專利名稱：：帶有接合膜的基材、接合方法以及接合體的制作方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及帶有接合膜的基材、接合方法以及接合體。
背景技術(shù)：
：將2個部件(基材)彼此接合(粘接)時，目前多數(shù)使用環(huán)氧系粘接劑、聚氨酯系粘接劑、硅酮系粘接劑等的粘接劑而進行的方法。粘接劑不管部件的材質(zhì)如何都顯示粘接性。因此，可以將由各種材料構(gòu)成的部件彼此以各種組合進行粘接。例如，噴墨打印機所具備的液滴噴頭(噴墨式記錄頭)通過將由樹脂材料、金屬材料、硅系材料等不同種類的材料構(gòu)成的部件之間使用粘接劑粘接而組裝。如上所述，使用粘接劑將部件彼此粘接時，將液狀或糊狀的粘接劑涂布于粘接面，借助涂布的粘接劑將部件之間貼合。然后，在熱和光的作用下使粘接劑固化，從而將部件之間粘接起來。但是，上述的粘接劑存在以下的問題。粘接強度低尺寸精度低固化時間長，因而粘接所需要的時間也長另外，多數(shù)情況下，為了提高粘接強度而必須使用底漆，隨之而來的成本和時間導致粘接工序的高成本化復雜化。另一方面，作為不使用粘接劑的接合方法，有利用固體接合進行的方法。固體接合是不借助粘接劑等中間層將部件彼此直接接合的方法(例如，參照專利文獻l)。根據(jù)該固體接合，由于不使用粘接劑之類的中間層，因此可獲得尺寸精度高的接合體。6但是，固體接合存在以下的問題。接合的部件的材質(zhì)存在限制.'接合程序中，伴隨著高溫(例如，70080(TC左右)下的熱處理接合程序中的氛圍限于減壓氛圍。受到上述問題，要求不取決于供接合的部件的材質(zhì)而將部件彼此以高尺寸精度、牢固且在低溫下有效接合的方法。專利文獻1:日本專利特開平5—82404號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供具有能夠以高尺寸精度、牢固且在低溫下有效地與粘附體接合的接合膜的帶有接合膜的基材、在低溫下有效地接合帶有接合膜的基材與粘附體的接合方法、以及以高尺寸強度、牢固地接合所述帶有接合膜的基材和粘附體而成的可靠性高的接合體。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種帶有接合膜的基材，含有基材和接合膜，所述接合膜被設置于所述基材上且含有Si骨架和鍵合于該Si骨架的脫離基，所述Si骨架具有含硅氧垸(Si-0)鍵的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)，所述Si骨架的結(jié)晶度為45%以下，其中對所述接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量，所述接合膜的至少存在于表面附近的所述脫離基從所述Si骨架中脫離，從而在所述接合膜的表面的所述區(qū)域呈現(xiàn)出與其它粘附體的粘接性。根據(jù)本發(fā)明，可獲得具有能夠以高尺寸精度、牢固且在低溫下有效地接合粘附體的接合膜的帶有接合膜的基材。另外，在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，從構(gòu)成所述接合膜的全體原子除去了H原子后的原子中，Si原子的含有率與O原子的含有率總計優(yōu)選為1090原子％。由此，接合膜中，Si原子與O原子形成牢固的網(wǎng)絡，接合膜本身形成牢固的膜。另外，上述接合膜對基材以及其他接合膜顯示特別高的接合強度。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，所述接合膜中的Si原子與0原子的存在比優(yōu)選為3:77:3。由此，接合膜的穩(wěn)定性變高，帶有接合膜的基材與其它的粘附體更加牢固地接合。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，所述接合膜優(yōu)選含有Si-H鍵。認為Si-H鍵抑制硅氧烷鍵有規(guī)則地生成。因此，硅氧垸鍵以避開Si-H鍵地形成，Si骨架的規(guī)則性降低。如上所述地操作，通過在接合膜中含有Si—H鍵，可以有效地形成結(jié)晶度低的Si骨架。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，在含有所述Si-H鍵的接合膜的紅外吸收光譜中，以歸屬于硅氧垸鍵的峰強度為1時，歸屬于Si-H鍵的峰強度優(yōu)選為O.0010.2。由此，接合膜中的原子結(jié)構(gòu)形成相對最無規(guī)的結(jié)構(gòu)。因此，接合膜是接合強度、耐化學藥品性以及尺寸精度特別優(yōu)異的接合膜。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述脫離基包含選自由H原子、B原子、C原子、N原子、O原子、P原子、S原子及鹵素系原子或按照上述各原子鍵合于所述Si骨架的方式配置的原子團構(gòu)成的組中的至少1種。上述脫離基在利用能量賦予進行鍵合/脫離的選擇性方面比較優(yōu)異。因此，通過賦予能量，能得到比較簡單且均勻脫離的脫離基，可以進一步提高帶有接合膜的基材的粘接性。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，所述脫離基優(yōu)選為垸基。由此，可得到耐候性及耐化學藥品性優(yōu)良的接合膜。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，在含有甲基作為所述脫離基的接合膜的紅外吸收光譜中，以歸屬于硅氧烷鍵的峰強度為1時，歸屬于甲基的峰強度優(yōu)選為O.050.45。由此，甲基的含有率被最佳化，由于可防止甲基阻礙硅氧烷鍵的生成至必需以上，且接合膜中產(chǎn)生必需且充分的數(shù)量的活性鍵，所以接合膜產(chǎn)生足夠的粘接性。另外，接合膜呈現(xiàn)起因于甲基的足夠的耐氣候性與耐化學藥品性。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，所述接合膜的至少存在于其表面附近的所述脫離基從所述Si骨架中脫離后具有活性鍵。8由此，可獲得能夠與其它粘附體基于化學鍵牢固地接合的帶有接合膜的基材。'另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，所述活性鍵優(yōu)選為未結(jié)合鍵或羥基。由此，可與其它粘附體特別牢固地接合。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，所述接合膜優(yōu)選以聚有機硅氧烷為主要材料而構(gòu)成。由此，可獲得粘接性特別優(yōu)良的接合膜。另外，該接合膜的耐候性及耐化學藥品性優(yōu)良，例如，有效用于制作長期暴露于藥品類等的基材的接合中。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，所述聚有機硅氧垸優(yōu)選以八甲基三硅氧垸的聚合物為主要成分。由此，可獲得粘接性特別優(yōu)良的接合膜。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，在所述等離子聚合法中，產(chǎn)生等離子體時的高頻輸出密度優(yōu)選為0.01100W/cm2。由此，可以防止高頻的輸出密度過高而對原料氣賦予必需以上的等離子體能量，同時可以確實地形成具有無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)的Si骨架。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，所述接合膜的平均厚度優(yōu)選為11000nm。由此，可防止接合有帶有接合膜的基材與其它粘附體的接合體的尺寸精度顯著地降低，并且可將它們更加牢固地接合。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，所述接合膜優(yōu)選為不具有流動性的固體狀膜。由此，使用帶有接合膜的基材而得到的接合體的尺寸精度與現(xiàn)有的相比非常高。另外，與現(xiàn)有的相比，能短時間牢固地接合。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，所述接合膜的折射率優(yōu)選為1.351.6。這樣的接合膜由于其折射率與水晶或石英玻璃的折射率比較接近，因此，例如，在制造具有貫通接合膜之類的結(jié)構(gòu)的光學部件時非常適合。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，所述基材優(yōu)選呈板狀。9由此，基材容易撓曲，基材能沿著其他基材的形狀充分變形，所以進一步提高它們的密接性。另外，利用基材撓曲，可以一定程度緩和接合界面所產(chǎn)生的應力。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述基材的至少形成所述接合膜的部分以硅材料、金屬材料或玻璃材料為主要材料而構(gòu)成。由此，即使不實施表面處理，也可獲得充分的接合強度。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述基材的具有所述接合膜的面預先被實施了提高與所述接合膜的密接性的表面處理。由此，可將基材的表面清潔化和活化，從而提高接合膜與對置基板的接合強度。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，所述表面處理優(yōu)選為等離子體處理。由此，由于可形成接合膜，可以將基材的表面特別最佳化。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述基材與所述接合膜之間插入有中間層。由此，可得到可靠性高的接合體。另外，本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，所述中間層優(yōu)選以氧化物系材料為主要材料而構(gòu)成。由此，可特別地提高基材與接合膜之間的接合強度。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種接合方法，包括準備本發(fā)明的帶有接合膜的基材和所述其它粘附體的工序；對該帶有接合膜的基材中的所述接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量的工序；禾卩以使所述接合膜與所述其它粘附體密接的方式使所述帶有接合膜的基材與所述其它粘附體貼合，得到接合體的工序。根據(jù)上述本發(fā)明，可在低溫下有效地將帶有接合膜的基材和粘附體接合。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種接合方法，包括準備本發(fā)明的帶有接合膜的基材和所述其它粘附體的工序；以使所述接合膜與所述其它粘附體密接的方式，使所述帶有接合膜的10基材與所述其它的粘附體重合，得到臨時接合體的工序；以及對該臨時接合體中所述接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量，從而將所述帶有接合膜的基材與所述其它粘附體接合，得到接合體的工序。根據(jù)上述發(fā)明，可在低溫下有效地將帶有接合膜的基材和粘附體接合。另外，在層疊體的狀態(tài)下，帶有接合膜的基材與粘附體之間不會接合，因此，將帶有接合膜的基材與粘附體重合后，還可以容易地將它們的位置做稍微的調(diào)整。結(jié)果是可提高接合膜的表面方向上的位置精度。另外，本發(fā)明的接合方法中，所述能量的賦予優(yōu)選是通過向所述接合膜照射能量線的方法，加熱所述接合膜的方法以及對所述接合膜賦予壓縮力的方法中的至少一種方法來進行的。由此，可比較簡單地且有效地對接合膜賦予能量。另外，本發(fā)明的接合方法優(yōu)選所述能量線為波長150300nm的紫外線。由此，由于賦予接合膜的能量為最佳，所以可以防止接合膜中的Si骨架被破壞至必需以上，并可以選擇性切斷Si骨架與脫離基之間的鍵。其結(jié)果是，可以防止接合膜的特性(機械特性、化學特性等)降低，同時可以使接合膜呈現(xiàn)粘接性。另外，本發(fā)明的接合方法優(yōu)選所述加熱的溫度為25100°C。由此，可防止接合體在熱的作用下變質(zhì)劣化，并且可確實地提高接合強度。另外，本發(fā)明的接合方法優(yōu)選所述壓縮力為O.210MPa。由此，可防止壓力變的過高而在基板和粘附體發(fā)生損傷等，且可確實地提高接合體的接合強度。另外，本發(fā)明的接合方法優(yōu)選所述能量的賦予在大氛圍圍中進行。由此，控制氛圍時無需花費時間和成本，從而可以更簡單地賦予能量。另外，本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選所述其它粘附體具有預先實施了提高其與所述接合膜的密接性的表面處理的表面，并且所述帶有接合膜的基材以所述接合膜與實施了表面處理的表面密接的方式貼合。由此，可提高帶有接合膜的基材與粘附體之間的接合強度。另外，本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選所述其它粘附體具有預先包含選自由官能團、自由基、開環(huán)分子、不飽和鍵、鹵素以及過氧化物構(gòu)成的組中的至少一種基團或物質(zhì)的表面，所述帶有接合膜的基材以所述接合膜與含有所述基團或物質(zhì)的表面密接的方式貼合。由此，帶有接合膜的基材與其它的粘附體之間的接合強度可得到充分的提高。另外，本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選還包括對所述接合體進行提高其接合強度的處理的工序。由此，可實現(xiàn)接合體的接合強度的進一步提高。另外，本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選所述進行提高接合強度的處理的工序通過對所述接合體照射能量線的方法，加熱所述接合體的方法以及對所述接合體施加壓縮力的方法中的至少一種方法來進行。由此，可容易地時間接合體的接合強度的進一步提高。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種接合體，其具有本發(fā)明的帶有接合膜的基材和其它粘附體，并借助所述接合膜將所述基材和粘附體接合接合而成。根據(jù)上述本發(fā)明，可獲得以高的尺寸精度將帶有接合膜的基材與所述其它粘附體牢固地接合而成的可靠性高的接合體。圖1是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第1實施方案的圖(縱截面圖)。圖2是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第1實施方案的圖(縱截面圖)。圖3是顯示本發(fā)明的帶有接合膜的基材具有的接合膜的能量賦予前的狀態(tài)的部分擴大圖。圖4是表示本發(fā)明的帶有接合膜的基材具有的接合膜的能量賦予后的狀態(tài)的部分擴大圖。圖5是示意地表還是使用于本發(fā)明的接合方法的等離子聚合裝置的縱截面圖。圖6是用于說明在基板上制作接合膜的方法的圖(縱截面圖)圖7是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第2實施方案的圖(縱截面圖)。圖8是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第3實施方案的圖(縱截面圖)。圖9是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第3實施方案的圖(縱截面圖)。圖10是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第4實施方案的圖(縱截面圖)。