本發(fā)明涉及體外診斷設(shè)備檢測(cè)用反應(yīng)倉(cāng)，尤其是涉及一種用于體外診斷設(shè)備并帶有葫蘆形開(kāi)口的反應(yīng)倉(cāng)。

背景技術(shù)：

基因擴(kuò)增技術(shù)又稱無(wú)細(xì)胞分析克隆系統(tǒng)，可將極微量的靶DNA擴(kuò)增上百萬(wàn)倍，從而大大提高對(duì)靶DNA分子的分析和檢測(cè)能力，能檢測(cè)單分子DNA或?qū)γ?萬(wàn)個(gè)細(xì)胞中僅含一個(gè)靶DNA分子的樣品，因而在體外診斷領(lǐng)域得到快速發(fā)展，用于檢測(cè)遺傳病、傳染病等疾病。常將體外診斷設(shè)備如全自動(dòng)化學(xué)發(fā)光免疫分析系統(tǒng)、生化分析儀等儀器與基因擴(kuò)增技術(shù)合為一體進(jìn)行多種疾病或病毒的診斷。據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前導(dǎo)致基因擴(kuò)增檢測(cè)失敗的關(guān)鍵因素在于提純質(zhì)量的失控而導(dǎo)致靶DNA的丟失或受到污染，因而靶DNA復(fù)制后的提純是直接影響基因擴(kuò)增反應(yīng)的關(guān)鍵操作，直接影響疾病檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性。提純步驟中用到的反應(yīng)倉(cāng)是用來(lái)獲得提純物的一次性耗材或可重復(fù)性耗材，需要有接收混合物的反應(yīng)空間，在檢測(cè)過(guò)程中，反應(yīng)倉(cāng)既要滿足同自動(dòng)化儀器設(shè)備的動(dòng)作對(duì)接，又要依照其動(dòng)作程序滿足各類功能需求及防污染需求，并以此獲得高質(zhì)量的純化物進(jìn)而確保擴(kuò)增反應(yīng)的成功率及準(zhǔn)確性?，F(xiàn)有反應(yīng)倉(cāng)混合不均，反應(yīng)混合物易出現(xiàn)掛壁現(xiàn)象，并且?guī)в邪蠨NA的磁珠富集時(shí)間長(zhǎng)，進(jìn)而影響樣品檢測(cè)的準(zhǔn)確性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明目的在于提供一種用于體外診斷設(shè)備并帶有葫蘆形開(kāi)口的反應(yīng)倉(cāng)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取下述技術(shù)方案：

本發(fā)明所述用于體外診斷設(shè)備并帶有葫蘆形開(kāi)口的反應(yīng)倉(cāng)，包括頂部設(shè)置有固定圈的倉(cāng)體，所述倉(cāng)體由倉(cāng)室和設(shè)置在所述倉(cāng)室下端的倉(cāng)底組成，所述倉(cāng)室上端部橫截面的內(nèi)輪廓為由大直徑圓弧段和小直徑圓弧段銜接構(gòu)成的葫蘆形輪廓，倉(cāng)室的上側(cè)壁呈圓柱形結(jié)構(gòu), 倉(cāng)室的下側(cè)壁內(nèi)輪廓為上大下小的倒圓臺(tái)結(jié)構(gòu)或碗狀結(jié)構(gòu)，所述倉(cāng)底為圓弧底；與所述小直徑圓弧段對(duì)應(yīng)位置處的倉(cāng)室側(cè)壁上斜切有自上側(cè)壁向下側(cè)壁下端延伸的富集斜切壁，所述富集斜切壁的下端向倉(cāng)底中軸線傾斜設(shè)置，富集斜切壁的內(nèi)表面和外表面均為平面結(jié)構(gòu)，富集斜切壁與所述倉(cāng)底中軸線之間的夾角α為150～175°，倉(cāng)室的下側(cè)壁上設(shè)置有富集裝置。

與所述富集斜切壁相對(duì)的倉(cāng)室下側(cè)壁縱截面外輪廓線為直線或弧線。

位于所述富集斜切壁兩側(cè)的倉(cāng)室側(cè)壁上均斜切有自上側(cè)壁向下側(cè)壁下端延伸的加熱斜切壁，每個(gè)所述加熱斜切壁的內(nèi)表面和外表面均為平面結(jié)構(gòu)，加熱斜切壁外表面與富集斜切壁之間外表面之間的夾角β為80～90°。

