專利名稱：：硬盤基板用研磨液組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及硬盤基板用研磨液組合物、使用了該研磨液組合物的研磨方法以及硬盤基板的制造方法。
背景技術(shù)：
：伴隨著計(jì)算機(jī)的快速普及和數(shù)字播放的開始等，要求硬盤驅(qū)動(dòng)的高容量和小型化。例如，作為提高硬盤驅(qū)動(dòng)中使用的存儲(chǔ)硬盤的記錄密度的方法，提出了降低磁頭的浮上量、減小單位記錄面積的技術(shù)方案。但是，為了對(duì)應(yīng)磁頭的低浮上化，必須降低硬盤基板表面的表面粗糙度、微小波紋等。為了滿足該要求，已知一種可改善研磨后的基板的表面特性的研磨劑漿料(日本特開2005-186269、日本特開2006-518549以及日本特開2007-168034)。在硬盤基板的制造方法中，從兼顧更加平滑、劃傷少這樣的表面品質(zhì)提高和生產(chǎn)率提高的觀點(diǎn)出發(fā)，大多采用具有2個(gè)階段以上的研磨工序的多段研磨方式。在多段研磨方式的最終研磨工序、即精研磨工序中，為了滿足減少表面粗糙度、減少劃傷的要求，一般用使用了膠體二氧化硅粒子的精研磨用研磨液組合物進(jìn)行研磨。另一方面，在精研磨工序之前的研磨工序(也稱作粗研磨工序)中，從生產(chǎn)率的觀點(diǎn)出發(fā)，有使用可實(shí)現(xiàn)高研磨速度的粒徑較大的磨粒例如氧化鋁粒子的傾向。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的硬盤基板用研磨液組合物含有氧化鋁粒子、二氧化硅粒子和水，其中，所述氧化鋁粒子的二次粒子的用激光衍射法測定的體積中值粒徑為0.10.8pm，所述二氧化硅粒子的一次粒子的用透射型電子顯微鏡觀察測定的體積中值粒徑為40150nm，所述二氧化硅粒子的一次粒子的用透射型電子顯微鏡觀察測定的粒徑的以個(gè)數(shù)為基準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1135nm。此外，本發(fā)明的硬盤基板的制造方法包含使用本發(fā)明的硬盤基板用研磨液組合物對(duì)被研磨基板進(jìn)行研磨的工序，所述研磨時(shí)的研磨載荷是10.316.7kPa。此外，本發(fā)明的被研磨基板的研磨方法包含使用本發(fā)明的硬盤基板用研磨液組合物對(duì)被研磨基板進(jìn)行研磨的工序，其中，所述被研磨基板是垂直磁記錄方式用硬盤基板的制造中所使用的基板，所述研磨時(shí)的研磨載荷是10.316.7kPa，所述研磨工序是粗研磨工序。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施例中進(jìn)行1.0-3.0峰值端面下垂(Peakrolloff)的測定的位置的截面圖。具體實(shí)施例方式硬盤基板用研磨液組合物中使用氧化鋁粒子作為磨粒時(shí)，由于氧化鋁粒子扎入基板中所導(dǎo)致的織構(gòu)劃痕(texturescratch),因而存在以下問題會(huì)引起介質(zhì)的缺陷，進(jìn)而引起磁特性的下降，即引起信噪比(SNR)下降。在上述以往技術(shù)中，不能充分降低氧化鋁粒子向基板中的扎入。另外，隨著記錄容量的大容量化的要求，硬盤的記錄方式正從水平磁記錄方式向垂直磁記錄方式轉(zhuǎn)變。可以預(yù)見的是，由于在垂直磁記錄方式的硬盤的制造過程中，在未經(jīng)過水平磁記錄方式中采用的織構(gòu)化工序的情況下形成磁性層，所以基板的研磨工序中產(chǎn)生的氧化鋁粒子的扎入不能利用織構(gòu)化工序來減少，SNR顯著下降。本發(fā)明是基于以下的認(rèn)識(shí)作為研磨液組合物的磨粒，通過組合使用具有特定的二次粒徑的氧化鋁粒子和具有寬的粒徑分布及特定的一次粒徑的二氧化硅粒子，研磨后，氧化鋁粒子向基板中的扎入可顯著減少。該氧化鋁粒子的扎入減少的機(jī)理還不清楚，但據(jù)推測，通過使用寬的粒徑分布(即粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差較大)的二氧化硅粒子，使二氧化硅粒子的填充率增加，被研磨基板和磨粒之間的摩擦提高，結(jié)果扎入的氧化鋁粒子被拔出，從而減少氧化鋁粒子向基板中的扎入。此外，本發(fā)明還基于以下的認(rèn)識(shí)根據(jù)上述磨粒的組合，更優(yōu)選還可以減少研磨后的基板的波紋。艮P，作為本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)，是涉及一種硬盤基板用研磨液組合物，其含有氧化鋁粒子、二氧化硅粒子和水，上述氧化鋁粒子的二次粒子的用激光衍射法測定的體積中值粒徑為0.10.8pm，上述二氧化硅粒子的一次粒子的用透射型電子顯微鏡觀察測定的體積中值粒徑為40150nm，上述二氧化硅粒子的一次粒子的用透射型電子顯微鏡觀察測定的粒徑的以個(gè)數(shù)為基準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1135nm。通過使用本發(fā)明的硬盤基板用研磨液組合物(以下也稱作本發(fā)明的研磨液組合物)，在不損害生產(chǎn)率(例如研磨速度)的情況下，可以優(yōu)選地提供氧化鋁粒子向基板的扎入得以減少且適用于高記錄密度的硬盤基板，特別是垂直磁記錄方式用硬盤基板。根據(jù)本發(fā)明的研磨液組合物，更優(yōu)選的是，可以提供進(jìn)一步使基板的波紋也減少的硬盤基板。本發(fā)明中，所謂氧化鋁粒子的"扎入"，是指氧化鋁粒子被壓入到基板中而殘留的狀態(tài)。氧化鋁粒子向基板的扎入是介質(zhì)缺陷和磁特性下降的原因。如后述的實(shí)施例中所述，該扎入可以用含有二氧化硅粒子作為磨粒的研磨液組合物稍稍研磨基板表面后除去附著在基板上的磨粒，然后通過暗視場顯微鏡觀察或原子力顯微鏡(AFM)或掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察上述基板表面來研究。通過減少上述向基板中的扎入，可以抑制SNR的下降，能夠提高基板的表面特性。本發(fā)明中，所謂基板的"波紋"，是指波長比粗糙度更長的基板表面的凹凸，本說明書中是指波長為0.55mm的波紋。通過減少該基板的波紋，可以減少磁頭的浮上量，能夠提高磁盤基板的記錄密度。本發(fā)明的研磨液組合物含有氧化鋁粒子作為磨粒。作為本發(fā)明中使用的氧化鋁粒子，從減少扎入、減少波紋、減少表面粗糙度、提高研磨速度以及防止表面缺陷的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選作為氧化鋁的純度為95%以上的氧化鋁，更優(yōu)選為97%以上的氧化鋁，進(jìn)一步優(yōu)選為99%以上的氧化鋁。另外，從提高研磨速度的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選a-氧化鋁，從基板的表面性狀和減少波紋的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選中間氧化鋁和非晶形氧化鋁。中間氧化鋁是指a-氧化鋁以外的結(jié)晶性氧化鋁粒子的總稱，具體可以列舉出"氧化鋁、5-氧化鋁、e-氧化鋁、Ti-氧化鋁、K-氧化鋁以及它們的混合物等。該中間氧化鋁中，從提高研磨速度和減少波紋的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選？氧化鋁、s-氧化鋁、e-氧化鋁以及它們的混合物，更優(yōu)選Y-氧化鋁和e-氧化鋁。從提高研磨速度和減少波紋的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選混合使用a-氧化鋁、中間氧化鋁和/或非晶形氧化鋁，更優(yōu)選混合使用(x-氧化鋁和中間氧化鋁，進(jìn)一步優(yōu)選混合使用a-氧化鋁和e-氧化鋁。此外，從提高研磨速度和減少波紋的觀點(diǎn)出發(fā)，氧化鋁粒子中的&氧化鋁的含量優(yōu)選為20100重量％，更優(yōu)選為2080重量％，進(jìn)一步優(yōu)選為2075重量％。本發(fā)明中，氧化鋁粒子中的a-氧化鋁的含量是將WA-1000(昭和電工株式會(huì)社制造的氧化鋁粒子)的104面的峰面積設(shè)定為100%，通過將X射線衍射中的a-氧化鋁的對(duì)應(yīng)峰面積進(jìn)行相對(duì)比較來求出。當(dāng)混合使用(x-氧化鋁、中間氧化鋁和/或非晶形氧化鋁時(shí)，從減少端面下垂、提高研磨速度和減少波紋的觀點(diǎn)出發(fā)，a-氧化鋁、中間氧化鋁和/或非晶形氧化鋁的重量比(01-氧化鋁的重量％/中間氧化鋁和/或非晶形氧化鋁的重量％)優(yōu)選為90/1010/90，更優(yōu)選為85/1540/60，進(jìn)一步優(yōu)選為80/2050/50。