圖11是說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第5實施方案的圖(縱截面圖)。圖12是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第6實施方案的圖(縱截面圖)。圖13是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第7實施方案的圖(縱截面圖)。圖14是顯示應用本發(fā)明的接合體而得到的噴墨式記錄頭(液滴噴頭)的分解立體圖。圖15是顯示圖14所示的噴墨式記錄頭的主要部件的構(gòu)成的截面圖。圖16是顯示圖14所示的具有噴墨式記錄頭的噴墨打印機的實施方案的簡圖。具體實施方案以下根據(jù)附圖所示的優(yōu)選實施方案詳細地說明本發(fā)明的帶有接合膜的基材、接合方法和接合體。本發(fā)明的帶有接合膜的基材包含基板(基材)和被設置于該基板上的接合膜，其用于與對置基板(其它粘附體)接合。在該帶有接合膜的基材中，接合膜包括含有Si骨架和鍵合于該Si骨架的脫離基的接合膜，所述Si骨架具有含硅氧烷(Si-O)鍵的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)。上述帶有接合膜的基材中，通過對接合膜的俯視圖中的至少一部分區(qū)域、即俯視圖中的接合膜的整面或一部分區(qū)域賦予能量，接合膜的至少存13在于其表面附近的脫離基從Si骨架脫離。并且該接合膜具有下述特征利用脫離基的脫離，其表面賦予了能量的區(qū)域呈現(xiàn)與其它粘附體的粘接性。具有上述特征的帶有接合膜的基材可以高尺寸精度、牢固地且在低溫下有效地與對置基板接合。因此，通過使用所述帶有接合膜的基材，可獲得牢固地接合基板和對置基板而成的可靠性高的接合體。<第1實施方案>首先，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、將該帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法(本發(fā)明的接合方法)以及具有本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第1實施方案進行說明。圖1和圖2是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第1實施方案的圖(縱截面圖)。圖3是表示本發(fā)明的帶有接合膜的基材具有的接合膜的能量賦予前的狀態(tài)的部分擴大圖。圖4是表示本發(fā)明的帶有接合膜的基材具有的接合膜的能量賦予后的狀態(tài)的部分擴大圖。予以說明，以下的說明中，圖1圖4中的上側(cè)是指「上」、下側(cè)是指「下」。本實施方案中的接合方法包括使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材的工序；通過對帶有接合膜的基材的接合膜賦予能量，使脫離基從接合膜中脫離從而使接合膜活化的工序；以及準備對置基板(其它粘附體)，以帶有接合膜的基材具有的接合膜與對置基板密接的方式將它們貼合，得到接合體的工序。以下，對本實施方案的接合方法的各工序依次進行說明。首先，準備帶有接合膜的基材1(本發(fā)明的帶有接合膜的基材)。帶有接合膜的基材1如圖1(a)所示，具有呈板狀的基板(基材)2和設置于基板2上的接合膜3。其中，基板2只要是具有支撐接合膜3程度的剛性，就可用任意材料構(gòu)成。具體而言，基板2的構(gòu)成材料可以舉出聚乙烯、聚丙烯、乙烯一丙烯共聚物、乙烯一乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等聚烯烴、環(huán)狀聚烯烴、改性聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚碳酸酯、聚一(4一甲基戊烯一1)、離聚物、丙烯酸系樹脂、聚甲基甲基丙烯酸酯、丙烯腈一丁二烯一苯乙烯共聚物(ABS樹脂)、丙烯腈一苯乙烯共聚物(AS樹脂)、丁二烯一苯乙烯共聚物、聚甲醛、聚乙烯醇(PVA)、乙烯一乙烯基醇共聚物(EVOH)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚環(huán)己垸對苯二甲酸酯(PCT)等聚酯、聚醚、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亞胺、聚縮醛(POM)、聚苯醚、改性聚苯醚、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、芳香族聚酯(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、其他氟系樹脂、苯乙烯系、聚烯烴系、聚氯乙烯系、聚氨酯系、聚酯系、聚酰胺系、聚丁二烯系、反聚異丙烯系、氟橡膠系、氯化聚乙烯系等各種熱塑性彈性體、環(huán)氧樹脂、苯酚樹脂、脲醛樹脂、蜜胺樹脂、芳族聚酰胺系樹脂、不飽和聚酯、硅酮樹脂、聚氨酯等或以這些為主的共聚物、混合體、聚合物混合物(求y7—7口Y)等樹脂系材料、Fe、Ni、Co、Cr、Mn、Zn、Pt、Au、Ag、Cu、Pd、Al、W、Ti、V、Mo、Nb、Zr、Pr、Nd、Sm之類的金屬、或含有這些金屬的合金、碳鋼、不銹鋼、銦錫化合物(ITO)、鎵砷之類的金屬系材料、單晶硅、多晶硅、非晶質(zhì)硅之類的硅系材料、硅酸玻璃(石英玻璃)、硅酸堿性玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃、鉛(堿)玻璃、鋇玻璃、硼硅酸玻璃之類的玻璃系材料、氧化鋁、二氧化鋯、鐵素體、氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鈦、碳化硅、碳化硼、碳化鈦、碳化鉭之類的陶瓷系材料、石墨之類的碳系材料、或組合這些各材料的一種或兩種以上的復合材料等。另外，基板2也可以是對其表面實施了Ni鍍敷之類鍍敷處理、絡酸鹽處理之類的鈍態(tài)化處理、或氮化處理等的基板。另外，基板(基材)2的形狀只要具有支撐接合膜3的面那樣的形狀即可，不限定于板狀。即，基材的形狀例如可以為塊狀(block狀)、棒狀等。需要說明的是，本實施方案中，由于基板2呈板狀，因此基板2容易撓曲，能沿著對置基板4的形狀充分變形，因此其密接性變得更高。另外，帶有接合膜的基材l中，可將基板2和接合膜3的密接性提高，且由于基板2撓曲，所以在接合界面產(chǎn)生的應力在某種程度上得到緩和。此時，基板2的平均厚度沒有特別的限定，優(yōu)選為0.0110mm左右，更優(yōu)選為O.13mm左右。需要說明的是，后述的對置基板4的平均厚度也優(yōu)選在與上述基板2的平均厚度相同的范圍內(nèi)。另一方面，接合膜3位于基板2和后述的對置基板4之間的位置，承擔將上述基板2、4接合的功能。所述接合膜3如圖3、4所示，具有Si骨架301和鍵合于該Si骨架301的脫離基303，所述Si骨架301具有含有硅氧烷(Si-O)鍵302的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的帶有接合膜的基材主要在該接合膜3上具有特征。另外，該接合膜3如后所述。另外，優(yōu)選基板2的至少要形成接合膜3的區(qū)域，根據(jù)基板2的構(gòu)成材料在形成接合膜3之前預先實施提高基板2與接合膜3之間的密接性的表面處理。作為所述表面處理，可以舉出例如，濺射處理、噴砂(7、'，7卜)處理之類的物理表面處理、使用了氧等離子體、氮等離子體等的等離子體處理、電暈放電處理、蝕刻處理、電子射線照射處理、紫外線照射處理、臭氧暴露處理之類的化學表面處理、或組合了這些的處理等。通過實施這些處理，可將基板2的要形成接合膜3的區(qū)域清潔化，并使該區(qū)域活化。由此，可提高基板2與接合膜3之間的接合強度。另外，通過使用在上述各表面處理中的等離子體處理，形成接合膜3，因此，可以將基板2的表面特別最佳化。需要說明的是，在實施表面處理的基板2由樹脂材料(高分子材料)構(gòu)成時，特別優(yōu)選使用電暈放電處理、氮等離子體處理等。另外，根據(jù)基板2的構(gòu)成材料，即使不實施上述那樣的表面處理，也可充分地提高接合膜3的接合強度。作為能夠獲得上述效果的基板2的構(gòu)成材料，例如，可以舉出以上述的各種金屬系材料、各種硅系材料、各種玻璃系材料等作為主要材料的材料。由上述材料構(gòu)成的基板2因其表面被氧化膜覆蓋，該氧化膜的表面鍵合有活性比較高的羥基。因此，若使用由上述材料構(gòu)成的基板2，則即使不實施上述那樣的表面處理也可提高基板2與接合膜3之間的密接強度。需要說明的是，此時，基板2的整體也可以不由上述那樣的材料構(gòu)成，只要至少要形成接合膜3的區(qū)域的表面附近由上述那樣的材料構(gòu)成即可。16說明書第12/59頁另外，優(yōu)選在基板2的至少要形成接合膜3的區(qū)域預先形成中間層來代替表面處理。該中間層也可以具有任何功能，例如，優(yōu)選具有提高與接合膜3的密接性的功能、緩沖性(緩沖功能)、緩和應力集中的功能等。通過經(jīng)由這樣的中間層將基板2和接合膜3接合，可得到可靠性高的接合體。作為所述中間層的構(gòu)成材料，例如，可以舉出鋁、鈦之類的金屬系材料、金屬氧化物、硅氧化物之類的氧化物系材料，金屬氮化物、硅氮化物之類的氮化物系材料，石墨、類金剛石碳(diamondlikecarbon)之類的碳系材料、硅烷偶合劑、硫醇系化合物、金屬醇鹽、金屬一鹵化物之類的自組織化膜材料、樹脂系粘接劑、樹脂薄膜、樹脂涂敷材料、各種橡膠材料、各種彈性體之類的樹脂系材料等，其中可以使用一種或組合兩種以上。另外，由這些各種材料構(gòu)成的中間層中，根據(jù)由氧化物系材料構(gòu)成的中間層，也可特別地提高基板2與接合膜3之間的接合強度。接著，對帶有接合膜的基材1的接合膜3的表面35賦予能量。賦予能量時，接合膜3中，脫離基303從Si骨架301脫離。然后，在脫離基303脫離后，在接合膜3的表面35以及內(nèi)部產(chǎn)生活性鍵。由此，接合膜3的表面35呈現(xiàn)與對置基板4的粘接性。這種狀態(tài)的帶有接合膜的基材1可與對置基板4基于化學鍵牢固地接合。在此，對接合膜3賦予能量可使用任意的方法，例如，可以舉出照射能量線的方法，加熱接合膜3的方法，對接合膜3施加壓縮力(物理能量)的方法，置于等離子體中(賦予等離子體能量)的方法，以及置于偶氮氣體中(賦予化學能量)的方法等。另外，本實施方案中，作為向接合膜3賦予能量的方法，特別優(yōu)選使用對接合膜3照射能量線的方法。這些方法可對接合膜3比較簡單且有效地賦予能量，因此，非常適合作為能量賦予的方法。其中，作為能量線，例如，可以舉出紫外線、激光之類的光、X線、Y線、電子線、離子束之類的粒子線等或這些能量線的組合。這些能量線中，特別優(yōu)選使用波長為150300nm左右的紫外線(參照圖1(b)。若使用上述紫外線，被賦予的能量被最佳化，因此可防止接合膜3中的Si骨架301破壞至必需以上，且可選擇性地將Si骨架301和脫離基303之間的鍵切斷。由此，可防止接合膜3的特性(機械特性、化學特性等)降低，并使接合膜3呈現(xiàn)出粘接性。另外，若使用上述紫外線，可以沒有不均地在短時間內(nèi)對寬范圍進行處理，可有效地進行脫離基303的脫離。進而，紫外線也有下述優(yōu)點，例如，可以用UV燈等簡單的設備產(chǎn)生。另外，紫外線的波長較優(yōu)選為160200nm左右。另外，使用UV燈時，其輸出根據(jù)接合膜3的面積的不同而不同，但優(yōu)選為lmW/cm2lW/cm2左右，更優(yōu)選5mW/cm250mW/cm2左右。需要說明的是，此時，UV燈與接合膜3之間的離開距離優(yōu)選為33000mm左右，更優(yōu)選為101000mm左右。另外，照射紫外線的時間優(yōu)選為能夠使接合膜3的表面35附近的脫離基303脫離的程度的時間，S卩，不使接合膜3內(nèi)部的脫離基303大量脫離的程度的時間。具體而言，紫外線的光量根據(jù)接合膜3的構(gòu)成材料等而略有不同，但優(yōu)選為O.530分鐘左右，更優(yōu)選為110分鐘左右。另外，紫外線可以經(jīng)時連續(xù)照射，也可以間歇(脈沖狀)照射。另一方面，作為激光，例如，可以舉出準分子激光(飛秒激光)、Nd-YAG激光、Ar激光、C02激光、He-Ne激光等。另外，對接合膜3進行能量線的照射可在任意的氛圍中進行，具體而言，可以舉出大氣、氧氣之類的氧化性氣體氛圍、氫氣之類的還原性氣體氛圍、氮氣、氬氣之類的惰性氣體氛圍、或?qū)⑸鲜鰵怏w的氛圍減壓得到的減壓(真空)氛圍等，但其中特別優(yōu)選在大氣氛圍中進行。進而，控制氛圍時不需要花費時間或成本，能夠更簡單地進行能量線的照射。這樣，根據(jù)照射能量線的方法，能夠容易地對接合膜3有選擇地賦予能量，因此，例如，能夠防止能量的賦予引起的第一基材2的變質(zhì)*劣化。另外，根據(jù)照射能量線的方法可知，能夠精度良好且簡單地調(diào)節(jié)賦予的能量的大小。因此，能夠調(diào)節(jié)從接合膜3脫離的脫離基303的脫離量。通過如上所述調(diào)整脫離基303的脫離量，可容易地控制帶有接合膜的基材1與對置基板4之間的接合強度。艮口，通過增加脫離基303的脫離量，可在接合膜3的表面35以及內(nèi)18部產(chǎn)生更多量的活性鍵，因此，能夠進一步提高接合膜3所呈現(xiàn)的粘接性。另一方面，通過減少脫離基303的脫離量，能夠減少接合膜3的表面以及內(nèi)部產(chǎn)生的活性鍵，進而抑制接合膜3所呈現(xiàn)的粘接性。需要說明的是，為了調(diào)整賦予的能量的大小，例如，只要調(diào)整能量線的種類，能量線的輸出、能量線的照射時間等條件即可。進而，根據(jù)照射能量線的方法，能夠在短時間內(nèi)賦予較大的能量，因此，能夠更有效地進行能量的賦予。在此，賦予能量前的接合膜3如圖3所示，具有Si骨架301和脫離基303。若對所述接合膜3賦予能量，則脫離基303(本實施方案為甲基)從Si骨架301脫離。由此，如圖4所示，接合膜3的表面35產(chǎn)生活性鍵304被活化。其結(jié)果是，在接合膜3的表面呈現(xiàn)粘接性。在此，所謂使接合膜3"活化"是指接合膜3的表面35以及內(nèi)部的脫離基303脫離，在Si骨架301中產(chǎn)生未被終端化的結(jié)合鍵(以下，也稱為"未結(jié)合鍵"或"懸空鍵")的狀態(tài)或該未結(jié)合鍵被羥基(OH基)終端化的狀態(tài)或上述狀態(tài)混在的狀態(tài)。因此，活性鍵304是指未結(jié)合鍵(懸空鍵)或未結(jié)合鍵被羥基終端化而成的鍵。根據(jù)該活性鍵304能與對置基板4特別牢固地接合。需要說明的是，后者的狀態(tài)(未接合鍵被羥基終端化的狀態(tài))通過如下所述而容易產(chǎn)生，即例如通過對接合膜3在大氛圍圍中照射能量線，由此大氣中的水分將未結(jié)合鍵終端化。另外，本實施方案中，說明在將帶有接合膜的基材1與對置基板4貼合前，預先對帶有接合膜的基材l的接合膜3賦予能量的情況，但所述能量的賦予可以在將帶有接合膜的基材1和對置基板4貼合(重合)時或貼合(重合)后進行。關于這種情況，在后述的第2實施方案中說明。準備對置基板(其它粘附體)4。進而，如圖1(c)所示，以將活化的接合膜3與對置基板4密接的方式，將帶有接合膜的基材1和對置基板4貼合。由此，得到圖2(d)所示的接合體5。如上所述得到的接合體5中，如現(xiàn)有的接合方法中使用的粘接劑所述，主要不是基于錨定效果之類的物理接合來粘接，而是基于共有鍵之類在短時間內(nèi)產(chǎn)生牢固的化學鍵，將帶有接合膜的基材1和對置基板4接合。因此，接合體5可在短時間內(nèi)形成，且非常難以剝離，難以產(chǎn)生接合不均。另外，根據(jù)使用這些帶有接合膜的基材1而得到的接合體5的方法，如現(xiàn)有的固體接合那樣，由于需要高溫(例如、70(TC以上)下的熱處理，因此也可將由耐熱性低的材料構(gòu)成的基板2以及對置基板4供接合使用。