一種電加熱導電玻璃及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電加熱導電玻璃鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電加熱導電玻璃及其制 作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示近年來得到了快速的發(fā)展，但野外科研等復雜環(huán)境下環(huán)境溫度、酸堿腐 蝕問題要求較高，對液晶顯示產(chǎn)品溫度特性、耐酸堿特性均提出了較高的要求。在_30°C的 低溫狀態(tài)下，液晶表現(xiàn)為結(jié)晶態(tài)，液晶的響應(yīng)時間急劇增加，動態(tài)信息拖尾嚴重，這是由于 當溫度發(fā)生變化時，液晶分子的活動能量發(fā)生變化，相應(yīng)的液晶材料的粘滯系數(shù)發(fā)生變化； 當溫度高時，液晶分子的活動能量高，粘滯系數(shù)小，液晶在電場驅(qū)動下能自由的高速按電場 方向扭曲排列，顯示器的響應(yīng)速度加快；同樣，在低溫的情況下液晶分子的活動能量減弱， 粘滯系數(shù)變大，在給液晶分子施加電場的時候，液晶分子受到的粘滯阻力較大，需要很長的 時間才能達到應(yīng)有的扭曲角度，故顯示器的響應(yīng)速度變慢。為保證液晶顯示屏能夠正常使 用，一般會采用ITO導電玻璃對液晶顯示屏進行加熱處理。
[0003] 同時，野外使用時環(huán)境較為惡劣，導電層容易受到環(huán)境中酸、堿等影響，嚴重的會 造成掉膜，影響加熱效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種電加熱導電玻璃及其制作方法，以解決上述技術(shù)問 題。為保護ITO導電層，本發(fā)明在ITO層上覆蓋一層SiO 2，同時使用遮擋板在四周邊緣保 留3-5mm區(qū)域不覆蓋，露出ITO導電層，用于后續(xù)制作電極；由于ITO膜層透過率隨膜厚增 加成正弦分布，為保證加熱效果，ITO電阻需低于5ohm，透光性需保證總體膜層透過率大于 8〇%，SiO2B著力彡冊。
[0005] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)：
[0006] -種電加熱導電玻璃，其特征在于：包括普通浮法玻璃、ITO導電層和SiO2膜層， 所述ITO導電層鍍制在普通浮法玻璃的一側(cè)表面，所述SiO 2膜層覆蓋在ITO導電層表面， ITO導電層的邊沿寬度3-5mm的區(qū)域內(nèi)不被5102膜層覆蓋，露出ITO導電層，該區(qū)域用于制 作電極。
[0007] ITO導電層與SiO2膜層的總體透光性為透過率大于80%，ITO導電層電阻低于 5ohm，SiO 2B著力彡 5H。
[0008] ITO導電層的膜厚為4300± 100A，3102膜層厚為700± 1〇〇 A。
[0009] -種電加熱導電玻璃的制作方法，其特征在于，具體步驟如下：
[0010] ⑴在普通浮法玻璃上鍍制ITO導電層，膜層厚度4300± 100 Λ，基板溫度 300-330 0C ；
[0011] ⑵將已鍍制ITO導電層的玻璃再次進行清洗，清洗后在凈化環(huán)境中將此玻璃放 置在背板上，背板與玻璃相同尺寸，厚度2mm，材質(zhì)為不銹鋼，背板邊緣與玻璃不接觸部分整 齊排列磁鐵，用于固定玻璃前部遮擋框，遮擋框外邊尺寸與玻璃相同，遮擋框邊寬度3-5_， 遮擋框通過磁鐵固定在玻璃鍍膜面的邊沿；
[0012] (3)鍍制 SiOJ莫層，5102膜層厚度 700± 1〇〇 A，基板溫度 180-220°C。
[0013] 本發(fā)明的有益效果是：
[0014] I) ITO導電膜層上制作一層SiO2膜層，保證ITO導電膜層不受使用環(huán)境影響，同 時膜層厚度搭配保證總體透過率多80% ;
[0015] 2)制作SiO2膜層時四周使用專用遮擋框阻擋，保證四周邊緣3-5mm無 SiO 2沉積 覆蓋，漏出邊緣ITO導電膜層，用于后續(xù)制作引線。
【附圖說明】
[0016] 圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017] 圖2為電加熱導電玻璃的透過率曲線圖。
【具體實施方式】
[0018] 為了使本發(fā)明實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結(jié) 合具體實施例和附圖，進一步闡述本發(fā)明，但下述實施例僅僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非 全部?；趯嵤┓绞街械膶嵤├?，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得 其它實施例，都屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0019] -種電加熱導電玻璃及其制作方法，