本發(fā)明中使用的氧化鋁粒子的二次粒子的體積中值粒徑是利用激光衍射法測定而得到的，從減少扎入、波紋和表面粗糙度的觀點(diǎn)出發(fā)，該體積中值粒徑為0.8nm以下，優(yōu)選為0.6pm以下，更優(yōu)選為0.5pm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.4pm以下。此外，從提高研磨速度的觀點(diǎn)出發(fā)，上述體積中值粒徑為O.lnm以上，優(yōu)選為0.15nm以上，更優(yōu)選為0.2pm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.25pm以上。因此，上述體積中值粒徑為0.10.8nm，優(yōu)選為0.150.6pm，更優(yōu)選為0.20.5pm，進(jìn)一步優(yōu)選為0.250.4pm。其中，從減少扎入、減少波紋及減少表面粗糙度的觀點(diǎn)出發(fā)、以及從提高研磨速度的觀點(diǎn)出發(fā)，用激光衍射法測定的a-氧化鋁的二次粒子的體積中值粒徑優(yōu)選為0.10.8(im，更優(yōu)選為0.150.6pm，進(jìn)一步優(yōu)選為0.20.5(am，更進(jìn)一步優(yōu)選為0.250.4nm。從減少扎入和減少表面污染的觀點(diǎn)出發(fā)，氧化鋁粒子的一次粒子的體積中值粒徑優(yōu)選為0.0050.5pm，更優(yōu)選為0.010.4|im，進(jìn)一步優(yōu)選為0.030.3jim，更進(jìn)一步優(yōu)選為0.050.2pm。其中，從提高研磨速度、減少扎入和減少表面污染的觀點(diǎn)出發(fā)，a-氧化鋁的一次粒子的體積中值粒徑優(yōu)選為0.050.5jxm，更優(yōu)選為0.050.4nm，進(jìn)一步優(yōu)選為0.050.3tim，更進(jìn)一步優(yōu)選為0.070.2pm。氧化鋁粒子的一次粒子的體積中值粒徑可以通過對(duì)掃描型電子顯微鏡(優(yōu)選為300030000倍)或透射型電子顯微鏡(優(yōu)選為10000300000倍)的照片進(jìn)行圖像分析來求出。具體而言，使用放大照片等，對(duì)至少200個(gè)粒子測定各個(gè)一次粒子的最大長度，以該長度作為直徑來計(jì)算球的體積，將從小粒徑一側(cè)開始累積的累積體積頻率達(dá)到50%時(shí)的粒徑(D5Q)作為一次粒子的體積中值粒徑。從提高研磨速度和減少扎入的觀點(diǎn)出發(fā)，研磨液組合物中的氧化鋁粒子的含量優(yōu)選為0.05重量％以上，更優(yōu)選為0.1重量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.5重量％以上，更進(jìn)一步優(yōu)選為1重量％以上。此外，從提高表面品質(zhì)和經(jīng)濟(jì)性的觀點(diǎn)出發(fā)，該含量優(yōu)選為30重量％以下，更優(yōu)選為20重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為15重量％以下，更進(jìn)一步優(yōu)選為10重量％以下。g卩，研磨液組合物中的氧化鋁粒子的含量優(yōu)選為0.0530重量％，更優(yōu)選為0.120重量％，進(jìn)一步優(yōu)選為0.515重量％，更進(jìn)一步優(yōu)選為110重量％。從減少扎入的觀點(diǎn)出發(fā)，氧化鋁粒子中的粒徑為lpm以上的粗大粒子的含量優(yōu)選為0.2重量％以下，更優(yōu)選為0.15重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.1重量％以下，更進(jìn)一步優(yōu)選為0.05重量％以下。此外，從同樣的觀點(diǎn)出發(fā)，氧化鋁粒子中的粒徑為3pm以上的粗大粒子的含量優(yōu)選為0.05重量％以下，更優(yōu)選為0.04重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.03重量％以下，更進(jìn)一步優(yōu)選為0.02重量％以下，更進(jìn)一步優(yōu)選為0.01重量％以下。另外，上述的"粒徑為1,以上的粗大粒子"或"粒徑為3,以上的粗大粒子"不僅僅包括一次粒子，由一次粒子凝聚而成的二次粒子也包括在內(nèi)。研磨液組合物中的上述粗大粒子的含量測定是使用個(gè)數(shù)計(jì)數(shù)方式(SizingParticleOpticalSensing法)。具體而言，可以利用美國ParticleSizingSystems公司制造的Accusizer780，通過測定氧化鋁粒子的粒徑來求出該含量。作為控制氧化鋁粒子中的粒徑為1pm以上的粗大粒子的含量的方法，沒有特別限定，可以在研磨液組合物的制造時(shí)或制造后使用一般的分散方法或粒子除去方法。本發(fā)明的研磨液組合物中，與上述氧化鋁粒子一起含有二氧化硅粒子作為磨粒。作為二氧化硅粒子，可以列舉出膠體二氧化硅、熱解法二氧化硅(fumedsilica)、表面修飾過的二氧化硅等，其中，從適于需要更高的平滑性的高記錄密度存儲(chǔ)磁盤用基板的最終精研磨用途的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選膠體二氧化硅。另外，膠體二氧化硅粒子例如可以通過從硅酸水溶液生成的制法來獲得。從減少扎入、提高研磨速度和減少波紋的觀點(diǎn)出發(fā)，本發(fā)明中使用的二氧化硅粒子的一次粒子的體積中值粒徑(也稱作體積基準(zhǔn)的平均粒徑(D5o))為40150nm，優(yōu)選為45100nm，更優(yōu)選為5080nm。此外，從減少扎入、提高研磨速度和減少波紋的觀點(diǎn)出發(fā)，二氧化硅粒子的以個(gè)數(shù)為基準(zhǔn)的粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1135nm，優(yōu)選為1530nm，更優(yōu)選為1825nm。二氧化硅粒子的一次粒子的體積中值粒徑和以個(gè)數(shù)為基準(zhǔn)的粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差可以用以下的方法求出。即，將用日本電子制的透射型電子顯微鏡(TEM)(商品名"JEM-2000FX"、80kV、15萬倍)觀察二氧化硅粒子而得到的照片通過掃描器以圖像數(shù)據(jù)的形式錄入到計(jì)算機(jī)中，用分析軟件"WinROOF"(銷售商三谷商事)對(duì)IOOO個(gè)以上的二氧化硅粒子數(shù)據(jù)求出各個(gè)二氧化硅粒子的當(dāng)量圓直徑，以該當(dāng)量圓直徑作為直徑，用表格計(jì)算軟件"EXCEL"(微軟公司制)得到以個(gè)數(shù)為基準(zhǔn)的粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差(標(biāo)本標(biāo)準(zhǔn)偏差)。此外，使用上述表格計(jì)算軟件"EXCEL",根據(jù)由粒子直徑換算成粒子體積而得到的二氧化硅的粒徑分布數(shù)據(jù)，將全部粒子中的某個(gè)粒徑的粒子的比例(體積基準(zhǔn)％)以從小粒徑一側(cè)開始累積的累積頻率的形式來表示，得到累積體積頻率(％)。根據(jù)所得到的二氧化硅的粒徑和累積體積頻率數(shù)據(jù)，用累積體積頻率對(duì)粒徑作圖，得到粒徑對(duì)累積體積頻率的曲線。在上述曲線中，將從小粒徑一側(cè)開始累積的累積體積頻率達(dá)到50%時(shí)的粒徑作為二氧化硅的體積中值粒徑。從減少扎入、提高研磨速度和減少基板波紋的觀點(diǎn)出發(fā)，二氧化硅粒子優(yōu)選含有相對(duì)于二氧化硅粒子總量為40體積％以上的粒徑為20120nm的二氧化硅粒子，更優(yōu)選為60體積％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為80體積％以上，更進(jìn)一步優(yōu)選為90體積％以上。另外，從減少扎入、提高研磨速度和減少基板波紋的觀點(diǎn)出發(fā)，二氧化硅粒子優(yōu)選的是粒徑為2040nm、粒徑為6080nm和粒徑為100120nm之中粒徑為6080nm的體積。/。為最大，二氧化硅粒子優(yōu)選含有相9對(duì)于二氧化硅粒子總量為140體積％的粒徑為2040nm的二氧化硅粒子；相對(duì)于二氧化硅粒子總量為5卯體積％的粒徑為6080nm的二氧化硅粒子；以及相對(duì)于二氧化硅粒子總量為040體積％的粒徑為100120nm的二氧化硅粒子。從與上述同樣的觀點(diǎn)出發(fā)，作為粒徑為2040nm的二氧化硅粒子的含量，更優(yōu)選為相對(duì)于二氧化硅粒子總量為130體積％，進(jìn)一步優(yōu)選為l25體積％。