另外，由于借助接合膜3將基板2和對置基板4接合，因此也具有基板2或?qū)χ没?的構(gòu)成材料不存在限制的優(yōu)點。由以上可知，根據(jù)本發(fā)明，可分別擴大基板2以及對置基板4的各構(gòu)成材料的選擇范圍。另外，固體接合中不借助接合層，因此基板2與對置基板4之間的熱膨脹率有大的差異，此時基于該差異的應力容易集中在接合界面，可能產(chǎn)生剝離等，但在接合體(本發(fā)明的接合體)5中，可通過接合膜3緩和應力的集中，從而可防止剝離。另外，本實施方案中，提供于接合的基板2以及對置基板4中，僅僅一方(本實施方案中，基板2)設置有接合膜3。基板2上形成接合膜3時，通過接合膜3的形成方法，基板2在比較長的時間內(nèi)暴露于等離子體中，而本實施方案中，對置基板4不會至于等離子體中。因此，例如，即使在對置基板4相對于等離子體的耐久性顯著地降低的情況下，根據(jù)本實施方案的方法也可將帶有接合膜的基材1與對置基板4牢固地接合。因此，在基本不考慮構(gòu)成對置基板4的材料相對于等離子體的耐久性的情況下，具有可從寬范圍的材料中選擇的優(yōu)點。在此，準備的對置基板4也可與基板2同樣，由任意的材料構(gòu)成。具體而言，對置基板4由與基板2的構(gòu)成材料同樣的材料構(gòu)成。另外，對置基板4的形狀也與基板2相同，只要是具有與接合膜32密接的面的形狀即可，沒有特別限定，例如為板狀(層狀)、塊狀(block狀)、棒狀等。但是，對置基板4的構(gòu)成材料可以與基板2不同，也可以相同。另外，優(yōu)選基板2與對置基板4的各熱膨脹率大致相等。如果基板2與對置基板4的熱膨脹率大致相等，則貼合帶有接合膜的基材1與對置基板4時，在其接合界面難以產(chǎn)生伴隨熱膨脹的應力。其結(jié)果是，在最終得到的接合體5中，可確實地防止剝離等的不良狀況的發(fā)生。另外，如下所述，即使在基板2和對置基板4的各熱膨脹率互不相同的情況下，也優(yōu)選將帶有接合膜的基材1和對置基板4貼合時的條件按照下述方式最佳化，能夠以高尺寸精度且牢固地接合帶有接合膜的基材1和對置基板4。艮P，在基板2與對置基板4的熱膨脹率互不相同的情況下，優(yōu)選盡可能在低溫下進行接合。通過在低溫下進行接合，可實現(xiàn)發(fā)生在接合界面產(chǎn)生的熱應力的進一步降低。具體而言，雖然也取決于基板2和對置基板4的熱膨脹率的差異，但優(yōu)選基板2和對置基板4的溫度在255(TC左右的狀態(tài)下，將帶有接合膜的基材1和對置基板4貼合，更優(yōu)選在254(TC左右的狀態(tài)下貼合。若在上述的溫度范圍內(nèi)，則即使基板2和對置基板4的熱膨脹率差異在某種程度上變大，也可充分地降低發(fā)生于接合界面產(chǎn)生的熱應力。其結(jié)果是，可以確實地防止接合體5的翹曲或剝離等的發(fā)生。另外，此時，基板2與對置基板4之間的熱膨脹系數(shù)之差為5xl0'5/K以上時，如上所述，特別推薦盡量在低溫下進行接合。另外，基板2與對置基板4優(yōu)選相互之間的剛性不同。由此，可更牢固地接合帶有接合膜的基材1和對置基板4。另外，基板2和對置基板4中，優(yōu)選至少一方的構(gòu)成材料由樹脂材料構(gòu)成。樹脂材料由于其柔軟性，當將帶有接合膜的基材1和對置基板4接合時，能夠緩和發(fā)生于接合界面的應力(例如，伴隨熱膨脹的應力等)。因此，接合界面難以發(fā)生破壞，結(jié)果可獲得接合強度高的接合體5。上述對置基板4的帶有接合膜的基材1的提供于接合的區(qū)域根據(jù)對置基板4的構(gòu)成材料，在進行接合前優(yōu)選預先實施提高對置基板4與接合膜3之間的密接性的表面處理。由此，可提高帶有接合膜的基材1和對置基板4之間的接合強度。需要說明的是，作為表面處理，可以應用與對基板2實施的上述表面處理同樣的處理。另外，根據(jù)對置基板4的構(gòu)成材料的不同，即使不實施上述表面處理，也可充分地提高帶有接合膜的基材1與對置基板4之間的接合強度?？色@得上述效果的對置基板4的構(gòu)成材料可使用與上述基板2的構(gòu)成材料相同的材料，即，可使用各種金屬系材料、各種硅系材料、各種玻璃系材料等。進而，對置基板4的提供于與帶有接合膜的基材1接合的區(qū)域在具有以下的基團或物質(zhì)時，即使不實施上述表面處理，也可充分地提高帶有接合膜的基材1和對置基板4之間的接合強度。作為上述基團和物質(zhì)，例如可以舉出選自由羥基、硫醇基、羧基、氨基、硝基、咪唑基之類的各種官能團，自由基、開環(huán)分子、雙鍵、三鍵之類的不飽和鍵，F(xiàn)、Cl、Br、I之類的鹵素，過氧化物構(gòu)成的組的至少一個基團或物質(zhì)。具有上述基團或物質(zhì)的表面可實現(xiàn)對帶有接合膜的基材1的接合膜3的接合強度的進一步提高。另外，為了獲得具有上述物質(zhì)的表面，通過適宜選擇進行上述的各種表面處理可獲得與帶有接合膜的基材1特別牢固地接合的對置基板4。另外，代替表面處理，優(yōu)選對置基板4的提供于與帶有接合膜的基材1接合的區(qū)域預先形成具有提高與接合膜3的密接性的功能的中間層。由此，借助所述中間層可將帶有接合膜的基材1與對置基板4接合，從而可獲得更高接合強度的接合體5。所述中間層的構(gòu)成材料可使用與形成于上述基板2的中間層的構(gòu)成材料相同的材料。在此，對本工序中將帶有接合膜的基材1和對置基板4接合的機制進行說明。例如，以羥基露出于對置基板4的提供于與帶有接合膜的基材1的接合的區(qū)域的情況為例說明，在本工序中，按照帶有接合膜的基材1的接合膜3與對置基板4接觸的方式將它們貼合，帶有接合膜的基材1的接合膜3的表面35存在的羥基與對置基板4的所述區(qū)域存在的羥基在氫鍵的作用下相互吸引，在羥基之間產(chǎn)生引力。推測在該引力的作用下，帶有接合膜的基材1與對置基板4被接合。另外，通過該氫鍵互相吸引的羥基彼此因溫度條件等而發(fā)生脫水縮合。其結(jié)果是，在帶有接合膜的基材1和對置基板4之間的接觸界面鍵合有羥基的結(jié)合鍵之間通過氧原子鍵合。由此，推測帶有接合膜的基材1和對置基板4更牢固地接合。予以說明，所述工序[2〕中活化的接合膜3的表面，其活性狀態(tài)經(jīng)22時地得到緩和。因此，所述工序[2]結(jié)束后，優(yōu)選盡早地進行本工序[3]。具體而言，優(yōu)選在所述工序[2]結(jié)束后在60分以內(nèi)進行本工序[3]，更優(yōu)選在5分以內(nèi)進行。如果在上述時間內(nèi)，則由于接合膜3的表面維持充分的活性狀態(tài)，所以在本工序中將帶有接合膜的基材1與對置基板4貼合時，它們之間可得到充分的接合強度。換言之，活化前的接合膜3由于是具有Si骨架301的接合膜，因此，在化學上比較穩(wěn)定，耐氣候性優(yōu)良。因此，活化前的接合膜3適合長期保存。因此，例如，如果預先大量制造或購入具有上述接合膜3的基板2并進行保存，在進行本工序的貼合之前，僅僅對需要的個數(shù)進行所述工序[2]記載的能量賦予，從接合體5的制造效率的觀點來看是有效的。按照以上所述的方式，可得到圖2(d)所示的接合體(本發(fā)明的接合體)5。予以說明，圖2(d)中，按照覆蓋帶有接合膜的基材1的接合膜3的整個面的方式將對置基板4重合，但它們的相對的位置可以彼此錯開。即，也可以以對置基板4從接合膜3伸出的方式將帶有接合膜的基材1于對置基板4重合。如上所述得到的接合體5優(yōu)選基板2和對置基板4之間的接合強度在5MPa(50kgf/cm2)以上，更優(yōu)選為10MPa(100kgf/cm2)以上。具有上述接合強度的接合體5可充分防止其剝離。進而，如后所述，使用接合體5構(gòu)成例如液滴噴頭時，可得到耐久性優(yōu)良的液滴噴頭。另外，根據(jù)本發(fā)明的帶有接合膜的基材l，可以有效地制作將基板2和對置基板4以上述較大的接合強度接合的接合體5。需要說明的是，在現(xiàn)有的硅直接接合的固體接合中，即使將供接合的基板表面活化，其活性狀態(tài)也只能在大氣中維持數(shù)秒數(shù)十秒左右的極短時間。因此，進行表面的活化后，存在不能充分確保所接合的2個基板貼合等作業(yè)所需要時間的問題。與此相對，根據(jù)本發(fā)明，由于使用具有Si骨架301的接合膜3進行接合，所以可以將活性狀態(tài)維持數(shù)分鐘以上的比較長的時間。因此，可以充分確保貼合作業(yè)所需的時間，并可以提高接合作業(yè)的效率。予以說明，得到接合體5后，也可對該接合體5根據(jù)需要進行以下的23的3個工序([4A]、[4B]以及[4C])中的至少1個工序(提高接合體5的接合強度的工序)。由此，可實現(xiàn)接合體5的接合強度的進一步提高。如圖2(e)所示，將所得到接合體5在基板2和對置基板4在相互靠近的方向上加壓。由此，在基板2的表面以及對置基板4的表面更進一步接近接合膜3的表面，更加提高接合體5的接合強度。另外，通過將接合體$加壓，壓破接合體5中的接合界面殘留的間隙，可以進一步擴大接合面積。由此，可以進一步提高接合體5的接合強度。此時，將接合體5加壓時的壓力為接合體5不受到損傷的程度的壓力，優(yōu)選盡可能高。由此，可以與該壓力成比例地提高接合體5的接合強度。予以說明，該壓力只要根據(jù)基板2與對置基板4的各構(gòu)成材料或各厚度、接合裝置等條件適當調(diào)整即可。具體而言，雖然根據(jù)基板2和對置基板4的各構(gòu)成材料或各厚度等稍有不同，但優(yōu)選0.210MPa左右，更優(yōu)選l5MPa左右。由此，可確實地提高接合體5的接合強度。予以說明，該壓力可以超過上限值，但根據(jù)基板2和對置基板4的各構(gòu)成材料，基板2及對置基板4可能存在損傷等。另外，加壓的時間沒有特別的限定，優(yōu)選為10秒30分左右。予以說明，加壓的時間可根據(jù)加壓時的壓力適當變更即可。具體而言，將接合體5加壓時的壓力越高，即使縮短加壓的時間，也可實現(xiàn)接合強度的提高。[4B]如圖2(e)所示，將所得到的接合體5加熱。由此，可更加提高接合體5的接合強度。此時，將接合體5加熱時的溫度高于室溫，只要低于接合體5的耐熱溫度即可，沒有特別的限定，但優(yōu)選2510(TC左右，較優(yōu)選為50100i:左右。若在所述溫度下加熱，則可防止接合體5在熱的作用下變質(zhì)*劣化，并可確實地提高接合強度。另外，加熱時間沒有特別的限定，但優(yōu)選130分鐘左右。另外，在進行所述工序[4A]、[4B]這兩個工序時，優(yōu)選同時進行這兩個工序。即，如圖2(e)所示，優(yōu)選將接合體5加壓的同時進行加熱。由此，協(xié)同地發(fā)揮加壓獲得的效果和加熱獲得的效果，可特別地提高接合體5的接合強度。[4C]如圖2(f)所示，向所得到的接合體5照射紫外線。由此，使接合膜3和基板2及對置基板4之間形成的化學結(jié)合增加，可分別提高基板2和對置基板4及接合膜3之間的接合強度。其結(jié)果可提高接合體5的接合強度。此時照射的紫外線的條件在與所述工序[2]所示的紫外線的條件相同即可。另外，進行本工序[4C]時，在基板2和對置基板4中，任一方均需要具有透光性。進而，從具有透光性的基板側(cè)照射紫外線從而可對接合膜3確實地照射紫外線。.通過進行以上的工序，由此可容易地實現(xiàn)接合體5的接合強度的進一步提咼o在此，如上所述，本發(fā)明的帶有接合膜的基材的特征在于，具有接合膜3。以下對接合膜3進行詳細地說明。如上所述，接合膜3，如圖3、4所示，包括Si骨架301和鍵合于該Si骨架301的脫離基303，所述Si骨架具有含硅氧烷(Si-O)鍵302的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)。另外，Si骨架301的結(jié)晶度為45。/^以下。上述接合膜3在含有硅氧垸鍵302且具有無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)的Si骨架301的影響下，形成難以變形的牢固的膜。認為這是由于Si骨架301的結(jié)晶性降低，所以難以產(chǎn)生晶界轉(zhuǎn)位或錯位等缺陷。因此，接合膜3本身是接合強度、耐化學藥品性以及尺寸精度高的接合膜，在最終得到的接合體5中，也能得到接合強度、耐化學藥品性以及尺寸精度高的接合膜。上述接合膜3被賦予能量，則脫離基303從Si骨架301脫離，如圖4所示，在接合膜3的表面35以及內(nèi)部產(chǎn)生活性鍵304。并且，由此，在接合膜3的表面呈現(xiàn)粘接性。若呈現(xiàn)所述粘接性時，具有接合膜3的帶有接合膜的基材1以高尺寸精度且牢固有效地與對置基板4接合。另外，上述接合膜3呈不具有流動性的固體狀。因此，與目前使用的具有流動性的液狀或粘液狀的粘接劑相比，粘接層(接合膜3)的厚度或形狀基本不變化。由此，使用帶有接合膜的基材1得到的接合體5的尺寸精度比現(xiàn)有技術(shù)高很多。并且，由于無需粘接劑固化所需的時間，所以能25在短時間內(nèi)牢固的接合。作為上述接合膜3，特別是從構(gòu)成接合膜3的全體原子中除去H原子后的原子中，Si原子的含有率與O原子的含有率總計優(yōu)選為1090原子%左右，更優(yōu)選為2080原子％左右。如果以所述范圍的含有率含有Si原子和O原子，則接合膜3中，Si原子與O原子可形成牢固的網(wǎng)絡，接合膜3本身變得很牢固。另外，上述接合膜3對基板2與對置基板4顯示特別高的接合強度。另外，接合膜3中的Si原子與0原子的存在比優(yōu)選為3:77:3左右，更優(yōu)選為4:66:4左右。通過將Si原子和O原子的存在比設定在所述范圍內(nèi)，可使接合膜3的穩(wěn)定性提高，可以更牢固地接合帶有接合膜的基材1和對置基板4。另外，接合膜3中的Si骨架301的結(jié)晶度如上所述，優(yōu)選為45%以下，更優(yōu)選為40%以下。由此，上述Si骨架301充分地含有無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)。因此，上述Si骨架301的特性顯著，接合膜3的尺寸精度和粘接性更加優(yōu)良。予以說明，Si骨架301的結(jié)晶度超過所述上限值時，Si骨架301的原子結(jié)構(gòu)的規(guī)則性變得顯著，Si骨架301中，結(jié)晶的特性具有支配性。另一方面，幾乎不能確認到Si骨架301的原子結(jié)構(gòu)為無規(guī)的特性。如上所述，Si骨架301具有無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)，因此，在Si骨架301中，在晶界難以產(chǎn)生移位或錯位等的缺陷，因此，接合膜3為難以變形的牢固的膜。其結(jié)果是，接合膜3的接合強度、耐化學藥品性以及尺寸精度咼°另外，接合膜3的結(jié)構(gòu)中優(yōu)選含有Si-H鍵。認為該Si-H鍵是硅垸利用等離子體聚合法發(fā)生聚合反應時在聚合物中產(chǎn)生的，但此時，Si-H鍵抑制硅氧烷鍵的生成有規(guī)則地進行。因此，避開Si-H鍵地形成硅氧垸鍵，Si骨架301的原子結(jié)構(gòu)的規(guī)則性降低。如上所述，根據(jù)等離子體聚合法，可以有效形成結(jié)晶度低的Si骨架301。另一方面，并不是說接合膜3中的Si-H鍵的含有率越多結(jié)晶度越低。具體而言，接合膜3的紅外吸收光譜中，以歸屬于硅氧垸鍵的峰的強度為l時，歸屬于Si-H鍵的峰的強度優(yōu)選為0.0010.2左右，較優(yōu)選為0.0020.05左右，更優(yōu)選為0.0050.02左右。Si-H鍵相對于硅氧烷鍵的比例在所述范圍內(nèi)，由此接合膜3中的原子結(jié)構(gòu)相對地最無規(guī)。因此，Si-H鍵的峰強度相對于硅氧烷鍵的峰強度處于所述范圍內(nèi)時，接合膜3具有特別優(yōu)異的接合強度、耐化學藥品性以及尺寸精度。另外，鍵合于Si骨架301的脫離基303如上所述，從Si骨架301脫離，以使接合膜31產(chǎn)生活性鍵地活動。