[0020] 如圖1所示，電加熱導電玻璃包括普通浮法玻璃1、ITO導電層2和SiO2膜層3， ITO導電層2鍍制在普通浮法玻璃1的表面，SiO2膜層3覆蓋在ITO導電層2表面，ITO導 電層2的邊沿寬度3-5mm的區(qū)域內(nèi)不被SiOJ莫層3覆蓋，露出ITO導電層2,該區(qū)域用于制 作電極。
[0021] 電加熱導電玻璃的制作方法，
[0022] 1)先在浮法玻璃上制作一層ITO導電層，再在已鍍制ITO導電層的表面上鍍制一 層SiO 2膜層，按照ITO導電膜層4300± 100A，SiO2膜厚700± 1〇〇 A進行設(shè)計并鍍制， 此時透過率能夠達到多80%要求，同時SiO2附著力、屏蔽性均能滿足要求，其中ITO鍍膜時 基板溫度300-330°C，SiOj^膜時基板溫度180-220°C
[0023] 2)制作SiOJ莫層時，為使四周邊緣3-5mm不被SiO2覆蓋，須在四周邊緣使用專用 邊框（遮擋框）阻擋，保證四周邊緣無 SiO2沉積，漏出ITO導電層用于后續(xù)制作引線。
[0024] 如圖2所示，本發(fā)明的電加熱導電玻璃550nm處透過率可以達到80%以上。
[0025] 以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù) 人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的僅為本發(fā)明 的優(yōu)選例，并不用來限制本發(fā)明，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種 變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所 附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項】
1. 一種電加熱導電玻璃，其特征在于：包括普通浮法玻璃、ITO導電層和SiO J莫層，所 述ITO導電層鍍制在普通浮法玻璃的一側(cè)表面，所述SiO2膜層覆蓋在ITO導電層表面，ITO 導電層的邊沿寬度3-5mm的區(qū)域內(nèi)不被SiOJ莫層覆蓋，露出ITO導電層，該區(qū)域用于制作 電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電加熱導電玻璃，其特征在于：ΙΤ0導電層與SiO 2膜層的總 體透光性為透過率大于80%，ITO導電層電阻低于5ohm，SiO2B著力彡5Η。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電加熱導電玻璃，其特征在于：ΙΤ0導電層的膜厚為 43〇o±1〇oA，SiO^層厚為 700±10〇 Α。
4. 一種權(quán)利要求1所述的電加熱導電玻璃的制作方法，其特征在于，具體步驟如下： ⑴在普通浮法玻璃上鍍制ITO導電層，膜層厚度4300± 100 Α，基板溫度 300-330 0C ； (2) 將已鍍制ITO導電層的玻璃再次進行清洗，清洗后在凈化環(huán)境中將此玻璃放置在 背板上，背板與玻璃相同尺寸，厚度2mm，材質(zhì)為不銹鋼，背板邊緣與玻璃不接觸部分整齊排 列磁鐵，用于固定玻璃前部遮擋框，遮擋框外邊尺寸與玻璃相同，遮擋框邊寬度3-5_，遮擋 框通過磁鐵固定在玻璃鍍膜面的邊沿； (3) 鍍制51〇2膜層，5比2膜層厚度700±100>\，基板溫度180-220°〇。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電加熱導電玻璃及其制作方法，涉及電加熱導電玻璃鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，包括普通浮法玻璃、ITO導電層和SiO2膜層，所述ITO導電層鍍制在普通浮法玻璃的一側(cè)表面，所述SiO2膜層覆蓋在ITO導電層表面，ITO導電層的邊沿寬度3-5mm的區(qū)域內(nèi)不被SiO2膜層覆蓋，露出ITO導電層，該區(qū)域用于制作電極。本發(fā)明在ITO導電膜層上制作一層SiO2膜層,保證ITO導電膜層不受使用環(huán)境影響，同時膜層厚度搭配保證總體透過率≥80％；制作SiO2膜層時四周使用專用遮擋框阻擋，保證四周邊緣3-5mm無SiO2沉積覆蓋，漏出邊緣ITO導電膜層，用于后續(xù)制作引線。
【IPC分類】C03C17-34
【公開號】CN104860549
【申請?zhí)枴緾N201510188665
【發(fā)明人】胡超川, 傅強, 李加海, 朱磊, 江雪峰
【申請人】安徽立光電子材料股份有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年4月20日