專利名稱：：用于偏振膜的抗靜電涂布組合物以及使用所述組合物的抗靜電偏振膜的制作方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及用于偏振膜以使得用于液晶顯示器的所述偏振膜具有抗靜電性能的抗靜電組合物，并涉及使用所述組合物制造的抗靜電偏振膜。
背景技術(shù)：
：通常，以將液晶組分注入到分別具有薄膜晶體管(TFT)和濾色片的兩片玻璃或透明聚合物膜基板之間的形式制造液晶顯示面板。這樣，偏振膜粘附在所述兩片基板的外表面。通過將纖維素類透明聚合物膜粘附在由聚乙烯醇(PVA)膜和諸如碘的二色性材料構(gòu)成的偏振片的兩個表面上而形成的偏振膜僅允許由光源提供的光在一個方向上振動從而入射到所述液晶面板上。所述偏振膜以粘附在所述TFT或濾色片基板上的狀態(tài)使用。至此，將丙烯酸粘合劑或甲基丙烯酸粘合劑涂覆在粘附至所述基板的偏振膜的一個表面上。然后，將離型膜附著在所述粘合劑層的上表面上。在用于將所述偏振膜附著在所述基板上的模塊工序中，移除所述離型膜然后在預定壓力下將所述偏振膜的粘合表面粘合至所述基板上。這樣，由于傳統(tǒng)偏振膜未經(jīng)過抗靜電處理，在移除所述離型膜時可產(chǎn)生約20kV以上的高帶電電壓的靜電，因此導致各種靜電問題。例如，所述離型膜移除后在所述偏振膜的粘合表面上產(chǎn)生的靜電導致靜電引力，從而吸附四周的雜質(zhì)并不利地使雜質(zhì)附著在所述偏振膜上。此外，當從所述偏振膜上以電學方式釋放靜電時，所述TFT的金屬圖案可能遭到破壞。而且，當處于靜電狀態(tài)的偏振膜粘合于所述基板時，填充在所述基板之間的液晶的取向狀態(tài)由于靜電而扭曲，由此不能進行隨后的工序而必須延遲相當?shù)囊欢螘r間。此外，在所述液晶不能恢復其原始狀態(tài)的情況下，它們經(jīng)過諸如熱處理等額外工序，然后進行隨后的工序。在嚴重情況下，即使進行所述額外工序，所述液晶的取向狀態(tài)也沒有恢復，因此再無可能使用。為了緩解這些靜電問題，已提出了傳統(tǒng)方法，其中將多個電離器安裝在用于將所述偏振膜附著在所述基板上的加工設備的四周以藉此用帶有相反極性的離子中和在所述偏振膜上產(chǎn)生的靜電。然而，由于所述方法用于人為地中和在所述偏振膜上產(chǎn)生的相當大量的靜電，實質(zhì)上不可能用其抑制靜電本身的產(chǎn)生。因此，為解決所述問題，最優(yōu)選的是所述偏振膜直接經(jīng)過抗靜電處理使得靜電在所述偏振膜上的產(chǎn)生減至最小。用于對所述偏振膜的表面進行抗靜電處理的傳統(tǒng)技術(shù)包括使用離子型或非離子型表面活性劑作為抗靜電劑或者使用導電聚合物作為抗靜電劑的方法。使用表面活性劑作為抗靜電劑的方法是臨時技術(shù)，這是因為在采用所述表面活性劑的涂布工序后抗靜電性能短暫保持，但在數(shù)月的時間后將消失。使用表面活性劑得到的抗靜電特性是通過將表面活性劑與周圍水分子結(jié)合而表現(xiàn)出來的，因此其高度依賴于濕度。在離子型表面活性劑的情況下，有非常大的可能導致離子雜質(zhì)，因此其實際應用受到限制。為了解決這些問題，公開了一種將導電聚合物涂覆在偏振膜表面上的方法(韓國專利申請第10-2005-0118303號)。在所述導電聚合物中，從德國的H.C.Starck處得到的聚(3,4-乙撐二氧噻吩)(PEDOT)易于處理，具有高透明度，并且導電性隨時間幾乎不發(fā)生變化，因此非常適于用作偏振膜用抗靜電劑。