線性酚醛樹脂、壬基線性酚醛樹脂等線性酚醛型酚醛樹脂、甲酚型酚醛樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。它們可以單獨使用或2種以上并用。這些酚醛樹脂中，特別優(yōu)選線性酚醛樹脂、芳垸基酚樹脂。其原因在于，這些酚醛樹脂可以提高半導(dǎo)體裝置的連接可靠性。所述環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的混合比例，優(yōu)選的是例如所述環(huán)氧樹脂成分中每1當量的環(huán)氧基混合酚醛樹脂中0.52.0當量的羥基。更優(yōu)選的是混合0.81.2當量的羥基。即，若兩者的混合比例脫離所述范圍，則不能進行充分的固化反應(yīng)，環(huán)氧樹脂固化物的特性容易變差。作為所述熱塑性樹脂，可以列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、6-尼龍或6，6-尼龍等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂或氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨使用或2種以上并用。在這些熱塑性樹脂中，特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性高、可確保半導(dǎo)體元件的可靠性的丙烯酸類樹脂。作為所述丙烯酸類樹脂，沒有特別限定，可以列舉以具有碳原子數(shù)為30以下、尤其是碳原子數(shù)為418的直鏈或支鏈垸基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的l種或2種以上為成分的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一垸基、月桂基、十三垸基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或十二垸基等。另外，作為形成所述聚合物的其他單體，沒有特別限定，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或丁烯酸等含羧基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二烷基酯或丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙垸磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者2-羥乙基丙烯?；姿狨サ群姿峄鶈误w。在芯片焊接膜3的膠粘劑層中，為了預(yù)先進行一定程度的交聯(lián)，優(yōu)選在制作時添加與聚合物的分子鏈末端的官能團等反應(yīng)的多官能性化合物作為交聯(lián)劑。由此，能夠提高高溫下的膠粘特性，試圖改善耐熱性。另外，在芯片焊接膜3的膠粘劑層中，還可以根據(jù)需要適當添加20其他的添加劑。作為其他的添加劑，可以列舉例如阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃劑，可以列舉例如三氧化銻、五氧化銻、溴化環(huán)氧樹脂等。它們可以單獨使用或2種以上并用。作為所述硅垸偶聯(lián)劑，可以列舉例如|3-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、7-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。這些化合物可以單獨使用或2種以上并用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如水滑石類、氫氧化鉍等。它們可以單獨使用或2種以上并用。芯片焊接膜3的厚度沒有特別限制，例如為約5約100pm，優(yōu)選為約5約50pm。在切割/芯片焊接膜10、11中可以具有抗靜電性。由此，能夠防止在其膠粘時或剝離時等靜電的產(chǎn)生以及通過由此引起的工件(半導(dǎo)體晶片等)帶電而導(dǎo)致的電路破壞等。