作為粒徑為6080nm的二氧化硅粒子的含量，更優(yōu)選為相對(duì)于二氧化硅粒子總量為1070體積％，進(jìn)一步優(yōu)選為2060體積％。作為粒徑為100120nm的二氧化硅粒子的含量，更優(yōu)選為相對(duì)于二氧化硅粒子總量為030體積％，進(jìn)一步優(yōu)選為020體積％。二氧化硅粒子的粒徑分布是根據(jù)上述的粒徑分布數(shù)據(jù)，算出全部二氧化硅粒子中的粒徑為20120nm、粒徑為2040nm、粒徑為6080nm、以及粒徑為100120nm的二氧化硅粒子的比例(體積基準(zhǔn)％)。再者，從減少研磨后的端面下垂和基板表面的波紋的觀點(diǎn)出發(fā)，粒徑為10nm以下的二氧化硅粒子的含量優(yōu)選相對(duì)于二氧化硅粒子總量為0.125體積％，更優(yōu)選為0.220體積％，進(jìn)一步優(yōu)選為0.317體積％，更進(jìn)一步優(yōu)選為0.415體積％，特別優(yōu)選為0.510體積％。如果使用混合了粒徑比作為磨粒的氧化鋁粒子小很多的二氧化硅粒子的研磨液組合物，則可以減少研磨后的基板的端面下垂和研磨后的基板表面的波紋。作為調(diào)整二氧化硅粒子的粒徑分布的方法，沒有特別限定，例如當(dāng)二氧化硅粒子是膠體二氧化硅時(shí)，可以采用以下方法來實(shí)現(xiàn)通過在其制造階段的粒子的產(chǎn)生以及生長過程中加入成為新核的粒子來使最終產(chǎn)品具有粒徑分布的方法、混合具有不同粒徑分布的2種以上的二氧化硅粒子的方法等。從使調(diào)整變得簡便的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選通過混合具有不同粒徑分布的2種以上的二氧化硅粒子來進(jìn)行調(diào)整。從提高研磨速度、減少端面下垂和減少扎入的觀點(diǎn)出發(fā)，二氧化硅粒子優(yōu)選含有表示粒子的圓度程度的形狀系數(shù)SF-1為130180、優(yōu)選為130175、更優(yōu)選為130170的二氧化硅粒子。本發(fā)明中的形狀系數(shù)SF-1表示圓度程度，是指用以電子顯微鏡觀察得到的研磨粒子的最大徑為直徑的圓面積除以用電子顯微鏡觀察得到的該研磨粒子的投影面積再乘以100而得到的值(參照日本特許第3253228號(hào))。作為上述電子顯微鏡，沒有特別限定，例如可以使用透射型電子顯微鏡(TEM)和掃描型電子顯微鏡(SEM)。SF-1越接近100，則表示是越接近球狀的形狀。因此，SF-1為上述范圍的二氧化硅粒子是球形的圓度程度發(fā)生了變形的粒子。包含含有規(guī)定量的球形圓度程度發(fā)生了變形的粒子的二氧化硅粒子和作為磨粒的氧化鋁粒子的研磨液組合物可以減少研磨后的基板的端面下垂和氧化鋁粒子向基板中的扎入。從提高研磨速度、減少端面下垂和減少扎入的觀點(diǎn)出發(fā)，研磨液組合物中含有的二氧化硅粒子總量中的SF-1為上述范圍的二氧化硅粒子的含量是相對(duì)于二氧化硅粒子整體為20重量％以上，優(yōu)選為20100重量％，更優(yōu)選為50100重量％，進(jìn)一步優(yōu)選為80100重量％。此外，從提高研磨速度、減少端面下垂和減少扎入的觀點(diǎn)出發(fā)，研磨液組合物中含有的二氧化硅粒子中的SF-1為上述范圍的二氧化硅粒子的含量優(yōu)選為20個(gè)數(shù)％以上，更優(yōu)選為20100個(gè)數(shù)％，進(jìn)一步優(yōu)選為50100個(gè)數(shù)％，更進(jìn)一步優(yōu)選為80100個(gè)數(shù)％。研磨液組合物中含有的二氧化硅粒子中的SF-1為上述規(guī)定范圍的二氧化硅粒子的個(gè)數(shù)％是在算出了SF-1的值的100個(gè)二氧化硅粒子中，對(duì)SF-1的值為上述范圍的二氧化硅粒子進(jìn)行計(jì)數(shù)而求出的。本發(fā)明中使用的表示粒子的圓度程度的形狀系數(shù)SF-1為上述范圍的二氧化硅粒子可以通過以下方法獲得將以往公知的二氧化硅單分散粒子或溶膠在高濃度下進(jìn)行水熱處理；或者在上述單分散粒子分散液或溶膠中加入粘合劑成分并進(jìn)行加熱處理，從而使單分散粒子接合。從減少氧化鋁粒子的扎入、提高研磨速度和減少波紋的觀點(diǎn)出發(fā)，研磨液組合物中的二氧化硅粒子的含量優(yōu)選為0.1重量％以上，更優(yōu)選為0.5重量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為1.0重量％以上，更進(jìn)一步優(yōu)選為1.5重量％以上。此外，從提高表面品質(zhì)和經(jīng)濟(jì)性的觀點(diǎn)出發(fā)，二氧化硅粒子的含量優(yōu)選為30重量％以下，更優(yōu)選為25重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為20重量°/。以下，更進(jìn)一步優(yōu)選為15重量％以下。即，研磨液組合物中的二氧化硅粒子的含量優(yōu)選為0.130重量％，更優(yōu)選為0.525重量％，進(jìn)一步優(yōu)選為lii20重量％，更進(jìn)一步優(yōu)選為1.515重量％。從減少氧化鋁粒子的扎入、提高研磨速度和減少波紋的觀點(diǎn)出發(fā)，研磨液組合物中的氧化鋁粒子與二氧化硅粒子的重量比(氧化鋁重量/二氧化硅重量)優(yōu)選為60/4010/90的范圍，更優(yōu)選為50/5015/85的范圍，進(jìn)一步優(yōu)選為40/6020/80的范圍。優(yōu)選為9/11/9，更優(yōu)選為7/11/7，進(jìn)一步優(yōu)選為5/11/5。從提高研磨速度、減少扎入以及減少波紋的觀點(diǎn)出發(fā)，本發(fā)明的研磨液組合物優(yōu)選含有氧化劑。作為本發(fā)明中使用的氧化劑，例如可以列舉出過氧化物、金屬的過氧酸或其鹽、或含氧酸或其鹽等。氧化劑根據(jù)其結(jié)構(gòu)大致分為無機(jī)系氧化劑和有機(jī)系氧化劑。作為無機(jī)系氧化劑，可以列舉出過氧化氫；過氧化鈉、過氧化鉀、過氧化鈣、過氧化鋇、過氧化鎂等堿金屬或堿土類金屬的過氧化物；過碳酸鈉、過碳酸鉀等過碳酸鹽；過二硫酸銨、過二硫酸鈉、過二硫酸鉀、過一硫酸等過硫酸或其鹽；過磷酸鈉、過磷酸鉀、過磷酸銨等過磷酸或其鹽；過硼酸鈉、過硼酸鉀等過硼酸鹽；過鉻酸鈉、過鉻酸鉀等過鉻酸鹽；高錳酸鈉、高錳酸鉀等高錳酸鹽；高氯酸鈉、高氯酸鉀、次氯酸鈉、高碘酸鈉、高碘酸鉀、碘酸鈉、碘酸鉀等含鹵素的含氧酸鹽；以及氯化鐵(in)、硫酸鐵(m)、硝酸鋁等無機(jī)酸金屬鹽等。作為有機(jī)系氧化劑，可以列舉出過乙酸、過甲酸、過苯甲酸等過羧酸類；叔丁基過氧化物、枯烯過氧化物等過氧化物；以及檸檬酸鐵(III)等有機(jī)酸鐵(III)鹽等。它們之中，從提高研磨速度、是否容易獲得以及在水中的溶解度等操作處理性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選無機(jī)系氧化劑。其中，優(yōu)選過氧化氫、過硼酸鈉、碘酸鈉和碘酸鉀。此外，上述氧化劑可以使用一種，也可以二種以上混合使用。從提高研磨速度、減少扎入和減少表面污染的觀點(diǎn)出發(fā)，氧化劑在研磨液組合物中的含量優(yōu)選為0.1重量％以上，更優(yōu)選為0.3重量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.5重量％以上，更進(jìn)一步優(yōu)選為0.8重量％以上。此外，從減少端面下垂和表面品質(zhì)的觀點(diǎn)出發(fā)，上述含量優(yōu)選為10重量％以下，更優(yōu)選為5重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為3重量％以下，更進(jìn)一步優(yōu)選為1.5重量%以下。gP，研磨液組合物中的氧化劑的含量優(yōu)選為0.110重量％，更優(yōu)選為0.35重量％，進(jìn)一步優(yōu)選為0.53重量％，更進(jìn)一步優(yōu)選為0.81.5重量％。沐〗本發(fā)明的研磨液組合物中的水是作為介質(zhì)而使用的，可以使用蒸餾水、離子交換水或超純水等。從研磨液組合物的操作處理性(粘度)的觀點(diǎn)出發(fā)，研磨液組合物中的水的含量優(yōu)選為55重量％以上，更優(yōu)選為75重量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為85重量％以上，更進(jìn)一步優(yōu)選為90重量％以上。此外，從提高研磨速度、減少扎入和減少波紋的觀點(diǎn)出發(fā)，上述含量優(yōu)選為99.8重量％以下，更優(yōu)選為99.3重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為98.8重量％以下。