多晶硅還原爐的絕緣盤(pán)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種絕緣件，特別是指一種多晶硅還原爐的絕緣盤(pán)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著多晶硅還原爐不斷發(fā)展，對(duì)還原爐電極的絕緣隔熱環(huán)套產(chǎn)品的絕緣性及抗震性等技術(shù)要求越來(lái)越高，特別是采用高壓擊穿的還原爐需兼顧高壓性、絕緣性?，F(xiàn)有的高壓絕緣隔熱環(huán)套的絕緣性和耐熱沖擊的效果不理想，常常出現(xiàn)破裂和電擊穿現(xiàn)象，有待于改進(jìn)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型提出一種絕緣盤(pán)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中絕緣性及耐沖擊性差等問(wèn)題。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0005]一種多晶硅還原爐的絕緣盤(pán)，包括盤(pán)體，該盤(pán)體包括圓形的上表面、與該上表面相對(duì)的圓形的下表面及連接于該上、下表面之間的側(cè)面，其中部設(shè)有一貫穿盤(pán)體上、下表面的圓形的通孔，所述盤(pán)體為氮化硅盤(pán)體，所述盤(pán)體的上表面上設(shè)有第一凹槽及第二凹槽，所述第一凹槽為由盤(pán)體的上表面向下凹進(jìn)形成的圓環(huán)形槽，所述第二凹槽為由該第一凹槽的底面向下凹進(jìn)形成的圓環(huán)形槽，所述第一凹槽的內(nèi)徑大于第二凹槽的內(nèi)徑，所述盤(pán)體的下表面上設(shè)有第三凹槽，該第三凹槽為由盤(pán)體的下表面向上凹進(jìn)形成的圓環(huán)形槽，所述環(huán)槽為圓環(huán)狀，其由盤(pán)體的側(cè)面中部向內(nèi)凹進(jìn)形成。
[0006]優(yōu)選方案為，所述第一凹槽及第二凹槽的中心與通孔的中心相同。
[0007]優(yōu)選方案為，所述第三凹槽與盤(pán)體上表面的第二凹槽上下對(duì)應(yīng)，且大小相同。
[0008]優(yōu)選方案為，所述盤(pán)體于通孔周緣的上、下兩側(cè)分別設(shè)有一錐形環(huán)槽，每一錐形環(huán)槽分別由通孔的頂端及底端向通孔的中部呈漸縮狀延伸。
[0009]優(yōu)選方案為，所述盤(pán)體的直徑為200mm，所述通孔的直徑為80mm，所述第一凹槽的直徑為134.5mm，該第二凹槽與第三凹槽的直徑相同，均為128mm。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果為:
[0011 ] 本實(shí)用新型中的絕緣盤(pán)在其盤(pán)體的側(cè)面上設(shè)有環(huán)槽，增大了絕緣盤(pán)自身的彈性系數(shù)，使得其在使用過(guò)程中，絕緣盤(pán)與兩側(cè)設(shè)有的導(dǎo)體組件進(jìn)行力的作用時(shí)，其對(duì)導(dǎo)體組件有一個(gè)緩沖作用，大大提高了導(dǎo)體組件的受擠壓能力，以防止導(dǎo)體組件損壞，同時(shí)，使用時(shí)，使盤(pán)體設(shè)有第一凹槽及第二凹槽的表面靠近溫度較高的導(dǎo)電組件一側(cè)，通過(guò)第一凹槽及第二凹槽阻隔形成的空間阻隔熱量的傳遞，防止其被燒毀。
【附圖說(shuō)明】
[0012]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0013]圖1為本實(shí)用新型多晶硅還原爐的絕緣盤(pán)的剖視圖。
[0014]圖中:
[0015]100、絕緣盤(pán)；10、盤(pán)體；20、第一凹槽；30、第二凹槽；40、第三凹槽；50、環(huán)槽；11、上表面；12、下表面；13、側(cè)面；15、通孔；18、錐形環(huán)槽。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0017]如圖1所示，該絕緣盤(pán)100用于設(shè)于多晶娃還原爐內(nèi)，其包括盤(pán)體10、設(shè)于該盤(pán)體10上的第一凹槽20、第二凹槽30、設(shè)于盤(pán)體10下的第三凹槽40及設(shè)于盤(pán)體10側(cè)緣的環(huán)槽50 ο
[0018]所述盤(pán)體10為圓形板狀的氮化硅盤(pán)體，其包括圓形的上表面11、與該上表面11相對(duì)的圓形的下表面12及連接于該上、下表面11、12之間的側(cè)面13。該盤(pán)體10的直徑為200mm，其中部設(shè)有一貫穿盤(pán)體10上、下表面11、12的圓形的通孔15。該通孔15的直徑為80mm。該盤(pán)體10于通孔15周緣的上、下兩側(cè)分別設(shè)有一錐形環(huán)槽18，每一錐形環(huán)槽18分別由通孔15的頂端及底端向通孔15的中部呈漸縮狀延伸。
