一種低電導率含鉻玻璃及其熔制方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明設及材料領域，特別是玻璃制品領域，尤其是一種低電導率含銘玻璃及其 烙制方法。
【背景技術】
[0002] 特殊儀器儀表上所用的玻璃要求在可見光波段550nm附近有較高的透光率，且在 較高濕度和溫度下有較小的電導率。本發(fā)明是為了滿足上述要求而研制的特種玻璃。本發(fā) 明通過反復烙融玻璃再進行測定的方法，研制出了 一種符合上述要求的工藝玻璃配方，并 且烙制出了運種玻璃。該玻璃的最大透光率在525nm-550nm，高溫高濕的條件下都有較小的 電導率，并且化學穩(wěn)定性完全滿足運種特殊的需要。

【發(fā)明內容】

[0003] 本發(fā)明的目的在于，提供一種工藝玻璃配方，使烙制出的玻璃在可見光波段550nm 附近有較高的透光率，且在較高濕度和溫度下有較小的電導率，具有良好的化學穩(wěn)定性，滿 足特殊儀器儀表上所用玻璃的特殊要求。
[0004] 本發(fā)明的目的及解決其技術問題是采用W下技術方案來實現(xiàn)的。 陽0化]依據(jù)本發(fā)明提出的一種低電導率含銘玻璃，其中，該玻璃配方由化0、Si化、 化〇、化〇3、NaN〇3組脫各組分的重量百分數(shù)分別為：Li 2〇 0-20%，Si〇2 55% -81%，CaO 0-33 %，NaN〇3 0. 5 %，化2〇3 0. 01 % -0. 30 %。
[0006] 本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用W下技術措施進一步實現(xiàn)。
[0007] 前述的一種低電導率含銘玻璃，其中，該玻璃配方中各組分的重量百分數(shù)分別為 LizO 9%，Si〇2 78. 25%，Ca0 12%，NaN〇3 0. 5%，〇2〇3 0. 25%。
[0008] 前述的一種低電導率含銘玻璃，其中，該玻璃配方中各組分的重量百分數(shù)分別為 LizO 13. 5%，Si〇2 73. 75%，Ca0 12%，NaN〇3 0. 5%，〇2〇3 0. 25%。
[0009] 前述的一種低電導率含銘玻璃，其中，該玻璃配方中各組分的重量百分數(shù)分別為 LizO 13. 5%，Si〇2 73. 85%，Ca0 12%，NaN〇3 0. 5%，〇2〇3 0. 15%。
[0010] 前述的一種低電導率含銘玻璃，其中，Si化用娃砂引入，CaO用石灰石引入，Li 2〇用 分析純化〔〇3引入，Cr 2〇3用分析純K 引入。
[0011] 上述一種低電導率含銘玻璃的烙制方法包括W下步驟：
[0012] (1)按設計的配料比，計算各組分的用量，稱取不同質量的LizCOs、娃砂、石灰石、 NaN〇3、而化2〇7,制作玻璃配合料，混合均勻；
[001引 似將上述混合料放入剛玉相蝸中，并將放有混合料的剛玉相蝸放入SGM3816C箱 式電阻爐中進行烙制，烙制溫度為1480°C -1490°C，烙制時間為2個小時，使玻璃配合料充 分烙融均勻；
[0014] (3)取出盛有玻璃液的剛玉相蝸，迅速將玻璃液倒入已經(jīng)預熱至600°C的模具中， 將模具連同玻璃液放入另一個溫度為600°C的電阻爐中，退火，封閉爐口，關閉電源，使玻璃 液自然冷卻至室溫，即得各種玻璃樣片。
[0015] 其中，當玻璃配料中LizO的重量百分數(shù)小于10%時，步驟似中電阻爐的烙制溫 度為 1515°C -1525°C。
[0016] 借由上述技術方案，本發(fā)明一種低電導率含銘玻璃及其烙制方法可達到相當?shù)募?術進步性及實用性，并具有產(chǎn)業(yè)上的廣泛利用價值，與現(xiàn)有技術相比具有明顯的優(yōu)點和有 益效果，其至少具有下列優(yōu)點：
[0017] (1)本發(fā)明的方法簡單有效，用本發(fā)明的方法烙制的玻璃樣品，不僅在電導、透光 方面完全滿足要求，而且在超高溫下（1485°c)保溫時間較長，使玻璃的化學穩(wěn)定性極好， 滿足在高溫高濕度條件下的使用條件。
[001引似用本發(fā)明的方法烙制的玻璃樣品，顏色穩(wěn)定，能夠保證在550皿附近有較大的 透光率。
[0019] (3)本發(fā)明的玻璃確實可W達到實用上的功效，更能符合使用者的需求，能夠大幅 提升其整體效益性，從而更為適于實用。
[0020] 綜上所述，本發(fā)明一種低電導率含銘玻璃及其烙制方法在技術上有顯著的進步， 并具有明顯的積極效果，誠為一新穎、進步、實用的新設計。
[0021] 上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段， 而可依照說明書的內容予W實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠 更明顯易懂，W下特舉較佳實施例，詳細說明如下。
【附圖說明】
[0022] 圖1.玻璃樣品的透光率。
【具體實施方式】
[0023] 為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功效，W下結合 較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的一種低電導率含銘玻璃及其烙制方法，其【具體實施方式】、 結構、特征及其功效，詳細說明如后。
[0024] 本發(fā)明設計了合理的工藝配方，然后又通過重復烙制試驗，對烙制好的玻璃樣品 進行透光率及玻璃電導率的測定。
[0025] 本發(fā)明一種低電導率含銘玻璃及其烙制方法的具體工藝過程如下：
[0026] (1)首先，設計工藝玻璃的配方：本發(fā)明的玻璃配料由化〇、Si〇2、Li2〇、^〇3、NaN〇3 組成。各組分的總質量保持100g不變，保持總質量和其中S個組分的質量不變，改變其余 兩個組分的質量，并編號表示W(wǎng)配制玻璃樣品。例如下表1實驗中，保持總質量為100g不 變，只改變LizO和Si化的用量，其余組分的質量不變。下表2實驗中，保持總質量為100g 不變，只改變化2〇3和SiO 2的用量，其余組分的質量不變。具體配料設計如表1和表2。
[0027] 表1.改變LizO和Si〇2用量設計配料方案
[0028]
[0029] 表2.改變化203和SiO2用量設計配料方案
陽03U 上述的配料中，從當質量為100g計，Si〇2用量可W在55g-81g之間；CaO用量可W 在〇-33旨之間；^2〇用量可^在〇-20旨之間；化2〇3用量可^在〇.〇1旨-〇.3〇旨之間；化側3在 100g配料中保持0. 5g不變。
[0032] 實際配料設計中，Si化用娃砂引入，娃砂中含SiO 298. 25% ;CaO W石灰石形式引 入