因此，通過對脫離基303賦予能量，比較簡單且均勻地脫離，但未被賦予能量時，必須使其不脫離地確實地鍵合于Si骨架301。從所述觀點出發(fā)，脫離基303含有從由H原子、B原子、C原子、N原子、O原子、P原子、S原子以及鹵素系原子、或含有這些原子且按照鍵合于Si骨架301的方式配置的原子團構(gòu)成的組中選擇的至少一種。所述脫離基303基于能量的賦予的鍵合/脫離的選擇性比較優(yōu)良。因此，上述脫離基303可充分地滿足上述的必要性，使帶有接合膜的基材l的粘接性更強。予以說明，作為上述各個原子按照鍵合于Si骨架301的方式配置的原子團(基)，可以舉出例如甲基、乙基之類的垸基，乙烯基、烯丙基之類的烯基，醛基、酮基、羧基、氨基、酰胺基、硝基、鹵代烷基、巰基、磺酸基、氰基、異氰酸酯基等。這些基團中，脫離基303特別優(yōu)選為垸基。由于垸基在化學上穩(wěn)定，因此含有垸基的接合膜3在耐候性和耐化學藥品性方面優(yōu)良。在此，脫離基303為甲基(一CH3)時，其優(yōu)選的含有率由紅外吸收光譜的峰強度如下規(guī)定。艮口，接合膜3的紅外吸收光譜中，以歸屬于硅氧烷鍵的峰的強度為1時，歸屬于甲基的峰的強度優(yōu)選為0.050.45左右，更優(yōu)選為0.10.4左右，特別優(yōu)選為0.20.3左右。若甲基的峰強度相對于硅氧垸鍵的峰強度的比例在上述范圍內(nèi)，則甲基可防止硅氧垸鍵的不必要的生成，由于接合膜3中生成了必要且足夠數(shù)量的活性鍵，因此，接合膜3產(chǎn)生充分的粘接性。另外，接合膜3呈現(xiàn)由甲基引起的充分的耐候性和耐化學藥品性。作為具有上述特征的接合膜3的構(gòu)成材料，例如，可以舉出聚有機硅氧烷之類的含有硅氧垸鍵的聚合物等。由聚有機硅氧烷構(gòu)成的接合膜3自身具有優(yōu)良的機械性能。另外，對多數(shù)的材料呈現(xiàn)特別優(yōu)良的粘接性。因此，由聚有機硅氧垸構(gòu)成的接合膜3特別牢固地粘接于基板2，同時也呈現(xiàn)與對置基板4特別顯著的粘接力，其結(jié)果是將基板2和對置基板4牢固地接合。另外，聚有機硅氧垸通常顯示疏水性(非粘接性)，但通過賦予能量可容易地使有機基團脫離，轉(zhuǎn)化為親水性，呈現(xiàn)粘接性，具有容易且可靠地控制非粘接性和粘接性的優(yōu)點。予以說明，該疏水性(非粘接性)主要是基于聚有機硅氧烷中含有的烷基的作用。因此，由聚有機硅氧垸構(gòu)成的接合膜3可通過賦予能量，在表面35呈現(xiàn)粘接性，并且，在表面35以外的部分，也具有能得到由所述烷基獲得的作用效果的優(yōu)點。因此，接合膜3具有優(yōu)良的耐候性和耐化學藥品性，例如，能有效用于接合長期暴露于藥品類等的基板的情況。由此，例如，制造使用容易腐蝕樹脂材料的有機類墨液的工業(yè)用噴墨打印機的液滴噴頭時，通過使用具備由聚有機硅氧垸構(gòu)成的接合膜3的帶有接合膜的基材l，可以得到耐久性以及耐化學藥品性高的液滴噴頭。另外，在聚有機硅氧烷中，特別優(yōu)選以八甲基三硅氧垸的聚合物為主成分。以八甲基三硅氧垸的聚合物為主成分的接合膜3由于粘接性特別優(yōu)異，所以可以特別優(yōu)選適用于本發(fā)明的帶有接合膜的基材。另外，以八甲基三硅氧垸為主成分的原料在常溫下呈液狀，具有適度的粘度，所以具有容易操作的優(yōu)點。另外，接合膜3的平均厚度優(yōu)選為11000nm左右，更優(yōu)選為2800nm左右。通過將接合膜3的平均厚度設定在上述范圍內(nèi)，可防止接合有帶有接合膜的基材1與對置基板4的接合體5的尺寸精度顯著地降低，且可將它們牢固地接合。艮P，在接合膜3的平均厚度低于所述下限值時，可能得不到充分的接合強度。另一方面，接合膜3的平均厚度超過所述上限值時，接合體5的尺寸精度可能顯著降低。進而，如果接合膜3的平均厚度在所述范圍內(nèi)，則可確保接合膜3的一定程度的形狀追隨性。因此，例如在基板2的接合面(鄰接于接合膜3的面)上存在凹凸的情況下，根據(jù)該凹凸的高度，也可以按照追隨凹凸的形狀的方式粘附接合膜3。其結(jié)果是，接合膜3可吸收凹凸并可以緩和其表面產(chǎn)生的凹凸的高度。并且，將帶有接合膜的基材1與對置基板4貼合時，可以提高接合膜3與對置基板4的密接性。需要說明的是，上述形狀追隨性的程度是接合膜3的厚度越厚越顯著。因此，為了充分確保形狀追隨性，可以盡可能地增加接合膜3的厚度。上述接合膜3可以用任意方法制作，也可以通過等離子體聚合法、CVD法、PVD法之類各種氣相成膜法或各種液相成膜法等來制作，但其中，優(yōu)選用等離子體聚合法制作的接合膜。根據(jù)等離子體聚合法，可以有效制作致密且均質(zhì)的接合膜3。由此，用等離子體聚合法制作的接合膜3能特別牢固地接合于對置基板4。進而，用等離子體聚合法制作的接合膜3能比較長時間維持被賦予能量而活性化的狀態(tài)。因此，可以實現(xiàn)接合體5的制造過程的簡單化、效率化。以下，作為一例，說明用等離子體聚合法制作接合膜3的方法。首先，在說明接合膜3的制作方法之前，對在基板2上進行等離子體聚合法制作接合膜3時所用的等離子體聚合裝置進行說明。圖5是模式地表示用于本發(fā)明接合方法的等離子體聚合裝置的縱截面圖。需要說明的是，以下的說明中，將圖5中的上側(cè)稱為"上"，下側(cè)稱為"下"。圖5所示的等離子體聚合裝置100具備腔室101、支撐基板2的第1電極130、第2電極140、在各電極130、140間施加高頻電壓的電路180、向腔室101內(nèi)供給氣體的氣體供給部190與將腔室101內(nèi)的氣體進行排氣的排氣泵170。上述各部分中，第1電極130與第2電極140設置于腔室101內(nèi)。以下，詳細說明各部分。腔室101是能保持內(nèi)部氣密的容器，由于將內(nèi)部設定為減壓(真空)狀態(tài)進行使用，所以具有能耐受內(nèi)部與外部的壓力差的耐壓性能。圖5所示的腔室101由軸線沿著水平方向配置的大致形成圓筒形的腔室本體、將腔室本體的左側(cè)開口部密封的圓形側(cè)壁和將右側(cè)開口部密封的圓形側(cè)壁構(gòu)成。29于腔室101的上方設置供給口103，于下方設置排氣口104。然后，于供給口103連接氣體供給部190，于排氣口104連接排氣泵170。需要說明的是，本實施方案中，腔室101由導電性高的金屬材料構(gòu)成，經(jīng)由接地線102電接地。第1電極130呈板狀，支撐基板2。該第1電極130沿著鉛直方向設置于腔室101側(cè)壁的內(nèi)壁面，由此，第l電極130經(jīng)由腔室101電接地。需要說明的是，第1電極130如圖5所示，與腔室本體設置成同心狀。于支撐第1電極130的基板2的面設置靜電吸盤(吸附機構(gòu))139。利用該靜電吸盤139，如圖5所示，可以沿著鉛直方向支撐基板2。另外，基板2即使具有一些翹曲，也能使其吸附于靜電吸盤139，由此可以在矯正其翹曲的狀態(tài)下將基板2供于等離子體處理。第2電極140經(jīng)由基板2與第1電極130對向地設置。需要說明的是，第2電極140以從腔室101的側(cè)壁的內(nèi)壁面離開的(絕緣的)狀態(tài)設置。于該第2電極140經(jīng)由配線184連接高頻電源182。另外，在配線184的中途設置匹配箱(整合器)183。由上述配線184、高頻電源182以及匹配箱183構(gòu)成電路180。利用該電路180，第1電極130被接地，所以在第1電極130與第2電極140之間施加高頻電壓。由此，在第1電極130與第2電極140的間隙誘發(fā)在高頻率下朝向反轉(zhuǎn)的電場。氣體供給部190向腔室101內(nèi)供給規(guī)定的氣體。圖5所示的氣體供給部190具有貯存液狀膜材料(原料液)的貯液部191、將液狀膜材料氣化使其變化為氣體的氣化裝置192、貯存載氣的氣罐193。另外，上述各部分與腔室101的供給口103分別用配管194連接，構(gòu)成為將氣體狀膜材料(原料氣)與載氣的混合氣體從供給口103向腔室101內(nèi)供給。貯存于貯液部191的液狀膜材料是利用等離子體聚合裝置100聚合，在基板2的表面形成聚合膜的原材料。上述液狀膜材料利用氣化裝置192氣化，形成氣體狀膜材料(原料氣)，30供給于腔室101內(nèi)。需要說明的是，關于原料氣，在下面詳細說明。貯存在氣罐193的載氣是在電場的作用下放電以及為了維持該放電而導入的氣體。作為上述載氣，例如可以舉出Ar氣、He氣等。另外，在腔室101內(nèi)的供給口103附近設置擴散板195。擴散板195具有促進供給于腔室101內(nèi)的混合氣體擴散的功能。由此，混合氣體可以在腔室101內(nèi)以大致均勻的濃度分散。排氣泵170將腔室101內(nèi)排氣，例如，由油旋轉(zhuǎn)泵、渦輪分子泵等構(gòu)成。如上所述將腔室101內(nèi)進行排氣來減壓，由此可以容易地將氣體等離子體化。另外，可以防止因與大氣氛圍接觸而導致基板2污染，氧化等，同時可以將因等離子體處理產(chǎn)生的反應產(chǎn)物有效地從腔室101內(nèi)除去。另外，于排氣口104設置調(diào)整腔室101內(nèi)壓力的壓力控制機構(gòu)171。由此，根據(jù)氣體供給部190的工作狀況適當設定腔室101內(nèi)的壓力。然后，對使用上述等離子體聚合裝置IOO，在基板2上制作接合膜3的方法進行說明。圖6是用于說明在基板2上制作接合膜3的方法的圖(縱截面圖)。需要說明的是，在以下的說明中，將圖6中的上側(cè)稱為"上"，下側(cè)稱為"下"。在強電場中通過供給原料氣和載氣的混合氣體，使原料氣中的分子聚合，使聚合物堆積于基板2上，由此可以得到接合膜3。以下，進行詳細說明。首先，準備基板2，根據(jù)需要對基板2的上表面25實施上述表面處理。然后，將基板2收納于等離子體聚合裝置100的腔室101內(nèi)，處于密封狀態(tài)后，利用排氣泵170的工作將腔室101內(nèi)設定為減壓狀態(tài)。然后，使氣體供給部190工作，在腔室101內(nèi)供給原料氣與載氣的混合氣體。供給的混合氣體被填充于腔室101內(nèi)(參見圖6(a))。此處，原料氣在混合氣體中所占的比例(混合比)因原料氣或載氣種類或目標成膜速度等而稍有不同，但例如優(yōu)選將原料氣在混合氣體中的比例設定為2070%左右，較優(yōu)選設定為3060%左右。由此，可以實現(xiàn)聚合膜的形成(成膜)條件的最佳化。另外，供給的氣體的流量根據(jù)氣體種類或目標成膜速度、膜厚等適當確定，沒有特別限定，但通常優(yōu)選將原料氣與載氣的流量分別設定為1100ccm左右，較優(yōu)選設定為1060ccm左右。然后，使電路180工作，在一對電極130、140間施加高頻電壓。由此，存在于一對電極130、140間的氣體分子電離，產(chǎn)生等離子體。利用該等離子體的能量，原料氣中的分子發(fā)生聚合，如圖6(b)所示，聚合物在基板2粘附*堆積。由此，在基板2上形成由等離子體聚合膜構(gòu)成的接合膜3(參見圖6(c))。另外，在等離子體的作用下，基板2的表面被活性化清潔化。因此，原料氣的聚合物容易在基板2的表面堆積，能穩(wěn)定地成膜接合膜3。如上所述根據(jù)等離子體聚合法，不取決于基板2的構(gòu)成材料，可以進一步提高基板2與接合膜3的密接強度。作為原料氣，例如，可以舉出甲基硅氧垸、八甲基三硅氧垸、十甲基四硅氧烷、十甲基環(huán)五硅氧垸、八甲基環(huán)四硅氧烷、甲基苯基硅氧垸之類有機硅氧垸等。使用上述原料氣得到的等離子體聚合膜、即接合膜3由上述原料聚合得到的(聚合物)、即聚有機硅氧垸構(gòu)成。等離子體聚合時，施加在一對電極130、140間的高頻頻率沒有特別限定，優(yōu)選為lkHz100MHz左右，更優(yōu)選為1060MHz左右。另夕卜，高頻的輸出密度沒有特別限定，優(yōu)選為0.01100W/cn^左右，較優(yōu)選為0.150W/cn^左右，更優(yōu)選為l40W/cr^左右。通過將高頻的輸出密度設定在所述范圍內(nèi)，可以防止高頻的輸出密度過高而對原料氣施加必需以上的等離子體能量，同時可以確實地形成具有無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)的Si骨架301。g卩，高頻的輸出密度低于所述下限值時，原料氣中的分子無法發(fā)生聚合反應，有可能無法形成接合膜3。另一方面，高頻的輸出密度超過所述上限值時，原料氣分解等，能形成脫離基303的結(jié)構(gòu)從Si骨架301分離，在所得的接合膜3中，脫離基303的含有率顯著降低，Si骨架301的無規(guī)性有可能降低(規(guī)則性提高)。另外，成膜時的腔室101內(nèi)的壓力優(yōu)選為133.3xlO-s1333Pa(lxlO一510Torr)左右，較優(yōu)選為133.3xl(p4133.3Pa(1x10—4lTorr)左右。原料氣流量優(yōu)選為0.5200sccm左右，較優(yōu)選為l100sccm左右。另一方面，載氣流量優(yōu)選為5750sccm左右，較優(yōu)選為10500sccm左右。處理時間優(yōu)選為110分鐘左右，較優(yōu)選為47分鐘左右。另外，基板2的溫度優(yōu)選為25'C以上，較優(yōu)選為2510(TC左右。如以上所述地操作，可以得到接合膜3，同時可以得到帶有接合膜的基材l。需要說明的是，接合膜3可以使光透過。另外，通過適當設定接合膜3的形成條件(等離子體聚合時的條件和原料氣的組成等)，可以調(diào)整接合膜3的折射率。具體而言，通過提高等離子體聚合時的高頻輸出密度，可以提高接合膜3的折射率，相反，通過降低等離子體聚合時的高頻輸出密度，可以降低接合膜3的折射率。具體而言，根據(jù)等離子體聚合法，能得到折射率左右為1.351.6左右的接合膜3。上述接合膜3由于其折射率接近于水晶或石英玻璃的折射率，所以例如優(yōu)選用于制造光路貫穿接合膜3之類結(jié)構(gòu)的光學構(gòu)件。另外，由于可以調(diào)整接合膜3的折射率，所以可以制作所希望的折射率的接合膜3。<第2實施方案>接著，對具有本發(fā)明的帶有接合膜的基材、接合該帶有接合膜的基材和對置基板的接合方法(本發(fā)明的接合方法)以及具有本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的第2實施方案進行說明。圖7是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材接合帶有接合膜的基板與對置基板的接合方法的第2實施方案的圖(縱截面圖)。需要說明的是，在以下的說明中，將圖7中的上側(cè)稱為"上"，下側(cè)稱為"下"。以下，說明第2實施方案的接合方法，但以與所述第l實施方案的區(qū)別點為中心進行說明，關于相同的事項，省略其說明。本實施方案的接合方法除了使帶有接合膜的基材1和對置基板4重合后向接合膜3賦予能量之外，與所述第1實施方案相同。艮口，本實施方案的接合方法包括下述工序準備本發(fā)明的帶有接合膜的基材1的工序；準備對置基板(其它粘附體)4，以使帶有接合膜的基材1具有的接合膜3與對置基板4密接的方式將它們重合的工序以及對重合而成的臨時接合體中的接合膜3賦予能量，使接合膜3活化，由此，得到接合帶有接合膜的基材1和對置基板4而成的接合體5的工序。以下，依次對本實施方案的接合方法的各工序進行說明。首先，與所述第1實施方案同樣地準備帶有接合膜的基材1(參照圖7(a))。然后，如圖7(b)所示，準備對置基板4，以使接合膜3的表面35與對置基板4密接的方式使帶有接合膜的基材1和對置基板4重合，得到臨時接合體。予以說明，在該臨時接合體的狀態(tài)下，由于帶有接合膜的基材1和對置基板4之間未被接合，所以可以調(diào)整帶有接合膜的基材1相對于對置基板4的相對位置。由此，使帶有接合膜的基材1和對置基板4重合后，彼此挪動，從而可以容易地微調(diào)它們的位置。其結(jié)果是，可以提高帶有接合膜的基材1相對于對置基板4的位置精度。然后，如圖7(c)所示，對臨時接合體中的接合膜3賦予能量。