關(guān)于抗靜電性的賦予，可以采用例如向基材1、粘合劑層2或芯片焊接膜3中添加抗靜電劑或?qū)щ娦晕镔|(zhì)的方法、向基材1附設(shè)由電荷移動絡(luò)合物或金屬膜等形成的導(dǎo)電層等適宜的方式來進行。作為這些方式，優(yōu)選不易產(chǎn)生可能使半導(dǎo)體晶片變質(zhì)的雜質(zhì)離子的方式。作為為了賦予導(dǎo)電性、提高熱傳導(dǎo)性等而混合的導(dǎo)電性物質(zhì)(導(dǎo)電填料)，可以列舉銀、鋁、金、銅、鎳、導(dǎo)電性合金等球狀、針狀、片狀的金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無定形炭黑、石墨等。其中，在不使其發(fā)生電泄露的方面，優(yōu)選所述芯片焊接膜3、3'為非導(dǎo)電性。所述切割/芯片焊接膜10、11的芯片焊接膜3、3'優(yōu)選由隔離物進行保護(未圖示)。隔離物具有供實際應(yīng)用前作為保護芯片焊接膜3、3'的保護材料的功能。此外，隔離物還可以作為將芯片焊接膜3、3'轉(zhuǎn)印至粘合劑層2時的支撐基材使用。將工件粘貼于切割/芯片焊接膜的芯片焊接膜3、3'上時剝離隔離物。作為隔離物，也可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、和由氟類剝離劑、長鏈21丙烯酸烷基酯類剝離劑等剝離劑進行表面涂布后的塑料膜和紙等。(切割/芯片焊接膜的制造方法)接著，以切割/芯片焊接膜10為例對本發(fā)明的切割/芯片焊接膜的制造方法進行說明。首先，基材1可以通過現(xiàn)有公知的制膜方法來制膜。作為該制膜方法，可以例示例如壓延制膜法、有機溶劑中的流延法、密閉體系內(nèi)的膨脹擠出法、T模擠出法、共擠出法、干式層壓法等。接著，在基材1上涂布含有粘合劑的組合物，使其干燥(根據(jù)需要使其加熱交聯(lián))形成粘合劑層2。作為涂布方式，可以列舉輥涂布、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等另外，可以直接在基材1上進行涂布，也可以在對表面進行剝離處理后的剝離紙等上涂布后，轉(zhuǎn)印到基材1上。接著，在剝離紙上涂布用于形成芯片焊接膜3的形成材料，以得到規(guī)定厚度，然后在規(guī)定條件下干燥，形成涂布層。通過將該涂布層轉(zhuǎn)印到所述粘合劑層2上，形成芯片焊接膜3。另外，也可以通過在所述粘合劑層2上直接涂布形成材料后在規(guī)定條件下干燥，來形成芯片焊接膜3。由此，可以得到本發(fā)明的切割/芯片焊接膜10。(半導(dǎo)體裝置的制造方法)本發(fā)明的切割/芯片焊接膜10、11，適當剝離任意設(shè)置于芯片焊接膜3、3，上的隔離物后，如下使用。下面，參照圖3，以使用切割/芯片焊接膜11的情況為例進行說明。首先，在切割/芯片焊接膜11的芯片焊接膜3'上壓接半導(dǎo)體晶片4，將其膠粘保持進行固定(安裝工序)。利用壓接輥等擠壓手段擠壓的同時進行該工序。接著，進行半導(dǎo)體晶片4的切割。由此，將半導(dǎo)體晶片4切割成規(guī)定尺寸而成多個片，制造半導(dǎo)體芯片5。切割是例如從半導(dǎo)體晶片4的電路面?zhèn)劝凑粘Ｒ?guī)方法來進行。另外，在本工序中，例如可以采用切入至切割/芯片焊接膜10為止的被稱為全切的切割方式等。作為本工序中使用的切割裝置，沒有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的裝置。另外，由于半導(dǎo)體晶片通過切割/芯片焊接膜IO迸行膠粘固定，因此可以抑制芯片欠缺和芯片分散，同時還能抑制半導(dǎo)體晶片4的破損。為了將在切割/芯片焊接膜10上膠粘固定的半導(dǎo)體芯片剝離，進行半導(dǎo)體芯片5的拾取。作為拾取方法，沒有特別限制，可以采用現(xiàn)有公知的各種方法。例如可以列舉如下方法等從切割/芯片焊接膜10側(cè)通過針上推各半導(dǎo)體芯片5，利用拾取裝置將被上推的半導(dǎo)體芯片5拾取。