即，當含有聚(3,4-乙撐二氧噻吩)作為有效組分的抗靜電層形成在所述偏振膜和所述偏振膜的粘合劑之間時，在移除用于將所述偏振膜附著在所述基板上的離型膜時產(chǎn)生的靜電能夠得到有效地控制，從而解決了上述靜電問題。在其中在所述偏振膜表面上形成有含有聚(3,4-乙撐二氧噻吩)作為有效組分的抗靜電層的情況下，所述偏振膜可被賦予抗靜電性能，但可招致以下加工問題。在將所述偏振膜附著到所述基板上的模塊工序中，在移除所述離型膜之后，所述偏振膜的粘合表面在預定壓力下粘合于所述基板。這樣，當所述偏振膜不正確地附著于所述基板時，應當在檢査工序中將其與所述基板分開。將沒有正確附著的偏振膜與所述基板分開并再加工的工序被稱之為"再加工工序"。這樣，在所述偏振膜與所述基板的分離中，只有在所述偏振膜的粘合劑完全從所述基板上移除時，才有可能通過所述再加工工序再次使用所述玻璃基板。在所述抗靜電層形成在所述偏振膜和所述偏振膜的粘合劑之間的情況下，可出現(xiàn)這樣的問題，即在所述再加工工序中所述偏振膜的粘合劑不能完全移除而殘留在所述基板上。這是因為由于在所述偏振膜和所述粘合劑之間形成的抗靜電層降低了所述偏振膜和所述粘合劑之間的粘合強度。為緩解所述問題，應當改進能防止所述偏振膜和所述粘合劑之間粘合強度降低的用于抗靜電層的組合物。即，在所述偏振膜表面上形成含有聚(3,4-乙撐二氧噻吩)或其改性導電聚合物作為有效組分的抗靜電層，并在所述抗靜電層上形成粘合劑層，由此制造抗靜電偏振膜。為此，需要開發(fā)含有導電聚合物的新型抗靜電涂布組合物以提高所述偏振膜和所述粘合劑層之間的粘合強度從而在所述再加工工序中將所述粘合劑從所述基板上完全移除，以及使用所述新型抗靜電涂布組合物制造的抗靜電偏振膜。
發(fā)明內(nèi)容技術(shù)問題因此，牢記在現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的上述問題從而作出了本發(fā)明，而本發(fā)明的目的是提供用于偏振膜的抗靜電涂布組合物，其能夠從基板上完全移除粘合劑層，即，通過將具有導電聚合物作為有效組分的抗靜電層形成在所述偏振膜上然后在所述抗靜電層上形成所述粘合劑層來制造偏振膜，當將所述偏振膜附著至所述基板的表面上然后將其分離時，所述偏振膜和所述粘合劑層之間的粘合強度得以最大化，本發(fā)明還提供了使用該組合物制造的抗靜電偏振膜產(chǎn)品。技術(shù)方案為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了用于偏振膜的抗靜電涂布組合物，其包括混合在一起的導電聚合物和有機酸化合物，將所述組合物涂覆在所述偏振膜和所述粘合劑層之間從而制造抗靜電偏振膜。艮P，本發(fā)明的用于偏振膜的抗靜電涂布組合物包含導電聚合物作為有效組分，還包含有機酸化合物，并由此涂覆在所述偏振膜和所述粘合劑層之間。此外，本發(fā)明提供了抗靜電偏振膜，其包括基膜、采用上述組合物在所述基膜的一個表面上形成的抗靜電層，和在所述抗靜電層上形成的粘合劑層。有益效果根據(jù)本發(fā)明，可在偏振膜表面上形成抗靜電層，而無需諸如底涂處理或電暈處理等其他表面處理，從而制造偏振膜而無需擔心在從所述偏振膜上移除保護膜或離型膜時產(chǎn)生靜電。此外，根據(jù)本發(fā)明，能對所述偏振膜進行再加工，因此具有缺陷的偏振膜在其制造過程中不會被浪費而能被回收。圖1是顯示本發(fā)明的抗靜電偏振膜的剖面圖。