[0019]所述第一凹槽20及第二凹槽30設(shè)于盤(pán)體10的上表面11上，且第一凹槽20位于第二凹槽30的上方。所述第一凹槽20為由盤(pán)體10的上表面11向下凹進(jìn)形成的圓環(huán)形槽，所述第二凹槽30為由該第一凹槽20的底面向下凹進(jìn)形成的圓環(huán)形槽。該第一凹槽20及第二凹槽30的中心與通孔15的中心相同，且第一凹槽20的內(nèi)徑大于第二凹槽30的內(nèi)徑。該第一凹槽20的直徑為134.5mm，該第二凹槽30的直徑為128mm。該第一凹槽20的頂端形成一向內(nèi)漸縮的錐形面。所述第三凹槽40由盤(pán)體10的下表面12向上凹進(jìn)形成的圓環(huán)形槽，該第三凹槽40與盤(pán)體10上表面11的第二凹槽30上下對(duì)應(yīng)，且大小相同。
[0020]所述環(huán)槽50為圓環(huán)狀，其由盤(pán)體10的側(cè)面中部向內(nèi)凹進(jìn)形成。
[0021]該絕緣盤(pán)100在其盤(pán)體10的側(cè)面13上設(shè)有環(huán)槽50，增大了絕緣盤(pán)100自身的彈性系數(shù)，使得其在使用過(guò)程中，絕緣盤(pán)100與兩側(cè)設(shè)有的導(dǎo)體組件進(jìn)行力的作用時(shí)，其對(duì)導(dǎo)體組件有一個(gè)緩沖作用，大大提高了導(dǎo)體組件的受擠壓能力，以防止導(dǎo)體組件損壞，同時(shí)，使用時(shí)，使盤(pán)體10設(shè)有第一凹槽20及第二凹槽30的表面靠近溫度較高的導(dǎo)電組件一側(cè)，通過(guò)第一凹槽20及第二凹槽30阻隔形成的空間阻隔熱量的傳遞，防止其被燒毀。
[0022]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種多晶硅還原爐的絕緣盤(pán)，包括盤(pán)體，該盤(pán)體包括圓形的上表面、與該上表面相對(duì)的圓形的下表面及連接于該上、下表面之間的側(cè)面，其中部設(shè)有一貫穿盤(pán)體上、下表面的圓形的通孔，其特征在于:所述盤(pán)體為氮化硅盤(pán)體，所述盤(pán)體的上表面上設(shè)有第一凹槽及第二凹槽，所述第一凹槽為由盤(pán)體的上表面向下凹進(jìn)形成的圓環(huán)形槽，所述第二凹槽為由該第一凹槽的底面向下凹進(jìn)形成的圓環(huán)形槽，所述第一凹槽的內(nèi)徑大于第二凹槽的內(nèi)徑，所述盤(pán)體的下表面上設(shè)有第三凹槽，該第三凹槽為由盤(pán)體的下表面向上凹進(jìn)形成的圓環(huán)形槽，所述環(huán)槽為圓環(huán)狀，其由盤(pán)體的側(cè)面中部向內(nèi)凹進(jìn)形成。2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐的絕緣盤(pán)，其特征在于:所述第一凹槽及第二凹槽的中心與通孔的中心相同。3.如權(quán)利要求2所述的多晶硅還原爐的絕緣盤(pán)，其特征在于:所述第三凹槽與盤(pán)體上表面的第二凹槽上下對(duì)應(yīng)，且大小相同。4.如權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐的絕緣盤(pán)，其特征在于:所述盤(pán)體于通孔周緣的上、下兩側(cè)分別設(shè)有一錐形環(huán)槽，每一錐形環(huán)槽分別由通孔的頂端及底端向通孔的中部呈漸縮狀延伸。5.如權(quán)利要求1至4任何一項(xiàng)所述的多晶硅還原爐的絕緣盤(pán)，其特征在于:所述盤(pán)體的直徑為200mm，所述通孔的直徑為80mm，所述第一凹槽的直徑為134.5mm，該第二凹槽與第三凹槽的直徑相同，均為128mm。
【專利摘要】本實(shí)用新型提出了一種多晶硅還原爐的絕緣盤(pán)，包括盤(pán)體，其中部設(shè)有一貫穿盤(pán)體上、下表面的圓形的通孔，該盤(pán)體為氮化硅盤(pán)體，所述盤(pán)體的上表面上設(shè)有第一凹槽及第二凹槽，所述第一凹槽為由盤(pán)體的上表面向下凹進(jìn)形成的圓環(huán)形槽，所述第二凹槽為由該第一凹槽的底面向下凹進(jìn)形成的圓環(huán)形槽，所述第一凹槽的內(nèi)徑大于第二凹槽的內(nèi)徑，所述盤(pán)體的下表面上設(shè)有第三凹槽，該第三凹槽為由盤(pán)體的下表面向上凹進(jìn)形成的圓環(huán)形槽，所述環(huán)槽為圓環(huán)狀，其由盤(pán)體的側(cè)面中部向內(nèi)凹進(jìn)形成。本實(shí)用新型中的絕緣盤(pán)由于設(shè)有環(huán)槽，增大了絕緣盤(pán)自身的彈性系數(shù)，對(duì)導(dǎo)體組件有一個(gè)緩沖作用，大大提高了導(dǎo)體組件的受擠壓能力，且為氮化硅絕緣盤(pán)，絕緣及穩(wěn)定性好。
【IPC分類】C01B33/03
【公開(kāi)號(hào)】CN204625195
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520197422
【發(fā)明人】李剛
【申請(qǐng)人】新德隆特種陶瓷（大連）有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月9日
【申請(qǐng)日】2015年4月2日