在此，由于粘合劑層2為紫外線固化型，因此在對該粘合劑層2照射紫外線后進行拾取。由此，粘合劑層2對于芯片焊接膜3a的粘合力下降，半導(dǎo)體芯片5的剝離變?nèi)菀?。其結(jié)果是，可以在不損壞半導(dǎo)體芯片的前提下進行拾取。對紫外線照射時的照射強度、照射時間等條件沒有特別限制，可以根據(jù)需要來適當設(shè)定。另外，作為紫外線照射所使用的光源，可以使用上述光源。拾取的半導(dǎo)體芯片5隔著芯片焊接膜3a膠粘固定于被粘體6上(芯片焊接)。被粘體6載置于加熱塊9上。作為被粘體6，可以列舉引線框、TAB膜、襯底或另行制作的半導(dǎo)體芯片等。被粘體6例如可以是容易變形的變形型被粘體，也可以是難以變形的非變形型被粘體(半導(dǎo)體晶片等)。作為所述襯底，可以使用現(xiàn)有公知的襯底。另外，作為所述引線框，可以使用Cu引線框、42Alloy引線框等金屬引線框或由環(huán)氧玻璃、BT(雙馬來酰亞胺-三嗪)、聚酰亞胺等組成的有機襯底。但是，本發(fā)明并不限于此，也包括可以安裝半導(dǎo)體元件、并與半導(dǎo)體元件電連接來使用的電路襯底。當芯片焊接膜3為熱固化型時，通過加熱固化，將半導(dǎo)體芯片5膠粘固定于被粘體6上，提高耐熱強度。另外，通過半導(dǎo)體晶片貼附部分3a膠粘固定于襯底等的半導(dǎo)體芯片5可以用于回流焊工序。然后，進行用接合引線7將襯底的端子部(內(nèi)引線)的頂端與半導(dǎo)體芯片5上的電極板(未圖示)電連接的引線接合，然后用密封樹脂8將半導(dǎo)體芯片密封，將該密封樹脂8進行后固化。由此，制作本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置。實施例以下，例示性地詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。但是，該實施例記載的材料或混合量等，只要沒有特殊限定的記載，則并不將該發(fā)明的范圍僅限定于這些，這些只不過是簡單的說明例。另外，各例中的份在無特別說明的情況下均為重量基準。(實施例1)<切割膜的制作〉在具備冷卻管、氮氣導(dǎo)入管、溫度計和攪拌裝置的反應(yīng)容器中加入丙烯酸-2-乙基己酯(以下稱為"2EHA")88.8份、丙烯酸-2-羥乙酯(以下稱為"HEA")11.2份、過氧化苯甲酰0.2份和甲苯65份，在氮氣流中6TC下進行聚合處理6小時，得到重均分子量為85萬的丙烯酸類聚合物A。重均分子量如下所述。2EHA和HEA的摩爾比為100摩爾比20摩爾。在該丙烯酸類聚合物A中加入2-甲基丙酰氧乙基異氰酸酯(以下稱為"MOI")12份(相對于HEA為80摩爾％)，在空氣氣流中50匸下進行加成反應(yīng)處理48小時，得到丙烯酸類聚合物A'。對于該丙烯酸類聚合物A'，通過后述方法測定得到的酸值為0.25，羥值為16，碘值為6.4。然后，在丙烯酸類聚合物A'100份中加入聚異氰酸酯化合物(商品名"-。承一卜L"、日本聚氨酯株式會社制)8份以及光聚合引發(fā)劑(商品名"O力'*二7651"、汽巴精化公司制)5份，制作粘合劑溶液。將上述制備的粘合劑溶液涂布于PET剝離襯里的經(jīng)過硅酮處理的面上，在12(TC下加熱交聯(lián)2分鐘，形成厚10pm的粘合劑層。接著，在該粘合劑層面上貼合厚100pm的聚烯烴膜。然后，在5(TC下保存24小時后，制作本實施例的切割膜。<芯片焊接膜的制作>相對于以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主要成分的丙烯酸酯類聚合物(根上工業(yè)株式會社制、商品名；八'，？口>W-197CM)100份，將環(huán)氧樹脂1(JER株式會社制、二匕'-一卜1004)59份、環(huán)氧樹脂2(JER株式會社制、二t'-一卜827)53份、酚醛樹脂(三井化學(xué)株式會社制、商品名S^'7夕》XLC-4L)121份、球狀二氧化硅(Admatechs株式會社制、商品名；SO-25R)222份溶解于甲乙酮，制備成濃度為23.6重量％。