即，研磨液組合物中的水的含量優(yōu)選為5599.8重量％，更優(yōu)選為7599.8重量％，進(jìn)一步優(yōu)選為8599.3重量％，更進(jìn)一步優(yōu)選為9098.8重量％。[研磨液組合物的pH]本發(fā)明的研磨液組合物的pH優(yōu)選根據(jù)被研磨物的種類或要求品質(zhì)等適宜決定。例如，從提高研磨速度和減少波紋的觀點(diǎn)出發(fā)、以及從加工機(jī)械的防腐蝕性和作業(yè)者的安全性的觀點(diǎn)出發(fā)，研磨液組合物的pH優(yōu)選低于7，更優(yōu)選為0.16，進(jìn)一步優(yōu)選為0.55,更進(jìn)一步優(yōu)選為15，再進(jìn)一步優(yōu)選為14，又進(jìn)一步優(yōu)選為13.5。該pH根據(jù)需要可以通過適宜配合所期望量的硝酸、硫酸等無機(jī)酸、羥酸、多元羧酸、氨基聚羧酸、氨基酸等有機(jī)酸、以及它們的金屬鹽或銨鹽、氨、氫氧化鈉、氫氧化鉀、胺等堿性物質(zhì)來調(diào)節(jié)。從減少端面下垂的觀點(diǎn)出發(fā)，本發(fā)明的研磨液組合物優(yōu)選含有共聚物和/或其鹽，該共聚物具有由式(i)表示的結(jié)構(gòu)單元和來自于在2crc的ioog水中的溶解度為2g以下的疏水性單體的結(jié)構(gòu)單元。上述共聚物中，由下述式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元起著親水性結(jié)構(gòu)單元的作用，上述來自于疏水性單體的結(jié)構(gòu)單元起著疏水性結(jié)構(gòu)單元的作用。在上述共聚物中，由下述式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元和上述來自于疏水性單體的結(jié)構(gòu)單元的加成可以是無規(guī)、嵌段或接枝中的任一種，也可以是它們的組合。(CH2)^(C0)r0-(AO)n-R在上述式(I)中，W是氫原子或甲基，其中，為了可以進(jìn)一步提高結(jié)構(gòu)單元和共聚物的穩(wěn)定性，優(yōu)選甲基。W是氫原子或碳原子數(shù)為14的烷基，優(yōu)選碳原子數(shù)為13的垸基，進(jìn)一步優(yōu)選為甲基。另外，在上述式(I)中，AO是含有氧化乙烯基的碳原子數(shù)為28、優(yōu)選為碳原子數(shù)為23的氧化烯基。在(AO)11中氧化乙烯基所占的比例是80摩爾％以上，優(yōu)選為90摩爾％以上，更優(yōu)選為100摩爾％。從抑制端面下垂和抑制研磨液組合15物的起泡性、以及提高共聚物的分散性的觀點(diǎn)出發(fā)，上述式(I)中的AO的總平均加成摩爾數(shù)即n優(yōu)選為9250的數(shù)，更優(yōu)選為23200的數(shù)，進(jìn)一步優(yōu)選為60170的數(shù)，特別優(yōu)選為90150的數(shù)。此外，上述式(I)中的p是0或1。從抑制端面下垂和抑制研磨液組合物的起泡性、以及提高共聚物的分散性的觀點(diǎn)出發(fā)，p優(yōu)選為l。上述疏水性單體在20'C的100g水中的溶解度為2g以下，即表現(xiàn)出水難溶性。從抑制端面下垂和抑制研磨液組合物的起泡的觀點(diǎn)出發(fā)，上述疏水性單休在2(TC的100g水中的溶解度優(yōu)選為01g，更優(yōu)選為00.1g。作為上述疏水性單體，例如可以優(yōu)選地列舉出丙烯酸烷基酯系單體、甲基丙烯酸烷基酯系單體、除聚乙二醇丙烯酸酯系單體之外的聚亞烷基二醇丙烯酸酯系單體、除聚乙二醇甲基丙烯酸酯系單體之外的聚亞烷基二醇甲基丙烯酸酯系單體、苯乙烯系單體、烷基丙烯酰胺系單體、烷基甲基丙烯酰胺系單體等。從減少端面下垂的觀點(diǎn)出發(fā)，上述來自于疏水性單體的結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為選自下述式(II)(IV)所表示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種結(jié)構(gòu)單元，更優(yōu)選為下述式(II)所表示的結(jié)構(gòu)單元。此外，從化合物的穩(wěn)定性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選下述式(IV)所表示的結(jié)構(gòu)單元。r-CH廠G—c—0—(ao)-iin0(HI)r、1r8(IV)Xr1cicho廠HG16上述式(II)中，RS優(yōu)選為氫原子或甲基，從進(jìn)一步提高結(jié)構(gòu)單元和共聚物的穩(wěn)定性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為甲基。X優(yōu)選為氧原子或NH基，從進(jìn)一步抑制端面下垂的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為氧原子。從抑制端面下垂的觀點(diǎn)出發(fā)，R"列如為碳原子數(shù)為130、優(yōu)選碳原子數(shù)為430、更優(yōu)選碳原子數(shù)為422的烷基、或優(yōu)選碳原子數(shù)為630、更優(yōu)選碳原子數(shù)為622的芳基；從進(jìn)一步抑制端面下垂、進(jìn)一步抑制研磨液組合物的起泡的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選碳原子數(shù)為422的垸基，更優(yōu)選碳原子數(shù)為818的烷基。進(jìn)一步優(yōu)選碳原子數(shù)為1218的烷基。此外，W可以是直鏈、支鏈和環(huán)狀中的任一種，也可以是飽和及不飽和中的任一種，還可以含有碳原子和氫原子以外的元素。作為上述元素，可以列舉出氮原子、氧原子和硫原子等。在上述式(III)中，RS優(yōu)選為氫原子或甲基，116優(yōu)選為氫原子或碳原子數(shù)為13的烷基;從進(jìn)一步提高結(jié)構(gòu)單元和共聚物的穩(wěn)定性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選W和116兩者都為甲基。AO優(yōu)選為碳原子數(shù)為24的氧化烯基，更優(yōu)選為碳原子數(shù)為34的氧化烯基，進(jìn)一步優(yōu)選為氧化丙烯基。在(AO)m中氧化丙烯基和氧化丁烯基所占的比例優(yōu)選為80摩爾％以上，更優(yōu)選為90摩爾％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為100摩爾％。從抑制端面下垂和提高共聚物的分散性的觀點(diǎn)出發(fā)，上述式(III)中AO的總平均加成摩爾數(shù)即m優(yōu)選為3150的數(shù)，為了可以進(jìn)一步抑制端面下垂，更優(yōu)選為4以上，進(jìn)一步優(yōu)選為6以上，更進(jìn)一步優(yōu)選為9以上，特別優(yōu)選為13以上；為了可以進(jìn)一步提高研磨液組合物中的共聚物的分散性，優(yōu)選為100以下，更優(yōu)選為75以下，進(jìn)一步優(yōu)選為50以下，特別優(yōu)選為20以下。因此，m優(yōu)選為4100的數(shù)，更優(yōu)選為675的數(shù)，進(jìn)一步優(yōu)選為950的數(shù)，特別優(yōu)選為1320的數(shù)。在上述式(IV)中，R"優(yōu)選為氫原子或甲基，更優(yōu)選為氫原子。RS優(yōu)選為氫原子或碳原子數(shù)為130的垸基，從抑制端面下垂和提高共聚物分散性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為氫原子。作為用于形成上述式(IV)所表示的結(jié)構(gòu)單元的單體的具體例子，可以列舉出苯乙烯(St)、a-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等苯乙烯類，優(yōu)選苯乙烯。從減少端面下垂和提高分散性的觀點(diǎn)出發(fā)，上述共聚物中的由式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元(親水性結(jié)構(gòu)單元)與上述來自于疏水性單體的結(jié)構(gòu)單元(疏水性結(jié)構(gòu)單元)的重量比(親水性結(jié)構(gòu)單元的重量/疏水性結(jié)構(gòu)單元的重量)優(yōu)選為25/7597.5/2.5，更優(yōu)選為40/6092.5/7.5，進(jìn)一步優(yōu)選為65/3585/15。