具體實施方式在下文中，參考附圖，給出了在本發(fā)明的抗靜電偏振膜中用于抗靜電層的組合物及其制備方法的詳細描述。圖1是顯示本發(fā)明的抗靜電偏振膜的剖面圖。如圖1所示，所述抗靜電偏振膜100包括偏振膜110、形成在所述偏振膜110的一個表面上的含有導電聚合物作為有效組分的抗靜電層120和在所述抗靜電層120上形成的用于偏振膜的丙烯酸粘合劑層130。作為所述偏振膜110，可用的是通過將纖維素類透明聚合物膜附著在由聚乙烯醇(PVA)膜和諸如碘等二色性材料構(gòu)成的偏振片的兩個表面上形成的膜。在本發(fā)明中，通過將含有導電聚合物作為有效組分的抗靜電溶液涂覆在所述偏振膜的一個表面上然后將其干燥而形成抗靜電層120。所述抗靜電溶液基本上由所述導電聚合物、有機酸化合物和溶劑構(gòu)成。這樣，優(yōu)選的是將所述有機酸化合物的量設定為所述導電聚合物的量的150倍。在所述抗靜電溶液中，所述導電聚合物可列舉出聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩，或作為其衍生物的改性導電聚合物。具體而言，作為聚噻吩的衍生物，聚(3，4-乙撐二氧噻吩)相比其他導電聚合物具有較高的導電性，較高的在可見光范圍內(nèi)的透光率和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，因此適于用作偏振膜用抗靜電材料。此外，導電聚合物，包括具有與聚(3,4-乙撐二氧噻吩)相似的光學性質(zhì)的聚噻吩類衍生物可表現(xiàn)出相同的效果。屬于此類的導電聚合物的實例包括羥甲基化聚(3,4-乙撐二氧噻吩)、聚(3,4-烷撐二氧噻吩)、聚(3,4-二烷基噻吩)、聚(3,4-環(huán)焼基噻吩)、聚(3,4-二垸氧基噻吩)和由其衍生的改性導電聚合物等。此外，有用的是具有聚噻吩類導電聚合物結(jié)構(gòu)單元并且為與諸如聚乙二醇和聚(甲基)丙烯酸酯等普通聚合物共聚的形式的導電聚合物。在所述抗靜電溶液中，有機酸化合物的實例包括諸如聚苯乙烯磺酸和聚乙烯基磺酸的聚磺酸化合物，和諸如聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸和聚馬來酸的聚羧酸化合物。除所述聚磺酸化合物或聚羧酸化合物之外，還可例舉出低分子量有機酸化合物，如對甲苯磺酸、苯磺酸、甲磺酸和三氟甲磺酸。所述有機酸化合物可單獨使用或者以兩種以上的混合物使用。所述有機酸化合物的用量為所述導電聚合物的量的150倍，所述導電聚合物具體為聚(3，4-乙撐二氧噻吩)或由其衍生的噻吩類導電聚合物，由此制得抗靜電溶液，然后將其涂覆在所述偏振膜上，形成抗靜電層。倘若如此，在所述抗靜電層和在其上形成的粘合劑層之間的粘合強度不會降低。因此，當在所述再加工工序中將所述偏振膜從所述基板上分離時，與粘合劑轉(zhuǎn)移到所述基板上相關的問題能得到有效克服。在所述抗靜電溶液的制備中，所述噻吩類導電聚合物的量與所述有機酸化合物的量之比被視為非常重要的因素。當所述有機酸化合物的量少于所述導電聚合物的量時，所述粘合劑層和所述抗靜電層之間的粘合強度較低，不利地導致在所述再加工工序中所述粘合劑轉(zhuǎn)移到所述基板上。另一方面，當所述有機酸化合物的量為所述噻吩類導電聚合物的量的50倍以上時，所述粘合劑層和所述抗靜電層之間的粘合力不再明顯增加，并且，所述抗靜電效果可能會降低。所述導電聚合物和所述有機酸化合物與適宜的溶劑混合在一起。