將該膠粘劑組合物的溶液涂布在作為剝離襯里(隔離物)的經(jīng)過硅酮脫模處理的由厚38pm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜形成的脫模處理膜上，然后在130。C下干燥2分鐘。由此，制作厚25pm的芯片焊接膜。然后，將芯片焊接膜轉(zhuǎn)印到上述切割膜的粘合劑層側(cè)，得到本實施例的切割/芯片焊接膜?！粗鼐肿恿縈w的測定〉通過GPC(凝膠滲透色譜法)進行重均分子量Mw的測定。測定條件如下所述。另外，重均分子量通過聚苯乙烯換算來算出。測定裝置HLC-8120GPC(產(chǎn)品名、東曹公司制)色譜柱TSKgelGMH-H(S)X2(產(chǎn)品號、東曹公司制)流量0.5ml/min進樣量100|_U柱溫40°C洗脫液THF進樣濃度0.1重量％檢測器差示折射儀<酸值的測定>根據(jù)JISK0070-1992(電位差滴定法)對丙烯酸類聚合物A'的酸值進行評價。即，在干燥后的丙烯酸類聚合物A'約3g中加入丙酮100ml，攪拌使其溶解。在其中加入水25ml并進行攪拌。將該溶液用0.05摩爾/1的氫氧化鈉溶液進行滴定。將中和樣品lg所需要的氫氧化鉀的mg數(shù)作為酸值來表示。<羥值的測定>根據(jù)JISK0070-1992(乙?；?對丙烯酸類聚合物A'的羥值進行評價。即，在干燥后的丙烯酸類聚合物A'約3g中加入乙?；噭?0ml，然后加入吡啶30ml和二甲基甲酰胺30ml作為溶劑。將該溶液在具備冷卻器的水浴中(95100°C)加熱1小時30分鐘。再加入水3ml后，加熱10分鐘。然后，冷卻至室溫，將冷卻器用5ml的乙醇洗滌而加入。在該溶液中加入攪拌子，用磁力攪拌器進行攪拌的同時，采用電位差滴定裝置用0.5摩爾/1的氫氧化鈉溶液進行滴定。將使樣品lg乙?；瘯r中和與羥基結(jié)合的乙酸所需要的氫氧化鈉的mg數(shù)作為羥值來表示。<碘值的測定>根據(jù)JISK0070-1992對丙烯酸類聚合物A'的碘值進行評價。艮P,在干燥后的丙烯酸類聚合物A'約3g中加入氯仿30ml并使其溶解。26在其中加入韋氏液25ml并攪拌。然后，加栓使其為密閉狀態(tài)，在23'C下在暗處放置1小時。在該溶液中加入碘化鉀溶液20ml和水100ml并攪拌。將該溶液用0.1摩爾/1的硫代硫酸鈉溶液進行滴定，溶液變微黃色后，加入數(shù)滴淀粉溶液，進行滴定至藍色消失為止。將使樣品100g與鹵素反應(yīng)時結(jié)合的鹵素的量換算成碘的g數(shù)而得到的值作為碘值來表示。(實施例29)對于各實施例29，除了變更為下述表1所示的組成和含量以外，與上述實施例1同樣操作來制作切割/芯片焊接膜。(比較例14)對于各比較例14,除了變更為下述表1所示的組成和含量以外，與上述實施例1同樣操作來制作切割/芯片焊接膜。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>括號內(nèi)的數(shù)值表示摩爾。其中，MOI中的括號內(nèi)的樹值表示相對于HEA的摩爾比另外，表1中記載的簡稱的意思如下所述。2EHA:丙烯酸-2-乙基己酯HEA:丙烯酸-2-羥乙酯AA:丙烯酸MOI:2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯C/L:聚異氰酸酯化合物(商品名"-a冬一卜L"、日本聚氨酯株式會社制)(切割)使用各實施例和比較例的各切割/芯片焊接膜，按以下的要領(lǐng)，實際進行半導(dǎo)體晶片的切割，評價各切割/芯片焊接膜的性能。將半導(dǎo)體晶片(直徑8英寸、厚0.6mm)進行背面研磨處理，將厚0.15mm的鏡面晶片作為工件使用。從切割/芯片焊接膜上剝離隔離物后，在該芯片焊接膜上于4(TC下將鏡面晶片進行輥壓接并使其貼合，然后進行切割。另外，切割是全切成lmm見方的芯片尺寸。對于切割后的半導(dǎo)體晶片和切割/芯片焊接膜，確認有無芯片分散。將即使有1個半導(dǎo)體芯片分散的情況也記作X，將無飛濺的情況記作O。晶片研磨條件、貼合條件和切割條件見后述。