另外，上述共聚物中的各結(jié)構(gòu)單元的重量比可以通過用質(zhì)子核磁共振譜測定含有1重量％共聚物的氘代二甲亞砜溶液來算出。從減少端面下垂和提高分散性的觀點(diǎn)出發(fā)，上述共聚物和/或其鹽的重均分子量優(yōu)選為500050萬，更優(yōu)選為2萬50萬，進(jìn)一步優(yōu)選為2萬45萬、更進(jìn)一步優(yōu)選為6萬45萬，更進(jìn)一步優(yōu)選為6萬40萬，再進(jìn)一步優(yōu)選為9萬40萬。另外，上述重均分子量可以用以下條件的凝膠滲透色譜法(GPC)測定。GPC條件色譜柱a-M-a-M洗提液60mmol/LH3P04、50mmol/LLiBr/DMF流量1.0mL/min柱溫40°C檢測RI標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)聚苯乙烯上述共聚物中，除了用于形成上述式(I)所表示的結(jié)構(gòu)單元的單體和上述疏水性單體之外，還可以含有其它單體。為了可以進(jìn)一步抑制研磨液組合物的起泡，研磨液組合物中的上述共聚物和/或其鹽的含量優(yōu)選為3重量％以下，更優(yōu)選為2重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1重量％以下。此外，為了可以進(jìn)一步抑制端面下垂，上述共聚物的含量優(yōu)選為0.001重量％以上，更優(yōu)選為0.003重量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.005重量％以上。因此，上述共聚物的含量優(yōu)選為0.0013重量％，更優(yōu)選為0.0032重量％，進(jìn)一步優(yōu)選為0.0051重量％。[其它成分]另外，根據(jù)進(jìn)一步提高研磨速度、減少扎入、減少波紋以及其它的目的，本發(fā)明的研磨液組合物中可以配合其它成分。作為其它成分，例如可以列舉出膠體氧化鈦等金屬氧化物磨粒、無機(jī)鹽、增粘劑、防銹劑、堿性物質(zhì)等。上述其它成分可以單獨(dú)使用，也可以2種以上混合使用。從經(jīng)濟(jì)性的觀點(diǎn)出發(fā)，研磨液組合物中的上述其它成分的含量優(yōu)選為0.0520重量％，更優(yōu)選為0.0510重量％，進(jìn)一步優(yōu)選為0.055重量％。另外，本發(fā)明的研磨液組合物中，根據(jù)需要可以配合殺菌劑和抗菌劑等作為其它成分。從發(fā)揮功能的觀點(diǎn)、以及對(duì)研磨性能的影響和經(jīng)濟(jì)性的觀點(diǎn)出發(fā)，研磨液組合物中的這些殺菌劑和抗菌劑等的含量優(yōu)選為0.00010.1重量°/0，更優(yōu)選為0.0010.05重量％，進(jìn)一步優(yōu)選為0.0020.02重量°/。。作為使用本發(fā)明的研磨液組合物進(jìn)行研磨的被研磨基板(研磨對(duì)象)，可以列舉出通常在硬盤基板或磁記錄用介質(zhì)的基板制造中所使用的基板。作為上述被研磨基板的具體例子，在鋁合金上鍍覆了Ni-P合金的基板是代表性的例子，還可以列舉出代替鋁合金使用玻璃或玻璃碳，并在其上實(shí)施了Ni-P鍍覆的基板；或者代替Ni-P鍍覆，通過鍍覆或蒸鍍來覆蓋了各種金屬化合物的基板。研磨后的基板中的鋁扎入得以減少的效果在實(shí)施了Ni-P鍍覆的基板的情況下較顯著，在垂直磁記錄方式用硬盤基板的制造中使用的被研磨基板的情況下更為顯著。因此，本發(fā)明的研磨液組合物可以適合用于在垂直磁記錄方式用硬盤基板的制造中所使用的被研磨基板。此外，本發(fā)明的研磨液組合物可以顯著減少實(shí)施了Ni-P鍍覆的基板(尤其是在鋁合金上鍍覆了M-P合金的基板)的研磨后的鋁扎入，優(yōu)選可以顯著減少鋁的扎入和波紋，更優(yōu)選可以顯著減少鋁的扎入、波紋和端面下垂。因此，本發(fā)明的研磨液組合物可以適合用于記錄密度高的硬盤基板、即優(yōu)選為記錄密度為200Gbit/平方英寸以上的硬盤、更優(yōu)選為記錄密度為300Gbit/平方英寸以上的硬盤、進(jìn)一步優(yōu)選為記錄密度為400Gbit/平方英寸以上的硬盤基板的制造中使用的被研磨基板。作為本發(fā)明的其它形態(tài)，是涉及硬盤基板的制造方法。作為本發(fā)明的硬盤基板的制造方法(以下也稱作本發(fā)明的制造方法)的第1實(shí)施方案，是包含使用本發(fā)明的研磨液組合物對(duì)被研磨基板進(jìn)行研磨的工序(以下有時(shí)稱作"使用了本發(fā)明的研磨液組合物的研磨工序")的硬盤基板的制造方法。在使用了本發(fā)明的研磨液組合物的研磨工序中，例如，用研磨墊夾住被研磨基板，向研磨面供給本發(fā)明的研磨液組合物，一邊施加壓力一邊使研磨墊或被研磨基板運(yùn)動(dòng)等，由此可進(jìn)行被研磨基板的研磨。本發(fā)明的研磨液組合物可以直接使用，但如果是濃縮物，則可以稀釋后使用。稀釋上述濃縮物時(shí)，其稀釋倍率沒有特別限定，可以根據(jù)上述濃縮液中的各成分的濃度(磨粒的含量等)及研磨條件等適宜決定。作為被研磨基板，可以使用上述那些被研磨的基板。從減少扎入、減少波紋和減少端面下垂的觀點(diǎn)出發(fā)，使用了本發(fā)明的研磨液組合物的研磨工序中的研磨載荷優(yōu)選為50kPa以下，更優(yōu)選為25kPa以下，進(jìn)一步優(yōu)選為15kPa以下。此外，從生產(chǎn)率(研磨速度)的觀點(diǎn)出發(fā)，上述研磨載荷優(yōu)選為3kPa以上，更優(yōu)選為5kPa以上，進(jìn)一步優(yōu)選為7kPa以上。因此，上述研磨載荷優(yōu)選為350kPa，更優(yōu)選為525kPa，進(jìn)一步優(yōu)選為715kPa。另外，上述研磨載荷是指研磨時(shí)施加在被研磨基板的研磨面上的研磨盤的壓力。上述研磨載荷的調(diào)整可以利用對(duì)研磨盤或基板等的空氣壓力或所施加重物的載荷來進(jìn)行。這里，以往在硬盤基板制造中使用氧化鋁粒子的粗研磨工序中，當(dāng)被研磨基板是實(shí)施了Ni-P鍍覆的基板(尤其是在鋁合金上鍍覆了Ni-P合金的基板)時(shí)，研磨載荷增加，則得到高的研磨速度，但研磨后的基板表面的波紋變大，因此實(shí)用的研磨載荷設(shè)定為例如4.99.8kPa左右。但是，根據(jù)本發(fā)明的研磨液組合物，即便是比以往更高的研磨載荷，也可以在抑制基板表面的波紋惡化的同時(shí)提高研磨速度?？梢砸种聘哐心ポd荷引起的研磨后的基板表面的波紋惡化的機(jī)理還不清楚，但據(jù)推測，本發(fā)明的研磨液組合物中配合的二氧化硅粒子通過形成平滑的研磨面而抑制波紋。但是，這些推測并不限定本發(fā)明。因此，作為本發(fā)明的制造方法的第2實(shí)施方案，是在第1實(shí)施方案的"使用了本發(fā)明的研磨液組合物的研磨工序"中的研磨載荷為10.316.7kPa的硬盤基板的制造方法。如果是上述范圍的研磨載荷，則可以將研磨后的基板表面波紋維持在與以往的采用更低研磨載荷進(jìn)行的研磨同等的程度，同時(shí)提高研磨速度。因此，根據(jù)第2實(shí)施方案的本發(fā)明的制造方法，可以優(yōu)選地提供提高了生產(chǎn)率、同時(shí)適于高記錄密度化的硬盤基板。從抑制基板表面的波紋惡化、同時(shí)提高研磨速度的觀點(diǎn)出發(fā)，第2實(shí)施方案的研磨工序中的研磨載荷為10.316.7kPa，優(yōu)選為10.516.0kPa，更優(yōu)選為11.015.0kPa，進(jìn)一步優(yōu)選為11.515.0kPa。作為第2實(shí)施方案的本發(fā)明的制造方法中的被研磨基板，優(yōu)選為實(shí)施了Ni-P鍍覆的基板，更優(yōu)選為在鋁合金上鍍覆了Ni-P合金的基板。從降低成本的方面出發(fā)，使用了本發(fā)明的研磨液組合物的研磨工序中的本發(fā)明的研磨液組合物的供給速度優(yōu)選為相對(duì)于每lcm2被研磨基板為0.25mL/分鐘以下，更優(yōu)選為0.2mL/分鐘以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.16mL/分鐘以下。此外，從進(jìn)一步提高研磨速度的觀點(diǎn)出發(fā)，上述供給速度優(yōu)選為相對(duì)于每lcn^被研磨基板為O.OlmL/分鐘以上，更優(yōu)選為0.025mL/分鐘以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.05mL/分鐘以上。因此，上述供給速度優(yōu)選為相對(duì)于每lcm2被研磨基板為0.010.25mL/分鐘，更優(yōu)選為0.0250.2mL/分鐘，進(jìn)一步優(yōu)選為0.050.16mL/分鐘。使用了本發(fā)明的研磨液組合物的研磨工序中的其它研磨條件(研磨機(jī)的種類、研磨溫度等)沒有特別限定。