可用在本發(fā)明中的此類溶劑的例子包括水；諸如甲醇、乙醇、異丙醇和異丁醇等的醇溶劑；諸如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮和環(huán)己酮等的酮溶劑；諸如二乙基醚、二丙基醚和二丁基醚等的醚溶劑；諸如乙二醇、丙二醇、乙二醇單甲基醚(甲基溶纖劑)、乙二醇單乙基醚(乙基溶纖劑)、乙二醇單丁基醚(丁基溶纖劑)、二乙二醇、二乙二醇單乙基醚和二乙二醇單丁基醚等的醇醚溶劑；諸如N-甲基-2-吡咯烷酮、2-批咯烷酮、N-甲基甲酰胺和N,N-二甲基甲酰胺等的酰胺溶劑；諸如二甲基亞砜和二乙基亞砜等的亞砜溶劑；諸如二乙基砜和環(huán)丁砜等的砜溶劑；諸如乙腈等的腈溶劑；諸如烷基胺、環(huán)胺和芳香胺等的胺溶劑和諸如甲苯和二甲苯等的有機溶劑，所述溶劑可以單獨使用也可以以兩種以上的混合物使用。將通過混合所述導電聚合物、有機酸化合物和溶劑制備的用于偏振膜的抗靜電組合物涂覆在所述偏振膜的表面上，此外，所述粘合劑層形成在所述抗靜電層上，由此制造了抗靜電偏振膜，其表現(xiàn)出優(yōu)異的抗靜電性能并且不會因為所述抗靜電層而降低所述偏振膜和粘合劑層之間的粘合強度。形成在所述偏振膜上的抗靜電層由以預定比例混合的所述導電聚合物和所述有機酸化合物構(gòu)成。在所述偏振膜上形成所述抗靜電層的方法根據(jù)所述導電聚合物的聚合類型而變化。例如，將已聚合的典型導電聚合物的溶液與有機酸化合物以預定比例混合，由此制備用于偏振膜的抗靜電溶液，然后將其涂覆在所述偏振膜上并干燥，由此形成所述抗靜電層。作為另外一種選擇，有機酸化合物首先與導電聚合物的聚合引發(fā)劑相混合，然后涂覆在所述偏振膜的表面上，之后，將導電聚合物的單體氣化以與所述偏振膜的表面相接觸，從而使之能通過氣相聚合形成抗靜電層，所述氣相聚合能使所述導電聚合物直接在所述膜上聚合。此外，所述有機磺酸化合物可用作合成所述導電聚合物的摻雜劑。由此，在制備所述導電聚合物時，即使所述磺酸化合物的量設定在本發(fā)明的范圍內(nèi)并由此制備所述導電聚合物，也可以獲得相同的效果。艮P，當所包含的所述有機磺酸化合物的量不少于用作合成所述導電聚合物的摻雜劑所需的量時，除去用作所述摻雜劑的量之外的所述有機磺酸化合物可用于提高粘合強度。在本發(fā)明中，所述基板包括用于光學目的的可見光透射率在85%以上的玻璃或高透明度聚合物，如聚醚砜、環(huán)烯烴化合物、聚碳酸酯、聚酯或聚苯乙烯。所述抗靜電層的表面電阻控制在l(^l(Tohm/sq的范圍內(nèi)。當所述表面電阻較低時，有利地表現(xiàn)出抗靜電性能。然而，如果所述表面電阻過低，可見光透射率可能會降低。另一方面，如果所述表面電阻過高，抗靜電性能可能會劣化。實施例根據(jù)以下實施例能更好地理解本發(fā)明，提出所述實施例是為了進行描述而不應解釋為限制本發(fā)明。<性能評估>表面電阻的測量將抗靜電溶液涂覆在偏振膜的一個表面上，然后進行干燥，由此形成抗靜電層。采用表面電阻測量儀(ST-3，由Simco提供)測量所述抗靜電層的表面電阻。粘合強度的評估將抗靜電溶液涂覆在偏振膜的一個表面上，然后進行干燥，由此形成抗靜電層。根據(jù)ASTMD3359評估所述抗靜電層的粘合強度。帶電電壓的測量在偏振膜的一個表面上形成抗靜電層，隨后在所述偏振膜的抗靜電層上涂覆厚度約為20pim的用于偏振板的丙烯酸粘合劑，并將離型膜附著在所述粘合劑層的上表面上，由此制造具有偏振膜/抗靜電層/粘合劑層/離型膜結(jié)構(gòu)的偏振膜。