所述倉(cāng)體的壁厚為0.4～1.0mm。

所述富集斜切壁的寬度為4～8mm。

本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便；倉(cāng)底為圓弧底，便于渦旋；下側(cè)壁為倒圓臺(tái)結(jié)構(gòu)或碗狀結(jié)構(gòu)，具有緩沖作用，便于渦旋，根據(jù)液體渦旋原理，流入倉(cāng)底的反應(yīng)試劑渦旋上升后再下落，實(shí)現(xiàn)渦旋混勻；富集斜切壁與倉(cāng)底中軸線夾角α為定值，富集斜切壁的高度與葫蘆形開(kāi)口的大直徑圓弧、小直徑圓弧之間的中心距呈正相關(guān)；注液后，可以直接對(duì)下側(cè)壁進(jìn)行加熱或者對(duì)加熱斜切壁加熱，壁厚一致，反應(yīng)試劑受熱均勻，富集斜切壁傾斜設(shè)置，富集距離短，縮短富集時(shí)間，進(jìn)而提高檢測(cè)效率。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明所述下側(cè)壁為倒圓臺(tái)結(jié)構(gòu)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明所述下側(cè)壁為倒圓臺(tái)結(jié)構(gòu)時(shí)的立體結(jié)構(gòu)示意圖（隱去富集裝置）。

圖3是圖2的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明所述下側(cè)壁為碗狀結(jié)構(gòu)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本發(fā)明所述下側(cè)壁為碗狀結(jié)構(gòu)時(shí)的立體結(jié)構(gòu)示意圖（隱去富集裝置）。

圖6是本發(fā)明帶有加熱斜切壁時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7是本發(fā)明帶有加熱斜切壁時(shí)的立體結(jié)構(gòu)示意圖（隱去富集裝置）。

圖8是圖7的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖1、圖2所示，本發(fā)明所述用于體外診斷設(shè)備并帶有葫蘆形開(kāi)口的反應(yīng)倉(cāng)，包括頂部設(shè)置有固定圈1的倉(cāng)體，所述倉(cāng)體包括頂部開(kāi)口設(shè)置的倉(cāng)室和設(shè)置在所述倉(cāng)室下端的倉(cāng)底2，倉(cāng)體2為圓弧底，便于渦旋，使倉(cāng)室無(wú)用容量最小化，在反應(yīng)試劑添加過(guò)程中起渦旋作用；如圖3所示，所述倉(cāng)室上端部橫截面的內(nèi)輪廓為由大直徑圓弧和小直徑圓弧銜接構(gòu)成的葫蘆形輪廓4，即倉(cāng)室的上開(kāi)口為葫蘆形開(kāi)口；如圖1、圖2所示，倉(cāng)室包括呈圓柱形的上側(cè)壁4和設(shè)置在所述上側(cè)壁4下端的下側(cè)壁5，所述倉(cāng)底2設(shè)置在下側(cè)壁5的底部，與所述小直徑圓弧開(kāi)口對(duì)應(yīng)位置處的倉(cāng)室上斜切有自上側(cè)壁4向下側(cè)壁5下端延伸的富集斜切壁6，所述富集斜切壁6的下端向倉(cāng)底2中軸線傾斜，富集斜切壁6的內(nèi)表面和外表面均為平面結(jié)構(gòu)；所述下側(cè)壁5內(nèi)輪廓為上大下小的倒圓臺(tái)形結(jié)構(gòu)，與所述富集斜切壁6對(duì)應(yīng)位置處的下側(cè)壁5縱截面外輪廓線為直線；實(shí)際制造時(shí)，倉(cāng)室的下側(cè)壁5的內(nèi)輪廓也可以是如圖4、圖5所示的上大下小碗狀結(jié)構(gòu)，與所述富集斜切壁6對(duì)應(yīng)位置處的下側(cè)壁5縱截面外輪廓線為弧線；倉(cāng)室的下側(cè)壁5具有緩沖作用，便于渦旋；倉(cāng)室的下側(cè)壁5上設(shè)置有富集裝置7，富集裝置7為可移動(dòng)的磁鐵塊，富集裝置7可以設(shè)置在富集斜切壁6上，還可以設(shè)置在與富集斜切壁6相對(duì)位置處的倉(cāng)室下側(cè)壁5上，還可以同時(shí)在富集斜切壁6和倉(cāng)室下側(cè)壁5上。