對接合膜3賦予能量時，接合膜3呈現(xiàn)與對置基板4的粘接性。由此，帶有接合膜的基板與對置基板4被接合，得到接合體5。此處，對接合膜3賦予的能量可以用任意方法賦予，例如，用所述第l實施方案舉出的方法賦予。另外，本實施方案中，作為向接合膜3賦予能量的方法，特別優(yōu)選使用對接合膜3照射能量線的方法，加熱接合膜3的方法以及向接合膜3賦予壓縮力(物理的能量)的方法中的至少l種方法。上述方法由于可以比較簡單、有效地對接合膜3賦予能量，所以作為能量賦予方法是優(yōu)選的。其中，作為向接合膜3照射能量線的方法，可以使用與所述第l實施方案相同的方法。需要說明的是，此時，能量線透過基板2或?qū)χ没?射向接合膜3。因此，基板2或?qū)χ没?優(yōu)選具有透光性。另一方面，通過將接合膜3加熱，對接合膜3賦予能量，優(yōu)選將加熱溫度設定為25100。C左右，較優(yōu)選為50100'C左右。如果在上述范圍的溫度下加熱，則可以確實地防止基板2因熱而變質(zhì)劣化，同時可以確實地使各接合膜3活性化。另外，加熱時間為能將接合膜3的脫離基303脫離的程度的時間即可，34具體而言，加熱溫度如果在所述范圍內(nèi)，則優(yōu)選為130分鐘左右。另外，接合膜3可以用任意方法加熱，例如，可以用使用加熱器的方法、照射紅外線的方法、使其接觸火炎的方法等各種方法進行加熱。需要說明的是，使用照射紅外線的照射的方法時，基板2或?qū)χ没?優(yōu)選由具有光吸收性的材料構(gòu)成。由此，照射了紅外線的基板2或?qū)χ没?有效發(fā)熱。其結(jié)果是，可以有效加熱各接合膜3。另外，采用使用加熱器的方法或使其接觸火炎的方法時，基板2或?qū)χ没?優(yōu)選由導熱性優(yōu)異的材料構(gòu)成。由此，經(jīng)由基板2或?qū)χ没?，可以有效對各接合膜3傳導熱，從而可以有效地將各接合膜3加熱。另外，通過對各接合膜3賦予壓縮力來對接合膜3賦予能量時，優(yōu)選在帶有接合膜的基材l與對置基板4彼此接近的方向用0.210MPa左右的壓力壓縮，較優(yōu)選用l5MPa左右的壓力壓縮。由此，僅簡單壓縮就可以對接合膜3簡單地賦予適度的能量，接合膜3與對置基板4呈現(xiàn)充分的粘接性。需要說明的是，該壓力可以超過所述上限值，但因基板2與對置基板4的各構(gòu)成材料，有可能在基板2以及對置基板4上產(chǎn)生損傷等。另外，賦予壓縮力的時間沒有特別限定，優(yōu)選為10秒30分鐘左右。需要說明的是，賦予壓縮力的時間可以根據(jù)壓縮力的大小適當變更。具體而言，壓縮力的大小越大，越可以縮短賦予壓縮力的時間。如以上所述地操作，可以得到接合體5。需要說明的是，得到接合體5后，可以根據(jù)需要對該接合體5進行所述第l實施方案的工序[4A]、[4B]以及[4C]中的至少一個工序。<第3實施方案〉接著，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、將該帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法(本發(fā)明的接合方法)以及具有本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第3實施方案進行說明。圖8以及圖9是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第3實施方案的圖(縱截面圖)。需要說明的是，在以下的說明中，將圖8以及圖9中的上側(cè)稱為"上"、下側(cè)稱為"下"。35以下，說明第3實施方案的接合方法，但以與所述第1實施方案以及所述第2實施方案的區(qū)別點為中心進行說明，關于相同的事項，省略其說明。本實施方案的接合方法除了將2張帶有接合膜的基材1之間接合之外，與所述第l實施方案相同。艮P，本實施方案的接合方法包括下述工序準備2張本發(fā)明的帶有接合膜的基材1的工序；分別對各個帶有接合膜的基材1的各接合膜31、32賦予能量，使各接合膜31、32活化的工序；以使各接合膜31、32之間密接的方式使2張帶有接合膜的基材1之間貼合得到接合體5a的工序。以下，依次對本實施方案的接合方法的各工序進行說明。[1]首先，與所述第1實施方案同樣地準備2張帶有接合膜的基材1(參照圖8(a))。予以說明，本實施方案中，作為該2張帶有接合膜的基材l，如圖8(a)所示，使用具有基板21和設置于該基板21上的接合膜31的帶有接合膜的基材l，以及具有基板22和設置于該基板22上的接合膜32的帶有接合膜的基材1。接著，如圖8(b)所示，分別對2張帶有接合膜的基材1的各接合膜31、32賦予能量。若對各接合膜31、32賦予能量，則在各接合膜31、32中，如圖3所示，脫離基303從Si骨架301中脫離。進而，脫離基303脫離之后，如圖4所示，各接合膜31、32的表面35以及內(nèi)部產(chǎn)生活性鍵304，各接合膜31、32被活化。由此，各接合膜31、32分別呈現(xiàn)粘接性。上述狀態(tài)的2張帶有接合膜的基材1可分別粘接。予以說明，作為賦予能量的方法，可使用與所述第1實施方案同樣的方法。在此，所謂使接合膜3活化是指，如前所述，各接合膜31、32的表面351、352以及內(nèi)部的脫離基303脫離，在Si骨架301中產(chǎn)生未被終端化的結(jié)合鍵(未結(jié)合鍵)的狀態(tài)或該未結(jié)合鍵被羥基(OH基)終端化后的狀態(tài)或這些狀態(tài)混在的狀態(tài)。因此，活性鍵304是指未結(jié)合鍵或未結(jié)合鍵被羥基終端化而成的鍵。[3]接著，如圖8(c)所示，以呈現(xiàn)粘接性的各接合膜3之間密接36的方式，將帶有接合膜的基材1之間貼合，得到接合體5a。在此，在本工序中，接合2張帶有接合膜的基材1中，推測該接合是基于以下的2種機制(i)、(ii)中的兩種或一種。(i)例如，羥基露出于各接合膜31、32表面35K352的情況為例進行說明，在本工序中，以使各接合膜31、32彼此密接的方式使2張帶有接合膜的基材1彼此貼合時，推測各帶有接合膜的基材1的接合膜31、32的存在于表面351、352的羥基之間通過氫鍵相互吸引，在羥基之間產(chǎn)生引力。推測在該引力的作用下，2張帶有接合膜的基材1彼此接合。另外，推測在該氫鍵的作用下相互吸引的羥基之間因溫度條件等而發(fā)生脫水縮合。其結(jié)果是，2張帶有接合膜的基材1之間，鍵合有羥基的結(jié)合鍵之間借助氧原子鍵合。由此，推測2枚帶有接合膜的基材1之間更加牢固地接合。(ii)將2張帶有接合膜的基材1彼此貼合時，各接合膜31、32的表面351、352或內(nèi)部產(chǎn)生的未被終端化的結(jié)合鍵(未結(jié)合鍵)之間再結(jié)合。該再結(jié)合以彼此重合(絡合)的方式復雜地產(chǎn)生，由此在接合界面形成網(wǎng)狀的結(jié)合。由此，構(gòu)成各接合膜31、32的母材(Si骨架301)之間直接接合，各接合膜31、32彼此一體化。通過上述(0或(ii)的機制，可得到如圖8(d)所示的接合體5a。需要說明的是，得到接合體5a后，根據(jù)需要也可對該接合體5a進行所述第1實施方案的工序[4A]、[4B]以及[4C]中的至少一種工序。例如，如圖9(e)所示，將接合體5a加壓并加熱，可將接合體5a的各基板21、22之間進一步接合。由此，可以促進各接合膜31、32的界面羥基的脫水縮水或未結(jié)合鍵之間的再鍵合。進而，各接合膜31、32之間的一體化進一步推進。其結(jié)果是，如圖9(f)所示，可得到具有大致完全一體化后的接合膜30的接合體5a'。<第4實施方案〉接著，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法(本發(fā)明的接合方法)以及具有本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第4實施方案進行說明。圖10是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第4實施方案的圖(縱截面圖)。在以下的說明中，將圖10中的上側(cè)稱為"上"、將下側(cè)稱為"下"。以下，說明第4實施方案的接合方法，但以與所述第l實施方案至所述第3實施方案的區(qū)別點為中心進行說明，關于相同的事項，省略其說明。本實施方案的接合方法中，僅僅選擇性地使接合膜3的一部分規(guī)定區(qū)域350活化，并將帶有接合膜的基材1和對置基板4在所述規(guī)定區(qū)域350部分地接合，除此以外，與所述第l實施方案相同。艮P，本實施方案的接合方法包括準備本發(fā)明的帶有接合膜的基材1的工序;對帶有接合膜的基材1的接合膜3選擇性地向一部分規(guī)定區(qū)域350賦予能量，選擇性地使所述規(guī)定區(qū)域350活化的工序；準備對置基板(其它粘附體)4，以使帶有接合膜的基材1具有的接合膜3和對置基板4密接的方式將它們貼合，得到帶有接合膜的基材1和對置基板4在所述規(guī)定區(qū)域350中部分地接合而成的接合體5b。以下，依次對本實施方案的接合方法的各工序進行說明。[1]首先，準備帶有接合膜的基材l(本發(fā)明的帶有接合膜的基材)(參照圖10(a))。接著，如圖10(b)所示，在帶有接合膜的基材1的接合膜3的表面35中，選擇性地對一部分規(guī)定區(qū)域350賦予能量。若賦予能量，則在接合膜3中，在規(guī)定區(qū)域中脫離基303從Si骨格301脫離(圖3參照)。進而，脫離基303脫離后，接合膜3的表面35以及內(nèi)部生成活性鍵304(參照圖4)。由此，接合膜3的規(guī)定區(qū)域350呈現(xiàn)與對置基板4的粘接性，另一方面，接合膜3的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，基本沒有發(fā)現(xiàn)該粘接性。上述狀態(tài)的帶有接合膜的基材1中在規(guī)定區(qū)域350可與對置基板4部分地粘接。在此，向接合膜3賦予能量可以用任意的方法賦予，例如，可以舉出所述第1實施方案中列舉的方法。另外，本實施方案中，作為向接合膜3賦予能量的方法，特別優(yōu)選使用向接合膜3照射能量線的方法。該方法由于可以比較簡單且有效地向接合膜3賦予能量因而優(yōu)選。另外，本實施方案中，作為能量線，特別優(yōu)選使用激光、電子線之類指向性高的能量線。如果是上述能量線，則通過朝向目標方向進行照射，可以選擇性且簡單地對規(guī)定區(qū)域照射能量線。另外，即使是指向性低的能量線，在接合膜3的表面35中，如果以覆蓋(遮蔽)要照射能量線的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域的方式進行照射，則可以選擇性地對規(guī)定區(qū)域350照射能量線。具體而言，如圖IO(b)所示，只要在接合膜3的表面35上方設置掩模6,并經(jīng)由該掩模6照射能量線即可，所述掩模6具有形成與要照射能量線的規(guī)定區(qū)域350的形狀對應的形狀的窗部61。據(jù)此，可以容易地對規(guī)定區(qū)域350選擇性地照射能量線。接著，如圖10(c)所示，準備對置基板(其它粘附體)4。進而，以選擇性活化規(guī)定區(qū)域350的接合膜3與對置基板4密接的方式將帶有接合膜的基材1和對置基板4貼合。由此，得到圖10(d)所示的接合體5b。如上所述得到的接合體5b不是將基板2與對置基板4的對置面整個面接合，而只是將一部分區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)局部地接合而成。并且，進行該接合時，只通過控制對接合膜3賦予能量的區(qū)域，就可以簡單地選擇接合的區(qū)域。由此，可通過控制使帶有接合膜的基材1的接合膜3活化的區(qū)域(本實施方案中，規(guī)定區(qū)域350)的面積，可容易地調(diào)整接合體5b的接合強度。其結(jié)果是，例如可得到容易地分離已接合的部位的接合體5b。另外，通過適當控制圖10(d)所示的帶有接合膜的基材1和對置基板4的接合部(規(guī)定區(qū)域350)的面積或形狀，可緩和由接合部產(chǎn)生的應力的局部集中。由此，例如，在基板2與對置基板4之間的熱膨脹率差大的情況下，能夠可靠地將帶有接合膜的基材1與對置基板4接合。進一步，接合體5b中，帶有接合膜的基材1和對置基板4之間的間隙，在接合的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域中，產(chǎn)生了微小間隙(殘留)。因此，通過適當調(diào)整該規(guī)定區(qū)域350的形狀，可容易地在帶有接合膜的基材1和對置基板4之間形成封閉空間或流路。予以說明，如上所述，通過控制帶有接合膜的基材1和對置基板4的接合部(規(guī)定區(qū)域350)的面積，可在調(diào)整接合體5b的接合強度的同時調(diào)整分離接合體5b時的強度(割裂強度)。從上述觀點出發(fā)，在制作能容易地分離的接合體5b時，接合體5b的接合強度優(yōu)選為人手能容易地分離的程度。由此，在分離接合體5b時，在不使用裝置等的情況下也可簡單地進行。通過上述方式可得到接合體5b。予以說明，得到接合體5b后，對該接合體5b，也可根據(jù)需要，進行所述第1實施方案的工序[4A]、[4B]以及[4C]中的至少一種工序。此時，在接合體5b的接合膜3與對置基板4的界面，在規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域(非接合區(qū)域)中，產(chǎn)生微小間隙(殘留)。因此，在將接合體5b加壓、加熱時，在該規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，優(yōu)選在不將接合膜3和對置基板4接合的條件下進行。另外，考慮到上述情況，在進行所述第1實施方案的工序[4A]、[4B]以及[4C]中的至少一個工序時，優(yōu)選對規(guī)定區(qū)域350選擇性地進行上述工序。由此，在規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，可防止接合膜3和對置基板4被接合。<第5實施方案>接著，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、將該帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法(本發(fā)明的接合方法)以及具有本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第5實施方案進行說明。圖ll是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第5實施方案的圖(縱截面圖)。予以說明，以下的說明中，將圖li中的上側(cè)稱為"上"、將下側(cè)稱為"下"。以下，對第5實施方案的接合方法進行說明，但以與所述第l實施方案至所述第4實施方案的區(qū)別點為中心進行說明，關于相同的事項，省略其說明。本實施方案的接合方法中，基板2的上面25中，通過僅僅在一部分規(guī)定區(qū)域350選擇性地形成接合膜3a，除了將帶有接合膜的基材1與對置基板4在所述規(guī)定區(qū)域350部分地接合之外，與所述第1實施方案相同。艮口，本實施方案的接合方法包括準備具有基板2和僅僅形成于基板2上的一部分規(guī)定區(qū)域350的接合膜3a的帶有接合膜的基材1的工序；對帶有接合膜的基材l的接合膜3a賦予能量，使接合膜3a活化的工序；準備對置基板(其它粘附體)4，以使帶有接合膜的基材1所具有的接合膜3a與對置基板4密接的方式將他們貼合，得到將帶有接合膜的基材1與對置基板4借助接合膜3a接合而成的接合體5c的工序。以下，依次對本實施方案的接合方法的各工序進行說明。[1]首先，如圖ll(a)所示，在基板2的上面25的上方設置掩模6，所述掩模6具有形成與規(guī)定區(qū)域350的形狀對應的形狀的窗部61。