所述偏振膜的粘合劑在室溫下老化約7天。采用靜電場強儀(FMX-002，由Simco提供)測量從所述偏振膜上移除離型膜時在所述偏振膜上產(chǎn)生的帶電電壓。再加工性的評估在偏振膜的一個表面上形成抗靜電層，隨后在所述偏振膜的抗靜電層上涂覆厚度約為20(Lim的用于偏振板的丙烯酸粘合劑，并將離型膜附著在所述粘合劑層的上表面上，由此制造具有偏振膜/抗靜電層/粘合劑層/離型膜結(jié)構(gòu)的偏振膜。作為所述偏振膜的粘合劑，使用經(jīng)過電暈處理的粘合劑和未經(jīng)過電暈處理的粘合劑，在室溫下老化約7天，然后在預定壓力下附著到玻璃基板上。將所述膜在室溫下放置48小時。此后，當將所述偏振膜與所述玻璃基板分離時，根據(jù)以下標準評估所述粘合劑是否殘留在所述玻璃基板上。〇沒有粘合劑殘留在玻璃基板上一些粘合劑殘留在玻璃基板上X:大部分粘合劑殘留在玻璃基板上<比較例1>將作為導電聚合物的水性分散液的BaytronP(由德國的H.C.Starck提供)涂覆在偏振膜的表面上，然后進行干燥，由此形成0.2pm厚的抗靜電層。測量所述抗靜電層的表面電阻和粘合力。此后，在所述抗靜電層上，形成由丙烯酸粘合劑構(gòu)成的粘合劑層，并將離型膜附著在所述粘合劑層的上表面上。測量在移去所述離型膜時的帶電電壓。此外，評估附著于所述基板上的偏振膜的再加工性。結(jié)果顯示在以下的表l中。<比較例2>按照與比較例1相同的方式進行本比較例，不同之處在于所述丙烯酸粘合劑表面經(jīng)過電暈處理，并由此評估再加工性。<比較例3>按照與比較例1相同的方式進行本比較例，不同之處在于將5重量份的作為導電聚合物的水性分散液的BaytronP(由德國的H.C.Starck提供)和10重量份的聚氨酯粘合劑與85重量份的乙醇相混合，從而制備抗靜電涂布溶液，然后將其涂覆在偏振膜上，再進行干燥，由此形成抗靜電層。<比較例4>按照與比較例3相同的方式進行本比較例，不同之處在于丙烯酸粘合劑的表面經(jīng)過電暈處理，由此評估再加工性。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>由表1顯而易見的是，當含有導電聚合物作為有效組分的抗靜電層形成在所述偏振膜上時，帶電電壓經(jīng)測量為lkV以下，結(jié)果得到優(yōu)異的抗靜電性能。然而，在比較例1和2中，僅使用商售可得的所述導電聚合物的水性分散液，觀察到所述偏振膜和抗靜電層之間的粘合力下降，因此不能使用所述膜。在比較例3和4中，以與粘合劑的混合物來使用導電聚合物，所述偏振膜和抗靜電層之間的粘合強度增加，但所述抗靜電層和粘合劑層之間的粘合強度并未顯著增加，由此在所述再加工工序中引起與所述粘合劑轉(zhuǎn)移至所述基板相關的問題。<實施例1>按照與比較例2相同的方式進行本實施例，不同之處在于使用以下抗靜電溶液在所述偏振膜上形成抗靜電層。為了制備所述抗靜電溶液，將15重量份的聚苯乙烯磺酸(PSSA)、1重量份的過硫酸銨(APS)、3重量份的乙撐二氧噻吩(EDOT)和81重量份的水依次加入到250ml圓底燒瓶中，然后在(TC磁力攪拌24小時，由此聚合出摻雜有PSSA的聚乙撐二氧噻吩。將如此聚合的聚乙撐二氧噻吩用1尺寸的過濾器迸行過濾以具有小于l(im的粒徑，然后穿過離子交換樹脂(LewatitMonoPlusS100)，由此除去未反應的殘留物。用95重量份的乙醇稀釋5重量份如此聚合的聚乙撐二氧噻吩/PSSA的水性分散液，由此制備用于偏振膜的抗靜電涂布溶液。