實(shí)際制造時(shí)，為了加熱方便，在位于富集斜切壁6前側(cè)和后側(cè)位置處的倉(cāng)室上均斜切有自上側(cè)壁4向下側(cè)壁5下端延伸的加熱斜切壁8，每個(gè)所述加熱斜切壁8的內(nèi)表面和外表面均為平面結(jié)構(gòu)，加熱斜切壁8外表面與富集斜切壁6之間外表面之間的夾角β為90°。

實(shí)際制造時(shí)，富集斜切壁6與所述倉(cāng)底2中軸線之間的夾角α為固定值，富集斜切壁6的高度與葫蘆形開(kāi)口的大直徑圓弧、小直徑圓弧之間的中心距呈正相關(guān)，中心距越大，富集斜切壁6的最高處越接近固定圈1，即富集斜切壁6的高度越大。如圖4-5所示，富集斜切壁6與倉(cāng)底2中軸線之間的夾角為168°，葫蘆形開(kāi)口的大直徑圓弧段與小直徑圓弧段之間的中心距為6.3mm，富集斜切壁6的寬度為6mm，富集斜切壁6上部與固定圈1底部之間的距離為7.6mm；如圖6-8所示，富集斜切壁6與倉(cāng)底2中軸線之間的夾角α為168°，葫蘆形開(kāi)口的大直徑圓弧段與小直徑圓弧段之間的中心距為7.3mm，富集斜切壁6的寬度為6mm，富集斜切壁6上部與固定圈1底部之間的距離為2.0mm。

實(shí)際使用時(shí)，富集裝置7可移動(dòng)，注液和混勻過(guò)程中將富集裝置7移開(kāi)，磁珠試劑富集時(shí)再將富集裝置7移動(dòng)到富集斜切壁6的外表面，注液時(shí)，如圖1、圖4、圖6所示，注液管9的注液位置為富集斜切壁6中上部所在的軸線上，注液管9的注液深度由反應(yīng)試劑的加入量確定，反應(yīng)試劑經(jīng)富集斜切壁6流入倉(cāng)底2，避免因注液位置而導(dǎo)致掛壁和混合不均勻現(xiàn)象，提高準(zhǔn)確性；倉(cāng)室的壁厚為0.7mm，壁厚一致，受熱均勻，便于傳熱；位于富集斜切壁6兩側(cè)的倉(cāng)室上側(cè)壁4具有避位作用，防止反應(yīng)試劑在渦旋過(guò)程中沖出倉(cāng)室；倉(cāng)室下側(cè)壁外表面設(shè)置有富集裝置7，便于磁珠試劑的富集磁珠試劑富集時(shí)直接沿富集斜切壁6縱向吸附在其內(nèi)表面，即磁珠試劑呈一定寬度的線狀結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的工作原理簡(jiǎn)述如下：

實(shí)際使用時(shí)，首先向倉(cāng)室內(nèi)添加磁珠試劑，然后向倉(cāng)室內(nèi)注入反應(yīng)試劑，反應(yīng)試劑的注液位置位于富集斜切壁6內(nèi)表面的上部，反應(yīng)試劑順著富集斜切壁6內(nèi)表面向下流入倉(cāng)底2，倉(cāng)底2為弧形尖底，根據(jù)渦旋原理，流入倉(cāng)底2的反應(yīng)試劑向上渦旋至下側(cè)壁5內(nèi)表面，然后上升至上側(cè)壁4，然后反應(yīng)試劑在自身重力的作用下重新落入倉(cāng)底2，實(shí)現(xiàn)反應(yīng)試劑與磁珠試劑的混合，可以反復(fù)進(jìn)行吸液、注液動(dòng)作，使反應(yīng)混合均勻，注液后加熱下側(cè)壁5或加熱斜切壁8對(duì)反應(yīng)混合物進(jìn)行加熱，提供反應(yīng)所需的熱量。

當(dāng)反應(yīng)結(jié)束后，用設(shè)置在富集斜切壁6上的富集裝置7對(duì)磁珠進(jìn)行富集，用富集30～70秒后，磁珠試劑即可完全吸附在富集裝置7對(duì)應(yīng)位置處的富集斜切壁6上，用吸液管10進(jìn)行緩慢吸液直至將倉(cāng)底2位置處的溶液完全吸出，，即可實(shí)現(xiàn)磁珠試劑富集的實(shí)驗(yàn)操作。