<晶片研磨條件〉研磨裝置7V只〕公司制DFG-8560半導(dǎo)體晶片直徑8英寸(背面研磨成厚0.6mm至0.15mm)<貼合條件>貼附裝置日東精機制、MA-3000II貼附速度計10mm/min貼附壓力0.15MPa貼附時的階段溫度4CTC<切割條件〉切割裝置f'Y只〕公司制、DFD-6361切割環(huán)2-8-1(fV只〕公司制)切割速度80mm/秒切割刀片ZI;亍W7-公司制2050HEDDZ2;亍"7-公司制2050HEBB切割刀片轉(zhuǎn)速Zl;40000rpmZ2;40000rpm刀片高度-Zl;0.215mm(取決于半導(dǎo)體晶片的厚度(晶片厚度為75fiim時，為0.170mm))Z2;0.085mm切割方式A模式/階梯切割晶片芯片尺寸l.Omm見方(拾取)使用各實施例和比較例的各切割/芯片焊接膜，按以下的要領(lǐng)，在實際進行半導(dǎo)體晶片的切割后進行拾取，評價各切割/芯片焊接膜的性將半導(dǎo)體晶片(直徑8英寸、厚0.6mm)進行背面研磨處理，將厚0.075mm的鏡面晶片作為工件使用。將芯片焊接膜與芯片焊接膜貼合后，在23。C下放置1小時。然后，將芯片焊接膜的膠粘劑層上的隔離物剝離，在芯片焊接膜上于40'C下將鏡面晶片進行輥壓接并使其貼合。然后，在23。C下放置1小時后，進行鏡面晶片的切割。切割是全切成lmm見方的芯片尺寸。接著，對各切割/芯片焊接膜進行紫外線照射，進行將它們拉伸而使各芯片間為規(guī)定間隔的擴展工序。另外，釆用針的上推方式從各切割/芯片焊接膜的基材側(cè)拾取半導(dǎo)體芯片，評價拾取性。具體而言，連續(xù)拾取400個半導(dǎo)體芯片，將在后述條件A和B下進行時的成功率均30為100%的情況記為，將在條件A下進行時的成功率為100%而在條件B下進行時的成功率不是100%的情況記為〇，將在條件A和B下的成功率均不是100。/。的情況記為X。<晶片研磨條件>研磨裝置亍'、^-公司帝UDFG-8560半導(dǎo)體晶片直徑8英寸(背面研磨成厚0.6mm至0.075mm)<貼合條件>貼附裝置日東精機制、MA-3000II貼附速度計10mm/min貼附壓力0.15MPa貼附時的階段溫度40°C<切割條件>切割裝置亍'、^-公司制、DFD-6361切割環(huán)2-8-1(于'、^3公司制)切割速度80mm/秒切割刀片Zl;于'、》-公司制2050HEDDZ2;亍、》-公司制2050HEBB切割刀片轉(zhuǎn)速Zl;40000卬mZ2;40000rpm刀片高度Zl;0.170mm(取決于半導(dǎo)體晶片的厚度(晶片厚度為75pm時'為0.170mm))Z2;0.085mm切割方式A模式/階梯切割晶片芯片尺寸10.0mm見方<紫外線的照射條件>紫外線(UV)照射裝置日東精機(商品名、UM-810希lJ)紫外線照射累計光量300mJ/cm2另外，紫外線照射從聚烯烴膜側(cè)進行。<拾取條件〉關(guān)于拾取條件，按下述表2所示的條件A和條件B分別進行。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>(保存性試驗1)將貼合有切割膜與芯片焊接膜的切割/芯片焊接膜在O'C下保存2周(相對濕度％)。然后，在與上述相同的條件下，進行拾取評價。將在條件A和B下進行時的成功率均為100%的情況記為◎，將在條件A下進行時的成功率為100%而在條件B下進行時的成功率不是100%的情況記為O，將在條件A和B下的成功率均不是100。/o的情況記為X。結(jié)果如表3所示。(保存性試驗2)除了將保存期間的溫度變更為23X:以外，與上述保存穩(wěn)定性試驗1同樣操作，進行拾取評價。結(jié)果如表3所示。(保存性試驗3)除了將保存期間的溫度變更為4(TC以外，與上述保存穩(wěn)定性試驗l同樣操作，進行拾取評價。結(jié)果如表3所示。(拉伸彈性率的測定)在樣品尺寸為初期長度10mm、截面積0.10.5mm2，測定溫度23。C，夾頭間距離50mm，拉伸速度50mm/min的測定條件下，沿MD方向或TD方向進行拉伸試驗，測定各方向上的樣品的拉伸變化量(mm)。其結(jié)果是，在所得到的S-S曲線的初期立起部分引切線，將相當于該切線100%拉伸時的拉伸強度除以基材膜的截面積，得到拉伸彈性率。另外，關(guān)于紫外線照射后的拉伸彈性率的測定，是根據(jù)上述照射條件從聚烯烴膜側(cè)照射紫外線后來進行。