將所述涂布溶液涂覆在偏振膜的一個表面上，然后進行干燥，由此形成抗靜電層。采用與比較例中相同的方法測量粘合強度、表面電阻、帶電電壓和再加工性。結(jié)果顯示在以下的表2中。<實施例2>按照與實施例1相同的方式進行本實施例，不同之處在于當制備用于偏振膜的抗靜電溶液時，將25重量份的PSSA、1重量份的APS、3重量份的EDOT禾Q71重量份的水相混合并由此制備摻雜有PSSA的聚乙撐二氧噻吩。<實施例3>按照與實施例1相同的方式進行本實施例，不同之處在于當制備用于偏振膜的抗靜電溶液時，使用聚馬來酸來替代PSSA，由此制備摻雜有聚馬來酸的聚乙撐二氧噻吩。<實施例4>按照與比較例2相同的方式進行本實施例，不同之處在于當制備用于偏振膜的抗靜電溶液時，將由德國的H.C.Starck提供的聚(3，4-乙撐二氧噻吩)的水性分散液與PSSA—起加入使得將所述聚(3,4-乙撐二氧噻吩)與PSSA之比設定為1:10。<實施例5>按照與比較例2相同的方式進行本實施例，不同之處在于當制備用于偏振膜的抗靜電溶液時，將由德國的H.C.Starck提供的聚(3,4-乙撐二氧噻吩)的水性分散液與十二烷基苯磺酸一起加入使得將所述聚(3,4-乙撐二氧噻吩)與十二烷基苯磺酸之比設定為1:15。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage0</column></row><table>由表2顯而易見的是，當本發(fā)明的抗靜電溶液涂覆在所述偏振膜上時，賦予所述偏振膜優(yōu)異的抗靜電性能，此外，所述抗靜電層和所述粘合劑層之間的粘合強度增加，結(jié)果在再加工時沒有與粘合劑轉(zhuǎn)移至所述玻璃基板相關的問題。<實施例6>按照與實施例1相同的方式進行本實施例，不同之處在于使用其中聚(3，4-乙撐二氧噻吩)與聚乙二醇共聚的導電聚合物制備用于偏振膜的抗靜電溶液。這樣，如下制備聚(3，4-乙撐二氧噻吩)-共-聚乙二醇(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)畫co-polyethyleneglycol)。將12g分子量為400的聚乙二醇和6ml吡啶與二氯甲烷混合，隨后向其中滴加7ml的2-噻吩羰基氯，由此制備具有噻吩端基的聚乙二醇。將0.7mmol的具有該噻吩的聚乙二醇與丁醇溶劑中的30g甲苯磺酸鐵相混合。向其中滴加1.6g的3，4-乙撐二氧噻吩，由此制備聚(3，4-乙撐二氧噻吩)-共-聚乙二醇。通過在8(TC持續(xù)3小時的攪拌工序?qū)崿F(xiàn)所述導電聚合物的聚合。在所述聚合完成后，用水洗滌所述聚合物以除去未反應的部分，從而得到最終產(chǎn)物。在所述偏振膜上涂覆約0.2pm厚的在實施例6中所制備的導電聚合物，其表面電阻經(jīng)測量為104ohm/sq。此夕卜，所述帶電電壓經(jīng)測量為約0.5kV，由此確認獲得所需的抗靜電性能。另外，在再加工性的評估中，沒有粘合劑轉(zhuǎn)移至所述基板。工業(yè)實用性如上文所述，本發(fā)明提供了用于偏振膜的抗靜電涂布組合物和使用所述組合物的抗靜電偏振膜。根據(jù)本發(fā)明，所述抗靜電組合物和使用所述組合物的抗靜電偏振膜適于用在液晶顯示器中。權(quán)利要求1.一種用于偏振膜的抗靜電涂布組合物，所述組合物包含導電聚合物和有機酸化合物(在所述導電聚合物具有作為摻雜劑的有機酸化合物的情況下，除了用作所述導電聚合物的摻雜劑的酸化合物之外加入)，將所述抗靜電涂布組合物涂覆在所述偏振膜和粘合劑層之間。