作為本發(fā)明中使用的研磨墊，沒有特別限定，可以使用例如無紡布狀或多孔的有機(jī)高分子構(gòu)成的研磨墊。研磨墊的形狀、大小等沒有特別限定。此外，作為研磨墊的材料，沒有特別限定，例如可以列舉出聚氨酯等有機(jī)高分子；使有機(jī)高分子中含有碳、鈰土等各種添加劑而得到的材料等。本發(fā)明的制造方法優(yōu)選是具有2個(gè)階段以上的研磨工序的多段研磨方式，優(yōu)選在作為最終工序的精研磨工序之前的工序、即粗研磨工序中，進(jìn)行上述的"使用了本發(fā)明的研磨液組合物的研磨工序"。因此，作為本發(fā)明的制造方法的第3實(shí)施方案，是至少含有粗研磨工序和該粗研磨工序后的精研磨工序的硬盤基板的制造方法，并且是在粗研磨工序中進(jìn)行"使用了本發(fā)明的研磨液組合物的研磨工序"的硬盤基板的制造方法。粗研磨工序中的使用了本發(fā)明的研磨液組合物的研磨工序也可以采用上述的第1實(shí)施方案和第2實(shí)施方案中的任一方案的研磨工序。從硬盤基板的表面品質(zhì)的觀點(diǎn)出發(fā)，例如從減少波紋、減少表面粗糙度、減少劃痕等表面缺陷的觀點(diǎn)出發(fā)，在精研磨工序中使用的研磨液組合物中，磨粒的一次粒子的平均粒徑(例如體積中值粒徑)優(yōu)選為0.1pm以下，更優(yōu)選為0.08pm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.05pm以下，更進(jìn)一步優(yōu)選為0.03pm以下。此外，從提高研磨速度的觀點(diǎn)出發(fā)，該平均粒徑優(yōu)選為0.005nm以上，更優(yōu)選為O.Olpm以上。作為精研磨工序中使用的研磨液組合物中的研磨粒子，可以列舉出熱解法二氧化硅磨粒、膠體二氧化硅磨粒等，從減少表面粗糙度和減少劃痕等表面缺陷的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選膠體二氧化硅磨粒。膠體二氧化硅磨粒的一次粒子的平均粒徑(例如體積中值粒徑)優(yōu)選為0.0050.08)Lim，更優(yōu)選為0.0050.05jim，進(jìn)一步優(yōu)選為0.010.03pm。在精研磨工序中，使用一次粒子的平均粒徑為0.0050.1pm的研磨粒子時(shí)，從減少表面粗糙度、減少氧化鋁粒子的扎入的觀點(diǎn)以及從生產(chǎn)率(研磨時(shí)間)的觀點(diǎn)出發(fā)，研磨量優(yōu)選為0.050.5pm，更優(yōu)選為0.10.4)im，進(jìn)一步優(yōu)選為0.20.4pm。對(duì)于進(jìn)行精研磨時(shí)的其它條件(研磨機(jī)的種類、研磨溫度、研磨速度、研磨液的供給量等)沒有特別限定。研磨載荷優(yōu)選為350kPa，更優(yōu)選為525kPa，進(jìn)一步優(yōu)選為715kPa。另外，研磨量可以如后述實(shí)施例那樣求得。根據(jù)使用了本發(fā)明的研磨液組合物的研磨工序中的研磨，優(yōu)選的是，在不降低研磨速度的情況下減少研磨后的基板中的磨粒扎入和波紋。因此，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，可以優(yōu)選地提供適于高記錄密度化的硬盤基板。此外，本發(fā)明的制造方法中的"使用了本發(fā)明的研磨液組合物的研磨工序"作為拋光工序特別有效，但也同樣可以適用于這以外的工序例如摩擦工序等中。使用本發(fā)明的制造方法得到的硬盤基板優(yōu)選使氧化鋁的扎入得以顯著減少，從而表面品質(zhì)得到了提高，所以是適合于例如高記錄密度化的硬盤基板，尤其適合于垂直磁記錄方式用硬盤基板和/或優(yōu)選為記錄密度為200Gbit/平方英寸以上、更優(yōu)選為記錄密度為300Gbit/平方英寸以上、迸一步優(yōu)選為記錄密度為400Gbit/平方英寸以上的硬盤基板的制造。因此，作為本發(fā)明的制造方法的其它形態(tài)，是垂直磁記錄方式用硬盤基板和/或優(yōu)選為記錄密度為200Gbit/平方英寸以上、更優(yōu)選為記錄密度為300Gbit/平方英寸以上、進(jìn)一步優(yōu)選為記錄密度為400Gbit/平方英寸以上的硬盤基板的制造方法。本發(fā)明的制造方法可以進(jìn)一步含有準(zhǔn)備被研磨基板的工序和/或?qū)ρ心ズ蟮幕暹M(jìn)行磁盤化而形成硬盤基板的工序。即，作為又一個(gè)實(shí)施方案，還可以是依次包含以下工序的硬盤基板的制造方法準(zhǔn)備被研磨基板的工序；上述第13實(shí)施方案中任一方案的研磨工序；以及對(duì)研磨后的基板進(jìn)行磁盤化而形成硬盤基板的工序。作為本發(fā)明的其它形態(tài)，是涉及一種被研磨基板的研磨方法，其包含使用本發(fā)明的研磨液組合物對(duì)被研磨基板進(jìn)行研磨的工序。在該形態(tài)中，使用本發(fā)明的研磨液組合物對(duì)被研磨基板進(jìn)行研磨的工序優(yōu)選設(shè)定為本發(fā)明的制造方法的第1和第2實(shí)施方案的"使用了本發(fā)明的研磨液組合物的研磨工序"。被研磨基板的種類、研磨的方法和條件可以按照如上所述設(shè)定。通過使用本發(fā)明的研磨方法，可以得到氧化鋁向基板中的扎入得以顯著減少的基板。作為本發(fā)明的研磨方法中的上述被研磨基板，如上所述，可以列舉出硬盤基板或磁記錄用介質(zhì)的基板的制造中所使用的基板。其中，優(yōu)選垂直磁記錄方式用硬盤基板和/或優(yōu)選為記錄密度為200Gbit/平方英寸以上、更優(yōu)選為記錄密度為300Gbit/平方英寸以上、進(jìn)一步優(yōu)選為記錄密度為400Gbit/平方英寸以上的硬盤基板的制造中所使用的基板。作為本發(fā)明的研磨方法的優(yōu)選實(shí)施方案，可以列舉出下述的被研磨基板的研磨方法，其包含使用本發(fā)明的研磨液組合物對(duì)被研磨基板進(jìn)行研磨的工序，其中，上述被研磨基板是垂直磁記錄方式用硬盤基板的制造中所使用的基板，上述研磨時(shí)的研磨載荷是10.316.7kPa，上述研磨工序是粗研磨工序。該優(yōu)選的實(shí)施方案對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的制造方法的第2實(shí)施方案，有關(guān)優(yōu)選的研磨載荷以及被研磨基板可以參考本發(fā)明的制造方法的第2實(shí)施方案。如果采用該實(shí)施方案的本發(fā)明的研磨方法，則可以將研磨后的基板表面波紋維持在與以往的采用更低研磨載荷進(jìn)行的研磨同等的程度，同時(shí)提高研磨速度，可以提高適于高記錄密度化的硬盤基板的生產(chǎn)率。實(shí)施例以下通過實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的實(shí)施方案。下述實(shí)施例的目的僅僅是說明本發(fā)明，而不能解釋為限制本發(fā)明。1、研磨液組合物的制備使用a-氧化鋁(二次粒子的體積中值粒徑0.3pm或0.6pm)、0-氧化鋁(二次粒子的體積中值粒徑0.16pm)、膠體二氧化硅、馬來酸、檸檬酸、硫酸(98%產(chǎn)品)、過氧化氫(35重量％產(chǎn)品、旭電化公司制)和水，按照表1所示的組成制備實(shí)施例133和比較例114的研磨液組合物。此外，在實(shí)施例2126的研磨液組合物中添加了以下述表4中所示的單體為原料來合成的共聚物。下述表4中的溶解度是在20°C的lOOg水中的溶解度(g)。氧化鋁粒子的粒徑的測定以及a-氧化鋁含量的測定如下進(jìn)行。用以下的測定條件測定二次粒子的粒徑(D,0、D5o禾BD90)。另夕卜，D10、D5o和D9o是指從小粒徑一側(cè)開始累積的累積粒徑分布(體積基準(zhǔn))分別達(dá)到10%、50%和卯％時(shí)的粒徑，其中，以D5o作為體積中值粒徑。測定儀器堀場制作所制造激光衍射/散射式粒度分布測定裝置LA920循環(huán)強(qiáng)度4超聲波強(qiáng)度4將20g研磨液組合物在105"C下干燥5小時(shí)成為粉末。然后，對(duì)得到的粉末用X射線衍射裝置(理學(xué)電機(jī)制造、型號(hào)RINT2500VPC)在管電壓為40kW、管電流為120mA的條件下測定104面的峰面積，從同樣測定的昭和電工公司制造的氧化鋁粒子WA-1000的峰面積按照下式計(jì)算而求出。a-氧化鋁含量(重量％)氣試驗(yàn)試樣峰面積)+(WA-1000的峰面積)X100另外，二氧化硅粒子是使用下述表2所示的二氧化硅粒子AR，并如下述表3所示那樣選擇1種或多種來使用。二氧化硅粒子的粒徑分布、體積中值粒徑以及粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差的測定按照如下方法來進(jìn)行。