(切割環(huán)的糊殘留)將切割膜從切割環(huán)上剝離，通過肉眼確認在切割環(huán)上是否產(chǎn)生糊殘留。當確認有糊殘留時記為X，當確認沒有吋記為O。33表3<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>權(quán)利要求1.一種切割/芯片焊接膜，具備在基材上具有放射線固化型粘合劑層的切割膜、和設(shè)置于該粘合劑層上的芯片焊接膜，其中，所述粘合劑層中的粘合劑含有丙烯酸類聚合物而構(gòu)成，所述丙烯酸類聚合物的酸值為0.01～1，碘值在5～10的范圍內(nèi)。2.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述丙烯酸類聚合物的羥值在730的范圍內(nèi)。3.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述丙烯酸類聚合物以丙烯酸酯作為主要單體。4.如權(quán)利要求3所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述丙烯酸酯為由CHfCHCOOR表示的單體，式中，R是碳原子數(shù)為610的垸基。5.如權(quán)利要求4所述的切害!j/芯片焊接膜，其中，由所述CH2=CHCOOR表示的單體，相對于全部單體成分，其含量在5091摩爾％的范圍內(nèi)，式中，R是碳原子數(shù)為610的垸基。6.如權(quán)利要求5所述的切害iJ/芯片焊接膜，其中，所述CH^CHCOOR為丙烯酸-2-乙基己酯、或者丙烯酸異辛酯，式中，R是碳原子數(shù)為610的烷基。7.如權(quán)利要求3所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述丙烯酸類聚合物含有與所述丙烯酸酯可共聚的含羥基單體作為必須成分。8.如權(quán)利要求7所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述含羥基單體的含量相對于所述丙烯酸酯在1030摩爾％的范圍內(nèi)。9.如權(quán)利要求l所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述丙烯酸類聚合物的重均分子量在35萬100萬的范圍內(nèi)。10.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述粘合劑層在放射線照射前的23'C下的拉伸彈性率在0.43.5Mpa的范圍內(nèi)，且在放射線照射后的23t:下的拉伸彈性率在7100Mpa的范圍內(nèi)。11.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述粘合劑層含有在分子中具備2個以上對羥基顯示反應(yīng)性的官能團的交聯(lián)劑。12.如權(quán)利要求11所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述交聯(lián)劑為選自異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、氮雜環(huán)丙垸類交聯(lián)劑以及三聚氰胺類交聯(lián)劑中的至少1種。全文摘要本發(fā)明提供一種切割/芯片焊接膜，具備在基材上具有粘合劑層的切割膜和設(shè)置于該粘合劑層上的芯片焊接膜，且即使在室溫下產(chǎn)品的保存穩(wěn)定性也優(yōu)異。本發(fā)明的切割/芯片焊接膜具備在基材上具有放射線固化型粘合劑層的切割膜、和設(shè)置于該粘合劑層上的芯片焊接膜，其特征在于，所述粘合劑層中的粘合劑含有丙烯酸類聚合物而構(gòu)成，所述丙烯酸類聚合物的酸值為0.01～1，碘值在5～10的范圍內(nèi)。文檔編號C09J133/08GK101515564SQ200910006428公開日2009年8月26日申請日期2009年2月18日優(yōu)先權(quán)日2008年2月18日發(fā)明者村田修平,松村健,神谷克彥申請人:日東電工株式會社