2.如權(quán)利要求1所述的組合物，其中，所述有機酸化合物是選自由包括聚苯乙烯磺酸和聚乙烯基磺酸的聚磺酸化合物、包括聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸和聚馬來酸的聚羧酸化合物和包括對甲苯磺酸、苯磺酸、甲磺酸和三氟甲磺酸的低分子量有機酸化合物組成的組中的一種化合物或兩種以上化合物的混合物。3.如權(quán)利要求1或2所述的組合物，其中，所述導電聚合物選自由聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩及其衍生物和具有聚噻吩類導電聚合物結(jié)構(gòu)單元并與包括聚乙二醇和聚(甲基)丙烯酸酯的聚合物共聚的導電聚合物組成的組，所述聚噻吩的衍生物是其改性導電聚合物，包括聚(3，4-乙撐二氧噻吩)、羥甲基化聚(3,4-乙撐二氧噻吩)、聚(3,4-烷撐二氧噻吩)、聚(3,4-二烷基噻吩)、聚(3，4-環(huán)烷基噻吩)和聚(3，4-二烷氧基噻吩)。4.如權(quán)利要求13中任一項所述的組合物，其中，所述有機酸化合物的用量為包括聚(3,4-乙撐二氧噻吩)或由其衍生的噻吩類導電聚合物的導電聚合物的量的150倍。5.如權(quán)利要求13中任一項所述的組合物，其中，所述導電聚合物和有機酸化合物與溶劑相混合，所述溶劑是選自由以下溶劑所組成的組中的一種溶劑或兩種以上溶劑的混合物水；包括甲醇、乙醇、異丙醇和異丁醇的醇溶劑；包括丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮和環(huán)己酮的酮溶劑；包括二乙基醚、二丙基醚和二丁基醚的醚溶劑；包括乙二醇、丙二醇、乙二醇單甲基醚(甲基溶纖劑)、乙二醇單乙基醚(乙基溶纖劑)、乙二醇單丁基醚(丁基溶纖劑)、二乙二醇、二乙二醇單乙基醚和二乙二醇單丁基醚的醇醚溶劑；包括N-甲基-2-吡咯烷酮、2-吡咯垸酮、N-甲基甲酰胺和N,N-二甲基甲酰胺的酰胺溶劑；包括二甲基亞砜和二乙基亞砜的亞砜溶劑；包括二乙基砜和環(huán)丁砜的砜溶劑；包括乙腈的腈溶劑；包括烷基胺、環(huán)胺和芳香胺的胺溶劑和包括甲苯和二甲苯的有機溶劑。6.—種抗靜電偏振膜，所述抗靜電偏振膜包括基膜；使用權(quán)利要求15中任一項所述的抗靜電涂布組合物在所述基膜的一個表面上形成的抗靜電層；和形成在所述抗靜電層上的粘合劑層。7.如權(quán)利要求6所述的偏振膜，其中，通過直接聚合、氣相聚合或液相聚合形成所述抗靜電層。8.如權(quán)利要求6或7所述的偏振膜，其中，所述抗靜電層具有102101()ohm/sq的表面電阻。全文摘要本發(fā)明公開了用于偏振膜的使得用于液晶顯示器的所述偏振膜的表面具有抗靜電性能的導電聚合組合物。所述組合物涂覆在所述偏振膜的表面上而無需其他表面處理，然后進行干燥，從而制造高度可靠的抗靜電偏振膜，所述偏振膜在所述偏振膜和粘合劑層之間具有高粘合強度，并且導致在所述偏振膜附著在基板上并隨后與之分離時，所述偏振膜的粘合劑層沒有轉(zhuǎn)移至玻璃或透明聚合物基板。文檔編號C09D5/24GK101405354SQ200780009317公開日2009年4月8日申請日期2007年3月13日優(yōu)先權(quán)日2006年3月14日發(fā)明者徐光錫,李太熙,金元中,金太永,金鐘銀申請人:徐光錫