首先，使用24漿料狀的二氧化硅粒子作為試樣，通過日本電子公司制透射型電子顯微鏡(TEM)(商品名"JEM-2000FX"、80kV、15萬倍)觀察上述試樣，拍攝TEM圖像的照片。通過掃描器將該照片以圖像數(shù)據(jù)的形式錄入到計(jì)算機(jī)中，用分析軟件"WinROOF"(銷售商三谷商事)求出各個(gè)二氧化硅粒子的當(dāng)量圓直徑，以該當(dāng)量圓直徑作為直徑，分析1000個(gè)以上的二氧化硅粒子數(shù)據(jù)后，以這些數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)用表格計(jì)算軟件"EXCEL"(微軟公司制)得到二氧化硅粒子的以個(gè)數(shù)為基準(zhǔn)的平均粒徑及標(biāo)準(zhǔn)偏差。此外，使用表格計(jì)算軟件"EXCEL"，根據(jù)由粒子直徑換算成粒子體積而得到的二氧化硅粒子的粒徑分布數(shù)據(jù)，將全部粒子中的某個(gè)粒徑的粒子的比例(體積基準(zhǔn)%)作為從小粒徑一側(cè)開始累積的累積頻率來表示，得到累積體積頻率(％)。根據(jù)所得到的二氧化硅粒子的粒徑和累積體積頻率數(shù)據(jù)，用累積體積頻率對(duì)粒徑作圖，得到粒徑對(duì)累積體積頻率的曲線，將從小粒徑一側(cè)開始累積的累積體積頻率達(dá)到50%時(shí)的粒徑作為體積中值粒徑(平均粒徑)。進(jìn)而，從上述粒徑分布數(shù)據(jù)(體積基準(zhǔn)％)求出整個(gè)二氧化硅粒子中的粒徑為20nm120nm、20歸40nm、60nm80nm以及100nm120nm的范圍的二氧化硅粒子的體積比例(％)。[共聚物的合成]以實(shí)施例24中使用的共聚物(SMA/PEGMA(20:80)為例對(duì)實(shí)施例2126中使用的共聚物的合成進(jìn)行說明。另外，其它共聚物除了使用下述表4所示的單體作為原料以外，按照與實(shí)施例24的共聚物同樣的方法合成。實(shí)施例24的共聚物是使用甲氧基聚乙二醇(23摩爾)甲基丙烯酸酯(PEGMA(E023))作為用于形成上述式(I)所表示的結(jié)構(gòu)單元的單體，使用甲基丙烯酸十八酯(SMA)作為用于形成上述式(II)所表示的結(jié)構(gòu)單元的單體來合成。具體而言，將(PEGMA(E023))80g、SMA20g、作為聚合溶劑的甲乙酮100g和聚合引發(fā)劑(商品名V-65、和光純藥株式會(huì)社制造)l.Og加入到配置有攪拌器、回流冷凝器、溫度計(jì)和氮?dú)鈱?dǎo)入管的反應(yīng)器中，在65t下進(jìn)行6小時(shí)聚合反應(yīng)后，使其干燥而得到共聚物。所得到的共聚物的重均分子量是12.5萬。此外，共聚物中的(PEGMA(E023))的比例是80重量％，SMA的比例是20重量y。。另外，共聚物的重均分子量以及共聚物中的各結(jié)構(gòu)單元的比例按照如下所述的方法進(jìn)行測定。25[重均分子量的測定方法]將共聚物溶解于氯仿中，使用GPC(凝膠滲透色譜法、展開溶劑-60mmol/L、H3P04、50mmol/LLiBr/DMF)，利用標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯換算來測定重均分子量。將共聚物溶解于氘代二甲亞砜中(共聚物的濃度1重量％)，使用質(zhì)子核磁共振譜來測定。表1_<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>表3<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>表4<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>※PEGMA:甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯(E023mol加成)※St:苯乙烯※SMA:甲基丙烯酸+八酯※PMMA:聚甲基丙降酸甲酯※St:甲基丙烯酸月桂酯2、基板的研磨使用所制備的實(shí)施例133和比較例114的研磨液組合物，在下述的研磨條件下研磨上述基板。[被研磨基板]被研磨基板是鍍覆了Ni-P的鋁合金基板。另外，該被研磨基板的厚度為1.27mm、直徑為95mm，使用"Zygo公司制造的NewView5032"來測定的波紋(波長0.55mm)的振幅是1.6nm。研磨試驗(yàn)機(jī)雙面研磨機(jī)(9B型雙面研磨機(jī)、SPEEDFAM株式會(huì)社制造)研磨墊厚度為1.04mm，平均開孔直徑為43pm(FILWEL制造)研磨盤轉(zhuǎn)速45rpm研磨載荷9.8kPa(設(shè)定值)研磨液供給量100mL/min(0.076mL/(cm2min))研磨量(單面)130mg研磨的基板的塊數(shù)10塊3、評(píng)價(jià)方法[研磨速度的評(píng)價(jià)]使用實(shí)施例133和比較例114中得到的研磨液組合物時(shí)的研磨速29度用以下方法評(píng)價(jià)。首先，使用秤(Sartorius公司制造的"BP-210S")對(duì)研磨前后的各基板的重量進(jìn)行測定，求出各基板的重量變化，以10塊基板的平均值來求得重量減少量，將用該重量減少量除以研磨時(shí)間得到的值作為重量減少速度。將該重量減少速度導(dǎo)入下式中，換算成研磨速度(Hm/min)。其結(jié)果示于下述表58中。研磨速度(pm/min)=重量減少速度(g/min)/基板單面面積(mm2)/Ni-P鍍覆密度(g/cm3)X106(以基板單面面積為6597mm2、Ni-P鍍覆密度為7.9g/cm3來計(jì)算。)從研磨后的10塊基板中任意選出2塊，對(duì)選出的各基板的兩面的每隔180°的2點(diǎn)(共8點(diǎn))在下述條件下進(jìn)行測定。將該8點(diǎn)測定值的平均值計(jì)算為基板的波紋。其結(jié)果示于下述表58中。設(shè)備ZygoNewView5032透鏡2.5倍Michelson變焦比0.5移動(dòng)(Remove):Cylinder過濾器FFTFixedBandPass(0.55mm)區(qū)域4.33mmX5,77mm將研磨后的基板使用以下的精研磨用研磨液組合物進(jìn)行研磨使得研磨量為0.035pm士0.005^im，觀察研磨后的基板表面，由此評(píng)價(jià)氧化鋁粒子的扎入。其結(jié)果示于下述表58中。精研磨用研磨液組合物的組成、研磨條件、研磨量的測定方法、扎入的觀察方法及評(píng)價(jià)基準(zhǔn)如下所示。<精研磨用研磨液組合物>使用含有以下成分的研磨液組合物以二氧化硅粒子濃度計(jì)為7重量%的膠體二氧化硅漿料(杜邦公司制造、一次粒子的平均粒徑為0.02pm)、以有效成分計(jì)為2重量％的HEDP(l-羥基乙叉基-l，l-二膦酸、SolutiaJapan公司制造)、以有效成分計(jì)為0.6重量％的過氧化氫(旭電化公司制造)以及作為剩余部分的離子交換水。<研磨條件>30研磨試驗(yàn)機(jī)SPEEDFAM株式會(huì)社制造、雙面9B型研磨機(jī)研磨墊FUJIBO株式會(huì)社制造、聚氨酯制精研磨用墊研磨盤轉(zhuǎn)速32.5r/min研磨液組合物供給量100mL/min研磨時(shí)間0.51.5min(研磨量(單面)i周整為0.035pm士0.005nm)研磨載荷4.1kPa研磨的基板的塊數(shù)10塊<研磨量的測定方法>使用秤(Sartorius公司制造的"BP-210S")對(duì)研磨前后的各基板的重量進(jìn)行測定，導(dǎo)入到下式中，從而求出研磨量。重量減少量(g)={研磨前的重量(g)—研磨后的重量(g)}研磨量(nm)=重量減少量(g)/基板單面面積(mm2)/2/Ni-P鍍覆密度(g/cm3)X106(以基板單面面積為6597mm2、Ni-P鍍覆密度為8.4g/cm3來計(jì)算。)<扎入的觀察方法>使用奧林巴斯光學(xué)公司制顯微鏡(主體BX60M、數(shù)碼相機(jī)DP70、物鏡100倍、中間透鏡2.5倍)，通過暗視場觀察(視場100X75pm)來將扎入的氧化鋁粒子作為亮點(diǎn)檢出，測定其數(shù)量。上述觀察是從研磨后的10塊基板中任意選出2塊，就基板兩面對(duì)與中心距離30mm的位置的每隔90°的各4點(diǎn)共計(jì)16點(diǎn)進(jìn)行了觀察。然后，將觀察的亮點(diǎn)數(shù)的平均值作為磨粒的扎入數(shù)。表58中的扎入值表示將比較例14的扎入數(shù)的平均值作為100時(shí)的相對(duì)值。'對(duì)于使用利用了上述表4的共聚物的實(shí)施例2126的研磨液組合物研磨后的基板，在下述條件下測定1.0-3.0峰值端面下垂。得到的結(jié)果示于表8中。使用實(shí)施例18的研磨液組合物作為比較的基準(zhǔn)。