然后，經(jīng)由掩模6，在基板2的上面25形成接合膜3a。例如，如圖11(a)所示，經(jīng)由掩模6，通過等離子聚合法形成接合膜3a時，由等離子體聚合法形成的聚合物堆積在基板2的上面25上，但此時，通過掩模6僅僅在規(guī)定區(qū)域350堆積聚合物。其結(jié)果是，在基板2的上面25的一部分規(guī)定區(qū)域350形成接合膜3a。接著，如圖11(b)所示，對接合膜3a賦予能量。由此，帶有接合膜的基材1中，在接合膜3a呈現(xiàn)與對置基板4的粘接性。予以說明，在本工序中賦予能量時，可以選擇性對接合膜3a賦予能量，也可以對具有接合膜3a的基板2的上面25的整體賦予能量。另外，向各接合膜3a賦予能量可使用任意的方法，例如，可以用所述第l實施方案舉出的方法。然后，如圖11(c)所示，準備對置基板(其它粘附體)4。進而，以使接合膜3a與對置基板4密接的方式，使帶有接合膜的基材l與對置基板4貼合。由此，得到圖ll(d)所示的接合體5c。由上述方式得到的接合體5c不是將基板2與對置基板4的對置面整個面接合，而僅僅是將一部分區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)部分地接合。進而，形成接合膜3a時，僅僅通過控制形成區(qū)域，即可簡單地選擇接合的區(qū)域。由此，例如，通過控制形成接合膜3a的區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)的面積，即可容易地調(diào)整接合體5c的接合強度。其結(jié)果是，例如，可得到能夠容易地將接合的部位分離的接合體5c。另外，通過適宜控制圖11(d)所示的帶有接合膜的基材1與對置基板4的接合部(規(guī)定區(qū)域350)的面積或形狀，可緩和由接合部產(chǎn)生的應力的局部集中。由此，例如，在基板2與對置基板4之間的熱膨脹率差變大的情況下，能夠可靠地接合帶有接合膜的基材1與對置基板4。進而，在接合體5c的基板2與對置基板4之間，在規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，形成相當于接合膜3a的厚度的離間距離的間隙3c(參照圖ll(d))。因此，通過適宜控制規(guī)定區(qū)域350的形狀或接合膜3a的厚度，可在基板2與對置基板4之間，容易地形成希望形狀的封閉空間或流路。通過上述方式能夠得到接合體5c。予以說明，得到接合體5c后，可以對該接合體5c根據(jù)需要進行所述第1實施方案的工序[4A]、[4B]以及[4C]中的至少1個工序。<第6實施方案>接著，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、將該帶有接合膜的基材與對置基板接合的接合方法(本發(fā)明的接合方法)以及具有本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第6實施方案進行說明。圖12是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材與對置基板接合的接合方法的第6實施方案的圖(縱截面圖)。予以說明，以下的說明中，將圖12中的上側(cè)稱為"上"、將下側(cè)稱為"下"。以下，對第6實施方案的接合方法進行說明，但以與所述第l實施方案至所述第5實施方案的區(qū)別點為中心進行說明，關于相同的事項，省略其說明。本實施方案的接合方法中，準備2張帶有接合膜的基材1，其中一張帶有接合膜的基材1中，僅使接合膜3的一部分規(guī)定區(qū)域350選擇性地活化后，以2張帶有接合膜的基材1的各接合膜31、32之間接觸的方式使上述接合膜重合，由此將2張帶有接合膜的基材1之間在所述規(guī)定區(qū)域350接合，除此以外，與所述第l實施方案相同。艮P，本實施方案的接合方法包括準備2張本發(fā)明的帶有接合膜的基材1的工序；對于各帶有接合膜的基材1的接合膜31、32，分別對各個不同的區(qū)域賦予能量，使該區(qū)域活化的工序；使2張帶有接合膜的基材1之間貼合，得到接合體5d的工序，所述接合體是2張帶有接合膜的基材1之間在所述規(guī)定區(qū)域350部分地接合而成的。以下，依次對本實施方案的接合方法的各工序進行說明。42[1]首先，與所述第1實施方案同樣地準備2張帶有接合膜的基材1(參照12(a))。予以說明，在本實施方案中，作為該2張帶有接合膜的基材1，如圖12(a)所示，使用具有基板21和設置于該基板21上的接合膜31的帶有接合膜的基材1，以及具有基板22和設置于該基板22上的接合膜32的帶有接合膜的基材1。接著，如圖12(b)所示，在2張帶有接合膜的基材1中，向一張帶有接合膜的基材1的接合膜31的表面351整體賦予能量。由此，接合膜31的表面351的整個面呈現(xiàn)粘接性。另一方面，在2張帶有接合膜的基材1中，在向其它帶有接合膜的基材1的接合膜32的表面352中的一部分規(guī)定區(qū)域350選擇性地賦予能量。作為向規(guī)定區(qū)域350選擇性地賦予能量的方法，例如，可使用與所述第4實施方案相同的方法。向各接合膜31、32分別賦予能量，在各接合膜31、32中，脫離基303從Si骨架301脫離(參照圖3)。進而，脫離基303脫離后，在各接合膜31、32的表面351、352以及內(nèi)部產(chǎn)生活性鍵304(圖4參照)。由此，接合膜31的表面351的整個面與接合膜32的表面352的規(guī)定區(qū)域350分別呈現(xiàn)粘接性。另外，另一方面，在接合膜32的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，基本沒有發(fā)現(xiàn)該粘接性。上述狀態(tài)的2張帶有接合膜的基材1可在規(guī)定區(qū)域350部分地粘接。[3]接著，如圖12(c)所示，按照發(fā)現(xiàn)粘接性的各接合膜31、32之間密接的方式，使2張帶有接合膜的基材1彼此貼合。由此，得到圖12(d)所示的接合體5d。按照上述方式得到的接合體5d中，不是將2張帶有接合膜的基材1彼此以對置面整個面接合，而是僅僅對一部分區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)接合。進而，該接合時，僅僅通過控制對接合膜32賦予能量，即可簡單地選擇所接合的區(qū)域。由此，例如，可容易地調(diào)整接合體5d的接合強度。按照以上所示的方式得到接合體5d。予以說明，得到接合體5d后，對該接合體5d也可根據(jù)需要進行所述第l實施方案的工序[4A]、[4B]以及[4C]中的至少一種工序即可。例如，通過將接合體5d加壓、加熱，接合體5d的各基板21、22之43間更加接近。由此，可促進各接合膜31、32的界面的羥基的脫水縮合或未結(jié)合鍵之間的再結(jié)合。進而，在規(guī)定區(qū)域350形成的接合部，可進一步一體化，最終大致完全一體化。予以說明，此時，接合膜31的表面351和接合膜32的表面352之間的界面，在規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域(非接合區(qū)域)中，各表面351、352間產(chǎn)生少許間隙(殘留)。因此，將接合體5d加壓、加熱時，在該規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，優(yōu)選在各接合膜31、32不接合的條件下進行。另外，考慮到上述情況，在進行所述第1實施方案的工序[4A]、[4B]以及[4C]中的至少1種工序時，優(yōu)選對規(guī)定區(qū)域350選擇性地進行。由此，在規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，可防止各接合膜31、32接合。<第7實施方案>接著，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、將該帶有接合膜的基材與對置基板接合的接合方法(本發(fā)明的接合方法)以及具有本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第7實施方案進行說明。圖13是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材與對置基板接合的接合方法的第7實施方案的圖(縱截面圖)。予以說明，在以下的說明中，將圖13中的上側(cè)稱為"上"、將下側(cè)稱為"下"。以下，對第7實施方案的接合方法進行說明，但以與所述第l實施方案至所述第6實施方案的區(qū)別點為中心進行說明，關于相同的事項，省略其說明。本實施方案的接合方法包括在各基板21、22的上面251、252中，僅僅在一部分規(guī)定區(qū)域350選擇性地形成接合膜3a、3b，準備2張帶有接合膜的基材l，經(jīng)由各接合膜3a、3b將上述部分地接合，除此以外，與所述第1實施方案同樣。艮P，本實施方案的接合方法包括準備各基板21、22，以及在該基板21、22的各規(guī)定區(qū)域350具有接合膜3a、3b的2張帶有接合膜的基材1的工序；對各帶有接合膜的基材1的各接合膜3a、3b賦予能量，使各接合膜3a、3b活化的工序；使2張帶有接合膜的基材1之間貼合，得到2張帶有接合膜的基材1之間在所述規(guī)定區(qū)域350部分地接合而成的接合體5e的工序。以下，依次對本實施方案的接合方法的各工序進行說明。首先，如圖13(a)所示，在各基板21、22的上方分別設置掩模6，所述掩模具有形成對應于規(guī)定區(qū)域350的形狀對應的形狀的窗部61。接著，經(jīng)由掩模6，在各基板21、22的上面251、252分別形成接合膜3a、3b。例如，如圖13(a)所示，經(jīng)由掩模6，通過等離子聚合法形成接合膜3a、3b時，由等離子聚合法形成的聚合物堆積在各基板21、22的上面251、252，但此時，通過掩模6，分別僅僅在規(guī)定區(qū)域350堆積聚合物。結(jié)果，在各基板21、22的上面251、252的一部分規(guī)定區(qū)域350分別形成接合膜3a、3b。接著，如圖13(b)所示，對各接合膜3a、3b賦予能量。由此，各帶有接合膜的基材l中，接合膜3a、3b呈現(xiàn)粘接性。予以說明，在本工序中賦予能量時，可以選擇性地對各接合膜3a、3b賦予能量，也可以對具有各接合膜3a、3b的基板21、22的上面251、252的整體分別賦予能量。另外，向各接合膜3a、3b賦予能量均以任意的方法賦予即可，例如，可以使用所述第1實施方案中舉出的方法。接著，如圖13(c)所示，以呈現(xiàn)粘接性的各接合膜3a、3b之間密接的方式使2張帶有接合膜的基材1彼此貼合。由此，得到如圖13(d)所示的接合體5e。由上述方式得到的接合體5e不是將2張帶有接合膜的基材1彼此以對置面整個面接合，而僅僅是將一部分區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)部分地接合。進而，該接合時，僅僅通過控制對接合膜32賦予能量的區(qū)域，即可簡單地選擇所接合的區(qū)域。由此，例如，可容易地調(diào)整接合體5e的接合強度。另外，接合體5e的各基板21、22之間，在規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，形成相當于接合膜3a和接合膜3b的總計厚度的離間距離的間隙3c(參照圖13(d))。因此，通過適當調(diào)整規(guī)定區(qū)域350的形狀或各接合膜3a、3b的厚度，可在各基板2K22間容易地形成希望形狀的封閉空間或流路。通過以上所述的方式得到接合體5e。予以說明，得到接合體5e后，也可對該接合體5e根據(jù)需要進行所述第l實施方案的工序[4A]、[4B]以及[4C]中的至少一種工序。例如，將接合體5e加壓、加熱，接合體5e的各基板21、22之間更加接近。由此，促進各接合膜31、32的界面的羥基的脫水縮合或未接合鍵之間的再結(jié)合。進而，在規(guī)定區(qū)域350形成的接合部，可進一步一體化，最終大致完全一體化。以上的所述各實施方案的接合方法可以用于將各種多個部件彼此接合。作為供上述接合的部件，例如可以舉出晶體管、二極管、存儲器之類的半導體元件，水晶振蕩器之類壓電元件，反射鏡、光學透鏡、衍射光柵、光學過濾器之類光學元件，太陽電池之類光電變換元件，半導體基板和搭載于其上的半導體元件，絕緣性基板與配線或電極、噴墨式記錄頭、微反應器、微反射鏡之類的MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)構(gòu)件、壓力傳感器、加速度傳感器之類傳感器構(gòu)件、半導體元件或電子構(gòu)件的封裝構(gòu)件，磁記錄介質(zhì)、光磁記錄介質(zhì)、光記錄介質(zhì)之類記錄介質(zhì)，液晶顯示元件、有機EL元件、電泳顯示元件之類顯示元件用構(gòu)件，燃料電池用構(gòu)件等。<液滴噴頭>此處，說明將本發(fā)明的接合體適用于噴墨式記錄頭時的實施方案。圖14是表示適用本發(fā)明的接合體得到的噴墨式記錄頭(液滴噴頭)的分解側(cè)視圖，圖15是表示圖14所示的噴墨式記錄頭的主要部分構(gòu)成的截面圖，圖16是表示具備圖14所示噴墨式記錄頭的噴墨打印機的實施方案的簡圖。需要說明的是，圖14與通常使用的狀態(tài)上下顛倒所示。圖14所示的噴墨式記錄頭10搭載與圖16所示的噴墨打印機(本發(fā)明的液滴吐出裝置)9。圖16所示的噴墨打印機9具有裝置本體92，在上部后方設置記錄用紙P的托盤921，在下部前方設置排出記錄用紙P的排紙口922和在上部面設置操作面板97。操作面板97例如由液晶顯示器、有機EL顯示器、LED燈等構(gòu)成，具備顯示錯誤信息等的顯示部(未圖示)與由各種開關等構(gòu)成的操作部(未圖示)。另外，裝置本體92的內(nèi)部主要具有具有往復移動的頭單元93的印刷裝置(印刷機構(gòu))94、將每一張記錄用紙P送入印刷裝置94的送紙裝置(送紙機構(gòu))95與控制印刷裝置94以及送紙裝置95的控制部(控制機構(gòu))96。利用控制部96的控制，送紙裝置95間歇地遞送每一張記錄用紙P。該記錄用紙P通過頭單元93的下部附近。此時，頭單元93在與記錄用紙P的遞送方向大致正交的方向上往復移動，在記錄用紙P上進行印刷。即，頭單元93的往復移動與記錄用紙P的間歇遞送為印刷中的主掃描及副掃描，進行噴墨方式的印刷。印刷裝置94具有頭單元93、成為頭單元93的驅(qū)動源的滑架馬達941、接受滑架馬達941的旋轉(zhuǎn)使頭單元93往復移動的往復移動機構(gòu)942。頭單元93在其下部具有具有多個噴嘴孔111的噴墨式記錄頭10(以下簡單稱為"頭10"。)、向頭10供給墨液的墨盒931和搭載頭10及墨盒931的滑架932。需要說明的是，作為墨盒931，通過使用填充黃、青、品紅、黑(黑)的4種顏色的墨液的墨盒，可以進行全色印刷。往復移動機構(gòu)942具有利用框架(未圖示)支撐其兩端的滑架導軸943和與滑架導軸943平行延在的同步帶944。滑架932被滑架導軸943以自由往復移動的方式支撐，同時被固定于同步帶944的一部分。如果通過使滑架馬達941工作，借助滑輪使同步帶944正反行進，則頭單元93在滑架導軸943的引導下往復移動。并且，在進行該往復移動時，適當?shù)貜念^10噴出墨液，在記錄用紙P上進行印刷。送紙裝置95具有成為其驅(qū)動源的送紙馬達951和利用送紙馬達951的工作進行旋轉(zhuǎn)的送紙輥952。送紙輥952由夾持記錄用紙P的遞送途徑(記錄用紙P)上下對置的從動輥952a與驅(qū)動輥952b構(gòu)成，驅(qū)動輥952b與送紙馬達951連結(jié)。由此，送紙輥952向印刷裝置94送入每一張設置于托盤921的多張記錄用紙P。需要說明的是，也可以構(gòu)成為用能夠裝卸自由地安裝收納記錄用紙P的送紙盒來代替托盤921?？