用于金屬電鍍的包含調平劑的組合物的制作方法
【專利說明】用于金屬電鍍的包含調平劑的組合物
[0001] 本發(fā)明涉及一種用于金屬電鍍的組合物，以便由下而上無空隙填充電子基底上的 特征，尤其具有納米尺寸及高縱橫比的那些特征。
[0002] 發(fā)明背景
[0003] 通過銅電鍍填充小特征（如信道和溝槽）為半導體制造過程的基本部分。熟知有 機物質作為添加劑存在于電鍍浴中可在基底表面上實現(xiàn)均一金屬沉積及避免銅線內的如 空隙和裂縫的瑕疵方面為關鍵的。
[0004] -類添加劑為所謂調平劑。調平劑用于在所填充的特征上提供實質上平坦的表 面。在文獻中，已描述多種不同調平化合物。在大多數(shù)情況下，調平化合物為含N及任選地 經取代和/或季銨化的聚合物。
[0005] US 6425996 B1公開包含聚氨基酰胺分別與表鹵醇、二鹵醇及1-鹵素-2, 3-丙二 醇的反應產物的調平劑。
[0006] EP 1978134 A1公開包含聚乙氧基化聚酰胺或聚乙氧基化聚氨基酰胺的調平劑。 在實施方案中，端基皆用25、40或20個烷氧基重復單元聚烷氧基化。
[0007] WO2011/064154公開下式的調平劑
【主權項】
1. 一種組合物，包含金屬離子源和至少一種添加劑，所述添加劑包含至少一種聚氨基 酷胺，所述聚氨基酷胺包含由式I表示的結構單元，
或通過使用非芳族反應物進行完全或部分質子化、N-官能化或N-季錠化可獲得的式I的聚氨基酷胺的衍生物， 其中 對于重復單元1至S的每一個，D6獨立地為選自飽和或不飽和Ci-Cw有機基團的二價 基團， 對于重復單元1至S的每一個，D7獨立地為選自直鏈或支化C2-C2。燒二基的二價基團， 其可任選地雜有選自0、S和NRW的雜原子或二價基團， 對于重復單元1至S的每一個，Ri獨立地選自H、Ci-Cw烷基和Ci-Cw締基，其可任選地 經哲基、烷氧基或烷氧基幾基取代，或連同R2-起可形成二價基團D8,且 對于重復單元1至S的每一個，R2獨立地選自H、Ci-Cw烷基和Ci-Cw締基，其可任選地 經哲基、烷氧基或烷氧基幾基取代，或連同Ri-起可形成二價基團D8,且 護選自直鏈或支化Ci-Ci8燒二基，其可任選地雜有選自0、S和NRW的雜原子或二價基 團， S為1至250的整數(shù)， RW選自H、C1-C2。烷基和C1-C2。締基，其可任選地經哲基、烷氧基或烷氧基幾基取代。
2. 根據(jù)權利要求1的組合物，其中所述聚氨基酷胺由式IV表示，
其中D6、D7、Ri、R嘴S具有指定含義且E3、E4獨立地選自 (a)NH-C1-C2。烷基或NH-C1-C2。締基， 化)N- (C1-C2。烷基）2或N-(C1-C2。締基）2或N-(C1-C2。烷基）（C1-C2。締基） (c)NR2-d7-NR2h或 (d) NR2-d7-NR2-CH2-CH2-C0-NH- (C1-C20烷基）或NR2-D7-NR2-CH2-CH2-C0-NH- (C1-C20締 基）。
3. 根據(jù)權利要求2的組合物，其中E嘴E4獨立地選自NR1-D7-NR2H。
4. 根據(jù)前述權利要求中任一項的組合物，其中所述金屬離子包含銅離子。
5. 根據(jù)前述權利要求中任一項的組合物，其中對于重復單元1至S的每一個，D6獨立 地選自（CH2)g，其中g為1至6的整數(shù)。
6. 根據(jù)前述權利要求中任一項的組合物，其中D7選自直鏈C2至C6燒二基。
7. 根據(jù)前述權利要求中任一項的組合物，其中S為1至150、更優(yōu)選2至100、最優(yōu)選2 至50的整數(shù)。
8. 根據(jù)前述權利要求中任一項的組合物，其中Ri選自H、C1-C2。烷基、Ci-Cw締基，其可 任選地經哲基、烷氧基或烷氧基幾基取代。
9. 根據(jù)前述權利要求中任一項的組合物，其中R2選自H、C1-C,。烷基或C1-C,。締基，其 可任選地經哲基、烷氧基或烷氧基幾基取代。
10. 根據(jù)權利要求1-7中任一項的組合物，其中R1和R2-起形成二價基團D8,其中護 選自直鏈或支化Ci-Ci8燒二基，其可任選地雜有選自〇、S和NRW的雜原子或二價基團，其中 RW選自H、Ci-Cw烷基和Ci-Cw締基，其可任選地經哲基、烷氧基或烷氧基幾基取代。
11. 根據(jù)前述權利要求中任一項的組合物，其進一步包含促進劑。
12. 根據(jù)前述權利要求中任一項的組合物，其進一步包含抑制劑。
13. 根據(jù)前述權利要求中任一項的式I聚氨基酷胺在用于沉積含金屬層的浴中的用 途。
14. 一種用于沉積金屬層于基底上的方法，其通過W下步驟進行： a)使包含根據(jù)權利要求1-12中任一項的組合物的金屬電鍛浴與基底接觸，和 b) 施加電流密度至基底，維持一段足W沉積金屬層于基底上的時間。
15. 根據(jù)權利要求14的方法，其中所述基底包含微米或納米大小特征且進行沉積W填 充微米或納米大小特征。
16. 根據(jù)權利要求15的方法，其中所述納米大小特征具有1至lOOOnm的大小和/或4 或4W上的縱橫比。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種組合物，包含金屬離子源和至少一種添加劑，所述添加劑包含一種由式I表示的聚氨基酰胺。還公開了所述組合物在用于沉積含金屬層的浴中的用途，所述含金屬層具有減少的過度鍍覆，尤其是減少的堆積。
【IPC分類】C25D3-38, C08G73-14
【公開號】CN104797633
【申請?zhí)枴緾N201380058525
【發(fā)明人】M·P·基恩勒, D·邁耶, C·勒格爾-格普費特, A·哈格, C·埃姆內特, A·弗魯格爾, M·阿諾德
【申請人】巴斯夫歐洲公司
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2013年10月30日
【公告號】EP2917265A2, WO2014072885A2, WO2014072885A3