下述表8中是以"參考例18"來表示其結(jié)果。另外，上述測定是從研磨的10塊基板中選出1塊，在該1塊基板上的3點(diǎn)(任意)進(jìn)行，將該3點(diǎn)的平均值作為測定結(jié)果。1.0-3.0峰值端面下垂的值越小，表示基板的端部越隆起，可以說抑制了端面下垂。<1.0-3.0峰值端面下垂>如圖1所示，將距離基板最端部為l.Omm和3.0mm的基板表面分別設(shè)定為A點(diǎn)和B點(diǎn)，將連接該A點(diǎn)和B點(diǎn)的直線設(shè)為基準(zhǔn)線。從該基準(zhǔn)線以直角測定垂直到達(dá)基板表面的距離，將最長的距離作為1.0-3.0峰值端面下垂(nm)。<測定條件>測定儀器商品名NewView5032(Zygo公司制造)透鏡2.5倍變焦0.5倍分析軟件商品名ZygoMetroPro(Zygo公司制造)表5<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>表6<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>如上述表58所示可知，在使用實(shí)施例133的研磨液組合物時(shí)，與比較例114的研磨液組合物相比，磨粒向基板中的扎入顯著減少。此外，如上述表8所示可知，添加了規(guī)定的共聚物的實(shí)施例2126的研磨液組合物能夠在不會(huì)使扎入、研磨速度和波紋惡化的情況下減少端面下垂。下面，對(duì)于研磨液組合物和研磨載荷對(duì)研磨速度及研磨后的基板的波紋所產(chǎn)生的影響，按照如下所述進(jìn)行評(píng)價(jià)實(shí)驗(yàn)。4、研磨液組合物的制備如下述表9所示那樣配合氧化鋁粒子、膠體二氧化硅、馬來酸、檸檬酸、硫酸(98%產(chǎn)品)和水，制備實(shí)驗(yàn)例114的研磨液組合物。a-氧化鋁粒子的一次粒子和二次粒子的體積中值粒徑分別為0.10和0.30pm，e-氧化鋁粒子的一次粒子和二次粒子的體積中值粒徑分別為0.03和0.16pm。此外，以個(gè)數(shù)為基準(zhǔn)的粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為12.6nm和10.5nm的膠體二氧化硅的一次粒子的體積中值粒徑都為0.05pm。另外，氧化鋁粒子的二次粒徑的測定以及二氧化硅粒子的粒徑分布、體積中值粒徑及粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差的測定按照與上述1中記載的方法同樣地進(jìn)行。5、基板的研磨使用所制備的實(shí)驗(yàn)例114的研磨液組合物對(duì)被研磨基板進(jìn)行研磨。被研磨基板使用上述2中記載的基板。研磨條件除了將研磨載荷設(shè)定為下述表9所示的值之外，其它按照上述2中記載的條件進(jìn)行。6、評(píng)價(jià)方法對(duì)使用了實(shí)驗(yàn)例114的研磨液組合物的研磨的研磨速度和研磨后的基板表面的波紋進(jìn)行評(píng)價(jià)。另外，結(jié)果是作為以使用了實(shí)驗(yàn)例IO的研磨液組合物時(shí)的值為1時(shí)的相對(duì)值示于下述表9中。研磨速度的評(píng)價(jià)和波紋的評(píng)價(jià)是按照與上述3中記載的方法同樣地進(jìn)行。表9<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>如上述表9所示可知，如果采用實(shí)驗(yàn)例19的研磨液組合物和研磨載荷，就可以兼顧基板表面的低波紋和高研磨速度。通過使用本發(fā)明，可以提供例如適于高記錄密度化的硬盤基板。本發(fā)明也可以不脫離其精神或本質(zhì)特征的其它方案來實(shí)施。應(yīng)該認(rèn)為，本申請公開的實(shí)施方案在所有方面都是用于說明本發(fā)明，而并非用于限制本發(fā)明。本發(fā)明的范圍是由所附的權(quán)利要求書來表示，而不是由上述的詳細(xì)描述來表示，而且在與權(quán)利要求均等的手段及范圍內(nèi)的變更都意欲包含在權(quán)利要求書中。權(quán)利要求1、一種硬盤基板用研磨液組合物，其含有氧化鋁粒子、二氧化硅粒子和水，其中，所述氧化鋁粒子的二次粒子的用激光衍射法測定的體積中值粒徑為0.1～0.8μm，所述二氧化硅粒子的一次粒子的用透射型電子顯微鏡觀察測定的體積中值粒徑為40～150nm，所述二氧化硅粒子的一次粒子的用透射型電子顯微鏡觀察測定的粒徑的以個(gè)數(shù)為基準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)偏差為11～35nm。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤基板用研磨液組合物，其含有氧化鋁粒子和(x-氧化鋁。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤基板用研磨液組合物，其中，二氧化硅粒子是膠體二氧化硅。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤基板用研磨液組合物，其中，所述二氧化硅粒子含有相對(duì)于二氧化硅粒子總量為40體積％以上的粒徑為20120nm的二氧化硅粒子；相對(duì)于二氧化硅粒子總量為140體積％的粒徑為2040nm的二氧化硅粒子；相對(duì)于二氧化硅粒子總量為5卯體積％的粒徑為6080nm的二氧化硅粒子；以及相對(duì)于二氧化硅粒子總量為040體積％的粒徑為100120nm的二氧化硅粒子。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤基板用研磨液組合物，其中，所述氧化鋁粒子與所述二氧化硅粒子的重量比即氧化鋁粒子重量/二氧化硅粒子重量為60/4010/90的范圍。6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤基板用研磨液組合物，其是將具有不同粒徑分布的2種以上二氧化硅粒子混合而得到的。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤基板用研磨液組合物，其中，氧化鋁粒子還含有中間氧化鋁。8、根據(jù)權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的硬盤基板用研磨液組合物，其還含有共聚物和/或其鹽，所述共聚物具有由下述式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元和來自于在2(TC的100g水中的溶解度為2g以下的疏水性單體的結(jié)構(gòu)單元，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>在所述式(I)中，R"是氫原子或甲基；W是氫原子或碳原子數(shù)為14的垸基；AO是碳原子數(shù)為28的氧化烯基；p是0或1;n是AO的總平均加成摩爾數(shù)，是9250的數(shù)；在(AO)n中氧化乙烯基所占的比例是80摩爾％以上。9、一種硬盤基板的制造方法，其含有使用權(quán)利要求18中任一項(xiàng)所述的研磨液組合物對(duì)被研磨基板進(jìn)行研磨的工序，所述研磨時(shí)的研磨載荷是10.316.7kPa。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的硬盤基板的制造方法，其中，硬盤基板是垂直磁記錄方式用硬盤基板。11、一種被研磨基板的研磨方法，其包含使用權(quán)利要求18中任一項(xiàng)所述的研磨液組合物對(duì)被研磨基板進(jìn)行研磨的工序，其中，所述被研磨基板是垂直磁記錄方式用硬盤基板的制造中所使用的基板，所述研磨時(shí)的研磨載荷是10.316.7kPa，所述研磨工序是粗研磨工序。全文摘要一種硬盤基板用研磨液組合物，其含有氧化鋁粒子、二氧化硅粒子和水，其中，所述氧化鋁粒子的二次粒子的用激光衍射法測定的體積中值粒徑為0.1～0.8μm，所述二氧化硅粒子的一次粒子的用透射型電子顯微鏡觀察測定的體積中值粒徑為40～150nm，所述二氧化硅粒子的一次粒子的用透射型電子顯微鏡觀察測定的粒徑的以個(gè)數(shù)為基準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)偏差為11～35nm。所述硬盤基板用研磨液組合物優(yōu)選可以在不損害生產(chǎn)率的情況下減少氧化鋁磨粒向基板中的扎入。文檔編號(hào)C09G1/02GK101423746SQ20081017381公開日2009年5月6日申請日期2008年10月29日優(yōu)先權(quán)日2007年10月29日發(fā)明者末永憲一,鈴木真彥,鈴木誠申請人:花王株式會(huì)社