刂撇?6是例如通過基于從個人電腦或數(shù)碼相機等主控計算機輸入的印刷數(shù)據(jù)，控制印刷裝置94或送紙裝置95等進行印刷的部分。控制部96均未圖示，主要具有通信電路和CPU，所述通信電路從記憶控制各部分的控制程序等的存儲器、驅(qū)動壓電元件(振動源)14并控制墨液的噴出時間的壓電元件驅(qū)動電路、驅(qū)動印刷裝置94(滑架馬達941)的驅(qū)動電路、驅(qū)動送紙裝置95(送紙馬達951)的驅(qū)動電路以及主控計算機獲得印刷數(shù)據(jù)，所述CPU與上述各部件電連接并對各部分進行各種控制。另外，CPU與能檢測例如墨盒931的墨液殘量、頭單元93的位置等的各種傳感器等分別電連接?？刂撇?6經(jīng)由通信電路獲得印刷數(shù)據(jù)并存入存儲器。CPU處理該印刷數(shù)據(jù)并基于該處理數(shù)據(jù)以及來自各種傳感器的輸入數(shù)據(jù)，向各驅(qū)動電路輸出驅(qū)動信號。在該驅(qū)動信號的作用下，壓電元件14、印刷裝置94以及送紙裝置95分別工作。由此，在記錄用紙P上進行印刷。以下，參照圖14及圖15詳細說明頭10。頭10具有頭本體17和收納該頭本體17的基體16，其中，頭本體17具有噴嘴板ll、墨液室基板12、振動板13和與振動板13接合的壓電元件(振動源)14。此外，該頭10構(gòu)成隨需應變形的壓電噴射式頭。噴嘴板ll由例如Si02、SiN、石英玻璃之類硅類材料，Al、Fe、Ni、Cu或含有它們的合金之類的金屬類材料，氧化鋁、氧化鐵之類的氧化物類材料，炭黑、石墨之類的碳類材料等構(gòu)成。在該噴嘴板ll形成用于噴出墨液滴的多個噴嘴孔lll。對應于印刷精度適當設定上述噴嘴孔lll間的間距。于噴嘴板ll粘固(固定)墨液室基板12。利用噴嘴板ll、側(cè)壁(隔壁)122以及后述的振動板13將墨液室基板12劃分形成多個墨液室(腔室、壓力室)121、貯存從墨盒931供給的墨液的貯存室123和從貯存室123向各墨液室121分別供給墨液的供給口124。各墨液室121分別形成長條狀(直方體狀)，并對應于各噴嘴孔lll而配設。各墨液室121可以通過下述的振動板13的振動來改變?nèi)莘e，構(gòu)成為利用該容積變化來噴出墨液。48作為用于得到墨液室基板12的母材，例如可以使用硅單晶基板、各種玻璃基板、各種樹脂基板等。上述基板均為通用的基板，所以通過使用上述基板，可以降低頭10的制造成本。另一方面，在墨液室基板12的與噴嘴板11相反側(cè)接合振動板13，進而在振動板13的墨液室基板12的相反側(cè)設置多個壓電元件14。另外，在振動板13的規(guī)定位置，貫穿振動板13的厚度方向形成連通孔131。經(jīng)由該連通孔131，能從所述的墨盒931向貯存室123供給墨液。各壓電元件14分別在下部電極142與上部電極141之間插入壓電體層143而成，并對應各墨液室121的大致中央部而配設。各壓電元件14構(gòu)成為與壓電元件驅(qū)動電路電連接，基于壓電元件驅(qū)動電路的信號工作(振動、變形)。各壓電元件14分別發(fā)揮振動源的功能，振動板13的功能是隨著壓電元件14的振動而振動，瞬間提高墨液室121的內(nèi)部壓力?；w16由例如各種樹脂材料、各種金屬材料等構(gòu)成，噴嘴板ll被該基體16固定、支撐。g卩，在基體16具有的凹部161收納頭本體17的狀態(tài)下，利用在凹部161的外周部形成的階梯差162支撐噴嘴板11的邊緣部。在如上所述的噴嘴板11與墨液室基板12的接合、墨液室基板12與振動板13的接合以及接合噴嘴板11與基體16時，接合至少一個部位時應用本發(fā)明的接合方法。換言之，在噴嘴板11與墨液室基板12的接合體、墨液室基板12與振動板13的接合體、以及噴嘴板11與基體16的接合體中的至少一個部位適用本發(fā)明的接合體。上述頭10中，接合部的接合界面的接合強度以及耐化學藥品性提高，由此對貯存于各墨液室121的墨液的耐久性以及液密性提高。其結(jié)果是，頭10的可靠性提高。另外，由于可以在非常低的溫度下進行可靠性高的接合，所以即使是線膨脹系數(shù)不同的材料，也可以形成大面積的頭，在這點上是有利的。上述頭10在沒有經(jīng)由壓電元件驅(qū)動電路輸入規(guī)定的噴出信號的狀態(tài)、即沒有向壓電元件14的下部電極142與上部電極141之間施加電壓的狀態(tài)下，壓電體層143不會變形。因此，振動板13也沒有產(chǎn)生變形，墨液室121沒有發(fā)生容積變化。因此，不從噴嘴孔lll噴出墨液滴。另一方面，在經(jīng)由壓電元件驅(qū)動電路輸入規(guī)定的噴出信號的狀態(tài)、即向壓電元件14的下部電極142與上部電極141之間施加一定電壓的狀態(tài)下，壓電體層143發(fā)生變形。由此，振動板13極大撓曲，墨液室121的容積產(chǎn)生變化。此時，墨液室121內(nèi)的壓力瞬間提高，從噴嘴孔lll噴出墨液滴。如果l次墨液噴出結(jié)束，則壓電元件驅(qū)動電路停止向下部電極142與上部電極141之間施加電壓。由此，壓電元件14恢復成大致原來的形狀，墨液室121的容積増大。需要說明的是，此時，從墨盒931向噴嘴孔111的壓力(向正方向的壓力)作用于墨液。因此，可以防止空氣從噴嘴孔lll進入到墨液室121，與墨液噴出量相稱的量的墨液從墨盒931(貯存室123)供給到墨液室121。如上所述地操作，在頭10中，通過向欲印刷的位置的壓電元件14依次借助壓電元件驅(qū)動電路輸入噴出信號，可以印刷任意的(所希望的)文字或圖形等。另外，頭10也可以具有電熱轉(zhuǎn)化元件來代替壓電元件14。也就是說，頭10也可以構(gòu)成為利用電氣熱變換元件的材料的熱膨脹來噴出墨液(所謂的"氣泡噴射方式"("bubblejet"是注冊商標))。上述構(gòu)成的頭10中，于噴嘴板ll設置為了賦予疏液性而形成的被膜114。由此，在噴嘴孔lll噴出墨液滴時，可以確實地防止在該噴嘴孔lll的周邊殘留墨液滴。其結(jié)果是，可以使從噴嘴孔lll噴出的墨液滴確實地著落于目標區(qū)域。以上基于附圖的實施方案說明了本發(fā)明的帶有接合膜的基材、接合方法以及接合體，但本發(fā)明不限定于此。例如，在本發(fā)明的接合方法中，可以組合所述各實施方案中任意l個或2個以上。另外，本發(fā)明的接合方法中，也可以根據(jù)需要追加l個以上任意的目的工序。另外，所述各實施方案中，說明將基板與對置基板的2張基材接合的方法，但接合3張以上基材的情況下，也可以使用本發(fā)明的接合方法。實施例接著，對本發(fā)明的具體的實施例來說明。1.接合體的制造以下，在各實施例以及各比較例，分別制作20個接合體。(實施例l)首先，作為基板，準備縱20mmx橫20mmx平均厚度lmm的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmx橫20mmx平均厚度lmm的玻璃基板。然后，將單晶硅基板收納于圖5所示的等離子體聚合裝置100的腔室101內(nèi)，用氧等離子體進行表面處理。接著，在進行了表面處理的面形成平均厚度為200nm的等離子體聚合膜。需要說明的是，成膜條件如下所示。<成膜條件>原料氣體組成八甲基三硅氧烷原料氣體的流量50sccm載氣的組成氬載氣的流量100sccm高頻電力的輸出100W高頻率輸出密度25W/cm2腔室內(nèi)壓力1Pa(低真空)處理時間15分鐘基板溫度20°C由上述方法成膜的等離子聚合膜包含八甲基三硅氧垸(原料氣)的聚合物，其包括具有含硅氧垸鍵的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)的Si骨架和烷基(脫離基)。由此，得到在單結(jié)晶硅基板上形成等離子聚合膜而成的帶有接合膜的基材。另外，與其相同地操作，對玻璃基板進行表面處理后，在進行該表面處理的面形成等離子體聚合膜。由此，得到帶有接合膜的基材。接著，在以下所示的條件下對所得的各等離子體聚合膜照射紫外線。51氛圍氣體的壓力大氣圧(100kPa)紫外線的波長172nm紫外線的照射時間5分鐘接著，照射紫外線1分鐘后，以使等離子體聚合膜的照射了紫外線的面彼此接觸的方式重合單晶硅基板與玻璃基板。由此，得到接合體。接著，將所得的接合體在3MPa下加壓、且在8(TC下加熱，維持15分鐘。由此，實現(xiàn)接合體的接合強度的提高。(實施例2)除將加熱溫度從8(TC改變?yōu)?5-C以外，與所述實施例l相同地操作，得到接合體。(實施例312)除將基板的構(gòu)成材料與對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表l所示的材料以外，與所述實施例l相同地操作，得到接合體。(實施例13)首先，與所述實施例1同樣地準備單結(jié)晶硅基板和玻璃基板(基板以及對置基板)，分別進行基于氧等離子體的表面處理。接著，在進行硅基板和玻璃基板的表面處理的面分別與所述實施例1同樣地形成等離子體聚合膜。由此，得到2張帶有接合膜的基材。另外，玻璃基板的進行了表面處理的面與所述實施例1同樣地形成等離子體聚合膜。由此，得到帶有接合膜的基材。然后，以使等離子體聚合膜之間接觸的方式使2張帶有接合膜的基材之間重合。由此，得到臨時接合體。進而，對于臨時接合體，在以下所示的條件下從玻璃基板側(cè)照射紫外線。<紫外線照射條件>氛圍氣體的組成大氣(空氣)氛圍氣體的溫度20°C52氛圍氣體的壓力大氣壓(100kPa)紫外線的波長172nm紫外線的照射時間5分鐘由此，接合各基板，得到接合體。然后，將所得的接合體在3MPa下加壓的同時在8(TC下加熱，維持15分鐘。由此，實現(xiàn)了接合體的接合強度的提高。(實施例14)除將高頻電力的輸出改變?yōu)?50W(高頻輸出密度為37.5W/cm2)以外，與所述實施例l相同地得到接合體。(實施例15)除將高頻電力的輸出改變?yōu)?00W(高頻輸出密度為50W/cm2)以外，與所述實施例l相同地得到接合體。(實施例16)首先，作為基板，準備縱20mmx橫20mmx平均厚度lmm的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmx橫20mmx平均厚度lmm的玻璃基板。然后，將單晶硅基板收納在圖5所示的等離子體聚合裝置100的腔室101內(nèi)，用氧等離子體進行表面處理。然后，在進行了表面處理的面形成平均厚度為200nm的等離子體聚合膜。需要說明的是，成膜條件如以下所示。<成膜條件>原料氣體的組成八甲基三硅氧烷原料氣體的流量50sccm載氣的組成氬載氣的流量100sccm高頻電力的輸出100W高頻輸出密度25W/cm2腔室內(nèi)壓力1Pa(低真空)處理時間15分鐘基板溫度20°C然后，在以下所示的條件下對所得的等離子體聚合膜照射紫外線?！醋贤饩€照射條件〉氛圍氣體的組成大氣(空氣)氛圍氣體的溫度20°C氛圍氣體的壓力大氣壓(100kPa)紫外線的波長172nm■紫外線的照射時間5分鐘然后，照射紫外線l分鐘后，以使等離子體聚合膜的照射了紫外線的面與玻璃基板的實施了表面處理的面接觸的方式重合各基板。由此，得到接合體。然后，將所得的接合體在3MPa下加壓，同時在8(TC下加熱，維持15分鐘。由此，實現(xiàn)了接合體的接合強度的提高。(實施例17)除將加熱溫度從8(TC改變?yōu)?5。C以外，與所述實施例16相同地操作，得到接合體。(實施例1827)除將基板的構(gòu)成材料以及對置基板的構(gòu)成材料分別改變?yōu)楸韑所示的材料以外，與所述實施例16相同地得到接合體。(實施例28)首先，與所述實施例16相同地操作，準備單晶硅基板與玻璃基板(基板以及對置基板)，分別用氧等離子體進行表面處理。然后，在硅基板的進行了表面處理的面與所述實施例16相同地操作形成離子體聚合膜。由此，得到帶有接合膜的基材。然后，以使等離子體聚合膜與玻璃基板的實施了表面處理的面接觸的方式重合硅基板與玻璃基板，得到臨時接合體。然后，對于臨時接合體，在以下所示的條件下從玻璃基板側(cè)照射紫外線。<紫外線照射條件>氛圍氣體的組成大氣(空氣)氛圍氣體的溫度20°C氛圍氣體的壓力大氣壓(100kPa)紫外線的波長172nm■紫外線的照射時間5分鐘由此，接合各基板，得到接合體。然后，將所得的接合體在3MPa下加熱的同時在8(TC下加熱，維持15分鐘。由此，獲得了接合體的接合強度的提高。(實施例29)除將高頻電力的輸出改變?yōu)?50W(高頻輸出密度為37.5W/cm2)以外，與所述實施例16相同地操作，得到接合體。(實施例30)除將高頻電力的輸出改變?yōu)?00W(高頻輸出密度為50W/cm2)以夕卜，與所述實施例16相同地操作，得到接合體。(實施例31)首先，作為基板，準備縱20mmx橫20mmx平均厚度lmm的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmx橫20mmx平均厚度lmm的玻璃基板。接著，將單晶硅基板與玻璃基板的兩者收納在圖5所示的等離子體聚合裝置100的腔室101內(nèi)，用氧等離子體進行表面處理。然后，對于單晶硅基板與玻璃基板的進行了表面處理的各面分別形成平均厚度為200nm的等離子體聚合膜。由此，得到帶有接合膜的基材。需要說明的是，成膜條件如以下所示。<成膜條件>原料氣體的組成八甲基三硅氧烷原料氣體的流量50sccm載氣的組成氬載氣的流量100sccm高頻電力的輸出100W高頻輸出密度25W/cm2腔室內(nèi)壓力1Pa(低真空)處理時間15分鐘■基板溫度20°C然后，對于所得的等離子體聚合膜，分別在以下所示的條件下照射紫外線。需要說明的是，照射紫外線的區(qū)域是形成于單晶硅基板的等離子體聚合膜的表面整體與形成于玻璃基板的等離子體聚合膜的表面中周邊部的寬度3mm的框狀區(qū)域。<紫外線照射條件>氛圍氣體的組成大氣(空氣)氛圍氣體的溫度20°C氛圍氣體的壓力大氣壓(100kPa)紫外線的波長172nm■紫外線的照射時間5分鐘然后，以使各等離子體聚合膜的照射了紫外線的面彼此接觸的方式重合單晶硅基板與玻璃基板。由此，得到接合體。然后，將所得的接合體在3MPa下加壓的同時在8(TC下加熱，維持15分鐘。由此，實現(xiàn)了接合體的接合強度的提高。(實施例32)除將加熱的溫度從80。C改變?yōu)?5。C以外，與所述實施例31相同地操作，得到接合體。(實施例3338)除將基板的構(gòu)成材料以及對置基板的構(gòu)成材料分別改變?yōu)楸?所示的材料以外，與所述實施例31相同地操作，得到接合體。(實施例39)首先，作為基板，準備縱20mmx橫20mmx平均厚度lmm的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmx橫20mmx平均厚度lmm的不銹鋼基板。然后，將硅基板收納在圖5所示的等離子體聚合裝置100的腔室101內(nèi)，用氧等離子體進行表面處理。然后，于進行表面處理的面形成平均厚度為200nm的等離子體聚合膜。需要說明的是，成膜條件與所述實施例31相同。接著，與所述實施例31相同地操作，對等離子體聚合膜照射紫外線。需要說明的是，照射紫外線的區(qū)域是形成于硅基板的等離子體聚合膜的表面中周邊部的寬度3mm的框狀區(qū)域。然后，對于不銹鋼基板，也與硅基板相同地操作，用氧等離子體進行表面處理。然后，以使等離子體聚合膜的照射了紫外線的面與不銹鋼基板的進行了表面處理的面接觸的方式重合硅基板與不銹鋼基板。由此，得到接合體。接下來，將所得的接合體在3MPa下加熱，同時在8(TC下加熱，維持15分鐘。由此，實現(xiàn)了接合體的接合強度的提高。(實施例40)除將加熱的溫度從80。C改變?yōu)?5。C以外，與所述實施例39相同地操作，得到接合體。(實施例4143)除將基板的構(gòu)成材料與對置基板的構(gòu)成材料分別改變?yōu)楸?所示的材料以外，與所述實施例39相同地操作，得到接合體。(比較例13)除基板的構(gòu)成材料與對置基板的構(gòu)成材料分別為表l所示的材料，將各基材間用環(huán)氧類粘接劑粘接以外，與所述實施例l相同地操作，得到接合體。(比較例46)除基板的構(gòu)成材料與對置基板的構(gòu)成材料分別為表2所示的材料，在周邊部的寬度3mm的框狀區(qū)域中用環(huán)氧類粘接劑局部粘接各基材間以外，與所述實施例l相同地操作，得到接合體。(比較例7)代替等離子體聚合膜，如以下所示地操作形成接合膜，除此以外，與所述實施例l相同地操作，得到接合體。首先，準備含有具有聚二甲基硅氧烷骨架的物質(zhì)作為硅酮材料，含有甲苯以及異丁醇作為溶劑的液狀材料(信越化學工業(yè)公司制、"KR—251":粘度(25°C)18.0mPas)。57然后，用氧等離子體對單晶硅基板的表面進行表面處理后，于該面涂布液狀材料。然后，將所得的液狀被膜在常溫(25°C)下干燥24小時。由此，得到接合膜。另外，與其相同地操作，用氧等離子體對玻璃基板進行表面處理后，于該面得到接合膜。然后，對各接合膜照射紫外線。接著，將硅基板與玻璃基板加壓的同時加熱。由此，得到硅基板與玻璃基板借助接合膜接合而成的接合體。(比較例813)除將基板的構(gòu)成材料以及對置基板的構(gòu)成材料分別改變?yōu)楸韑所示的材料以外，與所述比較例7相同地操作，得到接合體。(比較例14)代替等離子體聚合膜，如以下所示地操作，形成接合膜，除此以外，與所述實施例l相同地操作，得到接合體。首先，用氧等離子體對單晶硅基板的表面進行表面處理后，使該面接觸六甲基二氧雜硅烷(HMDS)的蒸氣，由此得到由HMDS構(gòu)成的接合膜。另外，與其相同地操作，用氧等離子體對玻璃基板進行表面處理后，于該面得到由HMDS構(gòu)成的接合膜。然后，對各接合膜照射紫外線。接著，將硅基板與玻璃基板在加壓的同時加熱。由此，得到硅基板與玻璃基板借助接合膜接合而成的接合體。2.接合體的評價2.1接合強度(割裂強度)的評價對于各實施例與各比較例中得到的接合體，分別測定接合強度。接合強度的測定通過將各基材剝離時測定剛剝離前的強度來進行。另外，在剛接合后與接合后重復50次-4(TC125。C的溫度循環(huán)后分別測定接合強度。然后，根據(jù)以下的基準評價接合強度。需要說明的是，局部接合所成的接合體(表2記載的接合體)與接合整面所成的接合體(表l所記載的接合體)相比，接合強度均較大。<接合強度的評價基準>◎10MPa(100kgf/cm2)以上〇5MPa(50kgf/cm2)以上、小于10MPa(100kgf/cm2)△:lMPa(10kgf/cm2)以上、小于5MPa(50kgf/cm2)X:小于lMPa(10kgf/cm2)2.2尺寸精度的評價對于各實施例以及各比較例中得到的接合體，分別測定厚度方向的尺寸精度。尺寸精度的測定通過測定正方形的接合體的各角部的厚度，算出4處厚度的最大值與最小值之差來進行。然后，根據(jù)以下基準評價該差。<尺寸精度的評價基準〉〇小于10pmx:lOiim以上2.3耐化學藥品性的評價將各實施例以及各比較例中得到的接合體中的10個在維持于8(TC的噴墨打印機用墨液(愛普生公司制、HQ4)中在以下的條件下浸漬3周。另外，將余下的10個接合體在相同的墨液中浸漬50天。然后，剝離各基材，確認墨液是否未浸入接合界面。然后，根據(jù)以下的基準評價該結(jié)果。<耐化學藥品性的評價基準〉完全不浸入〇略浸入角部沿邊緣部浸入x:浸入內(nèi)側(cè)2.4結(jié)晶度的評價對于各實施例以及各比較例中得到的接合體中的接合膜，分別測定Si骨架的結(jié)晶度。然后，根據(jù)以下的評價基準評價結(jié)晶度。〈結(jié)晶度的評價基準〉結(jié)晶度為30%以下結(jié)晶度為超過30%、45%以下結(jié)晶度為超過45%、55%以下X:結(jié)晶度超過55%2.5紅外線吸收(FT—IR)的評價對于各實施例以及各比較例中得到的接合體中的接合膜，分別獲得紅外吸收光譜。然后，對于各光譜，算出(1)歸屬于Si-H鍵的峰相對于歸屬于硅氧烷(Si-O)鍵的峰的相對強度與(2)歸屬于CH3鍵的峰相對于歸屬于硅氧烷鍵的峰的相對強度。2.6折射率的評價對于各實施例以及各比較例中得到的接合體中的接合膜，分別測定折射率。2.7光透過率的評價對于各實施例以及各比較例中得到的接合體中能測定光透過率的接合體，測定光透過率。然后，根據(jù)以下的評價基準評價所得的光透過率?！垂馔高^率的評價基準〉超過95%〇超過90%小于95%超過85%小于90%X:小于85%2.8形狀變化的評價關于各實施例3143以及各比較例46得到的接合體，測定各個接合體的接合前后的形狀變化。具體而言，在接合前后測定接合體的翹曲量，根據(jù)以下的基準進行評價?！绰N曲量的評價基準〉接合前后翹曲量基本沒有變化〇接合前后翹曲量略微變化接合前后翹曲量稍有大幅變化X:接合前后翹曲量較大變化以上的2.12.8的各評價結(jié)果示于表1、2。<table>tableseeoriginaldocumentpage62</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage63</column></row><table>由表l、2明確可知，各實施例中得到的接合體在接合強度、尺寸精度、耐化學藥品性以及光透過率的任一項中均顯示優(yōu)異的特性。另外，各實施例中得到的接合體中，接合膜中的Si骨架的結(jié)晶度均在45%以下。因此，認為各實施例中得到的接合體中的優(yōu)良特性可通過Si骨架的結(jié)晶度低來得到。另外，各實施例中得到的接合體中，從紅外吸收光譜的解析確認接合膜中含有Si-H鍵。另外，明確含有Si-H鍵的接合膜結(jié)晶度低。認為上述各實施例的優(yōu)異特性的原因是接合膜用等離子體聚合法形成，由此接合膜中含有Si-H鍵，同時接合膜的結(jié)晶度降低(接合膜的結(jié)構(gòu)的無規(guī)性提高)。進而，各實施例中得到的接合體中，通過改變接合膜形成時的高頻輸出密度，折射率發(fā)生變化。另一方面，各比較例中得到接合體中，耐化學藥品性、接合強度以及光透過率不充分。另外，尺寸精度特別低。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的帶有接合膜的基材的特征在于包含基材和接合膜，所述接合膜被設置于該基材上且含有Si骨架和鍵合于該Si骨架的脫離基，所述Si骨架具有含硅氧烷(Si_0)鍵的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)，所述Si骨架的結(jié)晶度為45%以下，其中，對所述接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量，所述接合膜的至少存在于表面附近的所述脫離基從所述Si骨架中脫離，從而在所述接合膜的表面的所述區(qū)域表現(xiàn)出與其它粘附體的粘接性。由此，可得到具有能夠以高尺寸精度、牢固且在低溫下有效地與粘附體接合的接合膜的帶有接合膜的基材。另外，所述接合膜在含有硅氧烷鍵的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)的Si骨架的影響下，形成難以變形的牢固的膜。因此，接合膜本身是接合強度、耐化學藥品性以及尺寸精度高的接合膜，在接合有帶有接合膜的基材和粘附體的接合體中，得到接合強度、耐化學藥品性以及尺寸精度高的接合體。因此，本發(fā)明的帶有接合膜的基材具有產(chǎn)業(yè)上的可利用性。權(quán)利要求1、一種帶有接合膜的基材，其特征在于，含有基材和接合膜，所述接合膜被設置于所述基材上且含有Si骨架和鍵合于該Si骨架的脫離基，所述Si骨架具有含硅氧烷(Si-O)鍵的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)，所述Si骨架的結(jié)晶度為45％以下，其中對所述接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量，所述接合膜的至少存在于表面附近的所述脫離基從所述Si骨架中脫離，從而在所述接合膜的表面的所述區(qū)域呈現(xiàn)出與其它粘附體的粘接性。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其中，從構(gòu)成所述接合膜的全體原子中除去了H原子后的原子中，Si原子的含有率與O原子的含有率總計為1090原子％。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其中，所述接合膜中的Si原子與0原子的存在比為3:77:3。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其中，所述接合膜含有Si-H鍵。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的帶有接合膜的基材，其中，在含有所述Si-H鍵的接合膜的紅外吸收光譜中，以歸屬于硅氧烷鍵的峰強度為l時，歸屬于Si-H鍵的峰強度為0.0010.2。6、根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶有接合膜的基材，其中，所述脫離基包含選自由H原子、B原子、C原子、N原子、O原子、P原子、S原子及鹵素系原子或按照上述各原子鍵合于所述Si骨架的方式配置的原子團構(gòu)成的組中的至少1種。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的帶有接合膜的基材，其中，所述脫離基為烷基。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的帶有接合膜的基材，其中，在含有甲基作為所述脫離基的接合膜的紅外吸收光譜中，以歸屬于硅氧烷鍵的峰強度為l時，歸屬于甲基的峰強度為O.050.45。9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其中，所述接合膜中，至少存在于其表面附近的所述脫離基從所述Si骨架脫離后具有活性鍵。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的帶有接合膜的基材，其中，所述活性鍵為未結(jié)合鍵或羥基。11、根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其中，所述接合膜以聚有機硅氧烷為主要材料而構(gòu)成。12、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的帶有接合膜的基材，其中，所述聚有機硅氧烷以八甲基三硅氧烷的聚合物為主要成分。13、根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其中，在所述等離子聚合法中，產(chǎn)生等離子體時的高頻輸出密度為0.01100W/cm2。14、根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其中，所述接合膜的平均厚度為11000nm。15、根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其中，所述接合膜為不具有流動性的固體狀膜。16、根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其中，所述接合膜的折射率為l.351.6。17、根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其中，所述基材呈板狀。18、根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其中，所述基材的至少形成所述接合膜的部分以硅材料、金屬材料或玻璃材料為主要材料而構(gòu)成。19、根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其中，所述基材的具有所述接合膜的面預先被實施了提高與所述接合膜的密接性的表面處理。20、根據(jù)權(quán)利要求19所述的帶有接合膜的基材，其中，所述表面處理為等離子體處理。21、根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其中，所述基材與所述接合膜之間插入有中間層。22、根據(jù)權(quán)利要求21所述的帶有接合膜的基材，其中，所述中間層以氧化物系材料為主要材料而構(gòu)成。23、一種接合方法，包括準備權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材和所述其它粘附體的工序；對該帶有接合膜的基材中的所述接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量的工序；和以使所述接合膜與所述其它粘附體密接的方式使所述帶有接合膜的基材與所述其它粘附體貼合，得到接合體的工序。24、一種接合方法，包括準備權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材和所述其它粘附體的工序；以使所述接合膜與所述其它粘附體密接的方式，使所述帶有接合膜的基材與所述其它的粘附體重合，得到臨時接合體的工序；以及對該臨時接合體中的所述接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量，從而將所述帶有接合膜的基材與所述其它粘附體接合，得到接合體的工序。25、根據(jù)權(quán)利要求23所述的接合方法，其中，所述能量的賦予是通過向所述接合膜照射能量線的方法，加熱所述接合膜的方法以及對所述接合膜賦予壓縮力的方法中的至少一種方法來進行的。26、根據(jù)權(quán)利要求25所述的接合方法，其中，所述能量線是波長為150300nm的紫外線。27、根據(jù)權(quán)利要求25所述的接合方法，其中，所述加熱的溫度為25100°C。28、根據(jù)權(quán)利要求25所述的接合方法，其中，所述壓縮力為0.210MPa。29、根據(jù)權(quán)利要求23所述的接合方法，其中，所述能量的賦予在大氛圍圍中進行。30、根據(jù)權(quán)利要求23所述的接合方法，其中，所述其它粘附體具有預先實施了提高其與所述接合膜的密接性的表面處理的表面，并且所述帶有接合膜的基材以所述接合膜與所述實施了表面處理的表面密接的方式貼合。31、根據(jù)權(quán)利要求23所述的接合方法，其中，所述其它粘附體具有預先包含選自由官能團、自由基、開環(huán)分子、不飽和鍵、鹵素以及過氧化物構(gòu)成的組中的至少一種基團或物質(zhì)的表面，所述帶有接合膜的基材以所述接合膜與含有所述基團或物質(zhì)的表面密接的方式貼合。32、根據(jù)權(quán)利要求23所述的接合方法，其中，還包括對所述接合體進行提高其接合強度的處理的工序。33、根據(jù)權(quán)利要求32所述的接合方法，其中，所述進行提高接合強度的處理的工序通過對所述接合體照射能量線的方法，加熱所述接合體的方法以及對所述接合體施加壓縮力的方法中的至少一種方法來進行。34、一種接合體，其特征在于，具有權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材和所述其它粘附體，并借助所述接合膜將所述基材和粘附體接合而成。全文摘要本發(fā)明的帶有接合膜的基材的特征在于包含基板(基材)和設置于該基板上的接合膜，可于對置基板(其它粘附體)接合。所述接合膜是含有下述Si骨架和鍵合于該Si骨架的脫離基的膜，所述Si骨架具有含硅氧烷(Si-O)鍵的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)，并且所述Si骨架的結(jié)晶度為45％以下。另外，該接合膜通過照射紫外線，脫離基從所述Si骨架中脫離，從而在所述接合膜的表面呈現(xiàn)與對置基板的粘接性。文檔編號C09J5/02GK101688086SQ20088002392公開日2010年3月31日申請日期2008年7月2日優(yōu)先權(quán)日2007年7月11日發(fā)明者大塚賢治,松尾泰秀,樋口和央,若松康介申請人:精工愛普生株式會社